JP2010252299A - 発振器 - Google Patents
発振器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010252299A JP2010252299A JP2009291025A JP2009291025A JP2010252299A JP 2010252299 A JP2010252299 A JP 2010252299A JP 2009291025 A JP2009291025 A JP 2009291025A JP 2009291025 A JP2009291025 A JP 2009291025A JP 2010252299 A JP2010252299 A JP 2010252299A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonance
- electrode
- line
- dielectric
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B7/00—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes
- H03B7/02—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B7/06—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element being semiconductor device
- H03B7/08—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element being semiconductor device being a tunnel diode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B7/00—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes
- H03B7/12—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B7/14—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance active element being semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
【解決手段】 13は線路部である。前記線路部は、前記第1の導体16を用いて、前記共振部12と前記容量部19とを電気的に並列に接続するように構成される。これにより、前記容量23は、前記容量22や前記抵抗21と電気的に並列に接続される。また、上記容量23と電気的に並列になるように、抵抗部を設ける。前記抵抗部は、前記第1の導体16と前記第3の導体18とに電気的に接続される。このとき、抵抗部は抵抗24を有する。そして、前記共振部12の第1の位置31(ポート1)と前記容量部19の第2の位置32(ポート2)とが電気的に略等価となるように接続する。
【選択図】 図1
Description
共鳴トンネルダイオードと、該共鳴トンネルダイオードに接する誘電体と、第1及び第2の導体と、を含み構成され、該第1の導体と該第2の導体とにより該誘電体を挟み構成され、該第1及び第2の導体と共鳴トンネルダイオードとを電気的に接続し構成される共振部と、
前記第1及び前記第2の導体により前記誘電体を挟み構成される容量部と、
前記共振部と前記容量部とを電気的に並列に接続するための線路部と、
前記第1の導体と前記第3の導体とを電気的に接続するための抵抗部と、を備え、
前記共振部を共振する電磁波の波長より長い波長領域において電気的に略等価となるように、前記共振部の第1の位置と前記容量部の第2の位置とが前記線路部を介して接続されることを特徴とする。
テラヘルツ波を発振させるための発振素子であって、
サブバンド間でのキャリアの遷移によりテラヘルツ波を発生させる活性層と、該活性層と電気的に接する第1及び第2の導体と、該第1の導体と該第2の導体とにより挟まれ且つ該活性層に接する誘電体と、を含む共振部と、
前記第1及び前記第2の導体により前記誘電体を挟み構成される容量部と、
前記共振部と前記容量部とを電気的に並列に接続するための線路部と、
前記第1の導体と前記第2の導体とを電気的に接続するための抵抗部と、を備え、
前記共振部を共振するテラヘルツ波の波長より長い波長領域において電気的に略等価となるように、前記共振部の第1の位置と前記容量部の第2の位置とが前記線路部を介して接続されることを特徴とする。
Y11=Y103(Y22+jY103tan(βL))/(Y103+jY22tan(βL)) (式1)
を参照すると理解できる。ここで、βは2π/λである。Y103は線路103の特性アドミタンスを示す。port2のアドミッタンスY22は、容量部109と並列抵抗部110の合成アドミッタンスで求められる。この式1を解くと、共振波長より長い波長領域においてport1とport2は電気的にほぼ等価となり、実質、port1に安定化回路104を接続したことと等価になる。ここで、図3(a)の解析例からも明らかなように、線路103の長さLは、例えばλ/4丁度のとき、Y11は極小となり、安定化回路104は共振器102内の共振電磁界の損失とはならなくなる。なお、この場合、損失のレベルは一定以下であればよいので、線路103の長さLはλ/4近傍であればよい。また、λ/4の他、3λ/4、5λ/4等といったλ/4の(2m−1)倍であっても良い(m:自然数)。さらに、port1が共振器102内で共振する電磁界の定在波の節であれば、線路103の長さは任意であってもよい。例えば、線路長をλ2/2近傍にして高い周波数(λ2)の寄生発振を抑制することも出来る。ここで、λは定在波の波長であり、λ2はλ2<λを満たす共振部102内を共振する電磁波の波長であって、共振部102の高次共振点や高調波などが該当する。また、λ2/2の他、λ2、3λ2/2等といったλ2/2のn倍であっても良い(n:自然数)。また、線路103の幅は、線路103の特性インピーダンスが高くなり、且つ、RTD101に対して大きな直列抵抗とならないような幅に適宜設計する。
本実施例に係る発振器について、図2〜図4を用いて説明する。図2(a)は本実施例を説明するための外観図であり、図2(b)は本実施例を説明するための断面図である。図3は本実施例に係る発振器のアドミタンス解析例である。図4(a)及び図4(b)は本実施例の変形例を説明するための外観図である。
第一障壁層 AlAs 1.3nm
第一量子井戸層 InGaAs 7.6nm
第二障壁層 InAlAs 2.6nm
第二量子井戸層 InGaAs 5.6nm
第三障壁層 AlAs 1.3nm
ここで、第一量子井戸層、第二障壁層、第二量子井戸層は面方位(100)のInPに格子整合したInGaAs/InAlAsである(不図示)。また、第一障壁層、第三障壁層は、InPに格子整合していないAlAsで、臨界薄膜よりは薄く、エネルギーの高い障壁となっている。この3重障壁量子井戸構造を、ノンドープInGaAsからなるスペーサ層(不図示)、n+InGaAsから構成される電気接点層(不図示)で上下から挟む構成となっている。さらに高濃度にドーピングしたn++InGaAsから構成されるコンタクト層220a及び220bで先の構成を上下から挟むことでRTDが構成される。RTD201は、直径が約2μmΦのメサ構造をしており、塩素系ガスを用いたICP−RIE法により形成される。またRTD201は、上電極層221の一部である第1電極206と、コンタクト層220bに接続されたGND電極207とで上下から電気的に接続されており、発振動作に必要なバイアスが供給される構成となっている。本実施例で用いたRTD201では、フォトンアシストトンネル現象により、電流密度がJp=280kA/cm2、ピークバレイ比が約3、微分負性抵抗が約−22Ωの電流電圧特性が得られる。
Re[YRTD]+Re[Y11]>0 (式2)
を満たす周波数帯が0.1THz以下となるからである。ここでRe[YRTD]はRTDのアドミタンスの実部のことで、本実施例では負性抵抗の逆数1/−22Ω−1となる。式1をより、容量が大きいほど寄生発振の抑制条件を満たす最高周波数は低くなる。また、線路の長さLも長いほど寄生発振の抑制条件を満たす最高周波数は低くなるが、長くてもλ/2が限度である。このように、本発明の発振器は、発振可能な周波数帯と、発振を抑制したい周波数帯とを調整することも可能となる。
実施例2について、図5を用いて説明する。本実施例は、共振器にプラズモン導波路構造を用いて構成される発振器である。プラズモン導波路構造は、2電極406と407で誘電体層408を挟み込んだ共振器の内部にRTD401が配置された構造であり、本実施例に係る発振器をより高出力化する上で好適な構造となっている。なお、414は、給電線である。
12 共振部
13 線路部
14 第1の誘電体
15 第2の誘電体
16 第1の導体
17 第2の導体
18 第3の導体
19 容量部
Claims (12)
- 電磁波を発振させるための発振器であって、
共鳴トンネルダイオードと、該共鳴トンネルダイオードに接する誘電体と、第1及び第2の導体と、を含み構成され、該第1の導体と該第2の導体とにより該誘電体を挟み構成され、該第1及び第2の導体と共鳴トンネルダイオードとを電気的に接続し構成される共振部と、
前記第1及び前記第2の導体により前記誘電体を挟み構成される容量部と、
前記共振部と前記容量部とを電気的に並列に接続するための線路部と、
前記第1の導体と前記第2の導体とを電気的に接続するための抵抗部と、を備え、
前記共振部を共振する電磁波の波長より長い波長領域において電気的に略等価となるように、前記共振部の第1の位置と前記容量部の第2の位置とが前記線路部を介して接続されることを特徴とする発振器。 - 前記共振部は、第1の誘電体を第1の電極と第2の電極とで挟み構成され、
前記容量部は、第2の誘電体を第3の電極と第4の電極とで挟み構成され、
前記共振部の前記第1の電極における前記第1の位置と、前記容量部の前記第3の電極における前記第2の位置とが、前記線路部を介して接続されることを特徴とする請求項1に記載の発振器。 - 前記共振部を共振する電磁波は定在波であり、
前記第1の位置は、前記共鳴トンネルダイオードから発生された電磁波が、前記共振部における前記定在波の節の位置であることを特徴とする請求項1あるいは2に記載の発振器。 - 前記共振部を共振する電磁波の波長をλとするとき、前記線路部の線路長が(2m−1)λ/4(m:自然数)近傍であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発振器。
- 前記共振部を共振する電磁波の波長をλ、該λより短い波長λ´とするとき、前記線路部あるいは該線路部とは別の線路部の線路長がnλ´/2(n:自然数)近傍であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発振器。
- 前記抵抗部は、前記容量部における前記第3の電極の外周部に配置されることを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載の発振器。
- 前記容量部における前記第3の電極が、前記共振部の面内方向に関して、前記共振部における前記第1の電極の周囲を囲むように構成されることを特徴とする請求項2乃至6のいずれか1項に記載の発振器。
- 前記線路部を複数有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発振器。
- 前記複数の線路部を前記共振部に対して対称に配置することを特徴とする請求項8に記載の発振器。
- 前記共鳴トンネルダイオードに電圧を印加するための電源と、
前記第2の位置と前記電源とを電気的に接続するための給電線と、を備えることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の発振器。 - 前記電磁波がテラヘルツ波であり、
前記共振部が、前記テラヘルツ波を発振するためのパッチアンテナを含むことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の発振器。 - テラヘルツ波を発振させるための発振素子であって、
サブバンド間でのキャリアの遷移によりテラヘルツ波を発生させる活性層と、該活性層と電気的に接する第1及び第2の導体と、該第1の導体と該第2の導体とにより挟まれ且つ該活性層に接する誘電体と、を含む共振部と、
前記第1及び前記第2の導体により前記誘電体を挟み構成される容量部と、
前記共振部と前記容量部とを電気的に並列に接続するための線路部と、
前記第1の導体と前記第2の導体とを電気的に接続するための抵抗部と、を備え、
前記共振部を共振するテラヘルツ波の波長より長い波長領域において電気的に略等価となるように、前記共振部の第1の位置と前記容量部の第2の位置とが前記線路部を介して接続されることを特徴とする発振素子。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009291025A JP5717336B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-12-22 | 発振器 |
KR1020137009750A KR101343388B1 (ko) | 2009-03-27 | 2010-03-23 | 발진기 |
KR1020117024475A KR101323641B1 (ko) | 2009-03-27 | 2010-03-23 | 발진기 |
US13/256,719 US8410860B2 (en) | 2009-03-27 | 2010-03-23 | Oscillator with resonator generating terahertz wave |
CN201080013047.1A CN102362428B (zh) | 2009-03-27 | 2010-03-23 | 振荡器 |
PCT/JP2010/002019 WO2010109841A1 (en) | 2009-03-27 | 2010-03-23 | Oscillator |
EP10714371A EP2412092B1 (en) | 2009-03-27 | 2010-03-23 | Oscillator |
US13/786,164 US8981859B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-03-05 | Oscillator |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009079402 | 2009-03-27 | ||
JP2009079402 | 2009-03-27 | ||
JP2009291025A JP5717336B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-12-22 | 発振器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010252299A true JP2010252299A (ja) | 2010-11-04 |
JP2010252299A5 JP2010252299A5 (ja) | 2013-06-06 |
JP5717336B2 JP5717336B2 (ja) | 2015-05-13 |
Family
ID=42199907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009291025A Active JP5717336B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-12-22 | 発振器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8410860B2 (ja) |
EP (1) | EP2412092B1 (ja) |
JP (1) | JP5717336B2 (ja) |
KR (2) | KR101323641B1 (ja) |
CN (1) | CN102362428B (ja) |
WO (1) | WO2010109841A1 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014014072A (ja) * | 2012-06-06 | 2014-01-23 | Canon Inc | 発振器 |
JP2014165860A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Canon Inc | 発振素子 |
JP2014199965A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | キヤノン株式会社 | 発振器 |
JP2015091117A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | キヤノン株式会社 | 発振器 |
JP2015180049A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-10-08 | キヤノン株式会社 | 発振素子、及びこれを用いた発振器 |
JP2015180047A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-10-08 | キヤノン株式会社 | 素子 |
JP2016219796A (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | キヤノン株式会社 | 素子、これを有する発振器及び情報取得装置 |
US9553370B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-01-24 | Nitto Denko Corporation | Antenna module and method for manufacturing the same |
JP2017079271A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | キヤノン株式会社 | 発振素子及びそれを用いた測定装置 |
JP2019216434A (ja) * | 2014-02-28 | 2019-12-19 | キヤノン株式会社 | 発振素子、及びこれを用いた発振器 |
JP2020114008A (ja) * | 2014-02-28 | 2020-07-27 | キヤノン株式会社 | 素子 |
JP2020136910A (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-31 | キヤノン株式会社 | 発振器、撮像装置 |
JP7516009B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-16 | キヤノン株式会社 | 発振器、撮像装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5612842B2 (ja) | 2009-09-07 | 2014-10-22 | キヤノン株式会社 | 発振器 |
US8816787B2 (en) | 2012-07-18 | 2014-08-26 | International Business Machines Corporation | High frequency oscillator circuit and method to operate same |
US9276524B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-03-01 | International Business Machines Corporation | High frequency oscillator circuit |
US8909188B2 (en) | 2012-10-31 | 2014-12-09 | Cambridge Silicon Radio, Ltd. | Mixer |
US9414225B2 (en) * | 2013-07-23 | 2016-08-09 | Broadcom Corporation | User equipment having web real time communication architecture |
CN106505949A (zh) * | 2016-10-21 | 2017-03-15 | 天津大学 | 一种采用cmos工艺实现的太赫兹振荡器 |
TWI638452B (zh) * | 2017-12-22 | 2018-10-11 | 林嘉洤 | Room temperature oscillator |
US10630237B2 (en) | 2018-05-08 | 2020-04-21 | Huawei Technologies Co., Ltd. | High-voltage standing-wave oscillator |
JP7414428B2 (ja) | 2019-08-26 | 2024-01-16 | キヤノン株式会社 | 発振器、照明装置、撮像装置および装置 |
RU199438U1 (ru) * | 2020-05-29 | 2020-09-01 | Лазарев Дмитрий Александррович | Резонаторный автогенератор электромагнитных колебаний "контур" |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008011490A (ja) * | 2006-05-31 | 2008-01-17 | Canon Inc | アクティブアンテナ発振器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5511238A (en) * | 1987-06-26 | 1996-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Monolithic microwave transmitter/receiver |
NL1000329C2 (en) * | 1995-05-09 | 1996-11-12 | Imec Vzw Interuniversitair Mic | Millimetre or microwave oscillator device for receiver or transmitter |
US7274263B2 (en) | 2004-08-25 | 2007-09-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microstrip stabilized quantum well resonance-tunneling generator for millimeter and submillimeter wavelength range |
JP2007124250A (ja) | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Tokyo Institute Of Technology | テラヘルツ発振素子 |
-
2009
- 2009-12-22 JP JP2009291025A patent/JP5717336B2/ja active Active
-
2010
- 2010-03-23 KR KR1020117024475A patent/KR101323641B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-03-23 WO PCT/JP2010/002019 patent/WO2010109841A1/en active Application Filing
- 2010-03-23 US US13/256,719 patent/US8410860B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-23 KR KR1020137009750A patent/KR101343388B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-03-23 EP EP10714371A patent/EP2412092B1/en not_active Not-in-force
- 2010-03-23 CN CN201080013047.1A patent/CN102362428B/zh active Active
-
2013
- 2013-03-05 US US13/786,164 patent/US8981859B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008011490A (ja) * | 2006-05-31 | 2008-01-17 | Canon Inc | アクティブアンテナ発振器 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
LIQUAN WANG: "A design procedure for tunnel diode microwave osci", INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROWAVE AND MILLIMET, JPN6014003032, 21 April 2008 (2008-04-21), US, pages 832 - 834, ISSN: 0002732324 * |
M.REDDY, ET AL.: "Bias stabilization for resonant tunnel diode oscillators", IEEE MICROWAVE AND GUIDED WAVE LETTERS, vol. Vo.5,No.7, JPN6014035085, July 1995 (1995-07-01), pages 219 - 221, ISSN: 0002879547 * |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014014072A (ja) * | 2012-06-06 | 2014-01-23 | Canon Inc | 発振器 |
JP2014165860A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Canon Inc | 発振素子 |
US9553370B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-01-24 | Nitto Denko Corporation | Antenna module and method for manufacturing the same |
JP2014199965A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | キヤノン株式会社 | 発振器 |
US9379665B2 (en) | 2013-11-07 | 2016-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Oscillator |
JP2015091117A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | キヤノン株式会社 | 発振器 |
JP2015180047A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-10-08 | キヤノン株式会社 | 素子 |
JP2015180049A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-10-08 | キヤノン株式会社 | 発振素子、及びこれを用いた発振器 |
JP2019216434A (ja) * | 2014-02-28 | 2019-12-19 | キヤノン株式会社 | 発振素子、及びこれを用いた発振器 |
JP2020114008A (ja) * | 2014-02-28 | 2020-07-27 | キヤノン株式会社 | 素子 |
JP2016219796A (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | キヤノン株式会社 | 素子、これを有する発振器及び情報取得装置 |
JP2017079271A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | キヤノン株式会社 | 発振素子及びそれを用いた測定装置 |
JP2020136910A (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-31 | キヤノン株式会社 | 発振器、撮像装置 |
JP7516009B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-16 | キヤノン株式会社 | 発振器、撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102362428B (zh) | 2014-06-18 |
KR20130052651A (ko) | 2013-05-22 |
JP5717336B2 (ja) | 2015-05-13 |
EP2412092A1 (en) | 2012-02-01 |
KR101343388B1 (ko) | 2013-12-20 |
KR101323641B1 (ko) | 2013-11-05 |
US8410860B2 (en) | 2013-04-02 |
US20130181782A1 (en) | 2013-07-18 |
WO2010109841A1 (en) | 2010-09-30 |
KR20110132600A (ko) | 2011-12-08 |
CN102362428A (zh) | 2012-02-22 |
US20120001698A1 (en) | 2012-01-05 |
US8981859B2 (en) | 2015-03-17 |
EP2412092B1 (en) | 2013-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5717336B2 (ja) | 発振器 | |
US9231521B2 (en) | Oscillator | |
JP6280310B2 (ja) | 発振器 | |
JP6415036B2 (ja) | 発振器 | |
US10594260B2 (en) | Element that oscillates or detects terahertz waves | |
JP7208306B2 (ja) | 素子 | |
JP7076937B2 (ja) | 半導体素子 | |
US11831063B2 (en) | Element having antenna array structure | |
JP2021052276A (ja) | 素子、素子の製造方法 | |
CN109075744B (zh) | 元件 | |
JP6870135B2 (ja) | 素子 | |
JP2022023418A (ja) | 半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140819 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150217 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150317 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5717336 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |