JP2011060926A5 - 接続材料、その製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
接続材料、その製造方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
（１）Ａｌ系層と、前記Ａｌ系層の両主面にそれぞれ設けられた第１及び第２のＺｎ系層とを備えた接続材料において、前記第１または前記第２のＺｎ系層に対する前記Ａｌ系層の厚さの比は０．５９以下であることを特徴とする接続材料である。
（２）第１の部材と第２の部材の間に接続材料を設置する設置工程と、当該接続材料を加熱溶融して前記第１の部材と第２の部材とを接続する接続工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記接続材料は、Ａｌ層の両主面にZn層を形成したものであり、前記接続工程では、前記接続材料の前記Ａｌ層及び前記Ｚｎ層を全部溶融させて接続を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
（１）Ａｌ系層と、前記Ａｌ系層の両主面にそれぞれ設けられた第１及び第２のＺｎ系層とを備えた接続材料において、前記第１または前記第２のＺｎ系層に対する前記Ａｌ系層の厚さの比は０．５９以下であることを特徴とする接続材料である。
（２）第１の部材と第２の部材の間に接続材料を設置する設置工程と、当該接続材料を加熱溶融して前記第１の部材と第２の部材とを接続する接続工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記接続材料は、Ａｌ層の両主面にZn層を形成したものであり、前記接続工程では、前記接続材料の前記Ａｌ層及び前記Ｚｎ層を全部溶融させて接続を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
Claims (10)
- Ａｌ系層と、
前記Ａｌ系層の両主面にそれぞれ設けられた第１及び第２のＺｎ系層とを備えた接続材料において、
前記第１または前記第２のＺｎ系層に対する前記Ａｌ系層の厚さの比は０．５９以下であることを特徴とする接続材料。 - 請求項１において、
前記第１または前記第２のＺｎ系層に対する前記Ａｌ系層の厚さの比は０．５２以上であることを特徴とする接続材料。 - 請求項１において、
前記Ａｌ層の厚さが１０μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする接続材料。 - Ａｌ系層の両主面にそれぞれ第１及び第２のＺｎ系層を設けクラッド圧延を行う接続材料の製造方法において、
前記第１または前記第２のＺｎ系層に対する前記Ａｌ系層の厚さの比は０．５９以下であることを特徴とする接続材料の製造方法。 - 請求項４において、
前記第１または前記第２のＺｎ系層に対する前記Ａｌ系層の厚さの比は０．５２以上であることを特徴とする接続材料の製造方法。 - 第１の部材と第２の部材の間に接続材料を設置する設置工程と、
当該接続材料を加熱溶融して前記第１の部材と第２の部材とを接続する接続工程とを含む半導体装置の製造方法において、
前記接続材料は、Ａｌ層の両主面にZn層を形成したものであり、
前記接続工程では、前記接続材料の前記Ａｌ層及び前記Ｚｎ層を全部溶融させて接続を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項６において、
前記Ｚｎ層に対する前記Ａｌ層の厚さは０．５９以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項６または請求項７において、
接続後の前記接続材料はＺｎ‐Ａｌ層を有し、当該Ｚｎ‐Ａｌ層のＡｌ含有率が９ｍａｓｓ％以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項６乃至８のいずれかにおいて、
前記接続工程は、前記第１及び第２の部材と前記接続材料とに加圧をせずに行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項６乃至９のいずれかにおいて、
前記第１の部材は半導体素子であり、前記第２の部材はフレームであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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