JP2011053466A - 露光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】検出センサの調整或いは交換等のメンテナンスを行なっても生産性の低下を防止、或いは低減できる露光装置を提供する。
【解決手段】フォトレジストが塗布された基板101を載せるチャック128と、チャック上の基板の高さを測定する検出センサ126と、露光用の光ビーム照射装置109とを備えたマスクレス露光装置において、検出センサ126のセンサと基板101との間となる位置に更に基準ガラス127を備え、基準ガラス126と基板101との間の距離が所定の値となるように基板101の高さを調整する。
【選択図】図1A

Description

本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネルの製造において、光ビームを用いてパターンを形成する露光装置に関する。
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造におけるパターン形成は、露光装置を用いたフォトリソグラフィー技術により行なわれる。
露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンをフォトレジストが塗布された基板上に投影露光するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へと転写するプロキシミティ方式とがある。しかしながら、基板の大型化に伴いマスクも大型化し、マスクのコスト増が懸念される。
近年、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板表面を走査して、基板にパターンを直接描画する露光装置が開発されている。この装置においては、基板にパターンを直接描画するため、高価なマスクが不要となる。また、描画データおよび走査のプログラムを変更することにより、様々な種類のパターンを有する表示用パネル基板に対応することができる。マスクを用いない露光装置は、例えば、特許文献1〜3に開示されている。
特開2003−332221号公報 特開2005−353927号公報 特開2007−219011号公報
マスクを用いない露光装置の描画法および課題について、図5、図6Aおよび図6Bを用いて説明する。図5は、マスクを用いない露光法を説明するための要部概略構成図である。また、図6A、図6Bは、被露光基板の高さ調整法を説明するための要部概略構成図である。
図5に示すように、まず、レーザ光源ユニット110で放射された光は光ファイバ112を介して光ビーム照射装置109に導かれる。その後、光ビーム照射装置109に導かれた光ビームはレンズ113を介してミラー114で反射された後、DMD(Digital Micromirror Device)115へ導かれる。
DMD115は光ビームを反射する複数の微小なミラーを二方向に配置して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。DMD駆動回路117は、主制御装置123から供給される描画データに基づいてDMD115の各ミラーの角度を変更し、所望のパターンを基板101上に結像させる。結像位置は対物レンズ(投影レンズ)116の焦点位置である。
この焦点位置に基板101を配置するために基板の高さ調整を行なう。この高さ調整のために基板露光面高さを検出するための検出センサ126は、図6A、図6Bに示すように、DMD115が実装された光ビーム照射装置109が取り付けられているゲート(ガントリ)111に取付け部材151を介して取り付けられている。
投影レンズ116から結像位置までの距離をZ1、検出センサ126から結像位置までの距離をZ2とすると、投影レンズ116が実装されている光ビーム照射装置109および検出センサ126は位置ずれしないようにゲート111にしっかりと固定されているため、検出センサ126と基板101との距離をZ2になるように基板101の高さを調整することにより投影レンズ116からの距離がZ1となる位置に基板101をセッティングすることができる(図6A)。
通常、基板101の高さは検出センサ126により検出され、高さ調整がなされている。このような露光装置において、定期的な検出センサのメンテナンス、或いは突発的な故障による検出センサの交換等が行なわれる。しかしながら、一度取り外すと取付け位置が再現せず、その結果、検出センサ126の位置ずれが生じ、検出センサ126から基板101までの距離をZ2となるように調整したのでは結像位置がずれてしまう。そこで、それらの位置関係を再度見直すことが必要になる。
見直し手順は、例えば、検出センサ126で得られる距離をある範囲で変化させ、実際にフォトレジストを塗布した基板を露光してパターンを形成し、パターンの形状から焦点位置に対応するZ2に代わる新たなZ3を見出す。検出センサを再取付け後は、それ(Z3)を用いて基板の高さ調整が行なわれる(図6B)。しかしながら、メンテナンス等における検出センサの再取付けの度にこのような作業を行なうと生産性が低下する。
本発明の目的は、検出センサの調整或いは交換等のメンテナンスを行なっても生産性の低下を防止、或いは低減できる露光装置を提供することにある。
上記目的を達成するための一形態として、フォトレジストが塗布された基板を載せるステージと、前記ステージ上の基板の高さを測定する検出センサと、前記ステージを駆動する駆動部と、前記基板を露光する光ビーム照射装置とを備え、前記基板に塗布されたフォトレジストにパターンを焼き付ける露光装置において、前記検出センサと前記基板との間となる位置に更に基準ガラスを有し、前記基板の高さは、前記基準ガラスと前記基板との間の距離が所定の値となるように調整されるものであることを特徴とする露光装置とする。
検出センサの調整或いは交換等のメンテナンスを行なっても生産性の低下を防止、或いは低減できる露光装置を提供することができる。
第1の実施例に係る露光装置の概略正面図である。 第1の実施例に係る露光装置の概略右側面図である。 第1の実施例に係る露光装置の概略上面図である。 第1の実施例に係る露光装置における高さ調整を説明するための図であり、(a)は基板の第1の隅、(b)は基板の第2の隅、(c)は基板の第3の隅、(d)は第4の隅の場合を示す。 第1の実施例に係る露光装置の要部概略正面図である。 第1の実施例に係る露光装置の要部概略右側面図である。 マスクを用いない露光法を説明するための要部概略構成図である。 高さ調整法を説明するための要部概略構成図である。 高さ調整法を説明するための要部概略構成図である。
以下、実施例で詳細に説明する。
第1の実施例について、図1A〜図5用いて説明する。なお、発明が解決しようとする課題の欄に記載され、本実施例に未記載の事項は、本実施例においても同様である。
図1Aは第1の実施例に係る露光装置の概略正面図、図1Bはその右側面図、図2は上面図である。
露光装置は、図1A、図1B、図2に示すように、基板101を載置するためのステージ部として、ベース102上に配置されたXガイド103とその上に配置されたXステージ104、Xステージ上に配置されたYガイド105とその上に配置されたYステージ106、Yステージ上に配置されたθステージ107、θステージ上に配置されたZステージ108、およびその上に配置され、基板101が載置されるチャック128とを備えている。
図1A、図1Bにおいて、チャック128は、基板101の受渡し位置にある。受渡し位置において、露光のために基板搬送ロボット(図示せず)により基板101がチャック128へ搬入され、又露光後基板搬送ロボットにより基板101がチャック128から搬出される。チャック128は基板101の裏面を真空吸着して保持する。基板101の表面には、フォトレジストが塗布されている。
Zステージは、基板101の高さを調整するためのステージである。基板101の高さ検出は、図4A、図4Bに示す検出センサ126を用いて行なう。検出センサ126のセンサ検出空間には、基準ガラス127が配置される。本実施例では、基板101と基準ガラス127との距離が所定の値になるように基板101の高さを調整する。所定の値については後述する。なお、符号161は高さ検出用の光線を示す。
θステージ107はθ方向に回転するステージで、基板101の水平方向の向きを調整する。θステージ107には、図示しないボールねじ等の駆動機構が設けられている。Xステージ104とYステージ106はそれぞれXガイド103とYガイド105に搭載され、ガイドに沿ってX方向、Y方向に移動する。θステージの他、X、Y、Zの各ステージにも駆動機構が設けられており、各駆動機構は図2に示すステージ駆動回路122により駆動される。
Xステージ104のX方向への移動量は以下のように検出することができる。ベース102に、X方向へ伸びるリニアスケール129を設置する(図1A)。リニアスケール129には、Xステージ104のX方向への移動量を検出するための目盛を付ける。Xステージ104の一側面に、リニアスケール129に対向して、エンコーダ(図示せず)を取り付ける。エンコーダは、リニアスケール129の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置123へ出力する。主制御装置123は、エンコーダのパルス信号をカウントして、Xステージ104のX方向への移動量を検出する。Y方向も同様にして検出する。
また、チャックの位置は以下のように公知のレーザ干渉式の測長系を用いて検出することができる。レーザ光源(図示せず)からのレーザ光とこのレーザ光をチャック128に取り付けたバーミラー121に照射し、バーミラー121により反射されたレーザ光との干渉を測定する。レーザ測長系制御装置118は、主制御装置123の制御により、レーザ干渉計(2軸)120の測定結果からチャック128のX位置を検出する(図2)。Y方向については、レーザ光を、反射ミラー120−2を用いて干渉計120−1に導き、干渉計(1軸)120−1からバーミラー121へ照射したレーザ光で位置を検出する。
基板101の露光は、ベース102を跨いで配置されたゲート111上に設けられた複数の光ビーム照射装置109により行う。本実施例では8つの光ビーム照射装置109を用いた露光装置の例を示したが、光ビーム照射装置の数はこれに限らず、7つ以下又は9つ以上としてもよい。
基板101を描画パターンの結像位置へ移動するための高さ検出は検出センサ126を用いて行なう(図4A、図4B)。本実施例では、基板101と基準ガラス127との距離が所定の値になるように基板101の高さを、Zステージを用いて調整する。例えば、光ビーム照射装置を構成する投影レンズ116からの結像面までの距離がZ1で、投影レンズ116から基準ガラス127までの距離がZ10の場合、基準ガラス127から基板101までの距離Z0が、Z0=Z1−Z10(所定の値)となるように基板101の高さを調整すればよい。
なお、基板と基準ガラスとの距離は、検出センサと基板との距離と、検出センサと基準ガラスとの距離との差から求めることができる。これにより、検出センサを再取付けして位置がずれたとしても、基準ガラスと基板との距離(所定の値)は変わらないため、基板高さ調整は検出センサの再取付け前後で影響されない。これにより、余分な作業が生じることがなく、生産性の低下を防止することができる。符号151−1、151−2は取付け部材を示す。
なお、検出センサ126の角度が再取付け前後で異なっているかどうか、又は垂直方向を向いているかどうかの判断は、Z軸(高さ方向)の駆動距離がセンサ側で何mmであるかを検出し、補正することができる。即ち、角度がつくとZ軸の移動距離に対し、検出センサ測長距離が長くなる。この場合、挿入する基準ガラス127を水平に固定するとさらに効果的である。また、基準ガラス127が傾いて取り付けられていても、所定の範囲内での測長により、誤差内に収まる。
露光装置は、さらに装置内の温度管理を行なう温度制御ユニット(図示せず)を備えている。
次に、本露光装置を用いて露光を行なう手順について説明する。まず、搬送ロボットにより運ばれてきたガラス基板101は、チャック128へ受け渡される。次に、θステージの回転によりチャック128に保持された基板101は、直交する二辺がX方向及びY方向へ向くように回転される。
次に、例えば図3(a)に示すように、ガラス基板101の四隅の内の第1の隅が検出センサ126の下に来るようにXステージおよびYステージを移動する。その後、第1の隅の基板101と基準ガラス127との距離を検出センサ126で検出、検出した値を保持する。
次に、図3(b)に示すように、ガラス基板101の四隅の内の第2の隅が検出センサ126の下に来るようにXステージおよびYステージを移動する。その後、第2の隅の基板101と基準ガラス127との距離を検出センサ126で検出、検出した値を保持する。符合160は基板の動きを示す。
次に、図3(c)に示すように、ガラス基板101の四隅の内の第3の隅が検出センサ126の下に来るようにXステージおよびYステージを移動する。その後、第3の隅の基板101と基準ガラス127との距離を検出センサ126で検出、検出した値を保持する。
次に、図3(d)に示すように、ガラス基板101の四隅の内の第4の隅が検出センサ126の下に来るようにXステージおよびYステージを移動する。その後、第4の隅の基板101と基準ガラス127との距離を検出センサ126で検出、検出した値を保持する。
次に、ガラス基板101の4隅で検出センサ126を使って検出した値から、ガラス基板101と基準ガラス127の距離が所定の距離に最も近くなるようにZステージ108の動作量を算出、ガラス基板101の4隅の高さを調整する。
次に、Zステージ108の動作を除く以上の操作をもう一度行うことで、実際にガラス基板101と基準ガラス127との距離が所定の距離になったことを確認することが出来る。所定の距離になっていない場合は、新たに保持した値を用いてZステージ108の動作量を算出、ガラス基板101の4隅の高さを調整する。
以上の操作を行なうことにより、基板全面に渡って基準ガラスからの距離を所定の値に調整し、確認することが出来る。
その後、図5に示した光ビーム照射装置109を用いて基板101を露光する。光ビーム照射装置109は、光ファイバ112、レンズ113、ミラー114、DMD(Digital Micromirror Device)115、投影レンズ116、及びDMD駆動回路117を含んで構成される。光ファイバ112はレーザ光源ユニット110から発生された紫外線の光ビームを、光ビーム照射装置内へ伝達する。光ファイバ112から射出された光ビームは、レンズ113及びミラー114を介して、DMD115へ照射される。DMD115は光ビームを反射する複数の微小なミラーを二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。DMD115により変調された光ビームは、投影レンズ116から基板101へ向けて照射される。DMD駆動回路117は、主制御装置123から供給された描画データに基づいて、DMD115の各ミラーの角度を変更する。
基板101へ所望パターンを露光後、この基板は搬送ロボットによりチャック128から取外され、搬送される。
以上は全て主制御装置123を用いて処理される。
本実施例においては、基板の厚みが変化しても、同様に高品質な表示用パネル基板の製造をすることができる。さらに、検出センサの調整或いは交換等のメンテナンス後、検出センサの取付け角度により測定長が変化するが、Zステージを上下に動作させることにより距離補正を行うことで、正確な測定を行なうことができる。
本実施例によれば、メンテナンス前後で所定の値が変わらないため、基板と基準ガラスとの距離が所定の値となるように基板の高さを調整すればよく、検出センサの調整或いは交換等のメンテナンスを行なっても生産性の低下を防止、或いは低減できる露光装置を提供することができる。
第2の実施例について、以下説明する。なお、発明が解決しようとする課題の欄や実施例1に記載され、本実施例に未記載の事項はそれらと同様である。
本実施例においては、基板101の高さを検出センサ126から基板101までの距離を用いて調整する。
検出センサ126のメンテナンス前において、光ビーム照射装置109の投影レンズ116から結像面までの距離Z1に対応する基板101から検出センサ126までの距離をZ2、検出センサ126から基準ガラス127までの距離をZ100とする。メンテナンス後において、検出センサ126から基準ガラス127までの距離をZ200とする。この場合、メンテナンス後の検出センサ126の取り付け位置のずれ量αは、α=Z200−Z100となる。したがって、メンテナンス後の検出センサ126から基板101までの距離をZ2+αとなるように基板101の高さを調整することにより、投影レンズ116から結像面までの距離をZ1にすることができる。
本実施例によれば、メンテナンス前後での基準ガラスと検出センサとの位置ずれを容易に求めることができるため、基板と検出センサとの間の新たな所定の値を用いて基板高さを調整することができ、検出センサの調整或いは交換等のメンテナンスを行なっても生産性の低下を防止、或いは低減できる露光装置を提供することができる。
101…基板、
102…ベース、
103…Xガイド、
104…Xステージ、
105…Yガイド、
106…Yステージ、
107…θステージ、
108…Zステージ、
109…光ビーム照射装置、
110…レーザ光源ユニット、
111…ゲート、
112…光ファイバ、
113…レンズ、
114…ミラー、
115…DMD、
116…投影レンズ、
117…DMD駆動回路、
118…レーザ測長系制御装置、
120…レーザ干渉計(2軸)、
120−1…レーザ干渉計(1軸)、
120−2…反射ミラー、
121…バーミラー、
122…ステージ駆動回路、
123…主制御装置、
126…検出センサ、
127…基準ガラス、
128…チャック、
129…リニアスケール、
151、151−1、151−2…取付け部材、
160…基板の動き、
161…光線。

Claims (8)

  1. フォトレジストが塗布された基板を載せるステージと、前記ステージ上の基板の高さを測定する検出センサと、前記ステージを駆動する駆動部と、前記基板を露光する光ビーム照射装置とを備え、前記基板に塗布されたフォトレジストにパターンを焼き付ける露光装置において、
    前記検出センサと前記基板との間となる位置に更に基準ガラスを有し、
    前記基板の高さは、前記基準ガラスと前記基板との間の距離が所定の値となるように調整されるものであることを特徴とする露光装置。
  2. 請求項1記載の露光装置において、
    前記基準ガラスと前記光ビーム照射装置とは前記ステージを跨いで配置されるゲートに固定されていることを特徴とする露光装置。
  3. 請求項1又は2に記載の露光装置において、
    前記検出センサと前記基準ガラスとは、同一の取付け部材を介して前記ゲートに取り付けられていることを特徴とする露光装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置において、
    前記光ビーム照射装置は、DMDとDMD駆動回路とを含むことを特徴とする露光装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置において、
    前記DMD駆動回路は、前記DMDを構成する複数のミラーの角度を変更し、光ビームを変調するものであることを特徴とする露光装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置において、
    前記光ビーム照射装置は、複数台設置されていることを特徴とする露光装置。
  7. フォトレジストが塗布された基板を載せるステージと、前記ステージ上の基板の高さを測定する検出センサと、前記ステージを駆動する駆動部と、前記基板を露光する光ビーム照射装置とを備え、前記基板に塗布されたフォトレジストにパターンを焼き付ける露光装置において、
    前記検出センサと前記基板との間となる位置に更に基準ガラスを有し、
    前記検出センサのメンテナンス前後での検出センサの位置ずれ量は、前記基準ガラスを用いて求められるものであることを特徴とする露光装置。
  8. 請求項7記載の露光装置において、
    前記基板の高さは、前記検出センサと前記基板との間の距離が所定の値となるように調整されるものであることを特徴とする露光装置。
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