JP2011049741A - 半導体装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置101は、ノーマリーオン型の第5の電界効果トランジスタ16,17を含み、入力信号処理部65から受けたスイッチング制御信号の基準電圧をシフトした信号を出力するためのレベルシフト部62と、ノーマリーオン型の第1の電界効果トランジスタ51および第3の電界効果トランジスタ53と、ノーマリーオフ型の第2の電界効果トランジスタ52および第4の電界効果トランジスタ54とを備え、レベルシフト部62、第1の電界効果トランジスタ51および第3の電界効果トランジスタ53は第1の半導体チップ71に含まれている。
【選択図】図5
Description
キシャル成長用基板の主表面上に形成された半導体層とを含み、第1導通電極、第2導通電極および制御電極が上記半導体層上に形成され、上記半導体層と電気的に接続され、上記制御電極および上記半導体層によってショットキー接合が形成されている。
図1を参照して、半導体装置101は、入力信号処理部65と、レベルシフト部62と、ハイサイド駆動部63と、ローサイド駆動部64と、直流電源29と、ダイオード30と、キャパシタ31と、電界効果トランジスタ51〜54とを備える。入力信号処理部6
5は、入力バッファ回路61と、パルス発生回路13と、レベルシフト回路32とを含む。レベルシフト部62は、抵抗14,15と、電界効果トランジスタ16,17とを含む。入力バッファ回路61は、抵抗1〜3と、波形整形回路4〜6と、RSフリップフロップ7,8と、論理回路9,10と、レベルシフト回路11,12とを含む。ハイサイド駆動部63は、低電圧検出回路18と、パルスフィルタ19と、RS(リセット・セット)フリップフロップ20と、インバータ21と、電界効果トランジスタ22,23とを含む。ローサイド駆動部64は、低電圧検出回路24と、遅延回路25と、論理回路26と、電界効果トランジスタ27,28とを含む。
生回路13からのパルス信号を受けるゲートとを有する。
図2は、本発明の実施の形態に係る半導体装置のハイサイドにおける動作を示すタイミングチャートである。図2において、HPIはレベルシフト回路11からパルス発生回路13へ出力される信号を示し、HCO1はレベルシフト回路32から電界効果トランジスタ16のゲートへ出力される信号を示し、HCO2はレベルシフト回路32から電界効果トランジスタ17のゲートへ出力される信号を示し、FSBはパルスフィルタ19からRSフリップフロップ20のセット端子へ出力される信号を示し、FRBはパルスフィルタ19からRSフリップフロップ20のリセット端子へ出力される信号を示し、HOは電界効果トランジスタ22,23から電界効果トランジスタ52のゲートへ出力される信号を示す。
ジスタであるため、レベルシフト部62はインバータとして動作する。レベルシフト部62は、レベルシフト回路32から受けたパルス信号の基準電圧を出力ノードNOUTの電位へシフトした信号を出力する。より詳細には、レベルシフト部62は、レベルシフト回路32によって降圧されたパルス信号が論理ローレベルのとき、出力ノードNOUTの電位よりも所定値大きいレベルの信号を出力し、上記パルス信号が論理ハイレベルのとき、出力ノードNOUTの電位と同レベルの信号を出力する。たとえば、レベルシフト部62は、Hレベルが15ボルト、Lレベルが−5ボルトの信号を、Hレベルが(出力電圧VA+15)ボルト、Lレベルが出力電圧VAボルトの信号に変換する。レベルシフト部62には(出力電圧VA+電源電圧Vcc)の電圧、たとえば415V程度の電圧が印加されるため、高耐圧素子が必須となる。
図4を参照して、電界効果トランジスタ51は、たとえば窒化ガリウムHFET(Hetero Structure Field Effect Transistor)である。
図5を参照して、レベルシフト部62、電界効果トランジスタ51および電界効果トランジスタ53はGaNプロセスによって製造された半導体チップ71に含まれている。
図6を参照して、半導体装置101では、たとえば、MCM(マルチチップモジュール)等の高密度実装技術によって製造される。
用いることにより、ノイズを最低限度に抑制することができる。
図7を参照して、電子機器301は、たとえば冷蔵庫であり、冷媒を圧縮するためのコンプレッサ部201と、冷蔵室202と、冷凍室203と、野菜室204とを備える。
づいて回転し、コンプレッサ170を駆動する。電圧検出器190は、インバータ部150からモータ160に供給される交流電圧を検出する。マイクロプロセッサ200は、電圧検出器190による交流電圧の検出結果に基づいて、制御信号をベースドライバ180へ出力する。ベースドライバ180は、マイクロプロセッサ200から受けた制御信号に基づいて駆動信号を生成する。
RSフリップフロップ、21 インバータ、22,23 電界効果トランジスタ、24
低電圧検出回路、25 遅延回路、26 論理回路、27,28 電界効果トランジスタ、29 直流電源、30 ダイオード、31 キャパシタ、32 レベルシフト回路、51〜54 電界効果トランジスタ、61 入力バッファ回路、62 レベルシフト部、63 ハイサイド駆動部、64 ローサイド駆動部、65 入力信号処理部、71,72
半導体チップ、91 シリコン基板、92 バッファ層、93 GaN層、94 AlGaN層、95 SiN層、101 半導体装置、120 コイル、130 ダイオード部、140 コンデンサ、150 インバータ部、151〜156 パワー半導体素子、160 モータ、165 交流電圧供給部、170 コンプレッサ、180 ベースドライバ、190 電圧検出器、200 マイクロプロセッサ、201 コンプレッサ部、202 冷蔵室、203 冷凍室、204 野菜室、301 電子機器、ELG ゲート電極、ELS ソース電極、ELD ドレイン電極、B 基板、RS 感光性ポリイミド樹脂層、LN 金属配線、SBP 半田バンプ。
Claims (6)
- 入力信号に基づいてスイッチング制御信号を出力するための入力信号処理部と、
前記入力信号処理部から受けた前記スイッチング制御信号の基準電圧をシフトした信号を出力するためのレベルシフト部と、
前記レベルシフト部から出力された信号に基づいて駆動信号を出力するためのハイサイド駆動部と、
前記スイッチング制御信号に基づいて駆動信号を出力するためのローサイド駆動部と、
第1の電源電圧が供給されるべき第1導通電極と、第2導通電極と、出力ノードに結合された制御電極とを有するノーマリーオン型の第1の電界効果トランジスタと、
前記第1の電界効果トランジスタの第2導通電極に結合された第1導通電極と、前記出力ノードに結合された第2導通電極と、前記ハイサイド駆動部からの前記駆動信号を受ける制御電極とを有するノーマリーオフ型の第2の電界効果トランジスタと、
前記出力ノードに結合された第1導通電極と、第2導通電極と、前記第1の電源電圧よりも小さい第2の電源電圧が供給されるべき制御電極とを有するノーマリーオン型の第3の電界効果トランジスタと、
前記第3の電界効果トランジスタの第2導通電極に結合された第1導通電極と、前記第2の電源電圧が供給されるべき第2導通電極と、前記ローサイド駆動部からの前記駆動信号を受ける制御電極とを有するノーマリーオフ型の第4の電界効果トランジスタとを備え、
前記レベルシフト部は、ノーマリーオン型の第5の電界効果トランジスタを含み、前記スイッチング制御信号の基準電圧を前記出力ノードの電位へシフトした信号を出力し、
前記レベルシフト部、前記第1の電界効果トランジスタおよび前記第3の電界効果トランジスタは第1の半導体チップに含まれている半導体装置。 - 前記入力信号処理部、前記ハイサイド駆動部、前記ローサイド駆動部、前記第2の電界効果トランジスタおよび前記第4の電界効果トランジスタは第2の半導体チップに含まれている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ハイサイド駆動部は、前記出力ノードに結合され、前記出力ノードの電圧を基準電圧として動作し、
前記ローサイド駆動部は、前記第2の電源電圧を基準電圧として動作し、
前記入力信号処理部は、前記第2の電源電圧を基準電圧として動作し、前記第1の電源電圧より低くかつ前記第2の電源電圧より高い第3の電源電圧を動作電源電圧として動作する請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記入力信号処理部は、前記第5の電界効果トランジスタをオンすべきときは前記スイッチング制御信号のレベルを正電圧に設定し、前記第5の電界効果トランジスタをオフすべきときは前記スイッチング制御信号のレベルを負電圧に設定する請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1の電界効果トランジスタ、前記第3の電界効果トランジスタおよび前記第5の電界効果トランジスタの各々は、
エピタキシャル成長用基板と、
前記エピタキシャル成長用基板の主表面上に形成された半導体層とを含み、
第1導通電極、第2導通電極および制御電極が前記半導体層上に形成され、前記半導体層と電気的に接続され、
前記制御電極および前記半導体層によってショットキー接合が形成されている請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。 - 負荷と、
前記負荷へ交流電圧を出力するための交流電圧供給部とを備え、
前記交流電圧供給部は、
入力信号に基づいてスイッチング制御信号を出力するための入力信号処理部と、
前記入力信号処理部から受けた前記スイッチング制御信号の基準電圧をシフトした信号を出力するためのレベルシフト部と、
前記レベルシフト部から出力された信号に基づいて駆動信号を出力するためのハイサイド駆動部と、
前記スイッチング制御信号に基づいて駆動信号を出力するためのローサイド駆動部と、
第1の電源電圧が供給されるべき第1導通電極と、第2導通電極と、出力ノードに結合された制御電極とを有するノーマリーオン型の第1の電界効果トランジスタと、
前記第1の電界効果トランジスタの第2導通電極に結合された第1導通電極と、前記出力ノードに結合された第2導通電極と、前記ハイサイド駆動部からの前記駆動信号を受ける制御電極とを有するノーマリーオフ型の第2の電界効果トランジスタと、
前記出力ノードに結合された第1導通電極と、第2導通電極と、前記第1の電源電圧よりも小さい第2の電源電圧が供給されるべき制御電極とを有するノーマリーオン型の第3の電界効果トランジスタと、
前記第3の電界効果トランジスタの第2導通電極に結合された第1導通電極と、前記第2の電源電圧が供給されるべき第2導通電極と、前記ローサイド駆動部からの前記駆動信号を受ける制御電極とを有するノーマリーオフ型の第4の電界効果トランジスタとを含み、
前記レベルシフト部は、ノーマリーオン型の第5の電界効果トランジスタを含み、前記スイッチング制御信号の基準電圧を前記出力ノードの電位へシフトした信号を出力し、
前記レベルシフト部、前記第1の電界効果トランジスタおよび前記第3の電界効果トランジスタは第1の半導体チップに含まれている電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009195325A JP5334189B2 (ja) | 2009-08-26 | 2009-08-26 | 半導体装置および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009195325A JP5334189B2 (ja) | 2009-08-26 | 2009-08-26 | 半導体装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011049741A true JP2011049741A (ja) | 2011-03-10 |
JP5334189B2 JP5334189B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=43835648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009195325A Active JP5334189B2 (ja) | 2009-08-26 | 2009-08-26 | 半導体装置および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5334189B2 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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