JP2011049505A - 半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲット - Google Patents
半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲット Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 Si酸化物を含む絶縁膜1にCuの配線が設けられている半導体装置であって、絶縁膜1に設けられた溝状の開口部1aの内面に形成されたバリア膜4と、開口部1a内であってバリア膜4上に形成されたCuからなる配線本体2と、を備え、バリア膜4が、バリア膜4が、少なくとも絶縁膜1上に形成されたBa酸化物及びSr酸化物の少なくとも一方を含有するCu合金下地層を有し、該Cu合金下地層と絶縁膜1との界面にBaSi酸化物及びSrSi酸化物の少なくとも一方が偏析している。
【選択図】図1
Description
すなわち、従来の非特許文献1に記載されている技術では、Mg(マグネシウム)がSi(珪素:シリコン)よりも酸化し易いため、下記反応式(1)に示した反応により、約475℃で膜中のMgが層間絶縁膜のシリコン酸化物を還元し、生成したSiがCu膜中に拡散してしまうことで、膜の比抵抗を増大させることがある(非特許文献2参照)。
Mg+SiO2=MgO+Si ・・・反応式(1)
また、従来の特許文献1に記載されている技術では、酸素を微量含んだAr雰囲気中で熱処理を行うと、添加元素のMnがスパッタ膜表面に拡散、偏析し、配線の抵抗値が低減する。この上に湿式メッキでCu層を堆積後、Cu(銅)表面の酸化を防止する目的で、還元雰囲気での熱処理が施される場合が多く、これらの処理等で水素を含んだ雰囲気中で加熱すると、水素はCu膜中を容易に拡散するため、膜表面に形成されたMn酸化物(MnOx)が水素で還元され、水が生成し、ボイドとなる問題がある。そのため、配線材の抵抗値の増大や断線といった信頼性低下が生じてしまう。
さらに、前記Ba酸化物及びSr酸化物の少なくとも一方は絶縁膜のシリコン酸化物と反応してシリケート等の安定な化合物のBaSi酸化物及びSrSi酸化物の少なくとも一方を形成する。この時、Cu酸化物の還元によって生成された水は、結晶水として分子の状態で膜中に分散されるため、ボイドが形成されない。
すなわち、このスパッタリングターゲットでは、Ba及びSrの少なくとも一方を0.1〜3.0at%含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有するCu合金からなるので、酸素を含んだAr雰囲気中でスパッタリングを施すことで上記Ba酸化物及びSr酸化物の少なくとも一方を含有するCu合金下地層を形成することができる。なお、Ba及びSrの少なくとも一方を0.1at%(原子%)以上とした理由は、0.1at%未満ではCu合金下地層中のBa酸化物、Sr酸化物が不足し、バリア性を有するBaSi酸化物、SrSi酸化物が形成されないためである。また、Ba及びSrの少なくとも一方を3.0at%(原子%)以下とした理由は、3.0at%を越えると、スパッタリングターゲットの製造時に用いる熱間加工での板材形成の際、クラックが発生し易くなるためである。
すなわち、このスパッタリングターゲットでは、不可避不純物の合計が、20ppm以下とすることで、スパッタされた膜中のBa酸化物やSr酸化物等の拡散が不可避不純物によって妨げられることを防ぎ、前記Ba酸化物やSr酸化物等を界面に良好に偏析させることができる。
すなわち、本発明に係る半導体装置及びその製造方法によれば、バリア膜のCu合金下地層と絶縁膜との界面に偏析したBaSi酸化物及びSrSi酸化物の少なくとも一方によって、バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる。また、この本発明の製造方法に用いるスパッタリングターゲットによれば、上記バリア膜のCu合金下地層を容易に成膜することができる。
この半導体装置の製造方法は、基板3上の絶縁膜1に設けられた溝状の開口部1aの内面にスパッタリングによりバリア膜4を成膜するバリア膜形成工程と、バリア膜4が成膜された開口部1a内に配線本体2であるCuを埋め込み形成するCu埋め込み工程と、を有している。
Ba+O=BaO ・・・反応式(3a)
Sr+O=SrO ・・・反応式(3b)
この後、同じスパッタリングターゲットを用いて、酸素の供給を停止して雰囲気をArのみにしてCu合金層4bを膜厚50〜100nmで積層する。この場合、Cu合金層4bの膜中には、数百ppmしか添加元素が含有されない。
この熱処理工程において、水素を含んだ雰囲気中でCu合金下地層4aに熱処理を施すので、例えば、下記反応式(4)の反応により、膜中のCu酸化物(Cu2O)が還元されて膜の比抵抗が低下する。
Cu2O+2H=2Cu+H2O ・・・反応式(4)
さらに、前記BaO及びSrOの少なくとも一方は絶縁膜1のシリコン酸化物と反応し、下記反応式(5a、5b)の反応により、シリケート等の安定な化合物のBaSi酸化物及びSrSi酸化物の少なくとも一方を形成する。この時、Cu酸化物の還元によって生成された水は、結晶水として分子の状態で膜中に分散されるため、ボイドが形成されない。
BaSiO3+nH2O=BaSiO3・nH2O ・・・反応式(6a)
SrO+SiO2=SrSiO3 ・・・反応式(5b)
SrSiO3+nH2O=SrSiO3・nH2O ・・・反応式(6b)
さらに、このスパッタリングターゲットでは、不可避不純物の合計を20ppm以下とすることで、スパッタされた膜中のBaOやSrO等の拡散が不可避不純物によって妨げられることを防ぎ、前記BaOやSrO等を界面に良好に偏析させることができる。
Claims (4)
- Si酸化物を含む絶縁膜にCuの配線が設けられている半導体装置であって、
前記絶縁膜に設けられた溝状の開口部の内面に形成されたバリア膜と、
前記開口部内であって前記バリア膜上に形成されたCuからなる配線本体と、を備え、
前記バリア膜が、少なくとも前記絶縁膜上に形成されたBa酸化物及びSr酸化物の少なくとも一方を含有するCu合金下地層を有し、該Cu合金下地層と前記絶縁膜との界面にBaSi酸化物及びSrSi酸化物の少なくとも一方が偏析していることを特徴とする半導体装置。 - Si酸化物を含む絶縁膜にCuの配線が設けられている半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜に設けられた溝状の開口部の内面にスパッタリングによりバリア膜を成膜するバリア膜形成工程と、
前記バリア膜が成膜された前記開口部内にCuを埋め込み形成するCu埋め込み工程と、を有し、
前記バリア膜形成工程が、スパッタリングターゲットに酸素を含んだAr雰囲気中でスパッタリングを施して前記開口部の内面にBa及びSrの少なくとも一方と酸素とを含有するCu合金下地層を成膜する下地層成膜工程と、
水素を含んだ雰囲気中で前記Cu合金下地層に熱処理を施す熱処理工程と、を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法に用いるスパッタリングターゲットであって、
Ba及びSrの少なくとも一方を0.1〜3.0at%含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有するCu合金からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項3に記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記不可避不純物の合計が、20ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
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Citations (6)
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