JP2011046544A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011046544A5
JP2011046544A5 JP2009194414A JP2009194414A JP2011046544A5 JP 2011046544 A5 JP2011046544 A5 JP 2011046544A5 JP 2009194414 A JP2009194414 A JP 2009194414A JP 2009194414 A JP2009194414 A JP 2009194414A JP 2011046544 A5 JP2011046544 A5 JP 2011046544A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recess
sapphire substrate
nitride semiconductor
group iii
iii nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009194414A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2011046544A (ja
JP5347835B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009194414A priority Critical patent/JP5347835B2/ja
Priority claimed from JP2009194414A external-priority patent/JP5347835B2/ja
Publication of JP2011046544A publication Critical patent/JP2011046544A/ja
Publication of JP2011046544A5 publication Critical patent/JP2011046544A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5347835B2 publication Critical patent/JP5347835B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2009194414A 2009-08-25 2009-08-25 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法 Expired - Fee Related JP5347835B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009194414A JP5347835B2 (ja) 2009-08-25 2009-08-25 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009194414A JP5347835B2 (ja) 2009-08-25 2009-08-25 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011046544A JP2011046544A (ja) 2011-03-10
JP2011046544A5 true JP2011046544A5 (cg-RX-API-DMAC10.html) 2011-11-10
JP5347835B2 JP5347835B2 (ja) 2013-11-20

Family

ID=43833286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009194414A Expired - Fee Related JP5347835B2 (ja) 2009-08-25 2009-08-25 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5347835B2 (cg-RX-API-DMAC10.html)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013173641A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Tokuyama Corp 窒化ガリウム結晶積層基板及びその製造方法
JP6013743B2 (ja) * 2012-02-27 2016-10-25 株式会社トクヤマ 半導体装置の製造方法
WO2014084667A1 (ko) * 2012-11-30 2014-06-05 주식회사 소프트에피 3족 질화물 반도체 적층체
KR101635530B1 (ko) * 2014-06-25 2016-07-04 주식회사 루미스탈 다수의 공극을 갖는 질화물 반도체 결정 성장 방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 기판 제조 방법
JP2016100593A (ja) * 2014-11-26 2016-05-30 株式会社Flosfia 結晶性積層構造体
JP7344426B2 (ja) * 2014-11-26 2023-09-14 株式会社Flosfia 結晶性積層構造体
DE102015109761B4 (de) 2015-06-18 2022-01-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Halbleiterbauelements und Nitrid-Halbleiterbauelement
JP7108783B2 (ja) * 2019-03-28 2022-07-28 日本碍子株式会社 半導体膜

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4016062B2 (ja) * 1998-07-31 2007-12-05 シャープ株式会社 窒化物半導体構造とその製造方法および発光素子
JP4513446B2 (ja) * 2004-07-23 2010-07-28 豊田合成株式会社 半導体結晶の結晶成長方法
JP2008110895A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Mitsubishi Cable Ind Ltd 窒化物半導体結晶の製造方法
JP5353113B2 (ja) * 2008-01-29 2013-11-27 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5573632B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
US9263258B2 (en) Method for producing group III nitride-based compound semiconductor, wafer, and group III nitride-based compound semiconductor device
JP5347835B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法
CN101883881B (zh) Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法、包括ⅲ族氮化物系化合物半导体的晶片以及ⅲ族氮化物系化合物半导体器件
CN101800170B (zh) 制造第ⅲ族氮化物半导体的方法和模板衬底
JP5293591B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法、およびテンプレート基板
JP6218728B2 (ja) 窒化物半導体素子構造体とその製造方法
US12170200B2 (en) Crystal growth method and a substrate for a semiconductor device
CN102856455B (zh) 氮化物半导体基板
WO2010113423A1 (ja) 窒化物半導体の結晶成長方法および半導体装置の製造方法
JP4406999B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP5293592B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法およびテンプレート基板
US20130168733A1 (en) Semiconductor-stacked substrate, semiconductor chip, and method for producing semiconductor-stacked substrate
JP5557180B2 (ja) 半導体発光素子の製造方法
JP4051892B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP5065625B2 (ja) ＧａＮ単結晶基板の製造方法
JP4985579B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体及び窒化ガリウム自立基板の製造方法
JP5834952B2 (ja) 窒化物半導体基板の製造方法
JP2007317752A (ja) テンプレート基板
JP4016566B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP2007314360A (ja) テンプレート基板
JP3555657B2 (ja) 低欠陥窒化物半導体基板及びその製造方法
JP2014181170A (ja) 半導体バルク結晶および半導体バルク結晶の製造方法
JP2008007352A (ja) Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法又はｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子