JP2008110895A - 窒化物半導体結晶の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】窒化物半導体結晶との溶解速度差が小さい材料からなるバッファ層を用いた場合であっても、選択的エッチングにより短時間でバッファ層を溶解させて、窒化物半導体結晶を異種基板から分離可能とすることができる、窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する。次に、前記バッファ層を前記窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させ得るエッチング液を前記空隙の内部に導入し、該エッチング液によって前記バッファ層を溶解させて、前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から分離させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、異種基板上に窒化物半導体結晶を層状に気相成長させてなるエピタキシャルウェハを準備する工程と、該窒化物半導体結晶を該異種基板から分離させる工程とを有する、窒化物半導体結晶の製造方法に関する。

窒化物半導体は化学式Ｉｎ_ＸＧａ_ＹＡｌ_ＺＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で表される化合物半導体であり、３族窒化物半導体、窒化ガリウム系半導体などとも呼ばれる。上記化学式において、３族元素の一部をＢ（ホウ素）、Ｔｌ（タリウム）などで置換したもの、また、Ｎ（窒素）の一部をＰ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｂｉ（ビスマス）などで置換したものも、窒化物半導体に含まれる。本明細書では、窒化物半導体結晶の気相エピタキシャル成長に適用可能な基板であって、少なくとも結晶成長面側の表面に窒化物半導体とは異なる材料からなる単結晶層を有する基板を、異種基板と呼ぶ。代表的な異種基板として、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、スピネル等からなる単結晶基板が例示される。

異種基板上に窒化物半導体結晶を層状に気相成長させたうえで、窒化物半導体結晶を異種基板から分離させる、窒化物半導体結晶の製造方法が知られている。一例として、特許文献１には、異種基板上に、窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させることのできるバッファ層を介して、窒化物半導体結晶を成長させた後、エッチング液によりバッファ層を選択的に溶解することによって、窒化物半導体結晶を異種基板から分離させる方法（以下、この方法を「選択的エッチング法」とも呼ぶ。）が開示されている。選択的エッチング法によれば、紫外線レーザを用いるレーザリフトオフ法と異なり、大掛かりな装置を必要とすることなく、窒化物半導体結晶と異種基板との分離を行うことができる。
特開平１１−３５３９７号公報 特開２０００−３３１９４７号公報 特開２００２−８９８０号公報 特開２００２−３４３７２９号公報 ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス，第４５巻，第３９号，２００６年，第Ｌ１０４５〜Ｌ１０４７頁（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．３９，２００６，ｐｐ．Ｌ１０４５−Ｌ１０４７）

異種基板上に結晶性の良好な窒化物半導体結晶を気相成長させるには、ＡｌＮバッファ層のような、窒化物半導体からなるバッファ層を用いることが好ましい。ところが、バッファ層を窒化物半導体で形成すると、バッファ層と窒化物半導体結晶の化学的性質が似たものとなるので、選択的エッチング法におけるエッチング液の選択性が低くなる。すなわち、バッファ層と窒化物半導体結晶の溶解速度の差が小さくなるので、選択的エッチング法によって、短時間で窒化物半導体結晶を異種基板から分離させることが難しくなる。また、エピタキシャルウェハをエッチング液に浸漬する時間を長くしなくてはならなくなるために、エッチング液の作用で窒化物半導体結晶の表面がひどく荒れる場合がある。

本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、その主な目的は、異種基板上に窒化物半導体結晶を成長させるにあたり、窒化物半導体結晶との溶解速度差が小さい材料からなるバッファ層を用いた場合であっても、選択的エッチング法により短時間でバッファ層を溶解させて、窒化物半導体結晶を異種基板から分離可能とすることができる、窒化物半導体結晶の製造方法を提供することにある。

上記課題を達成するために、本発明に係る窒化物半導体結晶の製造方法は次の特徴を有する。
（１）（イ）異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する、エピタキシャルウェハ準備工程と、（ロ）前記バッファ層を前記窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させ得るエッチング液を前記空隙の内部に導入し、該エッチング液によって前記バッファ層を溶解させて、前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から分離させる、分離工程と、を有する窒化物半導体結晶の製造方法。
（２）前記（ロ）の分離工程が、前記エッチング液よりも粘度の低い第１の液体を前記空隙の内部に導入して、該空隙の内部を該第１の液体で満たす工程と、該空隙の内部を満たす第１の液体を前記エッチング液に置換する工程とを含む、前記（１）に記載の製造方法。
（３）前記（ロ）の分離工程が、減圧下で前記空隙の内部に前記エッチング液または前記エッチング液と置換し得る液体を導入することを含む、前記（１）または（２）に記載の製造方法。
（４）前記バッファ層が窒化物半導体からなり、前記窒化物半導体結晶の少なくとも該バッファ層と接する部分が、該バッファ層とは異なる化学組成を有する窒化物半導体からなる、前記（１）〜（３）のいずれかに記載の製造方法。
（５）前記バッファ層がＡｌＮバッファ層であり、前記窒化物半導体結晶の少なくとも該ＡｌＮバッファ層と接する部分がＧａＮからなる、前記（４）に記載の製造方法。
（６）前記ＡｌＮバッファ層が単結晶質である、前記（５）に記載の製造方法。
（７）前記エピタキシャルウェハに含まれる窒化物半導体結晶が、前記凹凸面の凹部上に、Ｍｇを添加しながらラテラル成長させることにより形成された部分を含む、前記（１）〜（６）のいずれかに記載の製造方法。

本発明に係る窒化物半導体結晶の製造方法によれば、選択的エッチング法により短時間でバッファ層を溶解させて、窒化物半導体結晶を異種基板から分離可能とすることができるので、窒化物半導体結晶を効率的に製造することができる。また、エピタキシャルウェハをエッチング液に浸漬する時間を短縮できるので、エッチング液の作用による窒化物半導体結晶の表面の荒れを抑えることができる。これらの効果は、異種基板上に窒化物半導体結晶を成長させるにあたり、窒化物半導体結晶との溶解速度差が小さい材料からなるバッファ層を用いる場合に顕著となる他、サイズの大きな異種基板を用いて、大面積の窒化物半導体結晶を製造する場合に顕著となる。

次に、本発明の一実施例に係る窒化物半導体結晶の製造方法を説明する。

（実施例）
図１（ａ）に断面図を示すように、一表面を加工により凹凸面とした、直径２インチのＣ面サファイア基板１を準備する。サファイア基板１の表面は、紙面と交わる方向に伸びるストライプ状の凹部および凸部が交互に並んだ、周期的な凹凸パターンを呈する凹凸面となっており、凹部の幅Ｗ１は７μｍ、凹部の深さＤは２μｍ、凸部の幅Ｗ２は２μｍである。ストライプの長手方向は、サファイアの＜１１−２０＞方向である。サファイア基板１を形成するには、まず、通常のＣ面サファイア基板の平坦な表面（Ｃ面）の上にフォトレジスト膜を形成し、次に、フォトリソグラフィ技法により該フォトレジスト膜をストライプ状にパターニングする。次に、反応性イオンエッチング法により、フォトレジスト膜に覆われずに露出した基板表面を選択的にエッチングして、凹部を形成する。凹部の形成後、有機溶剤によりフォトレジスト膜を除去する。

次に、サファイア基板１を有機金属化合物気相成長（ＭＯＶＰＥ）装置の反応容器内に装着し、温度１２００℃に加熱した状態で、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）およびアンモニアを、圧力１５Ｔｏｒｒ、流量比アンモニア／ＴＭＡ＝４５０で供給し、ＡｌＮバッファ層を約０．２μｍの厚さに成長させる。図１（ｂ）に示すように、ＡｌＮバッファ層２は、凹凸面とされたサファイア基板１の表面の、凹部の底面と凸部の上面とに成長する。凹部の底面に成長する層と凸部の上面に成長する層とで膜厚が同じとならないことがあるが、その場合は、凸部の上面に成長する層の厚さが約０．２μｍとなるように成長時間を設定する。１２００℃で成長したＡｌＮバッファ層２は単結晶質となる。

ＡｌＮバッファ層２を成長させた後、基板温度を１０００℃に下げ、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびアンモニアを供給することにより、図１（ｃ）に示すように、上記ＡｌＮバッファ層２を種結晶として、第１のＧａＮ結晶層３ａを厚さＴが約４μｍとなるように成長させる。サファイア基板１の表面に形成したストライプ状凹部の長手方向をサファイアの＜１１−２０＞方向とすることにより、このストライプ方向に直交する方向のＧａＮ結晶のラテラル成長速度が大きくなるので、サファイア基板１の凹部内に成長する結晶と、凸部の上方から成長するＧａＮ結晶とがつながる前に、隣接する凸部の上方からラテラル成長するＧａＮ結晶どうしがつながり、サファイア基板１の凹部と第１のＧａＮ結晶層３ａとの間に、ストライプ状の凹部形状に即した細長い空隙が形成される。後の工程において、該空隙の内部にエッチング液を導入し易くするためには、空隙の容積が大きくなるように第１のＧａＮ結晶層３ａを成長させることが望ましい。そのためには、ＧａＮ結晶のラテラル成長を促進して、隣接する凸部の上方から成長するＧａＮ結晶どうしが、より早くつながるようにすればよい。ＧａＮ結晶のラテラル成長を促進するには、３族原料および５族原料とともにビスシクロペンタジエニルマグネシウムなどを供給して、ＧａＮ結晶中にＭｇ（マグネシウム）を添加することが好ましく、また、ＧａＮ結晶の成長温度を１０００℃以上とすることが好ましい。

第１のＧａＮ結晶層３ａの形成後、得られたウェハをＭＯＶＰＥ装置から取り出して、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）装置に移し換える。そして、ＨＶＰＥ法を用いて、第１のＧａＮ結晶層３ａの上に第２のＧａＮ結晶層３ｂを４００μｍの厚さに成長させる。このようにして、図１（ｄ）に示すように、サファイア基板１上に、ＡｌＮバッファ層２を介してＧａＮ結晶層３が気相成長してなる、エピタキシャルウェハを得る。ここで、ＧａＮ結晶層３は、第１のＧａＮ結晶層３ａおよび第２のＧａＮ結晶層３ｂからなる積層体である。

なお、第１のＧａＮ結晶層３ａまたは第２のＧａＮ結晶層３ｂを成長させる際に、ウェハの端面上にもＧａＮ結晶が成長することによって、サファイア基板１とＧａＮ結晶層３との間の空隙がウェハ端面に開口しないで塞がれてしまう場合がある。その場合には、次の工程に進む前に、エピタキシャルウェハの端面を研磨して、空隙の開口部を塞いでいるＧａＮ結晶を除去する。

次に、上記工程により得たエピタキシャルウェハをエッチング液に浸漬して、ＡｌＮバッファ層２をＧａＮ結晶層３に対して選択的に溶解させることにより、ＧａＮ結晶層３をサファイア基板１から分離させる。エッチング液としては、ＡｌＮをＧａＮよりも速く溶解させる、液温８０℃の５０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液を用いることができる。ＫＯＨ水溶液は毛細管現象によって、ウェハ端面の開口部から、サファイア基板１の凹部とＧａＮ結晶層３との間の空隙の内部に入っていく。空隙が細長いので、その一方の端からＫＯＨ水溶液が空隙内に入り、他方の端から空気が抜けるように、空隙内がエッチング液に満たされるまでは、エピタキシャルウェハの半分だけをＫＯＨ水溶液中に浸すようにすることが好ましい。浸漬後、約１時間で、ＧａＮ結晶層３をサファイア基板１から分離させることができる。分離したＧａＮ結晶３は、基板（ＧａＮ基板）として、発光素子（レーザダイオードなど）や電子素子（高電子移動度トランジスタなど）などの半導体素子の製造に好適に用いることができる。

以上に本発明の一実施例に係る窒化物半導体結晶の製造方法を説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではない。

上記実施例では異種基板としてＣ面サファイア基板を用いているが、限定されるものではなく、Ａ面サファイア基板、Ｒ面サファイア基板、ＳｉＣ基板（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃ）、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、スピネル基板、ＺｎＯ基板、ＮＧＯ（ＮｄＧａＯ_３）基板、ＬＧＯ（ＬｉＧａＯ_２）基板、ＬＡＯ（ＬａＡｌＯ_３）基板、ＺｒＢ_２基板、ＴｉＢ_２基板その他、公知の異種基板を任意に用いることができる。

上記実施例では、ＬＥＰＳ法を用いてエピタキシャルウェハを作製している。ＬＥＰＳ法とは、特許文献２などに開示された窒化物半導体結晶の成長方法であり、基板の一主面を加工して凹凸面としたうえで、該凹凸面の上に窒化物半導体結晶を成長させる方法である。ＬＥＰＳ法は、異種基板と窒化物半導体結晶層との間に空隙を有するエピタキシャルウェハを作製するうえで好ましい方法であるが、他の方法として、ペンデオ法を用いることもできる。ペンデオ法は、特許文献３、特許文献４などに開示された窒化物半導体結晶の成長方法である。ペンデオ法では、まず、平坦な異種基板上にバッファ層を介して第一の窒化物半導体結晶層を成長させ、次に、第一の窒化物半導体結晶層の上からエッチングを行い、異種基板に達する凹部を加工する。そして、該凹部の形成により相補的に形成された凸部の上に残された、第一の窒化物半導体結晶層の一部を種結晶として、再成長により、第二の窒化物半導体結晶層を形成する。凹部を十分に深く形成し、また、第二の窒化物半導体結晶層の成長初期のラテラル成長速度を大きくすることにより、異種基板の凹部と第二の窒化物半導体結晶層との間に空隙を形成することができる。ＬＥＰＳ法、ペンデオ法のいずれを用いる場合も、異種基板の表面の凹部内に、窒化物半導体結晶の成長を阻害するマスクを形成することで、該凹部と窒化物半導体結晶層との間に確実に空隙を形成することができる。

異種基板の表面の凹部と窒化物半導体結晶層との間の空隙は、その全てが、エピタキシャルウェハの端面に開口していることが望ましいが、必須ではない。すなわち、空隙が複数ある場合には、その少なくとも一部が外部と連続していればよい。外部と連続した空隙が少しでもあれば、その内部にエッチング液を導入することによって、バッファ層の溶解を促進することができる。

上記実施例では、異種基板の表面を、ストライプ状の凹凸パターンを呈する凹凸面とし、その上に窒化物半導体結晶層を成長させることにより、該凹凸面の凹部と窒化物半導体結晶層との間に、平行に並んだ細長い空隙を多数形成している。この空隙は、それぞれを、エピタキシャルウェハの端面に開口させることができる。よって、このような凹凸パターンは、異種基板の表面を加工して凹凸面とするときの、好ましい凹凸面のパターンのひとつである。その他の好ましい凹凸パターンとしては、ドット状の凸部が分散した凹凸パターンが例示される。この場合は、異種基板の凹部と窒化物半導体結晶層との間に、連続したひとつの空隙を形成することができる。

上記実施例ではバッファ層としてＡｌＮバッファ層を用いているが、限定されるものではなく、窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解可能なバッファ層を任意に用いることができる。そのようなバッファ層として、窒化物半導体以外の材料からなるものとしては、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マンガンなどからなるバッファ層が好ましく例示される。このような酸化物からなるバッファ層は、塩酸などの酸をエッチング液に用いることにより、窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させることができる。その上に成長させる窒化物半導体結晶の結晶性を良好なものとするうえでは、バッファ層を窒化物半導体で形成することが好ましい。上記実施例に示したように、ＡｌＮバッファ層は、ＫＯＨ水溶液をエッチング液に用いることにより、ＧａＮ結晶に対して選択的に溶解させることができる。ＡｌＮバッファ層を、上記実施例のように、高温（単結晶成長温度）で成長させて単結晶質とすると、その上に成長させる窒化物半導体結晶の結晶性を極めて良好なものとすることができる。しかしながら、低温成長（例えば、成長温度６００℃以下）により得られる、アモルファス状の部分や多結晶質の部分を含むＡｌＮバッファ層を用いることも可能である。バッファ層を窒化物半導体材料で形成する場合、その直上に成長させる窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解可能とするには、該窒化物半導体結晶とは異なる化学組成を有する窒化物半導体で形成する必要がある。バッファ層の好ましい厚さは、バッファ層の材料や成長温度、その上に成長させる窒化物半導体結晶の組成などにより変化するので、従来公知の技術を参照しながら、Ｘ線回折等の方法により評価できる窒化物半導体結晶の品質を指標として定めるようにすればよい。バッファ層の形成方法に限定はなく、その材料に応じて、ＭＯＶＰＥ法、ＭＢＥ法、スパッタリング法、蒸着法その他、公知の方法を適宜用いることができる。

本発明に係る窒化物半導体結晶の製造方法において、窒化物半導体結晶を気相成長させる方法に限定はなく、ＭＯＶＰＥ法、ＨＶＰＥ法、ＭＢＥ法その他の公知の方法を任意に用いることができる。これらの方法で用いる成長装置、原料ガス、キャリアガス、不純物などについては、公知技術を参照することができる。

上記実施例では、異種基板と窒化物半導体結晶層との間の空隙へのエッチング液の導入を、毛細管現象を利用して行ったが、この狭い空隙にエッチング液を導入するのに要する時間を短縮するために、次の方法を用いることができる。

ひとつには、異種基板と窒化物半導体結晶層との間の空隙に、一回の操作でエッチング液を導入するのではなく、まず、エッチング液よりも粘度の低い液体を導入した後に、エピタキシャルウェハをエッチング液に浸漬して、空隙に導入された液体を、エッチング液に置換する方法である。例えば、エッチング液として５０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液を用いる場合に、まず、それよりも粘度の低い低濃度のＫＯＨ水溶液にエピタキシャルウェハを浸漬して、空隙に低濃度のＫＯＨ水溶液を導入した後、エピタキシャルウェハを別の容器に入れた５０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液に浸漬し、空隙内のＫＯＨ水溶液を５０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液に置換する。表面張力が高いために水溶液が狭い空隙の内部に入り難い場合には、表面張力を低下させるために、水溶液に界面活性剤を添加することもできる。

他の方法として、減圧下にて異種基板と窒化物半導体結晶層との間の空隙にエッチング液を導入する方法が挙げられる。この方法では、例えば、異種基板を密閉容器に入れ、その内部を減圧状態にしたうえで、該容器内にエッチング液を注入する。あるいは、開放容器に入れたエッチング液に異種基板を浸漬したうえで、該容器を減圧下に置くことで、空隙に閉じ込められた空気を空隙外に吸い出して、空隙内にエッチング液を導入してもよい。

エッチング液によりバッファ層を溶解させる際に、紫外線などの光を照射して光促進化学エッチングを行うこともできる。

本発明に係る窒化物半導体結晶の製造方法は、厚膜の単結晶の製造だけでなく、窒化物半導体素子の製造にも好適に用いることができる。一例として、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子の製造への適用例を次に説明する。

（ｉ）一主面を加工してストライプ状の凹凸パターンを呈する凹凸面としたサファイア基板を準備し、ＬＥＰＳ法により、該凹凸面上にＬＥＤ構造を備えたエピタキシャル層を成長させる。ここで、エピタキシャル層とサファイア基板との間には、ＡｌＮバッファ層を介在させる。エピタキシャル層は、サファイア基板側から、アンドープＧａＮ犠牲層と、ｎ型ＧａＮコンタクト層と、ｎ型Ａｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎクラッド層と、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．４）活性層と、ｐ型Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎクラッド層と、ｐ型ＧａＮコンタクト層とを、順次成長させて積層することにより形成する。アンドープＧａＮ犠牲層を成長させる際に、サファイア基板の凹凸面の凹部とアンドープＧａＮ犠牲層との間に空隙ができるように、サファイア基板の凹凸面の凹部の長手方向および幅および深さを設定する（特許文献２を参照することができる）。
（ｉｉ）ｐ型ＧａＮコンタクト層の上面に、ウェハボンディングの方法を用いて、ｎ型導電性が付与されたＺｎＯ基板を接合させる（非特許文献１を参照することができる）。
（ｉｉｉ）ウェハを液温８０℃の５０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液に浸漬し、サファイア基板の凹凸面の凹部とアンドープＧａＮ犠牲層との間の空隙にＫＯＨ水溶液を導入してＡｌＮバッファ層を溶解させて、エピタキシャル層をサファイア基板から分離する。
（ｉｖ）アンドープＧａＮ犠牲層を研磨により除去して、ｎ型ＧａＮコンタクト層を露出させる。ＺｎＯ基板の表面に正電極を形成する。ｎ型ＧａＮコンタクト層の表面に負電極を形成する。最後に、ダイシングによってウェハを切断してチップ状のＬＥＤ素子を得る。

本発明の一実施例に係る窒化物半導体結晶の製造方法を説明するための断面図である。

符号の説明

１ サファイア基板
２ ＡｌＮバッファ層
３ ＧａＮ結晶層

Claims (7)

1. （イ）異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する、エピタキシャルウェハ準備工程と、
   （ロ）前記バッファ層を前記窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させ得るエッチング液を前記空隙の内部に導入し、該エッチング液によって前記バッファ層を溶解させて、前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から分離させる、分離工程と、
   を有する窒化物半導体結晶の製造方法。
2. 前記（ロ）の分離工程が、前記エッチング液よりも粘度の低い第１の液体を前記空隙の内部に導入して、該空隙の内部を該第１の液体で満たす工程と、該空隙の内部を満たす第１の液体を前記エッチング液に置換する工程とを含む、請求項１に記載の製造方法。
3. 前記（ロ）の分離工程が、減圧下で前記空隙の内部に前記エッチング液または前記エッチング液と置換し得る液体を導入することを含む、請求項１または２に記載の製造方法。
4. 前記バッファ層が窒化物半導体からなり、前記窒化物半導体結晶の少なくとも該バッファ層と接する部分が、該バッファ層とは異なる化学組成を有する窒化物半導体からなる、請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
5. 前記バッファ層がＡｌＮバッファ層であり、前記窒化物半導体結晶の少なくとも該ＡｌＮバッファ層と接する部分がＧａＮからなる、請求項４に記載の製造方法。
6. 前記ＡｌＮバッファ層が単結晶質である、請求項５に記載の製造方法。
7. 前記エピタキシャルウェハに含まれる窒化物半導体結晶が、前記凹凸面の凹部上に、Ｍｇを添加しながらラテラル成長させることにより形成された部分を含む、請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。

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