JP2013106044A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマエッチング装置を用いたエッチング方法であって、被加工材上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、前記パターンが形成された前記レジスト膜を所定の変質用条件にてプラズマに曝し、前記レジスト膜を変質させてエッチング選択比を高くするレジスト変質工程と、被加工材を変質用条件と異なるエッチング用条件にてプラズマに曝し、エッチング選択比が高くなった前記レジスト膜をマスクとして被加工材のエッチングを行う被加工材のエッチング工程と、を含むようにした。
【選択図】図2
Description
図1に示すように、プラズマエッチング装置1は、誘導結合型(ICP)であり、被加工基板100を保持する平板状の基板保持台2と、基板保持台2を収容する容器3と、容器3の上方に石英板6を介して設けられたコイル4と、基板保持台2に接続された電源5と、を有している。コイル4は立体渦巻形のコイルであり、コイル中央から高周波電力を供給し、コイル外周の末端が接地されている。エッチング対象の被加工基板100は直接或いは搬送用トレーを介して基板保持台2に載置される。基板保持台2には被加工基板100を冷却するための冷却機構が内蔵されており、冷却制御部7によって制御される。容器3は供給ポートを有し、O2ガス、Arガス等の各種ガスが供給可能となっている。
図2は、エッチング方法を示すフローチャートである。図2に示すように、本実施形態のエッチング方法は、マスク層形成工程S1と、レジスト膜形成工程S2と、パターン形成工程S3と、残膜除去工程S4と、レジスト変質工程S5と、マスク層のエッチング工程S6と、被加工基板のエッチング工程S7と、マスク層除去工程S8と、湾曲部形成工程S9と、を含んでいる。
図3Bは被加工基板及びマスク層のエッチング方法の過程を示し、(f)はレジスト膜の残膜を除去した状態を示し、(g)はレジスト膜を変質させた状態を示し、(h)はレジスト膜をマスクとしてマスク層をエッチングした状態を示し、(i)はマスク層をマスクとして被加工基板をエッチングした状態を示す。尚、変質後のレジスト膜は、図中、塗りつぶすことで表現している。
図3Cは被加工基板及びマスク層のエッチング方法の過程を示し、(j)はマスク層をマスクとして被加工基板をさらにエッチングした状態を示し、(k)は被加工基板から残ったマスク層を除去した状態を示し、(l)は被加工基板にウェットエッチングを施した状態を示す。
前述の工程を経て作製される被加工基板100について説明する。本実施形態においては、図4(a)及び(b)に示すように、凹凸構造101は、周期的に形成された複数の凸部102を有し、各凸部102の間が凹部をなしている。本実施形態においては、各凸部102の形状は、円錘の上部を切り落とした円錘台状である。尚、凸部102の形状は、円錐台状の他、多角錘台等の他の錘台状としたり、円錐、多角錘等の錘状とすることができる。尚、凸部102でなく凹部が、錘状、円錘台、錘台状等の形状をなしていてもよい。本実施形態においては、凹凸構造101は、平面視にて、各凸部102の中心が正三角形の頂点の位置となるように、所定の周期で仮想の三角格子の交点に整列して形成される。
2 基板保持台
3 容器
4 コイル
5 電源
6 石英板
7 冷却制御部
8 プラズマ
100 被加工基板
101 凹凸構造
102 凸部
103 側面
200 発光素子
210 バッファ層
212 n型GaN層
214 多重量子井戸活性層
216 電子ブロック層
218 p型GaN層
220 p側電極
224 n側電極
226 反射膜
228 反射面
Claims (9)
- サファイア基板上の基板用マスク層上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、
変質用条件のバイアス出力を加えて、Arガスのプラズマを前記基板用マスク層へ誘導し、前記パターンが形成された前記レジスト膜を変質させてエッチング選択比を高くするレジスト変質工程と、
前記変質用条件より高いバイアス出力を加えて、Arガスのプラズマを前記基板用マスク層へ誘導し、エッチング選択比が高くなった前記レジスト膜をマスクとして前記基板用マスク層のエッチングを行う被加工材のエッチング工程と、
エッチングされた基板用マスク層をマスクとして、前記サファイア基板のエッチングを行って、前記サファイア基板に凹凸形状を形成する基板のエッチング工程と、を含むエッチング方法。 - 前記基板のエッチング工程にて、前記サファイア基板に深さ300nm以上の凹凸形状を形成する請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記パターン形成工程の後、プラズマアッシングにより前記レジスト膜の残膜を取り除く残膜除去工程を含む請求項1または2に記載のエッチング方法。
- 前記パターン形成工程にて、モールドで前記レジスト膜をプレスした後、プレス状態を保ったまま前記レジスト膜を硬化させ、前記レジスト膜に前記モールドの凹凸構造を転写する請求項1から3のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 前記基板のエッチング工程にて、前記基板用マスク層上に前記レジスト膜が残った状態で、前記サファイア基板のエッチングを行う請求項1から4のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 前記基板用マスク層は、前記サファイア基板上のSiO2層と、前記SiO2層上のNi層と、を有し、
前記基板のエッチング工程にて、前記SiO2層と、前記Ni層と、前記レジスト膜と、が積層した状態で、前記サファイア基板のエッチングを行う請求項5に記載のエッチング方法。 - 前記基板のエッチング工程の後、所定の剥離液を用いて前記サファイア基板上に残った前記基板用マスク層を除去するマスク層除去工程を含む請求項5または6に記載のエッチング方法。
- 前記マスク層除去工程にて、O2アッシングにより予め前記レジスト膜を除去してから、所定の剥離液を用いて前記サファイア基板上に残った前記基板用マスク層を除去する請求項7に記載のエッチング方法。
- サファイア基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、
所定のバイアス出力を加えて、Arガスのプラズマを前記レジストへ誘導し、前記パターンが形成された前記レジスト膜を変質させてエッチング選択比を高くするレジスト変質工程と、
エッチング選択比が高くなった前記レジスト膜をマスクとして前記サファイア基板のエッチングを行って、前記サファイア基板に凹凸形状を形成する基板のエッチング工程と、を含むエッチング方法。
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JP2000221698A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Sony Corp | 電子装置の製造方法 |
JP2008110895A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体結晶の製造方法 |
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