JP2011044220A - 半導体メモリ装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ネガティブワードライン方式の適用時において、隣接ゲート効果が深刻になる現象を防止し、かつ、無駄な電流消費の増加を防止することのできる半導体メモリ装置及びその駆動方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体メモリ装置は、アクティブコマンドが印加されて選択されたいずれか1本のワードラインが活性化されることにより、活性化されたワードラインが高電位電圧で駆動される期間において、活性化されたワードラインに隣接する少なくとも1本の非活性化ワードラインと残りの非活性化ワードラインとに対するワードライン駆動電圧を互いに異なる大きさで印加する。
【選択図】図2A
【解決手段】本発明の半導体メモリ装置は、アクティブコマンドが印加されて選択されたいずれか1本のワードラインが活性化されることにより、活性化されたワードラインが高電位電圧で駆動される期間において、活性化されたワードラインに隣接する少なくとも1本の非活性化ワードラインと残りの非活性化ワードラインとに対するワードライン駆動電圧を互いに異なる大きさで印加する。
【選択図】図2A
Description
本発明は、半導体設計技術に関し、特に、半導体メモリ装置のロウパス(low path)設計に関し、より詳細には、ネガティブワードライン駆動技術に関する。
半導体メモリ装置は、基本単位であるメモリセルの集合体であり、多数のメモリセルがマトリクス状のアレイをなしている。代表的な半導体メモリ装置であるDRAM(Dynamic Random Access Memory)のメモリセルは、1つのNMOSトランジスタと、1つのキャパシタとで構成される。
図1は、DRAMセルの構成を示す回路図である。
図1に示すように、DRAMセルのNMOSトランジスタTは、ワードラインWLにゲートが接続され、ビットラインBLにソースが接続される。DRAMセルのキャパシタCは、NMOSトランジスタTのドレインにストレージノードが接続され、セルプレート電圧端にプレートノードが接続される。
ワードラインWLは、メモリセルを選択して活性化する信号線であり、ロウアドレスによって選択される。1本のワードラインWLが選択されると、当該ワードラインWLに高電位電圧VPPが印加され、接続されたセルトランジスタTをターンオンし、キャパシタCのストレージノードと、データの入出力に用いられる信号線であるビットラインBLとが電荷共有(charge sharing)して一次的なデータの伝達が発生する。これがDRAMのアクティブ動作である。
DRAMのプリチャージ動作においては、アクティブ動作時に選択されたワードラインWLの電位が接地電圧VSSレベルに変更され、これにより、セルトランジスタTがターンオフされ、キャパシタCのストレージノードにデータが記憶される。
一方、DRAMのメモリセルは、選択されない場合でもリーク電流が存在するため、一定時間が経過するとデータが消失してしまう。このようなデータの消失を防止するために、所定の時間間隔でストレージノードのデータを増幅して再記憶するようなリフレッシュ動作が必要になる。
物理的にストレージノードにおいてデータの消失にかかる時間特性を「リフレッシュ特性」という。DRAMの集積度が向上するに伴い、メモリセルと隣接部との間隔が次第に狭くなり、これにより、ストレージノードにおけるリーク電流は増加する。また、ストレージノード自体のキャパシタンスが小さくなり、リフレッシュ特性はさらに劣化してしまう。
一方、セルトランジスタにおけるリーク電流を減少させるためには、セルトランジスタの閾値電圧を高くする方法が考えられるが、このようにセルトランジスタの閾値電圧を高くした場合、ストレージノードにデータを記憶させるのにかかる時間が増加するという欠点がある。
ネガティブワードライン方式は、ワードラインが選択されていないプリチャージ状態において、ワードラインの電位を従来の接地電圧VSSレベルよりも低い負電位に維持し、セルトランジスタの閾値電圧を高めなくても、ゲート・ソース電圧Vgsの関係を利用してリーク電流を制御するため、ストレージノードへのデータの記憶にかかる時間特性を劣化させることなく、リフレッシュ特性を改善することが可能になる。
ところが、ネガティブワードライン方式は、基本的にワードラインの電位変化幅(スイング幅)の増加に伴って電流消費量が増大するという欠点がある。すなわち、選択されたワードラインの電位は、外部から供給される高電位電圧VPPレベルであり、選択されていないワードラインの電位は、接地電圧VSSよりも低いネガティブワードライン電圧VBBWであるため、ワードラインに対する電位変化幅がネガティブワードライン方式を採用しない場合に比べて大きくなるため、電流消費量が増えると共に、内部電源回路で生成される高電位電圧VPP及びネガティブワードライン電圧VBBWも、より多くの電流を保持しなければならない。
また、ビットラインとワードラインとの短絡不良が発生した場合、ネガティブワードライン方式の適用により電流消費が増加するという問題がある。
一方、通常、FinFETのような、閾値電圧の低いトランジスタの場合には、セルアレイ全体に対してネガティブワードライン方式を適用することが必要であるが、リセスチャネル(recessed channel)構造のトランジスタの場合には、閾値電圧が低下する現象がないため、セル全体に対するネガティブワードライン方式の適用が必ずしも必要なわけではない。
仮にこの構造においてセル全体に対してネガティブワードライン方式を適用すると、セル全体のチャネルドーピングが低減し、チャネルの閾値電圧が低くて済み、これは、ワードライン駆動電圧である高電位電圧VPPのレベルを下げても、適切な電流駆動能力を有することを意味する。
しかしながら、この場合、隣接するワードラインによりチャネル電圧が変動する「隣接ゲート効果(neighbor gate effect)」が深刻になり得る。すなわち、選択されたワードラインが高い電圧レベルで活性化されると、それとアクティブ領域を共有する隣接ワードラインによって制御されるチャネル部分は、ネガティブワードライン電圧VBBWの適用によりチャネルドーピングが非常に低減した状態になるため、電圧の上昇が大きくなり、これは、当該セルのオフ特性を劣化させ、リーク電流の増加につながるといった結果を招く。
リセスチャネル構造のトランジスタの場合、隣接セルのチャネルは、側方を通るワードラインに対向しているため、面チャネル(planar channel)構造のトランジスタに比べてより大きく影響され得る。さらに、サドルゲート(saddle gate)構造のトランジスタの場合には、リセスチャネル構造のトランジスタに比べて隣接セルのチャネルにより大きく影響し得る。
一方、技術の発達に伴い、ワードライン同士のスペースは縮小し続けているが、この場合、隣接ゲート効果は非常に深刻な問題をもたらすことが予想される。
本発明は、上記のような従来技術の問題を解決するためになされたものであって、ネガティブワードライン方式の適用時において、隣接ゲート効果が深刻になる現象を防止することのできる半導体メモリ装置及びその駆動方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、ネガティブワードライン方式の適用に伴う無駄な電流消費の増加を防止することのできる半導体メモリ装置及びその駆動方法を提供することを目的とする。
上記の技術課題を達成するために、本発明の第1形態によると、アクティブコマンドが印加されて複数のワードラインの中から選択されたいずれか1本のワードラインが活性化されることにより、前記活性化されたワードラインが高電位電圧で駆動される期間において、活性化されたワードラインに隣接する少なくとも1本の非活性化ワードラインに対応するワードライン駆動電圧と残りの非活性化ワードラインに対するワードライン駆動電圧とを互いに異なる大きさで印加する半導体メモリ装置が提供される。
本発明の第2形態によると、プリチャージ期間において、複数の単位セルブロックを備えるメモリセル領域内の全てのサブワードラインを接地電圧で駆動するステップと、アクティブ期間において、活性化されたサブワードラインに隣接する少なくとも1本のサブワードラインを選択的に負電圧で駆動するステップと、を含む半導体メモリ装置の駆動方法が提供される。
本発明の第3形態によると、プリチャージ期間において、複数の単位セルブロックを備えるメモリセル領域内の全てのサブワードラインを第1負電圧で駆動するステップと、アクティブ期間において、活性化されたサブワードラインに隣接する少なくとも1本のサブワードラインを選択的に前記第1負電圧よりも低い第2負電圧で駆動し、残りの非活性化サブワードラインを前記第1負電圧で駆動するステップと、を含む半導体メモリ装置の駆動方法が提供される。
本発明の第4形態によると、プリチャージ期間において、複数の単位セルブロックを備えるメモリセル領域内の全てのサブワードラインを接地電圧で駆動するステップと、アクティブ期間において、活性化されたサブワードラインが属しない単位セルブロックのサブワードラインを前記接地電圧で駆動し、前記活性化されたサブワードラインが属する単位セルブロックの非活性化サブワードラインを選択的に第1負電圧で駆動し、前記活性化されたサブワードラインが属する前記単位セルブロックの前記非活性化サブワードラインのうち、前記活性化されたサブワードラインに隣接する少なくとも1本のサブワードラインを選択的に前記第1負電圧よりも低い第2負電圧で駆動するステップと、を含む半導体メモリ装置の駆動方法が提供される。
本発明の第5形態によると、プリチャージ期間において、複数の単位セルブロックを備えるメモリセル領域内の全てのサブワードラインを第1負電圧で駆動するステップと、アクティブ期間において、活性化されたサブワードラインが属しない単位セルブロックのサブワードラインを前記第1負電圧で駆動し、前記活性化されたサブワードラインが属する単位セルブロックの非活性化サブワードラインを選択的に前記第1負電圧よりも低い第2負電圧で駆動し、前記活性化されたサブワードラインが属する前記単位セルブロックの非活性化サブワードラインのうち、前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインを選択的に前記第2負電圧よりも低い第3負電圧で駆動するステップと、を含む半導体メモリ装置の駆動方法が提供される。
本発明の第6形態によると、ロウアドレスの所定の上位ビットをデコードしてメインワードライン選択信号を生成するメインワードラインデコーダと、前記ロウアドレスの所定の下位ビットをデコードしてサブワードライン選択信号を生成するサブワードライン選択ラインデコーダと、前記メインワードライン選択信号に応答して複数のメインワードラインを駆動するメインワードラインドライバと、前記サブワードライン選択信号に応答して複数のサブワードライン選択ラインを駆動するサブワードライン選択ラインドライバと、前記サブワードライン選択信号、前記メインワードライン選択信号、又は、前記サブワードライン選択信号及び前記メインワードライン選択信号に応答して複数のサブワードラインオフ電源ラインを互いに異なる電圧で駆動するサブワードラインオフ電源ラインドライバと、メインワードライン信号、サブワードライン選択ライン信号、及びサブワードラインオフ電源ライン信号に応答して複数のサブワードラインを駆動するサブワードラインドライバと、を備える半導体メモリ装置が提供される。
本発明の第7形態によると、ロウアドレスの所定の上位ビットをデコードしてメインワードライン選択信号を生成するメインワードラインデコーダと、前記ロウアドレスの所定の下位ビットをデコードしてサブワードライン選択信号を生成するサブワードライン選択ラインデコーダと、前記メインワードライン選択信号に応答して複数のメインワードラインを駆動するメインワードラインドライバと、前記サブワードライン選択信号に応答して複数のサブワードライン選択ラインを駆動するサブワードライン選択ラインドライバと、複数の単位セルブロックに対応する複数のブロックアクティブ信号に応答して単位セルブロック毎に割り当てられた複数のサブワードラインオフ電源ラインを互いに異なる電圧で駆動するサブワードラインオフ電源ラインドライバと、メインワードライン信号、サブワードライン選択ライン信号、及びサブワードラインオフ電源ライン信号に応答して複数のサブワードラインを駆動するサブワードラインドライバと、を備える半導体メモリ装置が提供される。
本発明は、ネガティブワードライン方式の適用時において、隣接ゲート効果が深刻になる現象を防止し、かつ、無駄な電流消費の増加を防止することができる。
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明をより容易に実施できるようにするため、本発明の実施形態を説明する。
図2Aに示すように、アクティブコマンドが印加されて選択されたいずれか1本のワードラインが活性化されると、活性化されたワードラインAが高電位電圧VPPで駆動される期間において、活性化されたワードラインに隣接する(影響される)ワードラインBと、残りのワードライン(活性化されていないワードライン、つまり、非活性化ワードラインのうち、Bに該当しないワードライン)Cとに対するワードライン駆動電圧を互いに異なるレベルで印加する。ここで、ワードラインとは、階層的ワードライン構造においてサブワードラインSWLを意味し、好ましくは、活性化されたワードラインに隣接するワードラインBに対するワードライン駆動電圧が、残りのワードラインCに対するワードライン駆動電圧よりも低いレベルになる。
一方、活性化されたサブワードラインに隣接する(影響される)ワードラインBには、活性化されたサブワードラインAとアクティブ領域を共有する隣接サブワードライン(neighbor WL)B(1)と、活性化されたサブワードラインAに隣接する素子分離領域(isolation area)を通るパッシングサブワードライン(passing WL)B(2)と、活性化されたサブワードラインAに対応するメインワードラインMWLを共有する非活性化サブワードラインB(3)とがある。残りのワードラインCは、活性化されたサブワードラインAが属する単位セルブロック(単位ビットラインセンスアンプブロック及び単位サブワードラインドライバブロックに対応する単位メモリ領域である)内の非活性化サブワードラインである。
図2Bは、本発明の第1実施形態に係る選択的なネガティブワードライン方式を説明するためのワードライン駆動電圧のタイミングチャートである。
図2Bに示すように、本実施形態に係る選択的なネガティブワードライン方式は、まず、プリチャージ状態において、全てのサブワードラインを接地電圧VSSレベルで駆動する。
次に、アクティブコマンドが印加されて1本のサブワードラインが活性化されると、アクティブ期間において、当該サブワードラインは高電位電圧VPPレベルで駆動される(A)。このとき、非活性化サブワードラインのうち、活性化されたサブワードラインに隣接する(影響される)サブワードラインは負電圧V−(例えば、−0.2V)で駆動し(B)、残りの非活性化サブワードラインはそのまま接地電圧VSSレベルを維持するようにする(C)。ここで、非活性化サブワードラインのうち、負電圧V−で駆動されるサブワードラインとして、隣接サブワードラインのみが選択可能であり、隣接サブワードラインと共にパッシングサブワードラインまで選択可能である。また、活性化されたサブワードラインに対応するメインワードラインMWLを共有する全てのサブワードラインを選択的に負電圧V−で駆動することができ、活性化されたサブワードラインが属する単位セルブロック内の非活性化サブワードラインを選択的に負電圧V−で駆動することができる。
その後、アクティブ期間が経過すると、全てのサブワードラインは再び接地電圧VSSレベルでプリチャージされる。
このように、非活性化サブワードラインのうち、活性化されたサブワードラインに隣接する(影響される)サブワードラインにのみ選択的にネガティブワードライン方式を適用すると、活性化されていない全てのサブワードラインを負電圧でプリチャージする一般的なネガティブワードライン方式に比べてより効率的に隣接ゲート効果を改善することができ、一般的なネガティブワードライン方式の問題点である無駄な電流消費の増加を防止し、パワー安定性を確保することができる。
図2Cは、本発明の第2実施形態に係る選択的なネガティブワードライン方式を説明するためのワードライン駆動電圧のタイミングチャートである。
図2Cに示すように、本実施形態に係る選択的なネガティブワードライン方式は、まず、プリチャージ状態において、全てのサブワードラインを第1負電圧V−(例えば、−0.2V)レベルで駆動する。
次に、アクティブコマンドが印加されて1本のサブワードラインが活性化されると、アクティブ期間において、当該サブワードラインは高電位電圧VPPレベルで駆動される(A)。このとき、非活性化サブワードラインのうち、活性化されたサブワードラインに隣接する(影響される)サブワードラインは第1負電圧V−よりも低い第2負電圧V2−(例えば、−0.4V)で駆動し(B)、残りの非活性化サブワードラインはそのまま第1負電圧V−レベルを維持するようにする(C)。ここで、非活性化サブワードラインのうち、第2負電圧V2−で駆動されるサブワードラインとして、隣接サブワードラインのみが選択可能であり、隣接サブワードラインと共にパッシングサブワードラインまで選択可能である。また、活性化されたサブワードラインに対応するメインワードラインMWLを共有する全てのサブワードラインを選択的に第2負電圧V2−で駆動することができ、活性化されたサブワードラインが属する単位セルブロック内の非活性化サブワードラインを選択的に第2負電圧V2−で駆動することができる。
以降、アクティブ期間が経過すると、全てのサブワードラインは再び第1負電圧V−レベルでプリチャージされる。
このように、本実施形態では、基本的に活性化されていない全てのサブワードラインを負電圧V−でプリチャージする一般的なネガティブワードライン方式に従い、かつ、非活性化サブワードラインのうち、活性化されたサブワードラインに隣接する(影響される)サブワードラインを選択的により低い負電圧V2−で駆動する。この場合、一般的なネガティブワードライン方式が有する電流消費及びパワー安定性の問題を克服することは難しいが、高電位電圧VPPのレベルを下げても大きな電流駆動能力を示し、平均的なセルのリーク電流を低減し、さらに、隣接ゲート効果によるリーク電流も改善できるようになる。
図3は、一般的なDRAMのメモリセル領域の構成を示すブロック図である。
図3に示すように、メモリセル領域は、複数の単位セルブロック(一般に、「セルマットブロック(cell mat block)」と呼ぶ)とそれに対応する単位ビットラインセンスアンプ(SA)ブロックが交互に配置される構造を有する。一方、各単位セルブロックの両側には、当該単位セルブロックのサブワードラインを駆動するためのサブワードラインドライバSWDブロックが配置される。
アクティブコマンドが印加されていずれか1本のサブワードラインが活性化されると、当該サブワードラインに接続されたセルのキャパシタCに記憶されたデータが検知されるが、このとき、ビットラインBLの電位は、ビットラインプリチャージ電圧VBLP(=VCORE/2)から接地電圧VSS(=0V)に下降する。このことは、セルトランジスタTからすると、ソース電圧が下降することになる。したがって、活性化されていないセルトランジスタの場合、ワードラインWLは接地電圧VSSレベルで一定に維持され、基板バイアスも、バックバイアス電圧VBBレベルで一定に維持されている状態でビットライン電圧が下降すると、ゲート・ソース電圧Vgsが大きくなり、ボディ・ソース電圧Vbsは小さくなるため、閾値電圧は減少するのである。
活性化された単位セルブロック(activated cell mat block)と活性化されていない単位セルブロック(non−activated cell mat block)とで、上記した動作による差を確認することができる。一般的に、この状態において、活性化されたセルブロック内でリテンション動作時に発生するリーク電流を「ダイナミックリテンション電流(dynamic retention current)」と呼ぶが、この電流は、活性化されていないセルブロックにおけるリテンション動作時に発生するリーク電流に比べて非常に大きい量になる。そこで、低減した閾値電圧によるリーク電流を改善するために、ダイナミック電流が発生するセルのチャネルドーピングを高めて閾値電圧を高くし、セルのオフ電流を減少させる。しかし、この場合、逆に活性化されていないセルブロックのセルは、過度のチャネルドーピングにより必要以上に閾値電圧が上昇した状態になる。その結果、特定の単位セルブロックのリーク電流を改善するために、残りの単位セルブロックのセルが必要以上の高いチャネルドーピングになり、高い閾値電圧を有することになる。
上述した第1実施形態及び第2実施形態では、すでに活性化されたサブワードラインが属する単位セルブロックを選択的に駆動(2つの段階)する例を説明した。
本発明の第3実施形態及び第4実施形態に係る選択的なネガティブワードライン方式は、活性化された単位セルブロックと活性化されていない単位セルブロックとを選択的に駆動すると共に、活性化された単位セルブロック内で活性化されたサブワードラインに隣接するサブワードラインを選択的に駆動(3つの段階)する方式である。
本発明の第3実施形態に係る選択的なネガティブワードライン方式は、まず、プリチャージ状態において、全ての単位セルブロック内のサブワードラインを接地電圧VSSレベルで駆動する。
次に、アクティブコマンドが印加されて1本のサブワードラインが活性化されると、アクティブ期間において、当該サブワードラインは高電位電圧VPPレベルで駆動される。このとき、活性化されたサブワードラインが属しない単位セルブロックのサブワードラインは接地電圧VSSレベルを維持し、活性化されたサブワードラインが属する単位セルブロック内の非活性化サブワードラインは第1負電圧V−で駆動され、なかでも活性化されたサブワードラインに隣接する(影響される)サブワードラインは第1負電圧V−よりも低いレベルの第2負電圧V2−で駆動される。ここで、非活性化サブワードラインのうち、第2負電圧V2−で駆動されるサブワードラインとして、隣接サブワードラインのみが選択可能であり、隣接サブワードラインと共にパッシングサブワードラインまで選択可能である。また、活性化されたサブワードラインに対応するメインワードラインMWLを共有する全てのサブワードラインを選択的に第2負電圧V2−で駆動することができる。
以降、アクティブ期間が経過すると、全ての単位セルブロック内のサブワードラインは再び接地電圧VSSレベルでプリチャージされる。
このように、本実施形態では、活性化された単位セルブロックのワードラインと活性化されていない単位セルブロックのワードラインとを選択的にネガティブ駆動し、これと共に、活性化された単位セルブロック内の非活性化サブワードラインに対しても、活性化されたサブワードラインに隣接しているか否かによって選択的なネガティブ駆動を実施する。この場合、隣接ゲート効果を改善するという効果のほか、無駄な電流消費の増加を防止し、パワー安定性を確保するという効果を期待することができると共に、特定の単位セルブロックのリーク電流を改善するために、残りの単位セルブロックのセルが必要以上の高いチャネルドーピングになり、高い閾値電圧を有するという問題を解決することができる。
本発明の第4実施形態に係る選択的なネガティブワードライン方式は、まず、プリチャージ状態において、全ての単位セルブロック内のサブワードラインを第1負電圧V−レベルで駆動する。
次に、アクティブコマンドが印加されて1本のサブワードラインが活性化されると、アクティブ期間において、当該サブワードラインは高電位電圧VPPレベルで駆動される。このとき、活性化されたサブワードラインが属しない単位セルブロックのサブワードラインは第1負電圧V−レベルを維持し、活性化されたサブワードラインが属する単位セルブロック内の非活性化サブワードラインは第1負電圧V−より低いレベルの第2負電圧V2−で駆動され、なかでも活性化されたサブワードラインに隣接する(影響される)サブワードラインは第2負電圧V2−よりも低いレベルの第3負電圧V3−で駆動される。ここで、非活性化サブワードラインのうち、第3負電圧V3−で駆動されるサブワードラインとして、隣接サブワードラインのみが選択可能であり、隣接サブワードラインと共にパッシングサブワードラインまで選択可能である。また、活性化されたサブワードラインに対応するメインワードラインMWLを共有する全てのサブワードラインを選択的に第3負電圧V3−で駆動することができる。
以降、アクティブ期間が経過すると、全ての単位セルブロック内のサブワードラインは再び第1負電圧V−レベルでプリチャージされる。
このように、本実施形態では、基本的にサブワードラインに対してネガティブ駆動を行うが、活性化された単位セルブロックのワードラインと活性化されていない単位セルブロックのワードラインとを選択的にネガティブ駆動し、これと共に、活性化された単位セルブロック内の非活性化サブワードラインに対しても、活性化されたサブワードラインに隣接しているか否かによって選択的なネガティブ駆動を実施する。この場合、一般的なネガティブワードライン方式が有する電流消費及びパワー安定性の問題を克服することは難しいが、隣接ゲート効果を改善するという効果のほか、無駄な電流消費の増加を防止し、パワー安定性を確保するという効果を期待することができると共に、特定の単位セルブロックのリーク電流を改善するために、残りの単位セルブロックのセルが必要以上の高いチャネルドーピングになり、高い閾値電圧を有するという問題を解決することができる。
図4は、本発明の第3実施形態に係るDRAMのロウパスの回路構成を示すブロック図である。
図4に示すように、本実施形態に係るDRAMのロウパスには、ロウアドレスの所定の上位ビットをデコードしてメインワードライン選択信号を生成するメインワードライン(MWL)デコーダ40と、ロウアドレスの所定の下位ビットをデコードしてサブワードライン選択信号を生成するサブワードライン選択ライン(FX)デコーダ42と、MWLデコーダ40から出力されたメインワードライン選択信号に応答してメインワードラインMWLB<0:63>を駆動するメインワードライン(MWL)ドライバ44と、FXデコーダ42から出力されたサブワードライン選択信号に応答してサブワードライン選択ラインFX<0:7>(図示していないが、FX<0:7>の相補ラインであるFXB<0:7>も含む)を駆動するサブワードライン選択ライン(FX)ドライバ46と、サブワードライン選択信号に応答してサブワードラインオフ電源ラインFXVSS<0:7>を互いに異なる電圧レベルで駆動するサブワードラインオフ電源ライン(FXVSS)ドライバ48と、メインワードライン信号MWLB<0:63>、サブワードライン選択ライン信号FX<0:7>及びFXB<0:7>、並びにサブワードラインオフ電源ライン信号FXVSS<0:7>に応答してサブワードラインSWL<0:511>を駆動するサブワードラインドライバSWDとを備える。ここで、MWLドライバ44、FXドライバ46、サブワードラインドライバSWDの出力信号の活性化レベルは、高電位電圧VPPレベルである。
本実施形態は、ロウパスにおいてサブワードラインドライバSWDとホール領域の一部の変更により容易に具現することができる。一般的に、m本のメインワードラインMWLとn本のサブワードライン選択ラインFXとのm:nのコーディングにより、サブワードラインSWLの本数はm×n本になる。本実施形態の場合(m=64、n=8)、基本的に、8本ずつのFXライン及びFXBラインと対をなして平行に配置されるFXVSSラインを8本新たに追加し、このFXVSSラインに選択的に負電圧を印加することが可能になるようにFXVSSドライバを具現した。FXVSSラインは、サブワードラインドライバSWDのオフ電圧端子に接続される。
図5は、本発明の第3実施形態に係るワードライン駆動方式のためのライン配置を示す図である。
図5に示すように、新たに追加された8本のFXVSSラインは、従来の8本のFXラインとそれぞれ対をなして平行に配置される。
図6は、一般的なワードライン駆動方式のためのライン配置を示す図であり、これを参照すると、本発明の第3実施形態をより容易に理解することができる。
一方、本実施形態では、アクティブコマンドにより特定のFXラインが活性化された場合、このFXラインの周辺に配置された非活性化FXラインに対応するFXVSSラインに選択的に負電圧を印加する。これに伴い、メインワードラインMWLとFXラインとの組み合わせにより特定のサブワードラインSWLが活性化されると、この活性化されたサブワードラインに隣接する非活性化サブワードラインに選択的に負電圧を印加することができる。
ここで、活性化されたFXライン周辺のFXラインを定義する方式は、上記の実施形態で説明したように様々である。
図7A及び図7Bは、活性化されたFXライン周辺のFXラインを定義する方式による本発明の第3実施形態に係るFXVSSドライバ48の具現例を示す図である。
まず、図7Aは、隣接サブワードラインにのみ選択的に負電圧を印加する場合を示しており、図7Bは、隣接サブワードラインと共にパッシングサブワードラインに選択的に負電圧を印加する場合を示している。
図7A及び図7Bに示すFXVSSドライバ48は両方とも、接地電圧VSSをFXVSSラインに伝達する第1NMOSトランジスタM1と、負電圧VNWLをFXVSSラインに伝達する第2NMOSトランジスタM2と、第1NMOSトランジスタM1及び第2NMOSトランジスタM2のスイッチングを制御する制御部とで構成される。
図7Aの場合、制御部は、当該FXラインFXk及び次のFXラインFXk+1の信号を入力とする排他的否定論理和ゲートXNOR1と、排他的否定論理和ゲートXNOR1の出力信号を反転して第2NMOSトランジスタM2のゲートに印加するインバータINV1とを備える。
ここで、回路図と共に記載された真理値表のように、当該FXラインFXkと次のFXラインFXk+1がいずれも非活性化された場合(0/0)には、接地電圧VSSを当該FXVSSラインFXVSSkに伝達し、次のFXラインFXk+1が活性化された場合(0/1)には、負電圧VNWLを当該FXVSSラインFXVSSkに伝達する。参考として、当該FXラインFXkが活性化された場合(1/0)には、ワードラインオフ電圧である接地電圧VSSまたは負電圧VNWLではなく、高電位電圧VPPでサブワードラインを駆動するため、いずれの電圧が選択されていてもよく、当該FXラインFXkと次のFXラインFXk+1がいずれも活性化された場合(1/1)は存在しないために考慮しない。
図7Bの場合、制御部は、当該FXラインFXk、前のFXラインFXk−1、及び、次のFXラインFXk+1の信号を入力とする排他的否定論理和ゲートXNOR2と、排他的否定論理和ゲートXNOR2の出力信号を反転して第2NMOSトランジスタM2のゲートに印加するインバータINV2とを備える。
ここで、回路図と共に記載された真理値表のように、当該FXラインFXk、次のFXラインFXk+1、及び、前のワードラインFXk−1が全て非活性化された場合(0/0/0)には、接地電圧VSSを当該FXVSSラインFXVSSkに伝達し、次のFXラインFXk+1が活性化された場合(0/0/1)または前のFXラインFXk−1が活性化された場合(1/0/0)には、負電圧VNWLを当該FXVSSラインFXVSSkに伝達する。
一方、本発明の第3実施形態に係るFXVSSドライバ48は、図7Aまたは図7Bに示す回路をFXVSSラインの本数(n=8本)だけ備え、接地電圧VSSを第1負電圧V−に代替し、負電圧VNWLを第2負電圧V2−に代替することができる。
本発明の第4実施形態は、上述した図4のように、FXVSSラインの本数をn(=8)本に設定するのではなく、FXVSSラインの本数をn×m(512本)に設定することにより、各々のサブワードラインドライバに1:1で対応するように具現するものである。この場合、上述した第3実施形態と比較して、FXVSSラインの本数が増えるという欠点があるものの、FXVSSドライバ48が、活性化されたメインワードライン信号MWLB<0:63>に対応するサブワードラインのみを選択的にネガティブ駆動できるため、電流消費を低減する面では有利である。
図8A及び図8Bは、活性化されたFXライン周辺のFXラインを定義する方式による本発明の第4実施形態に係るFXVSSドライバの具現例を示す図である。
まず、図8Aは、隣接サブワードラインにのみ選択的に負電圧を印加する場合を示しており、図8Bは、隣接サブワードラインと共にパッシングサブワードラインに選択的に負電圧を印加する場合を示している。
図8A及び図8Bに示すFXVSSドライバも両方とも、接地電圧VSSをFXVSSラインに伝達する第1NMOSトランジスタM1と、負電圧VNWLをFXVSSラインに伝達する第2NMOSトランジスタM2と、第1NMOSトランジスタM1及び第2NMOSトランジスタM2のスイッチングを制御する制御部とで構成される。
図8Aの場合、制御部は、当該FXラインFXk及び次のFXラインFXk+1の信号を入力とする排他的否定論理和ゲートXNOR3と、排他的否定論理和ゲートXNOR3の出力信号及び当該メインワードライン信号MWLBjを入力とする否定論理和ゲートNOR1と、否定論理和ゲートNOR1の出力信号を反転して第1NMOSトランジスタM1のゲートに印加するインバータINV3とを備える。
ここで、回路図と共に記載された真理値表のように、当該メインワードライン信号MWLBjが論理ローレベルで活性化された状態を前提として、当該FXラインFXk及び次のFXラインFXk+1がいずれも非活性化された場合(0/0)には、接地電圧VSSを当該FXVSSラインFXVSSk×jに伝達し、次のFXラインFXk+1が活性化された場合(0/1)には、負電圧VNWLを当該FXVSSラインFXVSSk×jに伝達する。参考として、当該メインワードライン信号MWLBjが論理ハイレベルで非活性化された場合には、当該FXラインFXk及び次のFXラインFXk+1の状態に関係なく、当該FXVSSラインFXVSSk×jに接地電圧VSSが伝達される。
図8Bの場合、制御部は、当該FXラインFXk、前のFXラインFXk−1、及び次のFXラインFXk+1の信号を入力とする排他的否定論理和ゲートXNOR3と、排他的否定論理和ゲートXNOR3の出力信号及び当該メインワードライン信号MWLBjを入力とする否定論理和ゲートNOR2と、否定論理和ゲートNOR2の出力信号を反転して第1NMOSトランジスタM1のゲートに印加するインバータINV4とを備える。
ここで、回路図と共に記載された真理値表のように、当該メインワードライン信号MWLBjが論理ローレベルで活性化された状態を前提として、当該FXラインFXk、前のFXラインFXk−1、及び次のFXラインFXk+1が全て非活性化された場合(0/0/0)には、接地電圧VSSを当該FXVSSラインFXVSSk×jに伝達し、前のFXラインFXk−1または次のFXラインFXk+1が活性化された場合(1/0/0または0/0/1)には、負電圧VNWLを当該FXVSSラインFXVSSk×jに伝達する。当該メインワードライン信号MWLBjが論理ハイレベルで非活性化された場合も、前のFXラインFXk−1、当該FXラインFXk、及び次のFXラインFXk+1の状態に関係なく、当該FXVSSラインFXVSSk×jに接地電圧VSSが伝達される。
一方、本発明の第4実施形態において、接地電圧VSSを第1負電圧V−に代替し、負電圧VNWLを第2負電圧V2−に代替することができる。
図9は、本発明の第5実施形態に係るDRAMのロウパスの回路構成を示すブロック図である。
図9に示すように、本実施形態に係るDRAMのロウパスには、ロウアドレスの所定の上位ビットをデコードしてメインワードライン選択信号を生成するメインワードライン(MWL)デコーダ90と、ロウアドレスの所定の下位ビットをデコードしてサブワードライン選択信号を生成するサブワードライン選択ライン(FX)デコーダ92と、MWLデコーダ90から出力されたメインワードライン選択信号に応答してメインワードラインMWLB<0:63>を駆動するメインワードライン(MWL)ドライバ94と、メインワードライン選択信号に応答してワードラインオフ電源ラインMWLVSS<0:63>を互いに異なる電圧レベルで駆動するワードラインオフ電源ライン(MWLVSS)ドライバ96と、FXデコーダ92から出力されたサブワードライン選択信号に応答してサブワードライン選択ラインFX<0:7>(図示していないが、FX<0:7>の相補ラインであるFXB<0:7>も含む)を駆動するサブワードライン選択ライン(FX)ドライバ98と、メインワードライン信号MWLB<0:63>、サブワードライン選択ライン信号FX<0:7>及びFXB<0:7>、並びにワードラインオフ電源ライン信号FXVSS<0:63>に応答してサブワードラインSWL<0:511>を駆動するサブワードラインドライバSWDとを備える。ここで、MWLドライバ94、FXドライバ98、サブワードラインドライバSWDの出力信号の活性化レベルは、高電位電圧VPPレベルである。
本実施形態は、上述した第3実施形態と類似の構成を有する。ただし、第3実施形態がFXラインと対をなして平行に配置されるサブワードラインオフ電源ラインFXVSS<0:7>を配置するのに対し、本実施形態は、メインワードラインMWLと対をなして平行に配置されるワードラインオフ電源ラインMWLVSS<0:63>を配置することが異なる。MWLVSSラインも、サブワードラインドライバSWDのオフ電圧端子に接続される。
図10は、本発明の第5実施形態に係るMWLVSSドライバ96の具現例を示す図である。
図10に示すように、MWLVSSドライバ96は、当該メインワードライン信号MWLBjに応答して接地電圧VSSを当該MWLVSSラインMWLVSSjに伝達する第1NMOSトランジスタM11と、インバータINV5によって反転された当該メインワードライン信号MWLBjに応答して負電圧VNWLを当該MWLVSSラインMWLVSSjに伝達する第2NMOSトランジスタM12とを備える。
この場合、当該メインワードラインMWLBjが活性化(「0」)されると、当該メインワードラインMWLBjを共有するサブワードラインのうち、非活性化サブワードラインは負電圧VNWLで駆動され、当該メインワードラインMWLBjを共有しない非活性化(「1」)されたメインワードラインに属する残りのサブワードラインは接地電圧VSSで駆動される。参考として、本実施形態に係るMWLVSSドライバ96は、図10に示す回路をメインワードラインの本数(m=64)だけ備える。
一方、本発明の第6実施形態は、上述した図9のように、MWLVSSラインの本数をm(=64)本に設定するのではなく、MWLVSSラインの本数をn×m(512本)に設定することにより、各々のサブワードラインドライバに1:1で対応するように具現するものである。この場合、上述した第5実施形態と比較して、MWLVSSラインの本数が増えるという欠点があるものの、MWLVSSドライバが活性化されたメインワードライン信号MWLB<0:63>に対応するサブワードラインのみを選択的にネガティブ駆動できるため、電流消費を低減する面では有利である。
図11A及び図11Bは、活性化されたFXライン周辺のFXラインを定義する方式による本発明の第6実施形態に係るMWLVSSドライバの具現例を示す図である。FXVSSラインがMWLVSSに代替された点を除けば、図8A及び図8Bの回路構成及び真理値表と同一であるため、これに関する説明は省略する。
上記の実施形態において、活性化されたサブワードラインが属する単位セルブロック内の非活性化サブワードラインを選択的に負電圧(V−またはV2−)で駆動する方式はすでに説明した。
単位セルブロックがn個であれば、n個の単位セルブロックの各々に対応するワードラインオフ電源ラインVSS_BLOCK_Nを配置し、ブロックアドレス(ロウアドレスの最上位ビットの一部)を受けて生成したブロックアクティブ信号CBA_Nを用いて選択的なネガティブワードラインの駆動を行うことができる。
図12は、本発明の第7実施形態に係るMWLVSSドライバの回路構成を示す図である。
本実施形態に係るMWLVSSドライバは、当該ブロックアクティブ信号CBA_Nに応答して負電圧VNWLを当該ワードラインオフ電源ラインVSS_BLOCK_Nに伝達する第1NMOSトランジスタM21と、インバータINV6によって反転された当該ブロックアクティブ信号CBA_Nに応答して接地電圧VSSを当該ワードラインオフ電源ラインVSS_BLOCK_Nに伝達する第2NMOSトランジスタM22とを備える。
n番目の単位セルブロックが選択されて活性化された場合、n番目の単位セルブロックに対応するワードラインオフ電源ラインVSS_BLOCK_Nに負電圧VNWLを伝達し、これを除く残りのワードラインオフ電源ラインは接地電圧VSSで駆動する。一方、接地電圧VSSを第1負電圧V−に代替し、負電圧VNWLを第2負電圧V2−に代替することができる。
図13A及び図13Bは、サブワードラインドライバSWDの構成を示す回路図である。
図13Aは、活性化されたサブワードラインに対応するサブワードラインドライバSWDの電圧印加状態を示しており、図13Bは、非活性化サブワードラインに対応するサブワードラインドライバSWDの電圧印加状態を示している。
まず、アクティブコマンドが印加されて特定のサブワードラインSWL0が選択されると、図13Aに示すように、メインワードライン信号MWLB0は論理ローレベルで活性化され、サブワードライン選択信号FX0は論理ハイレベル(VPPレベル)で活性化される。これに伴い、PMOSトランジスタM21はターンオンされ、2つのNMOSトランジスタM22及びM23はターンオフされ、当該サブワードラインSWL0は論理ハイレベル(VPPレベル)で活性化される。
一方、図13Bに示すように、メインワードライン信号MWLB0を共有する他のサブワードラインSWL1の場合、メインワードライン信号MWLB0は論理ローレベルで活性化され、サブワードライン選択信号FX0は論理ローレベル(VSSレベル)で非活性化される。これにより、NMOSトランジスタM25はターンオフされ、PMOSトランジスタM21はターンオンされるが、NMOSトランジスタM26がターンオンされるため、当該サブワードラインSWL1はオフ電源端Bのレベルで駆動される。
一方、選択されていないメインワードラインに対応するメインワードライン信号MWLBは論理ハイレベルであるため、プルダウンNMOSトランジスタM22、M25がターンオンされ、当該サブワードラインSWLはオフ電源端Aのレベルで駆動される。
ここで、オフ電源端Aには、上述した実施形態のうち、どの実施形態を適用するかによって接地電圧VSS端またはFXVSS(MWLVSS)ラインが接続され、オフ電源端BにはFXVSS(MWLVSS)ラインが接続される。
以上、本発明の技術思想は、好ましい実施形態により具体的に記述されたが、上記の実施形態は、本発明を説明するためのものであって、本発明を制限するためのものではないことに留意しなければならない。また、本発明の技術分野における通常の専門家であれば、本発明の技術思想の範囲内で多様な実施形態が可能であることが理解できるであろう。
Claims (48)
- アクティブコマンドが印加されて複数のワードラインの中から選択されたいずれか1本のワードラインが活性化されることにより、活性化されたワードラインが高電位電圧で駆動される期間において、前記活性化されたワードラインに隣接する少なくとも1本の非活性化ワードラインに対するワードライン駆動電圧と残りの非活性化ワードラインに対するワードライン駆動電圧とを互いに異なる大きさで印加することを特徴とする半導体メモリ装置。
- 前記活性化されたワードラインに隣接する前記少なくとも1本の非活性化ワードラインに対する前記ワードライン駆動電圧が、前記残りの非活性化ワードラインに対する前記ワードライン駆動電圧よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記活性化されたワードラインに隣接する前記少なくとも1本の非活性化ワードラインが、前記活性化されたワードラインとアクティブ領域を共有する隣接サブワードラインを含むことを特徴とする請求項2に半導体メモリ装置。
- 前記活性化されたワードラインに隣接する前記少なくとも1本の非活性化ワードラインが、前記活性化されたワードラインに隣接する素子分離領域を通るパッシングサブワードラインをさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。
- 前記活性化されたワードラインに隣接する前記少なくとも1本の非活性化ワードラインが、前記活性化されたワードラインに対応するメインワードラインを共有するサブワードラインを含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。
- 前記活性化されたワードラインに隣接する前記少なくとも1本の非活性化ワードラインが、前記活性化されたワードラインが属する単位セルブロック内のサブワードラインを含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。
- プリチャージ期間において、複数の単位セルブロックを備えるメモリセル領域内の全てのサブワードラインを接地電圧で駆動するステップと、
アクティブ期間において、活性化されたサブワードラインに隣接する少なくとも1本のサブワードラインを選択的に負電圧で駆動するステップと、
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記アクティブ期間において、前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインを除く残りの非活性化サブワードラインを前記接地電圧で駆動することを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記アクティブ期間において、前記活性化されたサブワードラインが高電位電圧で駆動されることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたサブワードラインとアクティブ領域を共有する隣接サブワードラインを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたサブワードラインに隣接する素子分離領域を通るパッシングサブワードラインをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたサブワードラインに対応するメインワードラインを共有するサブワードラインを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたワードラインが属する単位セルブロック内のサブワードラインを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- プリチャージ期間において、複数の単位セルブロックを備えるメモリセル領域内の全てのサブワードラインを第1負電圧で駆動するステップと、
アクティブ期間において、活性化されたサブワードラインに隣接する少なくとも1本のサブワードラインを選択的に前記第1負電圧よりも低い第2負電圧で駆動し、残りの非活性化サブワードラインを前記第1負電圧で駆動するステップと、
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記アクティブ期間において、前記活性化されたサブワードラインが高電位電圧で駆動されることを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたサブワードラインとアクティブ領域を共有する隣接サブワードラインを含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたサブワードラインに隣接する素子分離領域を通るパッシングサブワードラインをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたサブワードラインに対応するメインワードラインを共有するサブワードラインを含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたワードラインが属する単位セルブロック内のサブワードラインを含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- プリチャージ期間において、複数の単位セルブロックを備えるメモリセル領域内の全てのサブワードラインを接地電圧で駆動するステップと、
アクティブ期間において、活性化されたサブワードラインが属しない単位セルブロックのサブワードラインを前記接地電圧で駆動し、前記活性化されたサブワードラインが属する単位セルブロックの非活性化サブワードラインを選択的に第1負電圧で駆動し、前記活性化されたサブワードラインが属する前記単位セルブロックの前記非活性化サブワードラインのうち、前記活性化されたサブワードラインに隣接する少なくとも1本のサブワードラインを選択的に前記第1負電圧よりも低い第2負電圧で駆動するステップと、
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記アクティブ期間において、前記活性化されたサブワードラインが高電位電圧で駆動されることを特徴とする請求項20に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたサブワードラインとアクティブ領域を共有する隣接サブワードラインを含むことを特徴とする請求項21に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたサブワードラインに隣接する素子分離領域を通るパッシングサブワードラインをさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたサブワードラインに対応するメインワードラインを共有するサブワードラインを含むことを特徴とする請求項21に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- プリチャージ期間において、複数の単位セルブロックを備えるメモリセル領域内の全てのサブワードラインを第1負電圧で駆動するステップと、
アクティブ期間において、活性化されたサブワードラインが属しない単位セルブロックのサブワードラインを前記第1負電圧で駆動し、前記活性化されたサブワードラインが属する単位セルブロックの非活性化サブワードラインを選択的に前記第1負電圧よりも低い第2負電圧で駆動し、前記活性化されたサブワードラインが属する前記単位セルブロックの非活性化サブワードラインのうち、前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインを選択的に前記第2負電圧よりも低い第3負電圧で駆動するステップと、
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記アクティブ期間において、前記活性化されたサブワードラインが高電位電圧で駆動されることを特徴とする請求項25に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたサブワードラインとアクティブ領域を共有する隣接サブワードラインを含むことを特徴とする請求項26に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたサブワードラインに隣接する素子分離領域を通るパッシングサブワードラインをさらに含むことを特徴とする請求項27に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- 前記活性化されたサブワードラインに隣接する前記少なくとも1本のサブワードラインが、前記活性化されたサブワードラインに対応するメインワードラインを共有するサブワードラインを含むことを特徴とする請求項26に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
- ロウアドレスの所定の上位ビットをデコードしてメインワードライン選択信号を生成するメインワードラインデコーダと、
前記ロウアドレスの所定の下位ビットをデコードしてサブワードライン選択信号を生成するサブワードライン選択ラインデコーダと、
前記メインワードライン選択信号に応答して複数のメインワードラインを駆動するメインワードラインドライバと、
前記サブワードライン選択信号に応答して複数のサブワードライン選択ラインを駆動するサブワードライン選択ラインドライバと、
前記サブワードライン選択信号、前記メインワードライン選択信号、又は、前記サブワードライン選択信号及び前記メインワードライン選択信号に応答して複数のサブワードラインオフ電源ラインを互いに異なる電圧で駆動するサブワードラインオフ電源ラインドライバと、
メインワードライン信号、サブワードライン選択ライン信号、及びサブワードラインオフ電源ライン信号に応答して複数のサブワードラインを駆動するサブワードラインドライバと、
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 複数の前記サブワードラインオフ電源ラインが、各々の前記サブワードライン選択ラインと対をなして平行に配置されることを特徴とする請求項30に記載の半導体メモリ装置。
- 複数の前記サブワードラインオフ電源ラインが、各々の前記メインワードラインと対をなして平行に配置されることを特徴とする請求項30に記載の半導体メモリ装置。
- 複数の前記サブワードラインオフ電源ラインが、複数の前記サブワードラインに対応する本数だけ配置されることを特徴とする請求項30に記載の半導体メモリ装置。
- 前記サブワードラインオフ電源ラインドライバが、複数の前記サブワードラインオフ電源ラインの各々に対応する複数の単位ドライバを備えることを特徴とする請求項30に記載の半導体メモリ装置。
- 複数の前記単位ドライバの各々が、
第1オフ電圧を当該サブワードラインオフ電源ラインに伝達する第1伝達部と、
前記第1オフ電圧よりも低い負電圧である第2オフ電圧を当該サブワードラインオフ電源ラインに伝達する第2伝達部と、
当該サブワードライン選択信号及び周辺のサブワードライン選択信号に応答して前記第1オフ電圧または第2オフ電圧が選択的に伝達されるように前記第1伝達部及び第2伝達部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする請求項34に記載の半導体メモリ装置。 - 複数の前記単位ドライバの各々が、
第1オフ電圧を当該サブワードラインオフ電源ラインに伝達する第1伝達部と、
前記第1オフ電圧よりも低い負電圧である第2オフ電圧を当該サブワードラインオフ電源ラインに伝達する第2伝達部と、
当該メインワードライン選択信号に応答して前記第1オフ電圧または第2オフ電圧が選択的に伝達されるように前記第1伝達部及び第2伝達部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする請求項34に記載の半導体メモリ装置。 - 複数の複数の単位ドライバの各々が、
第1オフ電圧を当該サブワードラインオフ電源ラインに伝達する第1伝達部と、
前記第1オフ電圧よりも低い負電圧である第2オフ電圧を当該サブワードラインオフ電源ラインに伝達する第2伝達部と、
当該サブワードライン選択信号、周辺のサブワードライン選択信号、及び当該メインワードライン選択信号に応答して前記第1オフ電圧または第2オフ電圧が選択的に伝達されるように前記第1伝達部及び第2伝達部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする請求項34に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1オフ電圧が接地電圧であり、
前記第2オフ電圧が第1負電圧であることを特徴とする請求項35に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1オフ電圧が第1負電圧であり、
前記第2オフ電圧が前記第1負電圧よりも低い第2負電圧であることを特徴とする請求項35に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1オフ電圧が接地電圧であり、
前記第2オフ電圧が第1負電圧であることを特徴とする請求項36に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1オフ電圧が第1負電圧であり、
前記第2オフ電圧が前記第1負電圧よりも低い第2負電圧であることを特徴とする請求項36に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1オフ電圧が接地電圧であり、
前記第2オフ電圧が第1負電圧であることを特徴とする請求項37に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1オフ電圧が第1負電圧であり、
前記第2オフ電圧が前記第1負電圧よりも低い第2負電圧であることを特徴とする請求項37に記載の半導体メモリ装置。 - ロウアドレスの所定の上位ビットをデコードしてメインワードライン選択信号を生成するメインワードラインデコーダと、
前記ロウアドレスの所定の下位ビットをデコードしてサブワードライン選択信号を生成するサブワードライン選択ラインデコーダと、
前記メインワードライン選択信号に応答して複数のメインワードラインを駆動するメインワードラインドライバと、
前記サブワードライン選択信号に応答して複数のサブワードライン選択ラインを駆動するサブワードライン選択ラインドライバと、
複数の単位セルブロックに対応する複数のブロックアクティブ信号に応答して単位セルブロック毎に割り当てられた複数のサブワードラインオフ電源ラインを互いに異なる電圧で駆動するサブワードラインオフ電源ラインドライバと、
メインワードライン信号、サブワードライン選択ライン信号、及びサブワードラインオフ電源ライン信号に応答して複数のサブワードラインを駆動するサブワードラインドライバと、
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記サブワードラインオフ電源ラインドライバが、複数の前記サブワードラインオフ電源ラインの各々に対応する複数の単位ドライバを備えることを特徴とする請求項44に記載の半導体メモリ装置。
- 複数の前記単位ドライバの各々が、
第1オフ電圧を当該サブワードラインオフ電源ラインに伝達する第1伝達部と、
前記第1オフ電圧よりも低い負電圧である第2オフ電圧を当該サブワードラインオフ電源ラインに伝達する第2伝達部と、
当該ブロックアクティブ信号に応答して前記第1オフ電圧または第2オフ電圧が選択的に伝達されるように前記第1伝達部及び第2伝達部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする請求項45に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1オフ電圧が接地電圧であり、
前記第2オフ電圧が第1負電圧であることを特徴とする請求項45に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1オフ電圧が第1負電圧であり、
前記第2オフ電圧が前記第1負電圧よりも低い第2負電圧であることを特徴とする請求項45に記載の半導体メモリ装置。
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