JP2008077697A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008077697A JP2008077697A JP2006252285A JP2006252285A JP2008077697A JP 2008077697 A JP2008077697 A JP 2008077697A JP 2006252285 A JP2006252285 A JP 2006252285A JP 2006252285 A JP2006252285 A JP 2006252285A JP 2008077697 A JP2008077697 A JP 2008077697A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- word line
- potential
- channel transistor
- gate
- high level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
【課題】装置が待機状態、あるいは複数のメモリセルアレイのうち当該アレイが非活性状態にあるときのPチャネルトランジスタにおけるゲート、ソース間の電圧ストレスによるゲート酸化膜の信頼性の低下を防止し、GIDL電流の抑制実現する。
【解決手段】ロウデコーダからの出力信号bRDOUTがゲートに入力されるPチャネルトランジスタPT11、ワード線にドレインが接続され、ワード線のローレベルの電位を供給する第2のワード線電位供給線VWLLにソースが接続され、Pチャネルトランジスタのゲートにゲートが接続されたNチャネルトランジスタNT11を有し、ロウデコーダからの出力信号によってワード線駆動回路が非活性状態にあるとき、出力信号の電位がワード線のハイレベルより低くローレベルより高いことを特徴とする。
【選択図】図4
【解決手段】ロウデコーダからの出力信号bRDOUTがゲートに入力されるPチャネルトランジスタPT11、ワード線にドレインが接続され、ワード線のローレベルの電位を供給する第2のワード線電位供給線VWLLにソースが接続され、Pチャネルトランジスタのゲートにゲートが接続されたNチャネルトランジスタNT11を有し、ロウデコーダからの出力信号によってワード線駆動回路が非活性状態にあるとき、出力信号の電位がワード線のハイレベルより低くローレベルより高いことを特徴とする。
【選択図】図4
Description
本発明は半導体記憶装置に係わり、特にワード線駆動回路を有するダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)等に好適な装置に関する。
近年、トランジスタの微細化に伴い、半導体記憶装置におけるワード線駆動回路に対して高信頼性及び低消費電力への要求が高まっている。
メモリセルアレイに、全体でN(Nは1以上の整数)本のワード線が接続されている。ここでは、メモリセルアレイがJ(Jは1以上の整数)個の活性化単位に分割され、各活性化単位毎にR(Rは1以上の整数)個のロウデコーダが配置されており全体でJ*R個のロウデコーダが存在する。
また、各バンク毎に、ワード線のローレベルの電位VWLL又はハイレベルの電位VWLHを供給するK(Kは1以上の整数)本の線が接続されており、N=K*J*Rの関係にある。
さらに、N本のワード線のそれぞれに1個のワード線駆動回路が配置されている。
J個のロウデコーダのうちいずれか1個が活性化され、これに接続されたK本のワード線のうちいずれか1本が選択されて活性化される。
ワード線は、ワード線駆動回路により電位が決定される。ワード線駆動回路は、1個のPチャネルトランジスタ及び1個のNチャネルトランジスタからなるインバータ回路を含んでいる。このPチャネルトランジスタ及びNチャネルトランジスタのゲートには、ロウデコーダ回路からの出力信号が入力され、Pチャネルトランジスタのソースには上述したワード線のローレベルVWLL又はハイレベルVWLHを供給する線が接続され、Nチャネルトランジスタのソースにはワード線のローレベルVWLLを供給する線が接続され、Pチャネルトランジスタ及びNチャネルトランジスタのドレインはワード線に接続されている。
これにより、ロウデコーダ回路からの出力信号によってPチャネルトランジスタ及びNチャネルトランジスタの動作状態が決定され、Pチャネルトランジスタがオンしたときは、ワード線のローレベルVWLL又はハイレベルVWLHを供給する線の電位がワード線の電位として出力される。
この線の電位は、ワード線が選択されたときはハイレベルVWLHになる。
ここで、選択されたワード線が接続されたワード線駆動回路においては、ロウデコーダ回路から出力されPチャネルトランジスタのゲートに入力される信号がローレベルVWLLになる。また、Pチャネルトランジスタのソースが接続されている線は、ワード線のハイレベルVWLHにある。これにより、Pチャネルトランジスタがオンし、ソースからハイレベルWLDHがドレインを経てワード線に出力され充電されることとなり、問題は生じない。
ところが、半導体記憶装置全体がいわゆる待機状態にあるとき、あるいは装置は動作状態にあるがメモリセルアレイが複数のバンクに分割されており当該メモリセルアレイが非活性状態にあるとき、非活性状態にあるワード線が接続されたワード線駆動回路では、Pチャネルトランジスタのゲートにカットオフのためにハイレベルの信号がロウデコーダから出力されて与えられる。この電位が、従来はワード線のハイレベルVWLHと同電位であった。Pチャネルトランジスタのソースが接続された線は、ワード線がローレベルのときの電位VWLL、すなわちワード線駆動回路のNチャネルトランジスタのソースが接続された線と同電位となる。
この場合には、以下のような二つの問題が生じる。
(1)ワード線駆動回路におけるPチャネルトランジスタのゲートとドレインとの間にハイレベルの電圧VWLHが印加されるので、ゲート酸化膜に高い電界がかかり、信頼性を低下させるおそれがあった。特に、半導体記憶装置ではワード線駆動回路の数が多いため、ゲート酸化膜全体の面積が大きく、信頼性に大きい影響を与えていた。
(2)Pチャネルトランジスタのゲートとドレインとの間にハイレベルの逆バイアス電圧VWLHが印加され、ドレインがローレベルVWLLにあり、バルクはハイレベルVWLHが供給された状態にある。このため、ドレインからバルクへ電子が抜ける現象、いわゆるGIDL(Gate-Induced Drain Leakage)電流が生じることとなり、消費電流の増加を招いていた。
(1)ワード線駆動回路におけるPチャネルトランジスタのゲートとドレインとの間にハイレベルの電圧VWLHが印加されるので、ゲート酸化膜に高い電界がかかり、信頼性を低下させるおそれがあった。特に、半導体記憶装置ではワード線駆動回路の数が多いため、ゲート酸化膜全体の面積が大きく、信頼性に大きい影響を与えていた。
(2)Pチャネルトランジスタのゲートとドレインとの間にハイレベルの逆バイアス電圧VWLHが印加され、ドレインがローレベルVWLLにあり、バルクはハイレベルVWLHが供給された状態にある。このため、ドレインからバルクへ電子が抜ける現象、いわゆるGIDL(Gate-Induced Drain Leakage)電流が生じることとなり、消費電流の増加を招いていた。
以下、従来の半導体記憶装置を開示した文献名を記載する。
特開2001−126479号広報
本発明は上記事情に鑑み、電圧ストレスによるゲート酸化膜の信頼性の低下並びにGIDL電流の抑制が可能な半導体記憶装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様による半導体記憶装置は、
複数のメモリセルが配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルに接続された複数のワード線を駆動するワード線駆動回路と、
前記ワード線駆動回路を活性化するロウデコーダとを備え、
前記ワード線駆動回路は、前記ワード線のハイレベル又はローレベルの電位を供給する第1のワード線電位供給線にソースが接続され、前記ワード線にドレインが接続され、前記ロウデコーダからの出力信号がゲートに入力されるPチャネルトランジスタと、前記ワード線にドレインが接続され、前記ワード線のローレベルの電位を供給する第2のワード線電位供給線にソースが接続され、前記Pチャネルトランジスタのゲートにゲートが接続されたNチャネルトランジスタとを有し、
前記ロウデコーダからの出力信号によって前記ワード線駆動回路が非活性状態にあるとき、前記出力信号の電位が、前記ワード線のハイレベルより低くローレベルより高いことを特徴とする。
複数のメモリセルが配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルに接続された複数のワード線を駆動するワード線駆動回路と、
前記ワード線駆動回路を活性化するロウデコーダとを備え、
前記ワード線駆動回路は、前記ワード線のハイレベル又はローレベルの電位を供給する第1のワード線電位供給線にソースが接続され、前記ワード線にドレインが接続され、前記ロウデコーダからの出力信号がゲートに入力されるPチャネルトランジスタと、前記ワード線にドレインが接続され、前記ワード線のローレベルの電位を供給する第2のワード線電位供給線にソースが接続され、前記Pチャネルトランジスタのゲートにゲートが接続されたNチャネルトランジスタとを有し、
前記ロウデコーダからの出力信号によって前記ワード線駆動回路が非活性状態にあるとき、前記出力信号の電位が、前記ワード線のハイレベルより低くローレベルより高いことを特徴とする。
また、本発明の一態様による半導体記憶装置は、
複数のメモリセルが配置され、複数のバンクに分割されているメモリセルアレイと、
前記メモリセルに接続された複数のワード線を駆動する、前記ワード線毎に対応して設けられた複数のワード線駆動回路と、
前記バンク毎に対応して設けられ、前記バンクを単位として前記ワード線駆動回路を活性化する複数のロウデコーダとを備え、
前記ワード線駆動回路は、前記ワード線のハイレベル又はローレベルの電位を供給する第1のワード線電位供給線にソースが接続され、対応する前記ワード線にドレインが接続され、前記ロウデコーダからの出力信号がゲートに入力されるPチャネルトランジスタと、前記ワード線にドレインが接続され、前記ワード線のローレベルの電位を供給する第2のワード線電位供給線にソースが接続され、前記Pチャネルトランジスタのゲートにゲートが接続されたNチャネルトランジスタとを有し、
前記ロウデコーダからの出力信号によって前記ワード線駆動回路が非活性状態にあるとき、前記出力信号の電位が、前記ワード線のハイレベルより低くローレベルより高いことを特徴とする。
複数のメモリセルが配置され、複数のバンクに分割されているメモリセルアレイと、
前記メモリセルに接続された複数のワード線を駆動する、前記ワード線毎に対応して設けられた複数のワード線駆動回路と、
前記バンク毎に対応して設けられ、前記バンクを単位として前記ワード線駆動回路を活性化する複数のロウデコーダとを備え、
前記ワード線駆動回路は、前記ワード線のハイレベル又はローレベルの電位を供給する第1のワード線電位供給線にソースが接続され、対応する前記ワード線にドレインが接続され、前記ロウデコーダからの出力信号がゲートに入力されるPチャネルトランジスタと、前記ワード線にドレインが接続され、前記ワード線のローレベルの電位を供給する第2のワード線電位供給線にソースが接続され、前記Pチャネルトランジスタのゲートにゲートが接続されたNチャネルトランジスタとを有し、
前記ロウデコーダからの出力信号によって前記ワード線駆動回路が非活性状態にあるとき、前記出力信号の電位が、前記ワード線のハイレベルより低くローレベルより高いことを特徴とする。
本発明の半導体記憶装置によれば、ゲート酸化膜への電圧ストレスによる信頼性の低下が防止され、さらにGIDL電流の発生を抑制し消費電流を低減することが可能な半導体記憶装置が実現される。
以下、本発明の実施の形態による半導体記憶装置について図面を参照して説明する。
(1)実施の形態1
図1に、本発明の実施の形態1による半導体記憶装置の全体の概略構成を示す。
図1に、本発明の実施の形態1による半導体記憶装置の全体の概略構成を示す。
メモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイ7の一方向に沿って図示されていないワード線WLがN(Nは1以上の整数)本配置されてロウデコーダ回路9に接続され、これと直交する方向に沿って図示されていないビット線が配置されてカラムデコーダ回路8に接続されている。
アドレスバッファ2に、図示されていない中央制御装置(以下、CPUという)からアドレスが与えられ、カラムアドレス、ロウアドレスに分離されてそれぞれカラムアドレスプリ・デコーダ3、ロウアドレスプリ・デコーダ4に与えられてプリデコードされる。
一方、コマンドバッファ及びデコーダ1にCPUからチップ選択信号/CS、書き込み活性化信号/WE、ロウアドレスストローブ制御信号/RAS、カラムアドレスストローブ制御信号/CASが与えられ、リードデータ/ライトデータ制御回路活性化信号DQE、カラムアドレス活性化信号CAE、ロウアドレス活性化信号RAE、ロウプリチャージ活性化信号RPEが生成されて出力される。
ロウアドレスプリ・デコーダ4に、ロウアドレス、ロウアドレス活性化信号RAEが与えられ、プリデコードが行われて信号Xa、Xb、…、信号XA、XB、…が出力される。
カラムアドレスプリ・デコーダ3に、カラムアドレス、カラムアドレス活性化信号CAEが与えられ、プリデコードが行われて信号YA、YB、…が出力される。
ロウデコーダ制御回路5に、ロウアドレス活性化信号RAE、ロウプリチャージ活性化信号RPE、信号Xa、Xb、…が与えられ、ワード線の電位を設定するワード線駆動信号WLDV、ワード線リセット信号WLRST、ワード線活性化信号WLON、ワード線非活性化信号bWLOFF、バンク選択信号BankSELが生成されてロウデコーダ回路9に出力される。ロウデコーダ回路9には、さらにロウアドレスプリ・デコーダ4から信号XA、XB、…が出力され、メモリセルアレイ7に接続されたワード線WLの制御が行われる。
カラムデコーダ制御回路6に、カラムアドレス活性化信号CAE、信号YA、YB、…が与えられ、プリデコードされたカラムアドレスCDRV、カラム選択線活性化信号CSLEが生成されてカラムデコーダ回路8に出力される。カラムデコーダ回路8には、さらにカラムアドレスプリ・デコーダ3からカラムアドレスCDRVが出力され、メモリセルアレイ7に接続されたビット線BLの制御が行われる。
メモリセルアレイ7は、複数のバンク<1>〜<J(Jは1以上の整数)、ここではJ=8とする>に分割されている。いずれか一つのバンクがバンク選択信号BankSELを与えられたロウデコーダ回路9によって活性状態になり、他は全て非活性状態になる。
また、各バンクには例えば8つのアレイが存在し、プリデコードされたロウアドレスXA、XB、…でいずれか1つが活性化され他は全て非活性化状態になる。それぞれのアレイ間には、センスアンプSA<1>〜SA<J+1>が設けられている。
ロウデコーダ回路9によりいずれかのバンクが選択され、このバンクにおけるワード線WLが一本選択され、カラムデコーダ回路8によりいずれかのビット線BLが選択される。リードデータ/ライトデータ制御回路10にコマンドバッファ及びデコーダ1からリードデータ/ライトデータ制御回路活性化信号DQEが与えられる。データバッファ11にCPUからデータDQが与えられて格納された後、書き込みデータがリードデータ/ライトデータ制御回路10に与えられ、メモリセルアレイ7において選択されたメモリセルに書き込まれる。あるいは、選択されたメモリセルからリードデータ/ライトデータ制御回路10によりデータが読み出され、データバッファ11に与えられて保持された後、外部に出力される。
次に、ロウデコーダ回路9におけるワード線WLを駆動する具体的構成を図2に示す。
メモリセルアレイ7全体にN本のワード線WLが配置され、J個のバンクに分割され、各々のバンク毎にK本のワード線WLが配置されている。また、バンク毎に対応して全体でJ個のロウデコーダRD<1>〜RD<J>が設けられ、K本のワード線WLがそれぞれ接続されている。ここで、N=K*Jの関係にある。
さらに、各バンク内において、各ワード線WL毎にワード線駆動回路WLDが配置され接続されている。ワード線駆動回路WLD<1>〜WLD<K>、WLD<K+1>〜WLD<2K>、…、WLD<(J−1)*K+1>〜WLD<J*K>には、それぞれワード線WLのハイレベルVWLHまたはローレベルVWLLの電位が供給される線WLDV<1>〜WLDV<K>が接続されている。
ロウデコーダRD<1>〜RD<J>のうち、例えばロウデコーダRD<1>が活性化され、さらにロウデコーダRD<1>に接続されたワード線駆動回路WLD<1>〜WLD<K>のうち、ワード線駆動回路WLD<1>が活性化されると、これに接続されたワード線WL<1>が、線WLDV<1>の電位に充電されて電位が確定される。
図3にワード線駆動回路WLDの構成の一例を示す。
ソースが、ワード線WLのハイレベルを有する線VWLHに接続され、後述するワード線活性化信号WLONと同期してワード線WLを非活性化させるワード線非活性化信号bWLOFFがゲートに入力されるPチャネルトランジスタPT1と、それぞれロウアドレスXA、XB、…の1ビットずつのデータがゲートに入力されるNチャネルトランジスタNT1、NT2、…と、ハイレベルになるとワード線WLを活性化させ、ワード線非活性化信号bWLOFFと同期してワード線WLを活性化させるワード線活性化信号WLONがゲートに入力され、ソースがワード線WLのローレベルを有する線VWLLに接続されたNチャネルトランジスタNT3のソース、ドレインが直列に接続されている。
ソースが線VWLHに接続され、PチャネルトランジスタPT1のドレインとNチャネルトランジスタNT1のドレインが接続されたノードND1にドレインが接続されたPチャネルトランジスタPT2が設けられている。また、ノードND1にゲートがともに接続され、線VWLHと線VWLLとの間にソース、ドレインが直列に接続されたPチャネルトランジスタPT3、NチャネルトランジスタNT4を含むインバータが配置され、ドレインがともにノードND2に接続されている。このノードND2には、PチャネルトランジスタPT2のゲートが接続されている。
ノードND2にゲートがともに接続され、線Φと線VWLLとの間にソース、ドレインが直列に接続されたPチャネルトランジスタPT4、NチャネルトランジスタNT5を含むインバータが配置され、ドレインがともにノードND3に接続されている。ノードND3からは、ロウデコーダ出力信号bRDOUTが出力される。
ここで、線Φは後述するように、対応するワード線WLを活性化するときはワード線WLのハイレベルVWLHを有し、非活性状態にするときは、この電位VWLHより低く、かつワード線WLのローレベルVWLLより高い電位VΦ1になる。
ワード線活性化信号WLONがハイレベルに立ち上がり、ワード線非活性化信号bWLOFFがこれに同期してハイレベルになると、NチャネルトランジスタNT3がオンしてこのソースにローレベルVWLLが供給され、PチャネルトランジスタPT1がオフしてこのソースにハイレベルVWLHが供給されなくなる。対応するワード線WLを活性化するときは、全てのロウアドレスXA、XB、…がハイレベルになり、ロウデコーダ出力信号bRDOUTがローレベルに立ち下がり、この信号が後述するワード線駆動回路WLDに与えられてこのワード線WLが活性化されて、電位VWLHになる。
逆に、ワード線活性化信号WLONがローレベルに立ち下がり、これに同期してワード線非活性化信号bWLOFFがローレベルに立ち下がると、NチャネルトランジスタNT3がオフするので、ロウアドレスXA、XB、…にかかわらずノードND1は線VWLLから分離され、PチャネルトランジスタPT1がオンして線VWLHに接続されて、ロウデコーダ出力信号bRDOUTがハイレベルに立ち上がる。この信号がワード線駆動回路WLDに与えられ、ワード線WLが非活性化されて、電位VWLLになる。
図4に、ワード線駆動回路WLDの具体的な回路構成の一例を示す。このワード線駆動回路WLDは、PチャネルトランジスタPT11、NチャネルトランジスタNT11から成るインバータを含む。
PチャネルトランジスタPT11のソースが線WLDVに接続され、NチャネルトランジスタNT11のソースが線VWLLに接続され、ゲートにともにロウデコーダ出力信号bRDOUTが入力され、ドレインがともに対応するワード線WLに接続されている。
ロウデコーダ出力信号bRDOUTがローレベルに立ち下がると、PチャネルトランジスタPT11がオンし、NチャネルトランジスタNT11がオフすることにより、対応するワード線WLが線WLDVにより充電される。ここで、ロウアドレスにより選択された信号WLDVは、ワード線WLを活性化するときにはワード線WLのハイレベルVWLHに立ち上がる。これにより、活性化されたワード線WLはハイレベルVWLHになる。
図5に、各信号のタイムチャートを示す。図3に示されたロウデコーダRDにおいて、ワード線活性化信号WLON、ワード線非活性化信号bWLOFFがともにローレベルからハイレベルに立ち上がってロウデコーダRDが活性化され、ロウアドレスXA、XB、…が取り込まれる。ここでは、対応するワード線WLが活性化されるように、全てのロウアドレスXA、XB、…がハイレベルであるとする。これにより、ロウデコーダ出力信号bRDOUTがローレベルに立ち下がる。
図4に示された当該ワード線WLに接続されたワード線駆動回路WLDにおいて、線WLDVの電位がハイレベルに立ち上がり、ワード線WLがPチャネルトランジスタPT11を介してこの電位によって充電されてハイレベルVWLHになる。
ところで本実施の形態1では、上述したように図3に示されたロウデコーダRDにおいて、PチャネルトランジスタPT4のソースに接続された線Φの電位が、半導体記憶装置全体が待機状態にあるとき、あるいは装置は動作状態にあるがメモリセルアレイの複数のバンクのうちの当該バンクが非活性状態にある場合に、ワード線WLのハイレベルVWLHより低く、かつワード線WLのローレベルVWLLより高い電位となるように制御する点に特徴がある。この場合の電位Φを制御する電位制御回路の具体的な構成の一例を図6に示す。
PチャネルトランジスタPT21のソースに、ワード線WLのハイレベルVWLHが入力され、ゲートにパワーダウン信号PDが入力され、ドレインが線Φに接続されている。PチャネルトランジスタPT22のソースにワード線WLのハイレベルよりも低く、かつローレベルより高い電位VΦ1が入力され、ゲートに反転されたパワーダウン信号bPDが入力され、ドレインが線Φに接続されている。
ここでパワーダウン信号PDは、半導体記憶装置において所定時間外部から信号の入力がなかった場合に、半導体記憶装置全体を待機状態に設定して消費電流を低減させるために一般に用いられているものである。
図7に、パワーダウン信号PD及び反転パワーダウン信号bPD、線Φの電位のタイムチャートを示す。半導体記憶装置が待機状態になる前は、パワーダウン信号PDはローレベル、反転パワーダウン信号/PDはハイレベルにあり、PチャネルトランジスタPT21がオン状態、PチャネルトランジスタPT22はオフ状態にあり、線Φの電位はハイレベルVWLHにある。
半導体記憶装置が待機状態に入り、パワーダウン信号PDがハイレベルに、反転パワーダウン信号/PDがローレベルになると、PチャネルトランジスタPT21がオフし、PチャネルトランジスタPT22がオンし、線Φの電位がハイレベルVWLHより低くローレベルVWLLより高い電位VΦ1になる。
これにより、図3のローデコーダRDにおいて、PチャネルトランジスタPT4のソースに接続された線Φの電位が電位VΦ1になることで、ロウデコーダ出力信号bRDOUTが電位VΦ1になる。
図4に示されたワード線駆動回路WLDにおいて、PチャネルトランジスタPT11のゲートに入力されるロウデコーダ出力信号bRDOUTの電位が、ワード線WLのハイレベルVWLHより低く、ローレベルVWLLより高い電位VΦ1になる。
半導体記憶装置が待機状態、あるいはメモリセルアレイにおける当該バンクが非活性状態にあるときは、ソースに接続された線WLDVの電位はワード線WLのローレベルVWLLになるが、ゲートに入力されるロウデコーダ出力信号bRDOUTの電位VΦ1がワード線WLのハイレベルVWLHより低いため、ゲート酸化膜へのストレスが緩和され、信頼性の向上に寄与することができる。ここで、電位VΦ1は、PチャネルトランジスタPT11の閾値をVthとした場合、VWLH−Vth<VΦ1<VWLHの範囲に設定された電位である。
また、従来の半導体記憶装置では半導体記憶装置が待機状態にあるとき、あるいは半導体記憶装置が動作状態にありメモリセルアレイにおける当該バンクが非活性状態にあるとき、このワード線駆動回路WLDにおけるPチャネルトランジスタPT11のゲート・ドレイン間にはワード線WLのハイレベルVWLHとローレベルVWLLとの電位差に等しい電位差bRDOUT(=VWLH)−VWLLが印加されていた。
これに対し、本実施の形態1ではこれより小さい電位差bRDOUT(=VΦ1)−VWLLがPチャネルトランジスタPT11のゲート、ソース間に印加されるため、GIDL電流の発生が抑制されて消費電流を低減することができる。
(2) 実施の形態2
本発明の実施の形態2による半導体記憶装置について、図面を用いて説明する。
本発明の実施の形態2による半導体記憶装置について、図面を用いて説明する。
本実施の形態2において、図3に示されたロウデコーダRDにおけるPチャネルトランジスタPT4のソースに接続された線Φの電位を制御する回路の具体的な構成を図8に示す。他の構成は上記実施の形態1と同様であり、説明を省略する。
PチャネルトランジスタPT31のソースに、ワード線WLのハイレベルVWLHが入力され、上記実施の形態1におけるパワーダウン信号PDの替わりに、メモリセルアレイの活性化/非活性化を制御するメモリセルアレイ活性化制御信号が反転されたbACTがゲートに入力され、ドレインが線Φに接続されている。PチャネルトランジスタPT32のソースにワード線WLのハイレベルVWLHより低く、かつローレベルVWLLより高い電位VΦ2が入力され、ゲートに反転パワーダウン信号bPDの替わりにメモリセルアレイ活性化制御信号ACTが入力され、ドレインが線Φに接続されている。
ここで、メモリセルアレイ活性化制御信号ACTは、メモリセルアレイにおける各バンク毎に、活性状態/非活性状態を切り替えるための制御信号に相当する。
図9に、メモリセルアレイ活性化制御信号ACT、反転メモリセルアレイ活性化制御信号bACT、線Φの電位のタイムチャートを示す。メモリセルアレイの当該バンクが活性状態にある間は、メモリセルアレイ活性化制御信号ACTがハイレベル、反転メモリセルアレイ活性化制御信号bACTがローレベルにあり、PチャネルトランジスタPT31がオン状態、PチャネルトランジスタPT32はオフ状態にあり、線ΦはハイレベルVWLHにある。
メモリセルアレイの当該バンクが非活性状態に入り、メモリセルアレイ活性化制御信号ACTがローレベルに、反転メモリセルアレイ活性化制御信号bACTがハイレベルになると、PチャネルトランジスタPT31がオフし、PチャネルトランジスタPT32がオンし、線Φの電位がワード線WLのハイレベルVWLHより低く、ローレベルVWLLより高い電位VΦ2になる。ここで、電位VΦ2は、PチャネルトランジスタPT11をオフさせることができるが、ワード線WLのハイレベルVWLHより低い電位である必要がある。
図4に示されたワード線駆動回路WLDにおいて、PチャネルトランジスタPT11のゲートに入力されるロウデコーダ出力信号bRDOUTの電位が、ワード線WLのハイレベルVWLHより低く、ローレベルVWLLより高い電位VΦ2になる。
これにより、ワード線駆動回路WLDにおけるPチャネルトランジスタPT11のゲートにこの電位VΦ2を有するロウデコーダ出力信号bRDOUTが入力され、上記実施の形態1と同様にゲート酸化膜へのストレスが緩和され、信頼性の向上に寄与することができる。
さらに、上記実施の形態1と同様に、PチャネルトランジスタPT11のゲート、ドレイン間において、従来よりも小さい電位差bRDOUT(=VΦ2)−VWLLが印加されるため、GIDL電流の発生が抑制されて消費電流が低減される。
上述した実施の形態はいずれも一例であって、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的範囲内において様々に変形することが可能である。
尚、上記実施の形態1では、半導体記憶装置が待機状態にあるときのロウデコーダRDからの出力信号bRDOUTの電位について述べた。しかし、半導体記憶装置が動作状態にある場合にワード線を非活性化するときは、出力信号bRDOUTの電位をワード線WLのハイレベルVWLHと同レベルとすることで、これに接続されたワード線駆動回路WLDのPチャネルトランジスタP11を十分にカットオフするが望ましい。
同様に、上記実施の形態2では非活性状態にあるバンク内でのワード線を非活性化するときのロウデコーダRDからの出力信号bRDOUTの電位について述べたが、活性状態にあるバンク内でのワード線を非活性化するときは、出力信号bRDOUTの電位をワード線WLのハイレベルVWLHと同レベルとすることで、これに接続されたワード線駆動回路WLDのPチャネルトランジスタP11を十分にカットオフするが望ましい。
1 コマンドバッファ及びデコーダ
2 アドレスバッファ
3 カラムアドレスプリ・デコーダ
4 ロウアドレスプリ・デコーダ
5 ロウデコーダ制御回路
6 カラムデコーダ制御回路
7 メモリセルアレイ
8 カラムデコーダ回路
9 ロウデコーダ回路
10 リードデータ/ライトデータ制御回路
11 データバッファ
RD ロウデコーダ
WLD ワード線駆動回路
2 アドレスバッファ
3 カラムアドレスプリ・デコーダ
4 ロウアドレスプリ・デコーダ
5 ロウデコーダ制御回路
6 カラムデコーダ制御回路
7 メモリセルアレイ
8 カラムデコーダ回路
9 ロウデコーダ回路
10 リードデータ/ライトデータ制御回路
11 データバッファ
RD ロウデコーダ
WLD ワード線駆動回路
Claims (5)
- 複数のメモリセルが配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルに接続された複数のワード線を駆動するワード線駆動回路と、
前記ワード線駆動回路を活性化するロウデコーダとを備え、
前記ワード線駆動回路は、前記ワード線のハイレベル又はローレベルの電位を供給する第1のワード線電位供給線にソースが接続され、前記ワード線にドレインが接続され、前記ロウデコーダからの出力信号がゲートに入力されるPチャネルトランジスタと、前記ワード線にドレインが接続され、前記ワード線のローレベルの電位を供給する第2のワード線電位供給線にソースが接続され、前記Pチャネルトランジスタのゲートにゲートが接続されたNチャネルトランジスタとを有し、
前記ロウデコーダからの出力信号によって前記ワード線駆動回路が非活性状態にあるとき、前記出力信号の電位が、前記ワード線のハイレベルより低くローレベルより高いことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記ロウデコーダは、前記半導体記憶装置が待機状態にある場合に、前記ワード線のハイレベルより低くローレベルより高い電位を有する前記出力信号を前記ワード線駆動回路に与えて非活性状態にすることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記ワード線のハイレベルがソースに与えられ、前記半導体記憶装置が待機状態にある場合にハイレベルとなるパワーダウン信号がゲートに与えられ、前記出力信号を出力するノードにドレインが接続された第1のPチャネルトランジスタと、
前記ワード線のハイレベルより低くローレベルより高い電位がソースに与えられ、前記半導体記憶装置が待機状態にある場合にローレベルとなる反転された前記パワーダウン信号がゲートに与えられ、前記出力信号を出力するノードにドレインが接続された第2のPチャネルトランジスタとを有する電位設定回路をさらに備え、
前記半導体記憶装置が待機状態にある場合に、前記第1のPチャネルトランジスタがオンして、前記ワード線のハイレベルより低くローレベルより高い電位を前記ロウデコーダに供給することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体記憶装置。 - 複数のメモリセルが配置され、複数のバンクに分割されているメモリセルアレイと、
前記メモリセルに接続された複数のワード線を駆動する、前記ワード線毎に対応して設けられた複数のワード線駆動回路と、
前記バンク毎に対応して設けられ、前記バンクを単位として前記ワード線駆動回路を活性化する複数のロウデコーダとを備え、
前記ワード線駆動回路は、前記ワード線のハイレベル又はローレベルの電位を供給する第1のワード線電位供給線にソースが接続され、対応する前記ワード線にドレインが接続され、前記ロウデコーダからの出力信号がゲートに入力されるPチャネルトランジスタと、前記ワード線にドレインが接続され、前記ワード線のローレベルの電位を供給する第2のワード線電位供給線にソースが接続され、前記Pチャネルトランジスタのゲートにゲートが接続されたNチャネルトランジスタとを有し、
前記ロウデコーダからの出力信号によって前記ワード線駆動回路が非活性状態にあるとき、前記出力信号の電位が、前記ワード線のハイレベルより低くローレベルより高いことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記ロウデコーダは、対応する前記バンクが非活性状態にある場合に、前記ワード線のハイレベルより低くローレベルより高い電位を有する前記出力信号を前記ワード線駆動回路に与えて非活性状態にすることを特徴とする請求項4記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006252285A JP2008077697A (ja) | 2006-09-19 | 2006-09-19 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006252285A JP2008077697A (ja) | 2006-09-19 | 2006-09-19 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008077697A true JP2008077697A (ja) | 2008-04-03 |
Family
ID=39349610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006252285A Pending JP2008077697A (ja) | 2006-09-19 | 2006-09-19 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008077697A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012181891A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Rohm Co Ltd | 半導体記憶装置 |
US8451681B2 (en) | 2008-07-30 | 2013-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device including memory cells each having a variable resistance element |
-
2006
- 2006-09-19 JP JP2006252285A patent/JP2008077697A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8451681B2 (en) | 2008-07-30 | 2013-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device including memory cells each having a variable resistance element |
TWI451419B (zh) * | 2008-07-30 | 2014-09-01 | Toshiba Kk | Semiconductor memory device |
JP2012181891A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Rohm Co Ltd | 半導体記憶装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5224659B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100355226B1 (ko) | 뱅크별로 선택적인 셀프 리프레쉬가 가능한 동적 메모리장치 | |
US6768354B2 (en) | Multi-power semiconductor integrated circuit device | |
KR100300141B1 (ko) | 데이터 유지 상태의 소비 전력을 저감하고, 또한 안정된동작을 실현하는 반도체 기억 장치 | |
US8593883B2 (en) | Semiconductor memory device and driving method thereof | |
TWI428932B (zh) | 半導體記憶體裝置及其驅動方法 | |
US7978562B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP2008135099A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US8139437B2 (en) | Wordline driving circuit of semiconductor memory device | |
JP2008269772A (ja) | カラムリダンダンシ回路 | |
US7920429B2 (en) | Semiconductor memory device for reducing power consumption | |
KR100535071B1 (ko) | 셀프 리프레쉬 장치 | |
JP2006127741A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JP2005085454A (ja) | メモリアレイを含む集積回路装置、およびセンスアンプを有するメモリを組込んだ集積回路装置においてパワーゲートするための方法 | |
KR100945804B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR100924331B1 (ko) | 반도체 메모리 소자의 센스앰프 전원 공급 회로 | |
JP2008077697A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20150179243A1 (en) | Word line driving circuit | |
KR100769492B1 (ko) | 반도체 집적 회로 | |
US20080080293A1 (en) | Semiconductor memory apparatus having column decoder for low power consumption | |
JP2005222659A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2006059490A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR20090036437A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR100679255B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR20090099866A (ko) | 워드라인 구동 장치 |