JP2011035336A - 電流垂直型巨大磁気抵抗(cpp−gmr)素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CPP−GMR素子は、ホイスラー合金薄膜4,6間にスペーサ層5を配した構造を持つCPP−GMR素子であって、前記ホイスラー合金薄膜4,6が、B2規則構造を持つホイスラー強磁性合金からなり、スペーサ層5がB2規則構造を持つ金属間化合物からなることを特徴とし、また、前記CPP−GMR素子において、前記ホイスラー強磁性合金が、CoFeAlSiホイスラー強磁性合金であり、前記金属間化合物が、NiAl金属間化合物である。
【選択図】図2
Description
そのためには、
1)強磁性体が高いスピン分極率をもつこと
2)強磁性体と電子のバンド構造の整合性のよい非磁性スペーサ層を選択すること
が求められる。
前記2)については、L21規則構造の強磁性ホイスラー合金に対し、L21規則構造の非磁性ホイスラー合金を使用することがアメリカの企業によって提案されており、アメリカでの特許も取得されている(特許文献1)。L21構造とは図1に示すように3元系が構造規則化したものであり、それより1段階低い構造規則がB2構造であり、さらに規則度が低下したものがA2構造(体心立方構造)である。ホイスラー合金の熱的に最も安定な構造はL21構造であるが、スパッタリング法をはじめとした薄膜作製法は非平衡な過程であるために、得られる薄膜はB2またはA2構造である。この、L21規則構造の強磁性ホイスラー合金に対し、L21規則構造の非磁性ホイスラー合金を使用した磁気ヘッドの提案では、下部強磁性層/非磁性スペーサ層/上部強磁性層のいずれもが十分に高いL21規則構造を有する場合に効果を発揮すると考えられるが(実際、この特許の根拠となる電子構造計算は完璧なL21規則を仮定して実施されている)、実デバイスにおける数ナノメートルという薄い膜厚において高いL21規則構造を実現することは、現在の技術ではきわめて困難である。また、規則度の向上には高温での熱処理が不可欠であるが、そのような熱処理は実デバイス中の人工フェリ構造に損傷を与え、性能の低下に繋がりかねない。それゆえ、L21構造のホイスラー合金を使用することは、現状の磁気記録用読み取りヘッド製造プロセスに適応しがたいものであり、実際に使用されることはなかった。
発明2は、発明1のCPP−GMR素子において、前記ホイスラー強磁性合金が、CoFeAlSiホイスラー強磁性合金であり、前記金属間化合物が、NiAl金属間化合物であることを特徴とする。
また、非特許文献3(これは上記特許文献1の技術を用いた実験に関する報告である。)のCPP−GMR素子では6.7%の磁気抵抗比が報告されているが、本発明によるB2規則CoFeAlSl/NiAl/CoFeAlSi CPP−GMR素子はより高い9%の磁気抵抗比を示した(下記素子番号2および3)。
さらなる利点として、CPP−GMR素子を現実の読み取りヘッドに応用する際には、素子の総膜厚が制限されるが、本発明でのCoFeAlSl/NiAl/CoFeAlSi CPP−GMR素子においては、強磁性層の膜厚を低減させた場合でも、磁気抵抗変化量および磁気抵抗比の減少は小さく、読み取りヘッド応用に有利である(下記素子番号1)。
またNiAl合金は高い耐熱性を持つ合金であることから、製造プロセス中の積層膜内での原子拡散が抑制できることも期待できる。
実施例として、B2規則構造のCoFeAlSiホイスラー強磁性合金と、B2規則構造のNiAl金属間化合物を用いた、CoFeAlSl/NiAl/CoFeAlSi積層構造の例を示した。
本発明の趣旨はB2規則構造の強磁性ホイスラー合金層と同じ結晶対称性をもつB2規則合金およびB2金属間化合物をスペーサ層に適用するということである、強磁性層として使用するホイスラー合金はCoFeAlSiのみに限られるものではなく、同じB2規則構造を持つCoMnSi、CoMnGe、CoFeAl、CoFeSi等も下記実施例と同様な効果を発揮し得るものと考えられる。
また、スペーサ層としてもNiAlの他に、同様なB2規則構造を持つ金属間化合物であるCuZn、 CuBe、 AgMg等も下記実施例と同様な効果を発揮し得るものと考えられる。
まず、超高真空マグネトロンスパッタ法でMgO(001)単結晶基板(1)上に、10nm厚のCr層(2)、100nm厚のAg層(3)、表1に示す厚さのCoFeAlSi第一ホイスラー合金層(下部強磁性層)(4)を作製した。
この直後、表1に示す第一熱処理をその場処理で行い、それが終了した後に、引き続き、4nm厚のNiAlのスペーサ層(5)、5nm厚のCoFeAlSi第二ホイスラー合金層(上部強磁性層)(6)、2nm厚のCoFe層(7)、10nm厚のIrMn層(8)、そして8nm厚のRu層(9)を順次作成した。すべての薄膜層の作製時における基板温度は室温付近である。
そして、スパッタ処理を終了した後に、表1に示す磁場中に配置して、第二熱処理を行い、表1に示す各フルエピタキシャルなスピンバルブ型CPP−GMR素子を作成した。
CoFeAlSi、 NiAl、 CoFe、 IrMn合金のターゲット組成は、それぞれ50%Co‐25%Fe‐15%Al‐10%Si、 50%Ni‐50%Al、 50%Co‐50%Fe、 22%Ir‐78%Mn(いずれも原子パーセント)である。
この楕円形素子を直流4端子法により、磁気伝導特性を測定した。
その結果を表1に示すとともに、図4、図5に例示する。
当該測定結果から、磁気抵抗比は、下部強磁性層の厚さに対する依存性が少ないことが明らかになった。このことは、膜厚が制限される磁気ヘッドへの応用にとって大きな利点である。
素子構造はMgO(001)基板/Cr (10 nm)/ Ag (100 nm)/ CoFeAlSi (20 nm)/ NiAl (0.8 nm)/ CoFeAlSi (7 nm)/ Ru (8 nm)であり、下部CoFeAlSi作製後に真空容器内で500°Cで0.5時間熱処理し、その後NiAlより上の層は未熱処理である。図6に例示する。
また、0.8nm厚NiAlスペーサを用いた素子では、10%の磁気抵抗比を示す層間結合型CPP−GMRを示した。これはマイクロ波発生源として利用できる可能性があり、マイクロ波補助磁気記録書き込みヘッドとしての用途が有望である。
(2)Cr層
(3)Ag層
(4)第一ホイスラー合金層(下部強磁性層)
(5)スペーサ層
(6)第二ホイスラー合金層(上部強磁性層)
(7)CoFe層
(8)IrMn層
(9)Ru層
Claims (2)
- ホイスラー合金薄膜間にスペーサ層を配した構造を持つ電流垂直型巨大磁気抵抗(CPP−GMR)素子であって、前記ホイスラー合金薄膜が、B2規則構造を持つホイスラー強磁性合金からなり、スペーサ層がB2規則構造を持つ金属間化合物からなることを特徴とする電流垂直型巨大磁気抵抗(CPP−GMR)素子。
- 請求項1に記載の電流垂直型巨大磁気抵抗(CPP−GMR)素子において、前記ホイスラー強磁性合金が、CoFeAlSiホイスラー強磁性合金であり、前記金属間化合物が、NiAl金属間化合物であることを特徴とする電流垂直型巨大磁気抵抗(CPP−GMR)素子。
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