JP2011025322A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011025322A5
JP2011025322A5 JP2009170138A JP2009170138A JP2011025322A5 JP 2011025322 A5 JP2011025322 A5 JP 2011025322A5 JP 2009170138 A JP2009170138 A JP 2009170138A JP 2009170138 A JP2009170138 A JP 2009170138A JP 2011025322 A5 JP2011025322 A5 JP 2011025322A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nanotopology
wafer
carrier
double
seen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009170138A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2011025322A (ja
JP5233888B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009170138A priority Critical patent/JP5233888B2/ja
Priority claimed from JP2009170138A external-priority patent/JP5233888B2/ja
Priority to US13/379,482 priority patent/US9050698B2/en
Priority to PCT/JP2010/004077 priority patent/WO2011010423A1/ja
Priority to TW099120481A priority patent/TWI461256B/zh
Publication of JP2011025322A publication Critical patent/JP2011025322A/ja
Publication of JP2011025322A5 publication Critical patent/JP2011025322A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5233888B2 publication Critical patent/JP5233888B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2009170138A 2009-07-21 2009-07-21 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法 Active JP5233888B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009170138A JP5233888B2 (ja) 2009-07-21 2009-07-21 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法
US13/379,482 US9050698B2 (en) 2009-07-21 2010-06-18 Manufacturing method of carrier for double-side polishing apparatus, carrier for double-side polishing apparatus, and double-side polishing method of wafer
PCT/JP2010/004077 WO2011010423A1 (ja) 2009-07-21 2010-06-18 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法
TW099120481A TWI461256B (zh) 2009-07-21 2010-06-23 A method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus, a double-sided polishing method for a double-sided polishing apparatus, and a wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009170138A JP5233888B2 (ja) 2009-07-21 2009-07-21 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011025322A JP2011025322A (ja) 2011-02-10
JP2011025322A5 true JP2011025322A5 (enExample) 2012-02-02
JP5233888B2 JP5233888B2 (ja) 2013-07-10

Family

ID=43498904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009170138A Active JP5233888B2 (ja) 2009-07-21 2009-07-21 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9050698B2 (enExample)
JP (1) JP5233888B2 (enExample)
TW (1) TWI461256B (enExample)
WO (1) WO2011010423A1 (enExample)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5605260B2 (ja) * 2011-02-18 2014-10-15 信越半導体株式会社 インサート材及び両面研磨装置
JP5648623B2 (ja) * 2011-12-01 2015-01-07 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
JP5741497B2 (ja) * 2012-02-15 2015-07-01 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
JP5748717B2 (ja) * 2012-09-06 2015-07-15 信越半導体株式会社 両面研磨方法
DE102013200072A1 (de) * 2013-01-04 2014-07-10 Siltronic Ag Läuferscheibe und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben
JP5807648B2 (ja) * 2013-01-29 2015-11-10 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法
JP5847789B2 (ja) * 2013-02-13 2016-01-27 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法
JP6280355B2 (ja) * 2013-11-29 2018-02-14 Hoya株式会社 磁気ディスク用基板の製造方法及び研磨処理用キャリア
TWI654666B (zh) 2014-01-27 2019-03-21 Veeco Instruments, Inc. 用於化學氣相沉積系統之具有複合半徑容置腔的晶圓載具
JP6056793B2 (ja) * 2014-03-14 2017-01-11 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨方法
JP6424809B2 (ja) * 2015-12-11 2018-11-21 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
JP6673772B2 (ja) * 2016-07-27 2020-03-25 スピードファム株式会社 ワークキャリア及びワークキャリアの製造方法
JP6743785B2 (ja) 2017-08-30 2020-08-19 株式会社Sumco キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法
JP6870623B2 (ja) * 2018-01-18 2021-05-12 信越半導体株式会社 キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法
JP7070010B2 (ja) * 2018-04-16 2022-05-18 株式会社Sumco キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法
JP7276246B2 (ja) * 2020-05-19 2023-05-18 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法
CN115847281A (zh) * 2022-12-07 2023-03-28 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种硅片的双面抛光用的载具以及装置
CN116475934B (zh) * 2023-03-31 2025-03-28 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 静压垫、研磨设备及硅片

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5244555A (en) * 1991-11-27 1993-09-14 Komag, Inc. Floating pocket memory disk carrier, memory disk and method
US6439984B1 (en) * 1998-09-16 2002-08-27 Entegris, Inc. Molded non-abrasive substrate carrier for use in polishing operations
JP2000210863A (ja) * 1999-01-22 2000-08-02 Toshiba Ceramics Co Ltd キャリア
JP2001198804A (ja) * 2000-01-18 2001-07-24 Hitachi Cable Ltd 両面一次ポリッシュ用ウェハキャリア
JP3439726B2 (ja) * 2000-07-10 2003-08-25 住友ベークライト株式会社 被研磨物保持材及びその製造方法
JP2003305637A (ja) * 2002-04-15 2003-10-28 Shirasaki Seisakusho:Kk 脆性薄板の研磨用ホルダ
JP2003340711A (ja) * 2002-05-22 2003-12-02 Sagami Pci Kk 研磨機用キャリア
TWI273944B (en) 2004-06-23 2007-02-21 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Both-side polishing carrier and production method therefor
DE102005034119B3 (de) * 2005-07-21 2006-12-07 Siltronic Ag Verfahren zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe, die in einer Aussparung einer Läuferscheibe geführt wird
JP5114113B2 (ja) * 2007-07-02 2013-01-09 スピードファム株式会社 ワークキャリア
JP4605233B2 (ja) * 2008-02-27 2011-01-05 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020502491A5 (enExample)
UA97126C2 (ru) Процесс шлифования сапфирной основы
EP2428318A3 (en) Method of polishing an object to form a convex or concave surface on said object and polishing pad
IN2015DN03023A (enExample)
JP2019504490A5 (enExample)
JP2010283371A5 (enExample)
JP2010258434A5 (ja) 半導体装置
JP2011129898A5 (ja) 半導体装置
WO2009057258A1 (ja) ワーク研磨用ヘッド及びこの研磨ヘッドを備えた研磨装置
JP2011151379A5 (ja) トランジスタ
MY153077A (en) Method to selectively polish silicon carbide films
EP4293707A3 (en) Direct and sequential formation of monolayers of boron nitride and graphene on substrates
EP1772901A3 (en) Wafer holding article and method for semiconductor processing
MY185237A (en) Semiconductor wafer with a layer of al:ga1-zn and process for producing it
JP2011519271A5 (enExample)
EP2437282A4 (en) SOS SUBSTRATE WITH LOW SURFACE DEFECT DENSITY NEAR INTERFACE
WO2011159536A3 (en) A splicing technique for fixed abrasives used in chemical mechanical planarization
WO2011066491A3 (en) Methods and apparatus for edge chamfering of semiconductor wafers using chemical mechanical polishing
WO2015186076A3 (en) Abrasive tool for machining surfaces
TWD171963S (zh) 晶圓舟之晶圓支撐爪（一）
WO2009129130A3 (en) Sanding apparatus
EP2577735A4 (en) SELF-ORIENTED SEMICONDUCTOR COMPONENTS WITH REDUCED GATE SOURCE LEAKAGE UNDER INVOLVED PRELOAD AND MANUFACTURING PROCESS THEREFOR
JP2016138040A5 (ja) エピタキシャルウエハ
BRPI0806567A2 (pt) Substrato plano, flexível com uma superfície abrasiva, e, uso do substrato plano, flexível
JP2014132639A5 (enExample)