JP2011025322A5 - - Google Patents

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US13/379,482 US9050698B2 (en) 2009-07-21 2010-06-18 Manufacturing method of carrier for double-side polishing apparatus, carrier for double-side polishing apparatus, and double-side polishing method of wafer
TW099120481A TWI461256B (zh) 2009-07-21 2010-06-23 A method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus, a double-sided polishing method for a double-sided polishing apparatus, and a wafer

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5605260B2 (ja) * 2011-02-18 2014-10-15 信越半導体株式会社 インサート材及び両面研磨装置
JP5648623B2 (ja) * 2011-12-01 2015-01-07 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
JP5741497B2 (ja) 2012-02-15 2015-07-01 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
JP5748717B2 (ja) * 2012-09-06 2015-07-15 信越半導体株式会社 両面研磨方法
DE102013200072A1 (de) * 2013-01-04 2014-07-10 Siltronic Ag Läuferscheibe und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben
JP5807648B2 (ja) * 2013-01-29 2015-11-10 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法
JP5847789B2 (ja) * 2013-02-13 2016-01-27 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法
JP6280355B2 (ja) * 2013-11-29 2018-02-14 Hoya株式会社 磁気ディスク用基板の製造方法及び研磨処理用キャリア
CN106030761B (zh) 2014-01-27 2019-09-13 威科仪器有限公司 用于化学气相沉积系统的晶片载体及其制造方法
JP6056793B2 (ja) * 2014-03-14 2017-01-11 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨方法
JP6424809B2 (ja) * 2015-12-11 2018-11-21 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
JP6673772B2 (ja) * 2016-07-27 2020-03-25 スピードファム株式会社 ワークキャリア及びワークキャリアの製造方法
JP6743785B2 (ja) * 2017-08-30 2020-08-19 株式会社Sumco キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法
JP6870623B2 (ja) 2018-01-18 2021-05-12 信越半導体株式会社 キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法
JP7070010B2 (ja) * 2018-04-16 2022-05-18 株式会社Sumco キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法
JP7276246B2 (ja) * 2020-05-19 2023-05-18 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法
CN115847281A (zh) * 2022-12-07 2023-03-28 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种硅片的双面抛光用的载具以及装置
CN116475934B (zh) * 2023-03-31 2025-03-28 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 静压垫、研磨设备及硅片

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5244555A (en) * 1991-11-27 1993-09-14 Komag, Inc. Floating pocket memory disk carrier, memory disk and method
US6439984B1 (en) * 1998-09-16 2002-08-27 Entegris, Inc. Molded non-abrasive substrate carrier for use in polishing operations
JP2000210863A (ja) * 1999-01-22 2000-08-02 Toshiba Ceramics Co Ltd キャリア
JP2001198804A (ja) * 2000-01-18 2001-07-24 Hitachi Cable Ltd 両面一次ポリッシュ用ウェハキャリア
JP3439726B2 (ja) * 2000-07-10 2003-08-25 住友ベークライト株式会社 被研磨物保持材及びその製造方法
JP2003305637A (ja) * 2002-04-15 2003-10-28 Shirasaki Seisakusho:Kk 脆性薄板の研磨用ホルダ
JP2003340711A (ja) * 2002-05-22 2003-12-02 Sagami Pci Kk 研磨機用キャリア
JPWO2006001340A1 (ja) 2004-06-23 2008-04-17 Sumco Techxiv株式会社 両面研磨用キャリアおよびその製造方法
DE102005034119B3 (de) * 2005-07-21 2006-12-07 Siltronic Ag Verfahren zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe, die in einer Aussparung einer Läuferscheibe geführt wird
JP5114113B2 (ja) * 2007-07-02 2013-01-09 スピードファム株式会社 ワークキャリア
JP4605233B2 (ja) * 2008-02-27 2011-01-05 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法

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