JP2011009387A5 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011009387A5
JP2011009387A5 JP2009150352A JP2009150352A JP2011009387A5 JP 2011009387 A5 JP2011009387 A5 JP 2011009387A5 JP 2009150352 A JP2009150352 A JP 2009150352A JP 2009150352 A JP2009150352 A JP 2009150352A JP 2011009387 A5 JP2011009387 A5 JP 2011009387A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor region
semiconductor
conductivity type
semiconductor device
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009150352A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011009387A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009150352A priority Critical patent/JP2011009387A/ja
Priority claimed from JP2009150352A external-priority patent/JP2011009387A/ja
Publication of JP2011009387A publication Critical patent/JP2011009387A/ja
Publication of JP2011009387A5 publication Critical patent/JP2011009387A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (1)

  1. 第1導電型の半導体基板の主面に形成されたトレンチゲート型のMOSFETを有する半導体装置であって、
    前記半導体基板の主面上に形成された第1導電型の第1半導体領域と、
    前記第1半導体領域上に形成された第2導電型の第2半導体領域と、
    前記第2半導体領域を貫いて前記第1半導体領域に達するように形成された第1溝部と、
    前記第1溝部の内部に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
    前記第2半導体領域上に、前記第1溝部に接して形成された第1導電型の第3半導体領域と、
    前記第2半導体領域および前記第3半導体領域に接する主電極を有し、
    前記第2半導体領域は、前記主電極とショットキー接合していることを特徴とする半導体装置。
JP2009150352A 2009-06-24 2009-06-24 半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いたdc−dcコンバータ Pending JP2011009387A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009150352A JP2011009387A (ja) 2009-06-24 2009-06-24 半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いたdc−dcコンバータ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009150352A JP2011009387A (ja) 2009-06-24 2009-06-24 半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いたdc−dcコンバータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011009387A JP2011009387A (ja) 2011-01-13
JP2011009387A5 true JP2011009387A5 (ja) 2012-05-31

Family

ID=43565714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009150352A Pending JP2011009387A (ja) 2009-06-24 2009-06-24 半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いたdc−dcコンバータ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011009387A (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016002083A1 (ja) * 2014-07-04 2016-01-07 株式会社日立製作所 半導体装置、パワーモジュールおよび電力変換装置
WO2016110953A1 (ja) * 2015-01-07 2016-07-14 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
JP7059555B2 (ja) 2017-10-05 2022-04-26 富士電機株式会社 半導体装置
JP6927116B2 (ja) * 2018-03-28 2021-08-25 豊田合成株式会社 半導体装置
WO2020031971A1 (ja) * 2018-08-07 2020-02-13 ローム株式会社 SiC半導体装置
JP7247930B2 (ja) * 2020-03-10 2023-03-29 株式会社デンソー 半導体装置
CN114628493A (zh) * 2021-12-22 2022-06-14 上海功成半导体科技有限公司 超结器件结构及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0277136A (ja) * 1988-04-08 1990-03-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Mis電界効果トランジスタ
JPH0283982A (ja) * 1988-09-21 1990-03-26 Nissan Motor Co Ltd 電界効果型トランジスタ
JP5034461B2 (ja) * 2006-01-10 2012-09-26 株式会社デンソー 半導体装置
JP4858356B2 (ja) * 2006-08-18 2012-01-18 住友化学株式会社 トランス−2,2−ジメチル−3−ホルミルシクロプロパンカルボン酸エステルの製造方法
JP4492735B2 (ja) * 2007-06-20 2010-06-30 株式会社デンソー 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010183022A5 (ja) 半導体装置
JP2011129899A5 (ja) 半導体装置
JP2011054949A5 (ja) 半導体装置
JP2010170110A5 (ja) 半導体装置
JP2010212671A5 (ja) 半導体装置
JP2010135772A5 (ja) 半導体装置
JP2010135780A5 (ja) 半導体装置
JP2011129898A5 (ja) 半導体装置
JP2013138191A5 (ja)
JP2010157702A5 (ja) 半導体装置
JP2011181917A5 (ja)
JP2012018161A5 (ja) 半導体装置
JP2012195574A5 (ja) 半導体装置
JP2011029635A5 (ja) 半導体装置
JP2011086927A5 (ja) 半導体装置
JP2013165132A5 (ja)
JP2010153828A5 (ja) 半導体装置
JP2011151377A5 (ja)
JP2011139055A5 (ja) 半導体素子
JP2012023360A5 (ja)
JP2010062546A5 (ja)
JP2014017477A5 (ja)
JP2010093238A5 (ja) 半導体装置
JP2010282987A5 (ja) 半導体装置
JP2013236068A5 (ja) 半導体装置