JP2011009387A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- 第1導電型の半導体基板の主面に形成されたトレンチゲート型のMOSFETを有する半導体装置であって、
前記半導体基板の主面上に形成された第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に形成された第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域を貫いて前記第1半導体領域に達するように形成された第1溝部と、
前記第1溝部の内部に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第2半導体領域上に、前記第1溝部に接して形成された第1導電型の第3半導体領域と、
前記第2半導体領域および前記第3半導体領域に接する主電極を有し、
前記第2半導体領域は、前記主電極とショットキー接合していることを特徴とする半導体装置。
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JP2009150352A JP2011009387A (ja) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | 半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いたdc−dcコンバータ |
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