JP2011009387A - 半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いたdc−dcコンバータ - Google Patents
半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いたdc−dcコンバータ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011009387A JP2011009387A JP2009150352A JP2009150352A JP2011009387A JP 2011009387 A JP2011009387 A JP 2011009387A JP 2009150352 A JP2009150352 A JP 2009150352A JP 2009150352 A JP2009150352 A JP 2009150352A JP 2011009387 A JP2011009387 A JP 2011009387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor region
- semiconductor
- semiconductor device
- conductivity type
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 149
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MXSJNBRAMXILSE-UHFFFAOYSA-N [Si].[P].[B] Chemical compound [Si].[P].[B] MXSJNBRAMXILSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
- H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
- H01L29/0873—Drain regions
- H01L29/0878—Impurity concentration or distribution
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41766—Source or drain electrodes for field effect devices with at least part of the source or drain electrode having contact below the semiconductor surface, e.g. the source or drain electrode formed at least partially in a groove or with inclusions of conductor inside the semiconductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/66727—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the source electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/66734—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
Abstract
【解決手段】内蔵ダイオードを有するトレンチMOSFETにおいて、コンタクトトレンチ23の下部におけるP−型チャネル領域4の厚さを200nm以下とし、バリアメタル9とP−型チャネル領域4をショットキー接合させてショットキーバリアダイオードを備えることにより、しきい値電圧を向上させ、ドレインリーク電流の発生を低減させることができる。
【選択図】図1
Description
第1導電型の半導体基板の主面に形成されたトレンチゲート型のMOSFETを有する半導体装置であって、
前記半導体基板の主面上に形成された第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に形成された第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域を貫いて前記第1半導体領域に達するように形成された第1溝部と、
前記第1溝部の内部に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第2半導体領域上に、前記第1溝部に接して形成された第1導電型の第3半導体領域と、
前記第2半導体領域および前記第3半導体領域に接する主電極を有し、
前記第2半導体領域は、前記主電極とショットキー接合しているものである。
本発明の実施の形態1のトレンチMOSFETを、図1〜図12を用いて説明する。
本発明の実施の形態2のトレンチMOSFETを、図13を用いて説明する。
本発明の実施の形態3のトレンチMOSFETを、図14を用いて説明する。
本発明の実施の形態4のトレンチMOSFETを、図15を用いて説明する。
本発明の実施の形態5のトレンチMOSFETを、図16を用いて説明する。
本発明の実施の形態6のトレンチMOSFETを、図17〜図20を用いて説明する。
2 N型ドリフト領域
3 N−型チャネル領域
4、41 P−型チャネル領域
5 ソース領域
6 ゲート電極
7 ゲート絶縁膜
8 層間絶縁膜
9 バリアメタル
10 ソース電極
11 ドレイン電極
12 制御用パワーMOSFETチップ
13 同期用パワーMOSFETチップ
14 2in1パッケージ
15 コイル
16、19 コンデンサ
17 負荷
18 ドライバIC
20 入力電源
21 表面酸化膜
22 ゲートトレンチ
23 コンタクトトレンチ
24 ソーストレンチ
42 コンタクト領域
53、63 埋込電極
54、55、64 埋込絶縁膜
71 トレンチ隣接領域
82 P型ドリフト領域
85 P−型コンタクト領域
Claims (18)
- 第1導電型の半導体基板の主面に形成されたトレンチゲート型のMOSFETを有する半導体装置であって、
前記半導体基板の主面上に形成された第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に形成された第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域を貫いて前記第1半導体領域に達するように形成された第1溝部と、
前記第1溝部の内部に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第2半導体領域上に、前記第1溝部に接して形成された第1導電型の第3半導体領域と、
前記第2半導体領域および前記第3半導体領域に接する主電極を有し、
前記第2半導体領域は、前記主電極とショットキー接合していることを特徴とする半導体装置。 - 前記主電極との接触面における前記第2半導体領域の不純物濃度が1017cm−3以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記主電極と前記第2半導体領域との接触面と、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域との接触面との最小距離が200nm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1半導体領域と前記第2半導体領域の間に、前記第1半導体領域よりも不純物濃度が低い第1導電型の第4半導体領域を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極は、第2導電型の多結晶シリコンを主体とする導体であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第3半導体領域を貫いて前記第2半導体領域に達するように形成された第2溝部を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記主電極と前記半導体基板の主面との間に、前記主電極と異なる金属からなるバリアメタルを有し、
前記バリアメタルが前記第2半導体領域とショットキー接合していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記主電極と前記半導体基板の主面との間にシリサイド膜を有し、
前記シリサイド膜が前記第2半導体領域とショットキー接合していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記第2半導体領域の不純物濃度が、前記主電極との接触面と、前記第1溝部の接触面とで異なることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1溝部の内部の、前記ゲート電極の下に、埋込絶縁膜を介して形成された埋込電極を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記埋込電極は、前記主電極と電気的に接続していることを特徴とする請求項10記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極の一部はソース電極と電気的に接続していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1溝部に接して、前記第3半導体領域と異なる不純物濃度の第1導電型か、もしくは第2導電型の第5半導体領域を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 第1導電型の半導体基板の主面に形成されたトレンチゲート型のMOSFETを有する半導体装置であって、
前記半導体基板の主面に形成された第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に形成された第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域を貫いて前記第1半導体領域に達するように形成された第1溝部と、
前記第1溝部の内部に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第1半導体領域内に、前記第2半導体領域に隣接して形成された第2導電型の第6半導体領域と、
前記第2半導体領域上に、前記第1溝部に接して形成された第1導電型の第3半導体領域と、
前記第3半導体領域を貫いて前記第6半導体領域に達するように形成された第2溝部と、
前記第3半導体領域に接する主電極を有し、
前記第6半導体領域は、前記主電極とショットキー接合していることを特徴とする半導体装置。 - 前記主電極との接触面における前記第6半導体領域の不純物濃度が1017cm−3以下であることを特徴とする請求項14記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極は、第2導電型の多結晶シリコンを主体とする導体であることを特徴とする請求項14記載の半導体装置。
- 第1導電型の半導体基板の主面に形成されたトレンチゲート型のMOSFETを有する半導体装置の製造方法であって、
(a)前記半導体基板の主面に第1導電型の第1半導体領域を形成する工程と、
(b)前記(a)工程の後、前記第1半導体領域上に、前記第1半導体領域と異なる不純物濃度の第1導電型の第4半導体領域を形成する工程と、
(c)前記(b)工程の後、前記半導体基板の主面から深さ方向に向かって、前記第1半導体領域の途中まで達するように第1溝部を形成する工程と、
(d)前記(c)工程の後、前記第1溝部の内部に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
(e)前記(d)工程の後、前記第1半導体領域上に、イオン注入を施すことで、第2導電型の第2半導体領域を形成する工程と、
(f)前記(e)工程の後、前記第2半導体領域上に、イオン注入を施すことで、第1導電型の第3半導体領域を形成する工程と、
(g)前記(f)工程の後、前記半導体基板の主面から深さ方向に向かって、前記第2半導体領域の途中まで達する第2溝部を形成する工程と、
(h)前記(g)工程の後、前記第2半導体領域および前記第3半導体領域に接する主電極を形成する工程と、
を有し、
前記主電極との接触面における前記第2半導体領域の不純物濃度が1017cm−3以下であって、前記第2半導体領域と前記主電極とがショットキー接合するように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の主面上に形成された第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に形成された第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域を貫いて前記第1半導体領域に達するように形成された第1溝部と、
前記第1溝部の内部に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第2半導体領域上に、前記第1溝部に接して形成された第1導電型の第3半導体領域と、
前記第2半導体領域および前記第3半導体領域に接する主電極を有し、
前記第2半導体領域は、前記主電極とショットキー接合している半導体装置を、同期整流スイッチに用いたDC−DCコンバータにおいて、
前記同期整流スイッチは、前記ゲート電極と前記主電極の電位差が0Vの条件で、前記主電極から前記半導体基板の裏面に流れる主電流の電流密度が0.2A/mm2のときに、前記主電流の経路における電圧降下が0.5V以上0.6V以下の範囲にある電界効果トランジスタのセル構造を有する半導体装置の同期整流スイッチであることを特徴とするDC−DCコンバータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009150352A JP2011009387A (ja) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | 半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いたdc−dcコンバータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009150352A JP2011009387A (ja) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | 半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いたdc−dcコンバータ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011009387A true JP2011009387A (ja) | 2011-01-13 |
JP2011009387A5 JP2011009387A5 (ja) | 2012-05-31 |
Family
ID=43565714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009150352A Pending JP2011009387A (ja) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | 半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いたdc−dcコンバータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011009387A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016002083A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置、パワーモジュールおよび電力変換装置 |
JPWO2016110953A1 (ja) * | 2015-01-07 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
DE102018214901A1 (de) | 2017-10-05 | 2019-04-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
JP2019175984A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2020031971A1 (ja) * | 2018-08-07 | 2021-08-10 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
JP2021144998A (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-24 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
CN114628493A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-06-14 | 上海功成半导体科技有限公司 | 超结器件结构及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0277136A (ja) * | 1988-04-08 | 1990-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mis電界効果トランジスタ |
JPH0283982A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Nissan Motor Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
JP2007214541A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-08-23 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2008069145A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-03-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | トランス−2,2−ジメチル−3−ホルミルシクロプロパンカルボン酸エステルの製造方法 |
JP2009027152A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-02-05 | Denso Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-06-24 JP JP2009150352A patent/JP2011009387A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0277136A (ja) * | 1988-04-08 | 1990-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mis電界効果トランジスタ |
JPH0283982A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Nissan Motor Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
JP2007214541A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-08-23 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2008069145A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-03-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | トランス−2,2−ジメチル−3−ホルミルシクロプロパンカルボン酸エステルの製造方法 |
JP2009027152A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-02-05 | Denso Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016002083A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置、パワーモジュールおよび電力変換装置 |
JPWO2016110953A1 (ja) * | 2015-01-07 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
US10164083B2 (en) | 2015-01-07 | 2018-12-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor |
DE102018214901A1 (de) | 2017-10-05 | 2019-04-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
CN109638069A (zh) * | 2017-10-05 | 2019-04-16 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
US10546950B2 (en) | 2017-10-05 | 2020-01-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN109638069B (zh) * | 2017-10-05 | 2023-10-24 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
JP2019175984A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2020031971A1 (ja) * | 2018-08-07 | 2021-08-10 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
JP2021144998A (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-24 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP7247930B2 (ja) | 2020-03-10 | 2023-03-29 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
CN114628493A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-06-14 | 上海功成半导体科技有限公司 | 超结器件结构及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4024503B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US8039346B2 (en) | Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US10861965B2 (en) | Power MOSFET with an integrated pseudo-Schottky diode in source contact trench | |
US7863685B2 (en) | Trench MOSFET with embedded junction barrier Schottky diode | |
CN104752511B (zh) | 场效应半导体器件及其制造 | |
US11171232B2 (en) | High voltage device and manufacturing method thereof | |
JP2013258327A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011009387A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いたdc−dcコンバータ | |
TWI384620B (zh) | 具有金屬氧化半導體閘極式溝渠對溝渠之橫向電流流量之裝置、方法及系統 | |
JP2013191760A (ja) | 半導体装置 | |
JP6295444B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20130001699A1 (en) | Trench junction barrier schottky structure with enhanced contact area integrated with a mosfet | |
CN114784107A (zh) | 一种集成结势垒肖特基二极管的SiC MOSFET及其制作方法 | |
US20180033859A1 (en) | Transistor Device with a Field Electrode that Includes Two Layers | |
US20120241848A1 (en) | Semiconductor element and method of manufacturing semiconductor element | |
JP2009016480A (ja) | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
US10269945B2 (en) | Power transistor device | |
CN103367407A (zh) | 不通电的伪栅极 | |
JP2012059931A (ja) | 半導体装置 | |
US8421149B2 (en) | Trench power MOSFET structure with high switching speed and fabrication method thereof | |
JP2010010583A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TWI385802B (zh) | 高壓金氧半導體元件及其製作方法 | |
US20150364585A1 (en) | Power semiconductor device | |
WO2024017136A1 (zh) | 一种半导体器件结构及其制备方法 | |
JP2014183292A (ja) | Mos型半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120409 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120409 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131001 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140212 |