JP2011009341A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 3
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 alkylene glycol Chemical compound 0.000 claims description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 3
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】半導体ウエハ1の裏面の中央部をグライディング工程により研削し、ウエハ1の外周部にリブ部4を残し、中央部にレジスト剤6を充填し、ダイシング7によりリブ部4を切り離した後チップ化する。半導体ウエハ1の薄い箇所(凹部)にレジスト剤6を充填することで、生産コストを抑えつつ、ウエハの薄層化を含む製造工程におけるウエハ1のひび割れ、反りを低減できる。
【選択図】 図6
Description
る。
しかし、ウエハ中央部とリブ部を分離する場合には、分離工程でウエハ(特に薄いウエハ中央部)が撓んだり、割れたり、反ったりする。ウエハが撓んだり、反ったりすると、ウエハ中央部とリブ部を切り離す切削加工が精度よくできなくなる。
半導体ウエハ1の表側の面Aに図示しない所望の素子の表面構造(ベース層、ソース層、ゲート電極など)を形成した後に、その表側の面Aに保護テープ2を貼付ける(図1)。
つぎに、半導体ウエハ1の裏側の面Bに図示しない所望の深さで高濃度の半導体層(ドレイン層やコレクタ層など)を形成しその上に図示しない所望の裏面電極(ドレイン電極やコレクタ電極)を形成する(図4)。
あるいは、図示しないステージに半導体ウエハ1の表側の面Aを固定して、半導体ウエハ1を回転させて、レンジスト剤6を凹部内に塗り広げてもよい。
つぎに、保護テープ5を貼った状態のまま裏側の面Cに接着したレジスト剤6を例えば硫酸/過酸化水素水などによるウエットエッチングにより除去し、その後半導体ウエハ1aを超純水などで洗浄して乾燥させる(図7)。表側の面には保護テープ5が貼られているので、裏側の面をウエットエッチングしても、表側の面の保護層(図示せず)などは保護されている。
この発明では、リブ部4の内側の半導体ウエハ1の凹部をポリマー(高分子材料)からなるレジスト剤6を充填することで、リブ部をウエハ中央部から切り離すときの半導体ウエハ1の撓み、割れ、反りおよび切削精度不良を防止することができる。
1a 半導体ウエハ(薄い)
2 保護テープ
3、7 グラインダー
4 リブ部
5 保護テープ
6 レジスト剤
8、11 ダイシングライン
9 ダイシングテープ
10 ダイシングリング
12 半導体チップ
Claims (2)
- 半導体ウエハの第1主面側の中央部の厚みを外周部よりも薄くし該外周部にリブ部を残す工程と、
前記半導体ウエハの中央部の薄い部分に高分子材料からなるレジスト剤を充填して前記半導体ウエハの中央部における、半導体ウエハの厚さと前記充填したレジスト剤の厚さの合計の厚さを前記外周部のリブ部の厚さとほぼ同じにするとともに、前記半導体ウエハの第2主面側に保護用テープを貼付する工程と、
前記保護用テープが貼付された前記半導体ウエハの中央部を第2主面側から切断し前記リブ部を前記半導体ウエハの中央部から切り離す工程と、
を含んだことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記高分子材料が、アルキレングリコール系ポリマー、セルロース系ポリマー、尿素系ポリマー、メラミン系ポリマー、エポキシ系ポリマーまたはアミド系ポリマーのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009149670A JP5471064B2 (ja) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009149670A JP5471064B2 (ja) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011009341A true JP2011009341A (ja) | 2011-01-13 |
JP5471064B2 JP5471064B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=43565681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009149670A Active JP5471064B2 (ja) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5471064B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012223093A1 (de) | 2012-02-02 | 2013-08-08 | Mitsubishi Electric Corp. | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
JP2014170798A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
US9659808B2 (en) | 2013-10-15 | 2017-05-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor-element manufacturing method and wafer mounting device using a vacuum end-effector |
CN111799152A (zh) * | 2020-07-20 | 2020-10-20 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种晶圆双面金属工艺 |
CN111863596A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-10-30 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7346374B2 (ja) | 2020-09-23 | 2023-09-19 | 株式会社東芝 | 半導体基板及び半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007019461A (ja) * | 2005-04-27 | 2007-01-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法及びウェーハ |
JP2007059829A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法およびウエーハの加工方法に用いる粘着テープ |
JP2008053341A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2008244076A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-06-24 JP JP2009149670A patent/JP5471064B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007019461A (ja) * | 2005-04-27 | 2007-01-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法及びウェーハ |
JP2007059829A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法およびウエーハの加工方法に用いる粘着テープ |
JP2008053341A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2008244076A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012223093A1 (de) | 2012-02-02 | 2013-08-08 | Mitsubishi Electric Corp. | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
US8993413B2 (en) | 2012-02-02 | 2015-03-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
DE102012223093B4 (de) | 2012-02-02 | 2018-11-29 | Mitsubishi Electric Corp. | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
JP2014170798A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
US9659808B2 (en) | 2013-10-15 | 2017-05-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor-element manufacturing method and wafer mounting device using a vacuum end-effector |
KR101787926B1 (ko) * | 2013-10-15 | 2017-10-18 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 소자의 제조 방법, 웨이퍼 마운트 장치 |
CN111799152A (zh) * | 2020-07-20 | 2020-10-20 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种晶圆双面金属工艺 |
CN111863596A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-10-30 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺 |
CN111863596B (zh) * | 2020-07-21 | 2023-05-26 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺 |
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---|---|
JP5471064B2 (ja) | 2014-04-16 |
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