JP2011003758A5 - - Google Patents

Description

本発明の一観点によれば、貫通部と、該貫通部の周囲に形成された貫通孔と、該貫通孔の一方の端部側に配置された第１の面とを有する補強板と、
半導体基板及び該半導体基板の表面側に形成された半導体集積回路を有し、前記補強板と略等しい厚さとされたチップ本体と、前記半導体集積回路の上面に設けられ、前記半導体集積回路と電気的に接続されると共に、接続面を有した複数の電極パッドとを備え、前記チップ本体の電極パッド形成面と前記補強板の第１の面とが略面一となるように、前記貫通部に収容された半導体チップと、
複数の前記電極パッドの接続面に設けられた内部接続端子と、
前記貫通孔に設けられた貫通電極と、
前記半導体チップ、該半導体チップと前記補強板との隙間、前記補強板の第１の面、及び該補強板の第１の面の反対側に位置する前記補強板の第２の面に設けられ、前記半導体チップを封止する樹脂部材と、
前記補強板の第１の面側に配置された部分の前記樹脂部材に設けられ、前記貫通電極の一方の端面及び前記内部接続端子の端面と接続された第１の配線パターンと、
前記補強板の第２の面側に配置された部分の前記樹脂部材に設けられ、前記貫通電極の他方の端面と接続された第２の配線パターンと、を備え、
前記補強板の材料は、前記半導体基板と同じ材料であることを特徴とする半導体装が提供される。

また、請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記チップ本体と略等しい厚さで、かつ前記半導体基板と同じ材料により構成され、複数の半導体装置形成領域を有し、複数の前記補強板の母材となる基材を準備する基材準備工程と、
前記基材に、前記貫通部及び前記貫通孔を同時に形成する貫通部及び貫通孔形成工程と、
前記貫通孔に前記貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
前記基材の下面に、前記貫通部の下端を塞ぐように、半硬化状態とされた第１の絶縁樹脂層を貼り付ける第１の絶縁樹脂層貼付工程と、
半硬化状態とされ、前記貫通部により露出された部分の前記第１の絶縁樹脂層の上面と前記チップ本体の背面とを接触させることで、前記貫通部に、前記内部接続端子が形成された前記半導体チップを収容する半導体チップ収容工程と、
前記半導体チップ収容工程後に、押圧板の平坦な面に半硬化状態とされた第２の絶縁樹脂層を配置し、次いで、複数の前記内部接続端子と接触するまで前記押圧板を押圧して、半硬化状態とされた前記第２の絶縁樹脂層を前記基材の上面、前記チップ本体の電極パッド形成面、及び複数の前記内部接続端子の側面に貼り付けることで、半硬化状態とされた前記第２の絶縁樹脂層により前記貫通部の上端を塞ぐ、第２の絶縁樹脂層貼付工程と、
前記第２の絶縁樹脂層貼付工程後に、前記押圧板を押圧した状態で前記第１及び第２の絶縁樹脂層を加熱して、半硬化状態とされた前記第１及び第２の絶縁樹脂層を完全に硬化させることにより、完全に硬化した前記第１及び第２の絶縁樹脂層により構成された前記樹脂部材を形成する樹脂硬化工程と、
前記基材の上面側に形成された部分の前記樹脂部材に、前記貫通電極の一方の端面を露出する第１の開口部を形成すると共に、前記基材の下面側に形成された部分の前記樹脂部材に、前記貫通電極の他方の端面を露出する第２の開口部を形成する第１及び第２の開口部形成工程と、
前記基材の上面側に形成された部分の前記樹脂部材の上面、前記内部接続端子の端面、及び前記第１の開口部に、前記第１の配線パターンを形成すると共に、前記基材の下面側に形成された部分の前記樹脂部材の下面及び前記第２の開口部に、前記第２の配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、
前記配線パターン形成工程後に、前記基材を切断することで複数の補強板を形成する切断工程と、を含んでもよい。

Claims (7)

1. 貫通部と、該貫通部の周囲に形成された貫通孔と、該貫通孔の一方の端部側に配置された第１の面とを有する補強板と、
   半導体基板及び該半導体基板の表面側に形成された半導体集積回路を有し、前記補強板と略等しい厚さとされたチップ本体と、前記半導体集積回路の上面に設けられ、前記半導体集積回路と電気的に接続されると共に、接続面を有した複数の電極パッドとを備え、前記チップ本体の電極パッド形成面と前記補強板の第１の面とが略面一となるように、前記貫通部に収容された半導体チップと、
   複数の前記電極パッドの接続面に設けられた内部接続端子と、
   前記貫通孔に設けられた貫通電極と、
   前記半導体チップ、該半導体チップと前記補強板との隙間、前記補強板の第１の面、及び該補強板の第１の面の反対側に位置する前記補強板の第２の面に設けられ、前記半導体チップを封止する樹脂部材と、
   前記補強板の第１の面側に配置された部分の前記樹脂部材に設けられ、前記貫通電極の一方の端面及び前記内部接続端子の端面と接続された第１の配線パターンと、
   前記補強板の第２の面側に配置された部分の前記樹脂部材に設けられ、前記貫通電極の他方の端面と接続された第２の配線パターンと、を備え、
   前記補強板の材料は、前記半導体基板と同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
2. 前記貫通孔の側面には絶縁膜が設けられ、
   前記貫通電極は、前記絶縁膜を介して、前記貫通孔に設けられている請求項１記載の半導体装置。
3. 前記補強板の第１の面側に配置された部分の前記樹脂部材に積層され、前記第１の配線パターンを覆う第１の絶縁層と、
   前記樹脂部材と接触する前記第１の絶縁層の第１の面の反対側に位置する前記前記第１の絶縁層の第２の面に設けられた第１の外部接続用パッドと、
   前記第１の配線パターンと前記第１の外部接続用パッドとの間に位置する部分の前記第１の絶縁層を貫通すると共に、前記第１の配線パターン及び前記第１の外部接続用パッドと接続された第１のビアと、
   前記補強板の第２の面側に配置された部分の前記樹脂部材に積層され、前記第２の配線パターンを覆う第２の絶縁層と、
   前記樹脂部材と接触する前記第２の絶縁層の第１の面の反対側に位置する前記前記第２の絶縁層の第２の面に設けられた第２の外部接続用パッドと、
   前記第２の配線パターンと前記第２の外部接続用パッドとの間に位置する部分の前記第２の絶縁層を貫通すると共に、前記第２の配線パターン及び前記第２の外部接続用パッドと接続された第２のビアと、を備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
4. 前記半導体基板及び前記補強板の材料は、シリコンであることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
5. 請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記チップ本体と略等しい厚さで、かつ前記半導体基板と同じ材料により構成され、複数の半導体装置形成領域を有し、複数の前記補強板の母材となる基材を準備する基材準備工程と、
   前記基材に、前記貫通部及び前記貫通孔を同時に形成する貫通部及び貫通孔形成工程と、
   前記貫通孔に前記貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
   前記基材の下面に、前記貫通部の下端を塞ぐように、半硬化状態とされた第１の絶縁樹脂層を貼り付ける第１の絶縁樹脂層貼付工程と、
   半硬化状態とされ、前記貫通部により露出された部分の前記第１の絶縁樹脂層の上面と前記チップ本体の背面とを接触させることで、前記貫通部に、前記内部接続端子が形成された前記半導体チップを収容する半導体チップ収容工程と、
   前記半導体チップ収容工程後に、押圧板の平坦な面に半硬化状態とされた第２の絶縁樹脂層を配置し、次いで、複数の前記内部接続端子と接触するまで前記押圧板を押圧して、半硬化状態とされた前記第２の絶縁樹脂層を前記基材の上面、前記チップ本体の電極パッド形成面、及び複数の前記内部接続端子の側面に貼り付けることで、半硬化状態とされた前記第２の絶縁樹脂層により前記貫通部の上端を塞ぐ、第２の絶縁樹脂層貼付工程と、
   前記第２の絶縁樹脂層貼付工程後に、前記押圧板を押圧した状態で前記第１及び第２の絶縁樹脂層を加熱して、半硬化状態とされた前記第１及び第２の絶縁樹脂層を完全に硬化させることにより、完全に硬化した前記第１及び第２の絶縁樹脂層により構成された前記樹脂部材を形成する樹脂硬化工程と、
   前記基材の上面側に形成された部分の前記樹脂部材に、前記貫通電極の一方の端面を露出する第１の開口部を形成すると共に、前記基材の下面側に形成された部分の前記樹脂部材に、前記貫通電極の他方の端面を露出する第２の開口部を形成する第１及び第２の開口部形成工程と、
   前記基材の上面側に形成された部分の前記樹脂部材の上面、前記内部接続端子の端面、及び前記第１の開口部に、前記第１の配線パターンを形成すると共に、前記基材の下面側に形成された部分の前記樹脂部材の下面及び前記第２の開口部に、前記第２の配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、
   前記配線パターン形成工程後に、前記基材を切断することで複数の補強板を形成する切断工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 前記貫通部及び貫通孔形成工程と前記貫通電極形成工程との間に、前記貫通孔の側面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を設け、
   前記貫通電極形成工程では、前記絶縁膜が形成された前記貫通孔に前記貫通電極を形成する請求項５記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記配線パターン形成工程と前記切断工程との間に、
   前記基材の上面側に配置された部分の前記樹脂部材の上面に積層され、前記第１の配線パターンを露出する第３の開口部を有する第１の絶縁層を形成すると共に、前記基材の下面側に配置された部分の前記樹脂部材の下面に積層され、前記第２の配線パターンを露出する第４の開口部を有する第２の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
   前記絶縁層形成工程後に、前記第１のビア及び前記第２のビアと、前記第１の外部接続用パッド及び前記第２の外部接続用パッドとを同時に形成するビア及び外部接続用パッド形成工程と、を設けたことを特徴とする請求項５又は６記載の半導体装置の製造方法。