JP2010531930A - 金属酸化物材料を堆積する方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
原子層堆積(ALD)は、既に30年以上にわたって使用されている。さまざまな技術的背景をもつ研究者たちが、当該技術方法の中で、多種多様な化学薬品の組み合わせの使用、及び極めて広汎な化学薬品の組み合わせ方法及びその応用のについて説明してきた。
「材料」(material)は原子を含む。
「表面」は、非気体材料とその周囲との間の界面である。表面は、堆積時に材料を受け取る(下記参照)。原子レベルでは、表面は3次元である。堆積反応における原子の作用は、原子の次元を超えて拡がる。ALD堆積時には、各投与(dosing)パルス(不活性化学物質を含有する)の後に、新たな表面が形成される(下記参照)。
「堆積領域」は、堆積サイクル(下記参照)において所定のプロセス温度で、使用される全ての化学物質に曝露される、限定された表面である。したがって、堆積領域は、化学物質を供給及びポンプ移送するためのシステムの領域も含んでよい。
「投与量」は、堆積領域に供給される化学物質(例えば前駆体)の量である。幾つかの投与量の異なった化学物質を同時に及び/又は連続的に供給することができる。
表面に金属含有物質を供給するための投与とパージ;
表面に酸素含有物質を供給するための投与とパージ
が含まれ得る。表面に達した材料は、通常はその表面で化学反応を受け、投与後に表面に残留する物質は、投与した物質と必ずしも同一とは限らない、ということを理解することが重要である。
オゾンやアルコール等の処理物質を表面に供給するために投与とパージを行うこと;
水素含有化合物や酸素含有化合物等の物質を表面から除去すること;
酸素ガスの投与を使用して酸素等の物質を表面に加えること;
IR/UV光線及び/又はプラズマ等の種々のエネルギー源を使用することによって表面を処理又は変性すること
を有していてもよい。
「基板」は、被覆しようとする物体の一部を表わすのにしばしば使用される用語である。基板材料としては、アプリケーションに応じて、例えば、ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ドープケイ素、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイア、プラスチック、セラミック、金属、金属窒化物、合金、及び他の導電性物質などがある。基板は種々の寸法を有してよい。例としては、直径が200mm又は300mmの円形シリコンウエハー、及び最大で数メートルの寸法を有する長方形もしくは正方形のガラスパネルなどがある。基板は他の薄膜を含んでよい。ALDプロセスは、広い範囲(例えば、ナノ粒子や触媒の担体もしくはタービン、又はパーツの制限された領域もしくは制限された範囲、などの3次元パーツ)への堆積を実現するのに特に適している。場合によっては、特に、物品が極めて大きい場合には、プロセス時に、基板の代わりにALD堆積ツールが移動する。したがって、基板という用語は、種々の被覆事例において曖昧になる可能性がある。本明細書中、「被覆しようとする物体」という用語は上記事例を含む。
「被膜」又は「薄膜」という用語は、コーティング工業においてしばしば使用される。本明細書中、被膜は、物質の単一層もしくは複数層を含む。被膜の厚さはアプリケーションに応じて異なり、広範囲を変動することができる。ALDは、いわゆる「薄膜」に関連して使用されることが多い。しかしながら、「薄膜」の一般的で明白な定義は存在しない。ALDによって堆積される物質が「薄膜」技術に使用される場合、厚さの範囲は一般に、1原子層から最大で数十マイクロメートルである。しかしながら、ALD技術はさらに、最大で数十ミリメートルの厚さの材料を得るのにも使用することができる。したがって、本明細書の目的に沿うよう、「被膜」という用語は、いわゆる「薄膜」とより厚い材料の両方を含むように使用されている。
本明細書に使用されている「化学吸着」は、気化前駆体化合物の表面上への化学的吸着を表わしている。吸着された化学種は、通常の化学結合に匹敵する強さの高い吸着エネルギー(>30kcal/モル)を特徴とする比較的強い結合力の結果として、表面に不可逆的に結合する。化学吸着と物理吸着との区別の問題は、一般的な化学的相互作用と物理的相互作用との区別の問題と基本的には同じである。絶対的かつ明確に区別することはできず、中間的な事例(例えば、強い水素結合や弱い電荷移動を含む吸着)が存在する。化学吸着された化学種は、表面上での単分子層の形成に限定される(“The Condensed Chemical Dictionary”,第10版,G.G.Hawley改訂,Van Nostrand Reinhold Co.,New York,225(1981)を参照)。
本明細書中、圧力に対してhPa(ヘクトパスカル)という単位を使用する。
ALDツールのための多数の設計原理を以下に説明する。
1)前駆体を運ぶガス流が一方の側から流入し、ポンプ移送出口がもう一方の側にある、というクロスフロー設計。このモードは、単一ウエハーのプラットフォームのほかに、バッチツールや三次元パーツを被覆するためのツールにも適用することができる。前駆体は、フロー・ディフューザー(flow diffusors)、シャワーヘッド、回転パイプ、あるいは固定パイプを介して供給することができる。前駆体のための共通流路は、できるだけ小さくすることもできるし、あるいは最適化することもできる。
2)被覆しようとする区域の上に前駆体が供給される、というトップシャワーヘッド設計。このモードでは、被覆しようとする物体を積み重ねる場合、バッチ・アプリケーションに制限がある。
3)プラズマは、被覆しようとする物体の上に直接適用することもできるし、あるいは上流から供給することもできる。被覆された表面を変性するために、プラズマは、前駆体の投与時に加えることもできるし、あるいは前駆体投与の前もしくは後に適用することもできる。被覆しようとする物体を積み重ねる場合、バッチツールを用いてプラズマを使用することは困難である。なぜならプラズマは、バッチ内部で十分且つ均一に分散しないことがあるからである。
4)拡散モード。例えば、半導体メモリや大面積基板は深いトレンチを有することがあり、これらのトレンチを長時間にわたって曝露及びパージする必要がある。前駆体の消費を少なくするためには、前駆体投与時のポンプ移送を少なくするか、又はさらには停止させるのが経済的である。
5)堆積ツールは、ホットウォールを有しても、あるいはコールドウォールを有してもよい。曝露された全表面上に被膜が成長していることから、サーマルALDを長期間にわたって実用するには、通常ホットウォールが必要となる。プラズマALDツールにおいては、コールドウォールの原理を使用することができる。
6)一般には、ALDツールは10hPa未満の減圧下で作動する。しかしながら、大気圧以上の圧力も可能である。
7)移動する基板。一般には、被覆しようとする物品が回転する。
金属ハロゲン化物は、熱分解しにくいことから、優れたALD前駆体である。ハロゲン化金属は通常、水に対する反応性がかなり高い。塩化金属は、より高い蒸気圧を有することから、金属ヨウ化物よりも一般的なALD前駆体である。
水を使用する多くのALDプロセスは、投与される水の変動により、そしてある場合には水投与後のパージ時間のために成長速度の変動に悩まされている。このことは、水を使用するプロセスがALD型プロセスではないということを意味しているのではなく、自己飽和には時間がかかり、工業的プロセスは、しばしば、完全自己飽和に対して必要とされるより短いパルスを使用するということである。このように成長速度が水投与量に依存すると、特に、被覆面積が大きい場合や、バッチのセットアップに問題が生じる。例えば、水蒸気流量の違いが局所的な分圧の変動を引き起こし、この結果、前駆体に対する表面の曝露が変動する。水の熱力学的特性に関する不確かさはほとんどなく、大体は標準的な実験装置を使用して測定することができる。しかしながら、水分子の構造、及びその構造と水分子間で作用する力との関係の詳細については、多くの未解明の問題がそのまま残っている。水は極性の高い分子である。水の特性は、近距離の引力(水素結合として認識されている)と強力な長距離静電相互作用(主として双極子間相互作用)とによって同時に決定されるものと一般には考えられている。水の特性により、ALDツールへのそれぞれの水投与後に、高温でも表面上に水分子が生成することがある。ALD被膜成長速度の増加に及ぼす水投与量の増大の影響はよく知られている影響である。成長速度の増加についての可能な説明の一つは、表面上での水分子の生成である。
Elersらによる論文(Film Uniformity in Atomic Layer Deposition,Chem.Vap.Deposition 2006,12,13−24)は、ALDプロセスを開発する上で産業界が直面している被膜の均一性という課題について概説している。特に、第3.2章の“Gaseous By−Products of the Surface Reaction”は、本発明に関連した最新技術を的確に説明している。
1.「1つのソース(ほとんど研究されていない)は、上流の反応副生物によって引き起こされる下流の不均一性という問題である。副生物は、表面上に吸着されることで活性部位をブロックするか、あるいは逆反応に関与することさえある、と考えられている。」
2.「基板上で均一性がどのように低下していくかを示す包括的な結果はないけれども、不均一性は、主として塩化水素副生物によって引き起こされる、という有力な仮説がある。上記論文は、不均一性を説明すべく3つの提唱された理論を記載している;しかしながら、ハロゲン化物プロセスの不均一性を減少させるための方法は示されていない。」
上記論文は、金属アルコキシド/H2Oプロセスに関して重要な問題を述べている。
「ハロゲン化金属プロセスの場合と同様に、金属アルコキシドプロセスは、わずかな厚さの不均一性に悩まされている(すなわち、フロー方向に被膜厚さが減少する)。ハロゲン化金属プロセスにおけるHClと同様に、エタノールが金属アルコキシドプロセスにおける不均一性の原因と考えられた。副生物の影響は、エタノールを、水蒸気パルスと一緒に、あるいは水蒸気パルスの直後に導入することによって調べることができる。これにより基板上の副生物化学種の絶対量が増加し、したがって、フロー方向における副生物化学種の相対的な濃度勾配が減少する。こうした実験から得られた幾つかの予備的結果により、不均一性プロフィールを、基板のバックエンドよりフロントエンドにおいて被膜がより薄くなるよう改良することができ、そしてさらには逆転させることもできる、ということが示された。さらに、エタノールが導入されるときは、より低い成長速度が観察される。これらの観察結果に基づいて、エタノールは−OH部位と反応することができ、これにより水が放出される、と推測されている。反応性−OH部位の数を減らせば、成長速度はより遅くなるであろう。ハロゲン化金属プロセスの場合と同様に、放出された水が、気相中の金属アルコキシドと、あるいは反応チャンバー表面における金属アルコキシドと反応し、これにより粒子が形成される、という仮説を提唱することができる。」
クロスフロー反応器においては、副生物の濃度がフロー方向において増加する。流入する流れに副生物(この場合はエタノール)を加えることによって、クロスフロー反応器の流入側にも、この[推測されている]吸着と活性部位ブロッキング効果を起こさせることができる。金属アルコキシドと水との反応の副生物はアルコールであり、上記論文は、副生物であるエタノールを、水の投与と一緒に、あるいは水投与の後に供給することによって不均一性を改善する方法を説明している。
しかしながら、上記論文は、この不均一性をいかにして減少させるかについては説明していない。
−表面間の小さな距離が奇妙な作用を引き起こすことがある。例えば、TiCl4+H2Oのプロセスの場合、成長しつつある被膜が、対向表面及びその特性の一部によって影響を受ける。対向側のフィーチャは、デポジット被膜構造物において目視可能である。この目視可能な作用は、例えば、屈折率及び/又は被膜厚さの変化という場合がある。この作用は、堆積能力を増大させる上で問題を引き起こす。この作用に対する理由は不明である。この作用は、OH官能基及び/又は表面に結びついた極性の水分子からの電場によって引き起こされるのかも知れない。被膜の成長時における、成長速度に及ぼす堆積表面の影響は、ALD研究者によく知られている。
−表面間の流路断面積を減少させると、副生物の部分蒸気圧が増大する。したがって、副生物からの全ての作用が強くなるほど、表面間の距離が小さくなる(そして堆積能力が高くなる)。
−堆積面積を拡大すると、副生物の部分蒸気圧が増大し、流路面積を減少させた場合の作用と類似した、副生物からの作用が生じる。
−不均一性は結局、被覆されたジグ、ウォール、及び他の構造パーツ上の累積的被膜のフレーキングを引き起こす。フレーキングは一般に、被膜がより厚い内側から始まる。これは、クリーニングが必要となるためにコストの増加を招く。
副生物は、表面上に吸着されることによって活性部位をブロックすることもあるし、あるいは逆反応に関与することさえある、と考えられている。クロスフロー反応器では、フロー方向で副生物の濃度が増加する。例えば、TiCl4+H2O→TiO2+HClという反応においては、HClや塩素が表面に結びつき、これにより表面部位がリザーブされ、したがってフロー方向で厚さの減少を生ずる、と考えられている。同様に、金属アルコキシドプロセスにおける不均一性の原因としてエタノールが提唱されている。
第1の前駆体及び第2の前駆体という表現は、サイクル内の特定のパルス順序を意味しているわけではない。サイクルの出発点は、当業者が好都合であると考えるポイントとして規定することができる。しかしながら、改質剤の導入は、上記第2の前駆体のパルス後に行う。
必要とされる均一性は用途に依存する。工業上の利用のためには、一般に、低コストの前駆体と速やかなプロセシングが要求される。また、安全性の問題に注意を払うことが重要である。ある場合には、前記化学薬品の使用により生じる化学物質及び/又は副生物が有害な影響を引き起こす。特に、エタノールとメタノールは、低コストであり、適度に安全であり、そして堆積ツールに使用するのが容易である。さらに、工業用グレードの化学薬品を前駆体として、又は改質剤として使用することは、他の理由から用途が高純度の化学薬品を必要としない限り、選択的化学吸着の特性により実行可能である。
一般に、金属塩化物を使用するALDプロセスにおいて観察される堆積の不均一性は、HCl副生物によって引き起こされる。したがって不均一性の影響は、HClの分圧が高くなるほど強くなる。特にバッチアプリケーションにおいては、基板物体間の距離が小さいことが経済的に有利である。しかしながら、距離が小さいと、HClの分圧が増加し、不均一性が増大する。
1)表面を少なくとも1種のハロゲン化金属前駆体に曝露する工程;
2)実行可能なパージガス以外を堆積領域から実質的に除去する工程;
3)該表面を少なくとも1種の酸素含有前駆体に曝露する工程;
4)実行可能なパージガス以外を堆積領域から少なくとも一部除去する工程;
5)該表面を少なくとも1種の改質剤物質に曝露する工程;
6)実行可能なパージガス以外を堆積領域から少なくとも一部除去し、堆積材料が所望の厚さに達するまで1)〜6)を繰り返す工程。
1)と2)は、ハロゲン化金属を投与するためのフェーズを構成し、3)と4)は、酸素含有前駆体を投与するためのフェーズを構成し、5)と6)は、改質剤を投与するためのフェーズを構成する。
本発明の方法は、改質剤を投与する前と後に、化学的に活性な薬剤を少なくとも一部除去することを含むことが好ましい。当業者の知見と選択にしたがって、次のフェーズの実施前に、最小限のパージで済むように決定することができる。
一般には、改質剤は、酸素含有前駆体及び/又は金属含有前駆体と反応せず、有害な結果を引き起こす。これらのフェーズにおけるパージ時間を少なくすることが可能であることが多い。パージ時間は、被覆しようとする物体の要件にしたがって調整することができる。処理時間を短くするために、特に3)と5)は重なり合ってもよく、また4)を省いてもよいが、5)を終える前に3)を終えければならない。
各堆積サイクルにおいて5)と6)を使用しないことによって、プロセスをスピードアップさせることができる。1)〜6)のいずれからもサイクルを開始することができるが、本発明の方法は、1)〜6)のシーケンスの全工程を少なくとも1回は含むのが好ましい。したがって本発明の実施態様は、ハロゲン含有表面S1を酸素含有前駆体と改質剤で処理して、金属酸化物表面S2を得ることを含む。
堆積領域の圧力と温度に関して、本発明の改質剤工程は、特定の制約を設けない。
本発明にしたがって製造される被膜の厚さに関して特定の制限はない。被膜の厚さは、1原子層から数十ミリメートルまで変動可能である。したがって、本発明の方法におけるサイクル数は数十万のオーダーであってよい。
基板の環境が影響を及ぼす例を図1に示す。図1は、195×265×1.1mmの寸法を有するソーダ石灰ガラスの試験プレートの写真である。図面に示されている寸法はミリメートル表示である。試験プレートは、工業用ディスプレイの製造プロセスを使用して洗浄した。汚染の兆候は認められなかった。製造プロセスの前に、ガラスプレートは被覆されていなかった。ガラスプレートを、エッジからだけガラスに触れられるように、ホルダー・シェルフ中に固定した。約90nmのTiO2を使用して約300℃の堆積温度でガラスプレートにコーティングを行った。
Eにおいては、対向ホルダーからのマークを視認することができる。長い距離にわたるホルダーとジグの影響により、堆積ツールの能力が制約を受ける。
改質剤として使用できる化合物には、種々の化合物がある。カルボン酸の効果を、本発明と関連させて調べた。カルボン酸は、選択された改質剤による効果と類似の効果を引き起こすが、過剰に投与すると、明らかに堆積被膜を破壊する、ということが観察された。図2は、ギ酸を多量に投与した場合の効果を示す。透過率の測定は、両側が被覆された0.3mm厚さのD263ガラスを使用して行った。測定は、流路に沿って4つの箇所で行った。距離は、バッチにおけるサポートシェルフ(support shelf)の端部から測定した。ギ酸を多量に投与すると透過率が低下する、ということがはっきり分かる。
図4は、平均厚さに及ぼすエタノール投与量の効果を示す。改質剤の投与量を増加させると、平均厚さが減少する。しかしながら、改質剤の投与量を増加させても、フロー方向に沿った厚さプロフィールに対し、ある特定の限界を越えて大きな効果を生むことはない。
カセットを堆積ゾーン中に装着した後、ポンプを使用して堆積領域を減圧にした。
総サイクルカウントは、各サイクルが何回繰り返されたかを示している。
ALD堆積領域は、36個の棚を有するバッチカセットを含んでいた。棚間の処理は約4.5mm(表面対表面)であった。棚の幅は240mmであり、長さは500mmであった。シリコンウエハーの試験片を棚番号19(カセットの中央)上に装着し、これらの試験片から測定を行った。加熱された反応領域を、約6時間安定化させ、この間に、反応領域は約280℃の温度に達した。使用したパルス長、総サイクルカウント、及び得られた平均厚さを表1に示す。厚さと屈折率の結果をチャート1と2に示す。チャート1において、厚さプロフィールの変化が明確に認められる。エタノールを使用すると、入口側における成長速度が減少した。エタノールはさらに、屈折率を増加させ、このことは、堆積材料の密度が改質剤を使用しない場合より高い、ということを示している。通常のALDプロセスを使用して「可能且つ最良」の堆積均一性を得るために、エタノールなしで、異常に多い水投与量を使用した。水の投与量が多い場合も、平均厚さが増大した。5nmという薄膜の屈折率の測定には誤差が含まれる。絶対値は重要ではない。これらの値は、本発明の方法が、屈折率等の被膜特性に影響を及ぼすことができる、ということを示すために記載されている。
ALD堆積領域は、36個の棚を有するバッチカセットを含んでいた。棚間の処理は約4.5mm(表面対表面)であった。棚の幅は240mmであり、長さは500mmであった。シリコンウエハーの試験片を棚番号19(カセットの中央)上に装着し、これらの試験片から測定を行った。加熱された反応領域を、約6時間おいて安定化させ、この間に、反応領域は約280℃の温度に達した。使用したパルス長、総サイクルカウント、及び得られた平均厚さを表2に示す。厚さと屈折率の結果をチャート3と4に示す。チャート1において、厚さプロフィールの変化が明確に認められる。エタノールを使用すると、入口側における成長速度が減少した。エタノールはさらに、屈折率を増大させ、このことは、堆積材料の密度がより高いということを示している。
ALD堆積ゾーンは、23個の棚を有するバッチカセットを含んでいた。棚間の処理は約8mm(表面対表面)であった。棚の幅は240mmであり、長さは360mmであった。シリコンウエハーの試験片を棚番号13(カセットの中央)上に装着し、これらのピースから測定を行った。加熱された反応領域を、約3時間安定化させ、この間に、反応スペースと被覆すべき物体は約300℃の温度に達した。使用したパルス長、総サイクルカウント、及び得られた平均厚さを表6に示す。厚さと屈折率の結果をチャート5〜8に示す。チャート5と7において、厚さプロフィールの変化が明確に認められる。エタノールを使用すると、入口側における成長速度が減少した。2セットの運転(run)を行った。運転579と運転580におけるHfCl4の投与量はより少なかった。H2Oとエタノールとの間のパージは短かった。エタノールの投与量はより少なかった。エタノールとHfCl4との間のパージは極めて短かった。運転581と運転582におけるHfCl4の投与量は、供給源の温度の上昇によりより多かった。H2Oとエタノールとの間のパージはより長かった。エタノールの投与量はより多かった。エタノールとHfCl4との間のパージはより長かった。エタノールはさらに、運転581において屈折率を増大させ、このことは、堆積材料の密度がより高いということを示している。HfCl4の温度は、HfCl4供給源の設定値を示している。これは、HfCl4の実際の温度ではない。目的は、HfCl4の投与量が運転581と運転582において増大した、ということを示すことにある。
Claims (22)
- ALDプロセス又はALD型プロセスにおいて層の不均一性を減少もしくは解消するための方法であって、
a)少なくとも1種のハロゲン化金属を含む第1の前駆体もしくは前駆体混合物に表面を曝露する工程、
b)水、過酸化水素、tert−ブタノール、及びこれらの混合物からなる群から選択される第2の前駆体に前記表面を曝露する工程、及び
c)1〜3個の炭素原子を有するアルコールからなる群から選択される化学物質を含む少なくとも1種の改質剤に前記表面を曝露する工程
を含む前記方法。 - 工程b乃至cの繰り返しを少なくとも1回含む、請求項1に記載の方法。
- 工程a乃至cの繰り返しを少なくとも1回含む、請求項1に記載の方法。
- 工程cを含まない工程aとbのサイクルを少なくとも1回含む、請求項3に記載の方法。
- 工程a及び/又はbが、数種の前駆体を連続して使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- 改質剤がメタノール、エタノール、又はn−プロパノールである、請求項1に記載の方法。
- 前記不均一性の減少が物理的な層厚さの不均一性に関係している、請求項1に記載の方法。
- 前記不均一性の減少が結晶化度の不均一性に関係している、請求項1に記載の方法。
- Ta、Ti、Al、Hf、Zr、もしくはNbの酸化物、又はこれら酸化物の組み合わせ物が堆積される、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 第1の前駆体が、塩化タンタル、塩化チタン、塩化アルミニウム、塩化ハフニウム、塩化ジルコニウム、塩化ニオブ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも1回のパージ操作をさらに含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- 第2の前駆体の投与量と改質剤の投与量が、完全に一致するか、又は部分的に一致する、請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- コーティングアプリケーションにおいて、被覆しようとする表面間の距離が12mm未満であり、好ましくは5mm未満であり、さらに好ましくは1mm未満である、請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法。
- コーティングアプリケーションにおいて、被覆しようとする表面間の距離が1マイクロメートル未満である、請求項1〜13のいずれか1項に記載の方法。
- ALD反応器において、好ましくはバッチ式のALD反応器において行われる、請求項1〜14のいずれか1項に記載の方法。
- 光学被膜や被膜積層物を堆積させるための、請求項1〜15のいずれか1項に記載の方法の使用。
- 酸化チタンと酸化ケイ素、酸化チタンと酸化アルミニウム、あるいは酸化チタンと酸化アルミニウムと酸化ケイ素を含有する被膜積層物を堆積させるための、請求項16に記載の使用。
- ガラス基板上に被膜を堆積させるための、請求項16に記載の使用。
- 誘電体膜や被膜積層物を堆積させるための、請求項1〜15のいずれか1項に記載の方法の使用。
- 酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、及び酸化ニオブの少なくとも1種を含有する被膜積層物を堆積させるための、請求項19に記載の使用。
- シリコンウエハー上に、あるいはシリコンウエハー上に作られた構造物上に被膜をデ堆積させるための、請求項20に記載の使用。
- 管状構造物の内面上に被膜を堆積させるための、請求項1〜15のいずれかに記載の方法の使用。
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