JP2010530810A5 - - Google Patents
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Description
本発明のナノワイヤーは、材料特性において、ほぼ均一であってもよいし、または、特定の実施形態では、異質(例えばナノワイヤーヘテロ構造)であってもよい。このナノワイヤーは、基本的に、任意の好都合な1つの材料または複数の材料から製造されていてもよく、例えば、ほぼ結晶質、ほぼ単結晶質、多結晶質、または、アモルファスであってもよい。ナノワイヤーは、可変の直径を有していてもよいし、または、ほぼ均一な直径を有していてもよい。すなわち、ほぼ均一な直径とは、最も変動が大きい領域に対して、および、少なくとも5nm(例えば、少なくとも10nm、少なくとも20nm、または、少なくとも50nm)の線寸法に対して、約20%未満(例えば、約10%未満、約5%未満、または、約1%未満)の差異を示すということである。典型的には、この直径は、ナノワイヤーの端部から算出されたものである(例えば、ナノワイヤーの中心の20%、40%、50%、または、80%に亘って)。ナノワイヤーは、その長軸の全長または一部に亘って、直線状であってもよいし、または、例えば曲線状若しくは湾曲していてもよい。特定の実施形態では、ナノワイヤーまたはそのナノワイヤーの一部は、二次元または三次元の量子閉じ込めを示すことが可能である。本発明に係るナノワイヤーからは、カーボンナノチューブを特別に除外することができ、特定の実施形態では、「ウィスカー」または「ナノウィスカー」、特に100nmまたは約200nmよりも大きな直径を有するウィスカーも除外される。
Claims (55)
- ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記第1電荷は、上記少なくとも1つのナノワイヤーに静電反発力を印加するものであり、
上記電界は、当該静電反発力に反発して当該少なくとも1つのナノワイヤーに誘電泳動力を与えて、当該少なくとも1つのナノワイヤーを上記転写表面に引き付ける、方法。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記電界に交流(AC)電界によるバイアスをかけて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記転写表面に引き付ける、方法。 - 上記堆積工程は、上記電界に第2AC電界によるバイアスをかけて、上記少なくとも1つのナノワイヤーが上記転写対象となる目標面の方に移動することを可能にする、請求項2に記載の方法。
- ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記転写対象となる目標面が上記第1電荷とは反対の電荷である第2電荷を有するように、上記転写対象となる目標面を形成する工程をさらに含む、方法。 - 上記位置合わせ工程は、上記少なくとも1つのナノワイヤーと上記転写対象となる目標面との間隔を狭めることによって、当該少なくとも1つのナノワイヤーを、上記第2電荷の静電引力によって当該転写対象となる目標面に引き付けることを可能にする工程を含む、請求項4に記載の方法。
- 上記堆積工程は、上記第2電荷によって、上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記転写対象となる目標面の方に引き付ける工程を含む、請求項5に記載の方法。
- 上記堆積工程は、上記転写表面を超音波振動させて、上記第2電荷の静電引力が、上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記転写対象となる目標面の方に引き付けることを可能にする工程を含む、請求項4に記載の方法。
- 上記転写表面を超音波振動させる工程は、上記転写表面および上記転写対象となる目標面の両方を超音波振動させる工程を含む、請求項7に記載の方法。
- 上記転写表面を超音波振動させる工程は、上記転写表面と上記転写対象となる目標面とを同期して超音波振動させる工程をさらに含む、請求項8に記載の方法。
- ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記堆積工程は、上記転写対象となる目標面から上記転写表面に真空を印加して、上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記転写対象となる目標面の方に移動させる工程を含む、方法。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記堆積工程は、上記転写対象となる目標面に関連付けられた第2電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該転写対象となる目標面の方に引き付ける工程を含む、方法。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記堆積工程は、上記電界の発生を中止する工程を含む、方法。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
親水性を有するように上記転写対象となる目標面を形成して、上記少なくとも1つのナノワイヤーを含有する溶液を当該転写対象となる目標面の方に引き付けるようにする工程をさらに含む、方法。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
疎水性を有するように上記転写表面を形成して、上記少なくとも1つのナノワイヤーを含有する溶液をはね返すようにする工程をさらに含む、方法。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記供給工程は、上記少なくとも1つのナノワイヤーを含有する溶液を上記電極対上に流す工程を含む、方法。 - 上記電極対上の上記溶液の流速を変化させる工程をさらに含む、請求項15に記載の方法。
- ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記電極対は、第1電極および第2電極を含み、
上記少なくとも1つのナノワイヤーは、第1ナノワイヤーを含むものであり、
上記電界発生工程は、上記第1ナノワイヤーの第1端部を上記第1電極の表面の近傍に配置すると共に、上記第1ナノワイヤーの第2端部を上記第2電極の表面の近傍に配置する工程を含む、方法。 - 上記電界発生工程は、上記少なくとも1つのナノワイヤーを、上記第1電極および上記第2電極を通る軸にほぼ平行に配向する工程を含む、請求項17に記載の方法。
- 上記電界発生工程は、上記少なくとも1つのナノワイヤーを、上記第1端部および上記第2端部が上記第1電極および上記第2電極に接触しないように配置する工程を含む、請求項17に記載の方法。
- ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記転写対象となる目標面の領域は、電気接点対を含むものであり、
上記位置合わせ工程は、上記電極対を上記電気接点対に接触させる工程を含む、方法。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記位置合わせ工程は、上記電極対を上記転写対象となる目標面に接触させる接触工程を含む、方法。 - 上記接触工程は、当該接触工程によって、上記電極対の第1電極を実装するカンチレバーを屈曲させる工程を含む、請求項21に記載の方法。
- 上記接触工程は、当該接触工程によって、上記電極対を実装する一対のカンチレバーを屈曲させる工程を含む、請求項21に記載の方法。
- ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記位置合わせ工程は、上記電極対を上記転写対象となる目標面の近傍に配置する工程を含む、方法。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせされている電極対を当該領域から取り除く工程をさらに含む、方法。 - 少なくとも1つの第2ナノワイヤーを上記電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって第2電界を発生させて、上記少なくとも1つの第2ナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を、上記転写対象となる目標面の第2領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の第2領域に堆積させる堆積工程とをさらに含む、請求項25に記載の方法。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
第1電極対および第2電極対は、共通の転写表面上に存在するものであり、
上記供給工程と並行して、上記少なくとも1つの第1ナノワイヤーを上記第1電極対に近接するように供給すると共に、少なくとも1つの第2ナノワイヤーを上記第2電極対に近接するように供給する工程と、
第1電界を発生させる上記工程と並行して、上記第2電極対の2つの第2電極によって第2電界を発生させて、少なくとも1つの上記第2ナノワイヤーを上記2つの第2電極に関連付ける工程と、
上記第1電極対を上記転写対象となる目標面の第1領域に位置合わせする上記位置合わせ工程と並行して、上記第2電極対を上記転写対象となる目標面の第2領域に位置合わせする工程と、
上記少なくとも1つの第1ナノワイヤーを上記第1電極対から上記第1領域に堆積させる上記堆積工程と並行して、上記少なくとも1つの第2ナノワイヤーを上記第2電極対から上記転写対象となる目標面の第2領域に堆積させる工程とをさらに含む、方法。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写する方法であって、
少なくとも1つのナノワイヤーを電極対に近接するように供給する供給工程と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該2つの電極に関連付ける電界発生工程と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせする位置合わせ工程と、
上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記電極対から上記転写対象となる目標面の領域に堆積させる堆積工程とを含み、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
結合されていないナノワイヤーを上記電極対から除去する工程をさらに含む、方法。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記第1電荷は、上記少なくとも1つのナノワイヤーに静電反発力を印加するものであり、
上記電界は、当該静電反発力に反発して当該少なくとも1つのナノワイヤーに誘電泳動力を与えて、当該少なくとも1つのナノワイヤーを上記転写表面に引き付ける、システム。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記信号発生器は、上記電界に交流(AC)電界によるバイアスをかけて、上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記転写表面に引き付ける、システム。 - 上記信号発生器は、上記電界に第2AC電界によるバイアスをかけて、関連付けられた上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記転写対象となる目標面の方に移動させることを可能にする、請求項30に記載のシステム。
- ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記転写対象となる目標面は、上記第1電荷とは反対の電荷である第2電荷を有している、システム。 - 上記位置合わせ機構は、上記少なくとも1つのナノワイヤーと上記転写対象となる目標面との間隔を狭めて、関連付けられた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、上記第2電荷の静電引力によって当該転写対象となる目標面に引き付けることが可能なように構成されている、請求項32に記載のシステム。
- 関連付けられた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、上記第2電荷によって上記転写対象となる目標面の方に引き付ける、請求項33に記載のシステム。
- 上記転写表面を振動させて、上記第2電荷の静電引力が、関連付けられた上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記転写対象となる目標面の方に引き付けることが可能なように構成されている超音波振動源をさらに備える、請求項32に記載のシステム。
- 上記超音波振動源は、上記転写表面および上記転写対象となる目標面の両方を振動させるように構成されている、請求項35に記載のシステム。
- 上記超音波振動源は、上記転写表面と上記転写対象となる目標面とを同期して振動させるように構成されている、請求項36に記載のシステム。
- ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記転写対象となる目標面から上記転写表面に真空を印加して、関連付けられた上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該転写対象となる目標面に移動させるように構成されている真空源をさらに備える、システム。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記転写対象となる目標面に関連付けられた第2電界を発生させて、関連付けられた上記少なくとも1つのナノワイヤーを当該転写対象となる目標面の方に引き付けるように構成されている電界源をさらに備える、システム。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記信号発生器は、電界の強度を弱めて、関連付けられた上記少なくとも1つのナノワイヤーを上記転写対象となる目標面の方に引き付けることが可能なように構成されている、システム。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記転写対象となる目標面は、親水性を有するように構成されており、関連付けられた上記少なくとも1つのナノワイヤーを含有する流体を当該転写対象となる目標面の方に引き付ける、システム。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記転写表面は、疎水性を有するように構成されており、関連付けられた上記少なくとも1つのナノワイヤーを含有する流体をはね返す、システム。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記懸濁液および上記電極対を収容している容器をさらに備える、システム。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記電極対上に上記懸濁液を流す、システム。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記電極対は、第1電極および第2電極を含み、
上記少なくとも1つのナノワイヤーは、第1ナノワイヤーを含むものであり、
上記電界は、上記第1ナノワイヤーの第1端部を上記第1電極の表面の近傍に配置すると共に、上記第1ナノワイヤーの第2端部を上記第2電極の表面の近傍に配置する、システム。 - 上記電界は、上記少なくとも1つのナノワイヤーを、上記第1電極および上記第2電極を通る軸にほぼ平行に配向する、請求項45に記載のシステム。
- 上記電界は、上記少なくとも1つのナノワイヤーを、上記第1端部および上記第2端部が上記第1電極および上記第2電極に接触しないように配置する、請求項45に記載のシステム。
- ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記転写対象となる目標面の領域は、電気接点対を含むものであり、
上記位置合わせ機構は、上記電極対を上記電気接点対に接触させる、システム。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記位置合わせ機構は、上記電極対を上記転写対象となる目標面に接触させるように構成されている、請求項31に記載のシステム。 - 上記転写表面は、上記電極対の第1電極を実装するカンチレバーを有し、
上記カンチレバーは、上記電極対が上記転写対象となる目標面に接触する場合に屈曲するように構成されている、請求項49に記載のシステム。 - 上記転写表面は、上記電極対の第1電極および第2電極を実装する一対のカンチレバーを有し、
上記一対のカンチレバーは、上記電極対が上記転写対象となる目標面に接触する場合に屈曲するように構成されている、請求項49に記載のシステム。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記位置合わせ機構は、上記電極対を、上記転写対象となる目標面の近傍に配置するように構成されている、システム。 - 上記転写表面上に複数のスペーサをさらに備える、請求項52に記載のシステム。
- ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
上記位置合わせ機構は、関連付けられた上記少なくとも1つのナノワイヤーが堆積された後に、上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせされている電極対を当該領域から取り除くように構成されている、システム。 - ナノワイヤーを転写対象となる目標面に転写するためのシステムであって、
転写表面を有する筐体と、
上記転写表面上の電極対と、
上記電極対に近接するように供給された複数のナノワイヤーを含有する懸濁液と、
上記電極対の2つの電極によって電界を発生させて、上記複数のナノワイヤーのうちの少なくとも1つのナノワイヤーを上記2つの電極に関連付けることが可能なように構成されている、当該電極対に結合された信号発生器と、
上記電極対を上記転写対象となる目標面の領域に位置合わせして、関連付けされた上記少なくとも1つのナノワイヤーを、当該電極対から当該転写対象となる目標面の領域に堆積させることが可能なように構成されている位置合わせ機構とを備え、
上記電極対は、第1電荷を有する転写表面に実装され、
第2電極対が上記転写表面上にある、システム。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7454295B2 (en) | 1998-12-17 | 2008-11-18 | The Watereye Corporation | Anti-terrorism water quality monitoring system |
US9056783B2 (en) | 1998-12-17 | 2015-06-16 | Hach Company | System for monitoring discharges into a waste water collection system |
US8958917B2 (en) | 1998-12-17 | 2015-02-17 | Hach Company | Method and system for remote monitoring of fluid quality and treatment |
US8920619B2 (en) | 2003-03-19 | 2014-12-30 | Hach Company | Carbon nanotube sensor |
US7541062B2 (en) * | 2004-08-18 | 2009-06-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Thermal control of deposition in dip pen nanolithography |
US7892610B2 (en) | 2007-05-07 | 2011-02-22 | Nanosys, Inc. | Method and system for printing aligned nanowires and other electrical devices |
US8004018B2 (en) | 2008-12-29 | 2011-08-23 | Nokia Corporation | Fabrication method of electronic devices based on aligned high aspect ratio nanoparticle networks |
JP2012528020A (ja) | 2009-05-26 | 2012-11-12 | ナノシス・インク. | ナノワイヤおよび他のデバイスの電場沈着のための方法およびシステム |
US8029869B2 (en) * | 2009-07-10 | 2011-10-04 | Korea University Research And Business Foundation | Structure fabrication using nanoparticles |
KR101161060B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2012-06-29 | 서강대학교산학협력단 | 나노입자를 기둥형태로 조직화시키기 위한 배열장치 및 그 배열방법 |
CN102770367B (zh) | 2009-12-22 | 2015-08-19 | 昆南诺股份有限公司 | 用于制备纳米线结构的方法 |
US8377729B2 (en) * | 2010-01-19 | 2013-02-19 | Eastman Kodak Company | Forming II-VI core-shell semiconductor nanowires |
KR101197037B1 (ko) * | 2010-06-21 | 2012-11-06 | 연세대학교 산학협력단 | 나노와이어 소자를 임의 형태로 프린팅하여 나노 소자를 제조하는 방법 및 상기 방법에 사용되는 중간체 빌딩 블록 |
CN102372256A (zh) * | 2010-08-23 | 2012-03-14 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 纳米线元件的制作方法 |
TWI490832B (zh) * | 2010-12-16 | 2015-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 自發光顯示器及其製作方法 |
CN102229284B (zh) * | 2011-04-26 | 2012-10-03 | 上海西辉机电科技有限公司 | 一种压制横竖米线的打码印刷机 |
CN102244002B (zh) * | 2011-07-14 | 2013-01-09 | 合肥工业大学 | 金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法 |
EP2562135A1 (de) * | 2011-08-22 | 2013-02-27 | ETH Zurich | Verfahren zur Herstellung und Ausrichtung von Nanowires und Anwendungen eines solchen Verfahrens |
US9968549B2 (en) * | 2012-03-23 | 2018-05-15 | King Abdullah University Of Science And Technology | Magnetically controlled permeability membranes |
US9105492B2 (en) | 2012-05-08 | 2015-08-11 | LuxVue Technology Corporation | Compliant micro device transfer head |
US9034754B2 (en) | 2012-05-25 | 2015-05-19 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro device transfer head with silicon electrode |
US8415771B1 (en) * | 2012-05-25 | 2013-04-09 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head with silicon electrode |
US8569115B1 (en) | 2012-07-06 | 2013-10-29 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes |
CN104471698B (zh) * | 2012-07-06 | 2016-12-07 | 苹果公司 | 具有硅电极的顺应性双极微型器件转移头 |
US9255001B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-02-09 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head array with metal electrodes |
WO2014169242A1 (en) * | 2013-04-12 | 2014-10-16 | The Regents Of The University Of California | Nanowire nanoelectromechanical field-effect transistors |
WO2014189549A2 (en) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | Los Alamos National Security, Llc | Carbon nanotube composite conductors |
KR20170018718A (ko) | 2015-08-10 | 2017-02-20 | 삼성전자주식회사 | 비정질 합금을 이용한 투명 전극 및 그 제조 방법 |
GB201604818D0 (en) * | 2016-03-22 | 2016-05-04 | Xtpl Sp Z O O | Method for forming structures upon a substrate |
WO2018170530A1 (en) * | 2017-03-21 | 2018-09-27 | Seachange Technology Holdings Pty Ltd | Antenna arrangement for a water craft |
CN107538012A (zh) * | 2017-07-17 | 2018-01-05 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 一种纳米线或纳米器件与纳米金属电极冶金连接的方法 |
US10748608B2 (en) * | 2018-10-12 | 2020-08-18 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Memristive device and method based on ion migration over one or more nanowires |
KR20210040684A (ko) * | 2019-10-04 | 2021-04-14 | (주)포인트엔지니어링 | 마이크로 led 디스플레이 제조장치 및 마이크로 led 디스플레이 제조방법 |
KR20210077847A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 잉크젯 프린팅 장치, 쌍극성 소자의 프린팅 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
WO2022046306A2 (en) * | 2020-07-14 | 2022-03-03 | The Regents Of The University Of California | Miniature ion traps for fast, high-fidelity and scalable quantum computations |
CN112378973B (zh) * | 2020-10-21 | 2023-12-22 | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 | 电子元器件的生产方法、传感器的制备方法和应用 |
Family Cites Families (121)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3873359A (en) * | 1971-11-26 | 1975-03-25 | Western Electric Co | Method of depositing a metal on a surface of a substrate |
US3900614A (en) * | 1971-11-26 | 1975-08-19 | Western Electric Co | Method of depositing a metal on a surface of a substrate |
US3873360A (en) * | 1971-11-26 | 1975-03-25 | Western Electric Co | Method of depositing a metal on a surface of a substrate |
JPS6194042A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分子構築体およびその製造方法 |
US4939556A (en) * | 1986-07-10 | 1990-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Conductor device |
US5089545A (en) * | 1989-02-12 | 1992-02-18 | Biotech International, Inc. | Switching and memory elements from polyamino acids and the method of their assembly |
US5023139A (en) * | 1989-04-04 | 1991-06-11 | Research Corporation Technologies, Inc. | Nonlinear optical materials |
US5274602A (en) * | 1991-10-22 | 1993-12-28 | Florida Atlantic University | Large capacity solid-state memory |
JP3243303B2 (ja) * | 1991-10-28 | 2002-01-07 | ゼロックス・コーポレーション | 量子閉じ込め半導体発光素子及びその製造方法 |
US5505928A (en) | 1991-11-22 | 1996-04-09 | The Regents Of University Of California | Preparation of III-V semiconductor nanocrystals |
JPH07502479A (ja) | 1991-11-22 | 1995-03-16 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 自己集合性単一層を使って固体無機表面に共有結合した半導体微少結晶 |
US5475341A (en) * | 1992-06-01 | 1995-12-12 | Yale University | Sub-nanoscale electronic systems and devices |
US5252835A (en) * | 1992-07-17 | 1993-10-12 | President And Trustees Of Harvard College | Machining oxide thin-films with an atomic force microscope: pattern and object formation on the nanometer scale |
US6048616A (en) | 1993-04-21 | 2000-04-11 | Philips Electronics N.A. Corp. | Encapsulated quantum sized doped semiconductor particles and method of manufacturing same |
US5453970A (en) * | 1993-07-13 | 1995-09-26 | Rust; Thomas F. | Molecular memory medium and molecular memory disk drive for storing information using a tunnelling probe |
WO1995002709A2 (en) * | 1993-07-15 | 1995-01-26 | President And Fellows Of Harvard College | EXTENDED NITRIDE MATERIAL COMPRISING β-C3N¿4? |
US5512131A (en) * | 1993-10-04 | 1996-04-30 | President And Fellows Of Harvard College | Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles |
US6180239B1 (en) * | 1993-10-04 | 2001-01-30 | President And Fellows Of Harvard College | Microcontact printing on surfaces and derivative articles |
US5900160A (en) * | 1993-10-04 | 1999-05-04 | President And Fellows Of Harvard College | Methods of etching articles via microcontact printing |
US5776748A (en) * | 1993-10-04 | 1998-07-07 | President And Fellows Of Harvard College | Method of formation of microstamped patterns on plates for adhesion of cells and other biological materials, devices and uses therefor |
JP3254865B2 (ja) * | 1993-12-17 | 2002-02-12 | ソニー株式会社 | カメラ装置 |
EP0659911A1 (en) * | 1993-12-23 | 1995-06-28 | International Business Machines Corporation | Method to form a polycrystalline film on a substrate |
US5620850A (en) * | 1994-09-26 | 1997-04-15 | President And Fellows Of Harvard College | Molecular recognition at surfaces derivatized with self-assembled monolayers |
US5581091A (en) * | 1994-12-01 | 1996-12-03 | Moskovits; Martin | Nanoelectric devices |
US5948972A (en) * | 1994-12-22 | 1999-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Dual stage instrument for scanning a specimen |
US5539214A (en) * | 1995-02-06 | 1996-07-23 | Regents Of The University Of California | Quantum bridges fabricated by selective etching of superlattice structures |
US5524092A (en) * | 1995-02-17 | 1996-06-04 | Park; Jea K. | Multilayered ferroelectric-semiconductor memory-device |
US5747180A (en) * | 1995-05-19 | 1998-05-05 | University Of Notre Dame Du Lac | Electrochemical synthesis of quasi-periodic quantum dot and nanostructure arrays |
US5824470A (en) * | 1995-05-30 | 1998-10-20 | California Institute Of Technology | Method of preparing probes for sensing and manipulating microscopic environments and structures |
US6190634B1 (en) * | 1995-06-07 | 2001-02-20 | President And Fellows Of Harvard College | Carbide nanomaterials |
US5751156A (en) * | 1995-06-07 | 1998-05-12 | Yale University | Mechanically controllable break transducer |
US5690807A (en) | 1995-08-03 | 1997-11-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for producing semiconductor particles |
US5757038A (en) * | 1995-11-06 | 1998-05-26 | International Business Machines Corporation | Self-aligned dual gate MOSFET with an ultranarrow channel |
WO1997019208A1 (en) * | 1995-11-22 | 1997-05-29 | Northwestern University | Method of encapsulating a material in a carbon nanotube |
US5897945A (en) | 1996-02-26 | 1999-04-27 | President And Fellows Of Harvard College | Metal oxide nanorods |
US6036774A (en) | 1996-02-26 | 2000-03-14 | President And Fellows Of Harvard College | Method of producing metal oxide nanorods |
EP0792688A1 (en) | 1996-03-01 | 1997-09-03 | Dow Corning Corporation | Nanoparticles of silicon oxide alloys |
US6060121A (en) * | 1996-03-15 | 2000-05-09 | President And Fellows Of Harvard College | Microcontact printing of catalytic colloids |
US6355198B1 (en) * | 1996-03-15 | 2002-03-12 | President And Fellows Of Harvard College | Method of forming articles including waveguides via capillary micromolding and microtransfer molding |
US5640343A (en) * | 1996-03-18 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells |
US5942443A (en) * | 1996-06-28 | 1999-08-24 | Caliper Technologies Corporation | High throughput screening assay systems in microscale fluidic devices |
US5726524A (en) * | 1996-05-31 | 1998-03-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Field emission device having nanostructured emitters |
JPH10106960A (ja) * | 1996-09-25 | 1998-04-24 | Sony Corp | 量子細線の製造方法 |
US6038060A (en) * | 1997-01-16 | 2000-03-14 | Crowley; Robert Joseph | Optical antenna array for harmonic generation, mixing and signal amplification |
US5908692A (en) * | 1997-01-23 | 1999-06-01 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Ordered organic monolayers and methods of preparation thereof |
US5997832A (en) | 1997-03-07 | 1999-12-07 | President And Fellows Of Harvard College | Preparation of carbide nanorods |
US5847565A (en) * | 1997-03-31 | 1998-12-08 | Council Of Scientific And Industrial Research | Logic device |
US6413489B1 (en) | 1997-04-15 | 2002-07-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Synthesis of nanometer-sized particles by reverse micelle mediated techniques |
US6231744B1 (en) * | 1997-04-24 | 2001-05-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for fabricating an array of nanowires |
US5864823A (en) * | 1997-06-25 | 1999-01-26 | Virtel Corporation | Integrated virtual telecommunication system for E-commerce |
US6069380A (en) * | 1997-07-25 | 2000-05-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Single-electron floating-gate MOS memory |
US6187165B1 (en) * | 1997-10-02 | 2001-02-13 | The John Hopkins University | Arrays of semi-metallic bismuth nanowires and fabrication techniques therefor |
US5903010A (en) * | 1997-10-29 | 1999-05-11 | Hewlett-Packard Company | Quantum wire switch and switching method |
US6123819A (en) * | 1997-11-12 | 2000-09-26 | Protiveris, Inc. | Nanoelectrode arrays |
US6207392B1 (en) * | 1997-11-25 | 2001-03-27 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes |
US5990479A (en) | 1997-11-25 | 1999-11-23 | Regents Of The University Of California | Organo Luminescent semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes |
JP3169926B2 (ja) * | 1998-02-13 | 2001-05-28 | キヤノン株式会社 | 電子源の製造方法 |
JP3902883B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2007-04-11 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体及びその製造方法 |
JP2000041320A (ja) * | 1998-05-20 | 2000-02-08 | Yazaki Corp | グロメット |
US6287765B1 (en) * | 1998-05-20 | 2001-09-11 | Molecular Machines, Inc. | Methods for detecting and identifying single molecules |
US6159742A (en) * | 1998-06-05 | 2000-12-12 | President And Fellows Of Harvard College | Nanometer-scale microscopy probes |
US6203864B1 (en) * | 1998-06-08 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Method of forming a heterojunction of a carbon nanotube and a different material, method of working a filament of a nanotube |
US6333200B1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-12-25 | University Of Delaware | Miniaturized immunosensor assembled from colloidal particles between micropatterned electrodes |
US6346189B1 (en) * | 1998-08-14 | 2002-02-12 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Carbon nanotube structures made using catalyst islands |
US20020013031A1 (en) * | 1999-02-09 | 2002-01-31 | Kuen-Jian Chen | Method of improving the reliability of gate oxide layer |
US6149819A (en) * | 1999-03-02 | 2000-11-21 | United States Filter Corporation | Air and water purification using continuous breakpoint halogenation and peroxygenation |
US6143184A (en) * | 1999-03-02 | 2000-11-07 | United States Filter Corporation | Air and water purification using continuous breakpoint halogenation |
US6128214A (en) * | 1999-03-29 | 2000-10-03 | Hewlett-Packard | Molecular wire crossbar memory |
US6256767B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-07-03 | Hewlett-Packard Company | Demultiplexer for a molecular wire crossbar network (MWCN DEMUX) |
US6314019B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-11-06 | Hewlett-Packard Company | Molecular-wire crossbar interconnect (MWCI) for signal routing and communications |
US6270074B1 (en) * | 1999-04-14 | 2001-08-07 | Hewlett-Packard Company | Print media vacuum holddown |
EP1194960B1 (en) | 1999-07-02 | 2010-09-15 | President and Fellows of Harvard College | Nanoscopic wire-based devices, arrays, and methods of their manufacture |
US6286226B1 (en) * | 1999-09-24 | 2001-09-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Tactile sensor comprising nanowires and method for making the same |
US6340822B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-01-22 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same |
US6225198B1 (en) | 2000-02-04 | 2001-05-01 | The Regents Of The University Of California | Process for forming shaped group II-VI semiconductor nanocrystals, and product formed using process |
US6306736B1 (en) | 2000-02-04 | 2001-10-23 | The Regents Of The University Of California | Process for forming shaped group III-V semiconductor nanocrystals, and product formed using process |
US6422077B1 (en) | 2000-04-06 | 2002-07-23 | The University Of Chicago | Ultrananocrystalline diamond cantilever wide dynamic range acceleration/vibration/pressure sensor |
US6659598B2 (en) * | 2000-04-07 | 2003-12-09 | University Of Kentucky Research Foundation | Apparatus and method for dispersing nano-elements to assemble a device |
US6687987B2 (en) * | 2000-06-06 | 2004-02-10 | The Penn State Research Foundation | Electro-fluidic assembly process for integration of electronic devices onto a substrate |
CN101887935B (zh) | 2000-08-22 | 2013-09-11 | 哈佛学院董事会 | 掺杂的拉长半导体,其生长,包含这类半导体的器件及其制造 |
KR100991573B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2010-11-04 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 | 나노센서 |
US6416190B1 (en) | 2001-04-27 | 2002-07-09 | University Of Chicago | Apparatus for using optical tweezers to manipulate materials |
US7338613B2 (en) * | 2001-09-10 | 2008-03-04 | Surface Logix, Inc. | System and process for automated microcontact printing |
US7252749B2 (en) * | 2001-11-30 | 2007-08-07 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Deposition method for nanostructure materials |
US7455757B2 (en) * | 2001-11-30 | 2008-11-25 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Deposition method for nanostructure materials |
US6872645B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-03-29 | Nanosys, Inc. | Methods of positioning and/or orienting nanostructures |
US20040026684A1 (en) | 2002-04-02 | 2004-02-12 | Nanosys, Inc. | Nanowire heterostructures for encoding information |
US6941033B2 (en) | 2002-06-25 | 2005-09-06 | National Research Council Of Canada | Method and device for manipulating microscopic quantities of material |
US6897950B2 (en) | 2002-07-16 | 2005-05-24 | East Carolina University | Laser tweezers and Raman spectroscopy systems and methods for the study of microscopic particles |
US7135728B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-11-14 | Nanosys, Inc. | Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
US7067867B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-06-27 | Nanosys, Inc. | Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
AU2003283973B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-10-30 | Oned Material Llc | Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
JP3880560B2 (ja) * | 2003-04-07 | 2007-02-14 | 三井化学株式会社 | カーボンナノチューブの配向方法および組成物 |
US7082683B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-08-01 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Method for attaching rod-shaped nano structure to probe holder |
AU2003903295A0 (en) | 2003-06-30 | 2003-07-10 | Raustech Pty Ltd | Substrate for combinatorial chemistry |
CN1863954B (zh) | 2003-08-04 | 2013-07-31 | 纳米系统公司 | 制备纳米线复合体的系统和方法及由此得到的电子衬底 |
US7786736B2 (en) * | 2003-08-06 | 2010-08-31 | University Of Delaware | Method and system for detecting damage in aligned carbon nanotube fiber composites using networks |
US8408077B2 (en) * | 2003-09-22 | 2013-04-02 | Brother International Corporation | Method and apparatus for sensing applied forces |
US7067328B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-06-27 | Nanosys, Inc. | Methods, devices and compositions for depositing and orienting nanostructures |
WO2005119753A2 (en) | 2004-04-30 | 2005-12-15 | Nanosys, Inc. | Systems and methods for nanowire growth and harvesting |
EP1769530A2 (en) | 2004-07-07 | 2007-04-04 | Nanosys, Inc. | Systems and methods for harvesting and integrating nanowires |
US8075904B2 (en) * | 2004-08-11 | 2011-12-13 | California Institute Of Technology | High aspect ratio template and method for producing same for central and peripheral nerve repair |
US7837913B2 (en) * | 2004-08-11 | 2010-11-23 | California Institute Of Technology | High aspect ratio template and method for producing same |
US7748343B2 (en) * | 2004-11-22 | 2010-07-06 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Electrohydrodynamic spraying system |
US20070116627A1 (en) * | 2005-01-25 | 2007-05-24 | California Institute Of Technology | Carbon nanotube compositions and devices and methods of making thereof |
CN1830753A (zh) * | 2005-03-10 | 2006-09-13 | 清华大学 | 碳纳米管组装方法和碳纳米管器件 |
KR20080014750A (ko) * | 2005-03-25 | 2008-02-14 | 인스티튜트 내셔널 드 라 레셔쉬 사이엔티피큐 | 나노미터 크기의 단섬유 구조들을 적층하기 위한 방법들 및장치들 |
US20060223225A1 (en) | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Symbol Technologies, Inc. | Method, system, and apparatus for transfer of integrated circuit dies using an attractive force |
WO2006128102A2 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Princeton University | Self-repair and enhancement of nanostructures by liquification under guiding conditions |
KR100740531B1 (ko) * | 2005-09-22 | 2007-07-18 | 전자부품연구원 | 나노와이어 소자 제조 방법 |
FI121540B (fi) * | 2006-03-08 | 2010-12-31 | Canatu Oy | Menetelmä, jolla siirretään korkean aspektisuhteen omaavia molekyylirakenteita |
US20070269924A1 (en) * | 2006-05-18 | 2007-11-22 | Basf Aktiengesellschaft | Patterning nanowires on surfaces for fabricating nanoscale electronic devices |
WO2007139271A1 (en) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method for manufacturing a field emitter electrode using the array of carbon nanotubes |
KR100785347B1 (ko) * | 2006-07-27 | 2007-12-18 | 한국과학기술연구원 | 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법 |
US7741204B2 (en) * | 2006-10-30 | 2010-06-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Mixed-scale electronic interfaces |
US7968474B2 (en) | 2006-11-09 | 2011-06-28 | Nanosys, Inc. | Methods for nanowire alignment and deposition |
US7838865B2 (en) * | 2006-12-22 | 2010-11-23 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method for aligning elongated nanostructures |
WO2008143727A2 (en) * | 2007-02-27 | 2008-11-27 | The Regents Of The University Of California | Nanowire photodetector and image sensor with internal gain |
US7892610B2 (en) * | 2007-05-07 | 2011-02-22 | Nanosys, Inc. | Method and system for printing aligned nanowires and other electrical devices |
KR101097217B1 (ko) * | 2008-09-17 | 2011-12-22 | 한국기계연구원 | 카본 나노 튜브가 코팅된 프로브 카드용 미세 접촉 프로브 및 그 제조방법 |
US8354291B2 (en) * | 2008-11-24 | 2013-01-15 | University Of Southern California | Integrated circuits based on aligned nanotubes |
-
2008
- 2008-05-02 US US12/114,446 patent/US7892610B2/en active Active
- 2008-05-05 JP JP2010507581A patent/JP5606905B2/ja active Active
- 2008-05-05 CN CN200880014974A patent/CN101711421A/zh active Pending
- 2008-05-05 WO PCT/US2008/062623 patent/WO2009023305A2/en active Application Filing
- 2008-05-05 KR KR1020097025545A patent/KR101502870B1/ko active IP Right Grant
- 2008-05-06 TW TW097116662A patent/TWI359784B/zh active
-
2011
- 2011-01-19 US US13/009,675 patent/US20110165337A1/en not_active Abandoned
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