JP2010529030A5 - - Google Patents

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別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることができる。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１． 式Ｔ−ＬＧ−Ｔ（式中、Ｔは、式−Ａｒ 1 −Ａｎ−Ａｒ 2 を有する電荷輸送部分であり、ＬＧは結合基である）を有する化合物であって、
式中：
Ａｎは、二価のアントラセン部分であり；
Ａｒ１は、単結合、またはナフチル、ビナフチル、ナフチルフェニレン、ナフチルビフェニレン、およびナフチルビナフチレンからなる群から選択される芳香族基であり；
Ａｒ２は、ナフチル、ビナフチル、ナフチルフェニレン、ナフチルビフェニレン、およびナフチルビナフチレンからなる群から選択される芳香族基であり；
ＬＧは、ビフェニレン、ビナフチレン、および式Ｉ
Figure 2010529030
 （式中
Ｑ１およびＱ２は、同種または異種であり、かつアルキルおよびアリールからなる群から選択され、またはＱ１およびＱ２をともに合わせたものがアルキレンとなり、
Ａｒ３およびＡｒ４は、同種または異種であり、かつフェニレンおよびナフチレンからなる群から選択される）
からなる群から選択される、化合物。
２．Ｑ１およびＱ２は独立して、メチル、トリフルオロメチル、およびフェニルからなる群から選択される、前記１．に記載の化合物。
３．Ｑ１およびＱ２をともに合わせたものが、１，１−シクロへキシレンおよび３，４−ヘキシレンからなる群から選択される、前記１．に記載の化合物。
４．Ｔが
基Ａ：
Figure 2010529030
 基Ｂ：
Figure 2010529030
 基Ｃ：
Figure 2010529030
 基Ｄ：
Figure 2010529030
 基Ｅ：
Figure 2010529030
 基Ｆ：
Figure 2010529030
 および基Ｇ：
Figure 2010529030
 （式中
−−−−− * はＬＧに結合可能な箇所である）
からなる群から選択される、前記１．に記載の化合物。
５．化合物Ｈ１：
Figure 2010529030
 化合物Ｈ２：
Figure 2010529030
 化合物Ｈ３：
Figure 2010529030
 （式中、ＲはＨまたはＦである）、
化合物Ｈ４：
Figure 2010529030
 （式中、ＲはＨまたはＦである）、
および化合物Ｈ５：
Figure 2010529030
 からなる群から選択される電荷輸送化合物。
６．第１の電気接触層、第２の電気接触層、およびそれらの間の第３の層を含む有機電子デバイスであって、前記第３の層が、式Ｔ−ＬＧ−Ｔ（式中、Ｔは式−Ａｒ 1 −Ａｎ−Ａｒ 2 を有する電荷輸送部分であり、ＬＧは結合基である）を有する化合物を含み、
式中：
Ａｎは、二価のアントラセン部分であり；
Ａｒ１は、単結合、またはナフチル、ビナフチル、ナフチルフェニレン、ナフチルビフェニレン、およびナフチルビナフチレンからなる群から選択される芳香族基であり；
Ａｒ２は、ナフチル、ビナフチル、ナフチルフェニレン、ナフチルビフェニレン、およびナフチルビナフチレンからなる群から選択される芳香族基であり；
ＬＧは、ビフェニレン、ビナフチレン、および式Ｉ
Figure 2010529030
 （式中
Ｑ１およびＱ２は、同種または異種であり、かつアルキルおよびアリールからなる群から選択され、またはＱ１およびＱ２をともに合わせたものがアルキレンとなり、
Ａｒ３およびＡｒ４は、同種または異種であり、かつフェニレンおよびナフチレンからなる群から選択される）
からなる群から選択される、有機電子デバイス。
７．前記第３の層がエレクトロルミネッセンス材料をさらに含む、前記６．に記載のデバイス。
８．前記１、２、３、または４のいずれか一￥に記載の化合物を含むホスト材料。
９．前記５．に記載の電荷輸送化合物を含むホスト材料。
１０．前記１．に記載の化合物を含むホスト材料を含む層。
１１．前記２．に記載の化合物を含むホスト材料を含む層。
１２．前記３．に記載の化合物を含むホスト材料を含む層。
１３．前記４．に記載の化合物を含むホスト材料を含む層。
１４．前記５．に記載の電荷輸送化合物を含むホスト材料を含む層。
１５．エレクトロルミネッセンス材料をさらに含む、前記１０．に記載の層。
１６．エレクトロルミネッセンス材料をさらに含む、前記１１．に記載の層。
１７．エレクトロルミネッセンス材料をさらに含む、前記１２．に記載の層。
１８．エレクトロルミネッセンス材料をさらに含む、前記１３．に記載の層。
１９．エレクトロルミネッセンス材料をさらに含む、前記１４．に記載の層。

Claims (13)

  1. 式Ｔ−ＬＧ−Ｔ（式中、Ｔは、式−Ａｒ1−Ａｎ−Ａｒ2を有する電荷輸送部分であり、ＬＧは結合基である）を有する化合物であって、
    式中：
    Ａｎは、二価のアントラセン部分であり；
    Ａｒ１は、単結合、またはナフチル、ビナフチル、ナフチルフェニレン、ナフチルビフェニレン、およびナフチルビナフチレンからなる群から選択される芳香族基であり；
    Ａｒ２は、ナフチル、ビナフチル、ナフチルフェニレン、ナフチルビフェニレン、およびナフチルビナフチレンからなる群から選択される芳香族基であり；
    ＬＧは、ビフェニレン、ビナフチレン、および式Ｉ
    Figure 2010529030
     （式中
    Ｑ１およびＱ２は、同種または異種であり、かつアルキルおよびアリールからなる群から選択され、またはＱ１およびＱ２をともに合わせたものがアルキレンとなり、
    Ａｒ３およびＡｒ４は、同種または異種であり、かつフェニレンおよびナフチレンからなる群から選択される）
    からなる群から選択される、化合物。
  2. Ｑ１およびＱ２が独立して、メチル、トリフルオロメチル、およびフェニルからなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
  3. Ｑ１およびＱ２をともに合わせたものが、１，１−シクロへキシレンおよび３，４−ヘキシレンからなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
  4. Ｔが
    基Ａ：
    Figure 2010529030
     基Ｂ：
    Figure 2010529030
     基Ｃ：
    Figure 2010529030
     基Ｄ：
    Figure 2010529030
     基Ｅ：
    Figure 2010529030
     基Ｆ：
    Figure 2010529030
     および基Ｇ：
    Figure 2010529030
     （式中
    −−−−−*はＬＧに結合可能な箇所である）
    からなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
  5. 化合物Ｈ１：
    Figure 2010529030
     化合物Ｈ２：
    Figure 2010529030
     化合物Ｈ３：
    Figure 2010529030
     （式中、ＲはＨまたはＦである）、
    化合物Ｈ４：
    Figure 2010529030
     （式中、ＲはＨまたはＦである）、
    および化合物Ｈ５：
    Figure 2010529030
     からなる群から選択される電荷輸送化合物。
  6. 第１の電気接触層、第２の電気接触層、およびそれらの間の第３の層を含む有機電子デバイスであって、前記第３の層が、式Ｔ−ＬＧ−Ｔ（式中、Ｔは式−Ａｒ1−Ａｎ−Ａｒ2を有する電荷輸送部分であり、ＬＧは結合基である）を有する化合物を含み、
    式中：
    Ａｎは、二価のアントラセン部分であり；
    Ａｒ１は、単結合、またはナフチル、ビナフチル、ナフチルフェニレン、ナフチルビフェニレン、およびナフチルビナフチレンからなる群から選択される芳香族基であり；
    Ａｒ２は、ナフチル、ビナフチル、ナフチルフェニレン、ナフチルビフェニレン、およびナフチルビナフチレンからなる群から選択される芳香族基であり；
    ＬＧは、ビフェニレン、ビナフチレン、および式Ｉ
    Figure 2010529030
     （式中
    Ｑ１およびＱ２は、同種または異種であり、かつアルキルおよびアリールからなる群から選択され、またはＱ１およびＱ２をともに合わせたものがアルキレンとなり、
    Ａｒ３およびＡｒ４は、同種または異種であり、かつフェニレンおよびナフチレンからなる群から選択される）
    からなる群から選択される、有機電子デバイス。
  7. 前記第３の層がエレクトロルミネッセンス材料をさらに含む、請求項６に記載のデバイス。
  8. 請求項１、２、３、または４のいずれか一項に記載の化合物を含むホスト材料。
  9. 請求項５に記載の電荷輸送化合物を含むホスト材料。
  10. 請求項１、２、３または４のいずれか一項に記載の化合物を含むホスト材料を含む層。
  11. 請求項５に記載の電荷輸送化合物を含むホスト材料を含む層。
  12. エレクトロルミネッセンス材料をさらに含む、請求項１０に記載の層。
  13. エレクトロルミネッセンス材料をさらに含む、請求項１１に記載の層。
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