JP2010527123A - 顕微鏡支持構造体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子顕微鏡支持構造体ならびにその製造及び使用方法。支持構造体は、半導体材料及び半導体製造プロセスを使用して一般に構成される。支持構造体の温度を制御することが可能であり、及び/又は気体又は液体を反応及び/又は撮像用の観察領域に閉じ込めることが可能である。
【選択図】図3
Description
[0001] 本発明は、一般に、気体及び/又は液体を閉じ込め及び/又は電子顕微鏡用の試料の温度を制御するための支持装置に関する。前記装置は、少なくとも膜領域とフレーム領域とを含み、半導体材料及び半導体製造プロセスを使用して一般に構成される。
[0002] 透過型電子顕微鏡法又はTEM技術は、高倍率、高解像度の撮像及び分析能力を提供することによって原子に近い解像度で材料の分析を可能にする。TEMは、科学者が材料の物理的特性、例えばその微細構造、結晶配向及び元素組成に関する情報を集めることを可能にする。この情報は、特に、マイクロエレクトロニクス及びオプトエレクトロニクス、生物医学的技術、航空宇宙、輸送システム及び代替エネルギ源のような分野に使用するための先端材料の必要性が増しているので、ますます重要になっている。
[0005] 一態様において、少なくとも1つの膜領域を含む膜と、膜の加熱可能領域を形成する膜と接触する少なくとも1つの導電性要素(素子)とを含む装置が記載される。
[0041] 本発明は、一般に、気体及び/又は液体を閉じ込め及び/又は試料の温度を制御するための装置に関する。装置は、一般に、半導体材料を使用して構成され、少なくとも膜領域及びフレーム領域を含む。装置は、ホルダの試料先端領域に配置される。
(1)基材110、好ましくは約1〜10Ωcmの抵抗率及び約0.3mmの厚さを有する結晶シリコンから開始する。基材110が本明細書に記載したような異なる組成、抵抗率及び厚さを有し得ることを認識すべきである。基材110が図11に示されている。
(2)次に、電気絶縁材料120、好ましくは50nmの熱成長(thermally grown)二酸化ケイ素を基材110の上に蒸着(例えばLPCVD)又は成長させる(例えば湿式サーマル又は乾式サーマル)。電気絶縁材料120が本明細書に記載したような異なる組成及び/又は厚さを有し、他の技術を使用して蒸着又は成長させ得ることを認識すべきである。
(3)次に、高抵抗半導体又はセラミック材料130、好ましくは約1〜10Ωcmの抵抗率を有する約300nmのナノ結晶のLPCVD炭化ケイ素を電気絶縁材料120の上に蒸着する。高抵抗半導体又はセラミック材料130が、本明細書に記載したような異なる組成、抵抗率、及び/又は厚さであり、他の技術を使用して蒸着又は成長させ得ることを認識すべきである。
(4)次に、低抵抗半導体又はセラミック材料140、好ましくは約0.01〜0.10Ωcmの抵抗率を有する約300nmのナノ結晶のLPCVD炭化ケイ素を高抵抗半導体又はセラミック材料130の上に蒸着する。低抵抗半導体又はセラミック材料140が、本明細書に記載したような異なる組成、抵抗率、及び/又は厚さを有し、他の技術を使用して蒸着又は成長させ得ることを認識すべきである。
(5)次に、装置フレーム領域を画定するために使用される硬質マスク材料150を基材110の上に蒸着し、前記硬質マスク材料150は、約200nmのLPCVD窒化ケイ素であることが好ましい。硬質マスク材料150が本明細書に記載したような異なる組成及び/又は厚さを有し、他の技術を使用して蒸着又は成長させ得ることを認識すべきである。電気絶縁材料120を有する基材110、高抵抗半導体又はセラミック材料130及び低抵抗半導体又はセラミック材料140、及び硬質マスク材料150の層が図12に示されている。
(5)次に、好ましくはフォトリソグラフィプロセス、次に窒化物エッチングプロセスを使用して、硬質マスク材料150を規定して装置フレーム領域160を生成する。当業者によって容易に決定されるように、他のフォトリソグラフィ及びエッチング技術を使用してもよい。装置フレーム領域160の寸法及び形状は変更可能であり、この特徴により、膜の寸法及び形状が最終的に決定される。装置フレーム領域160が図13に示されている。
(6)次に、好ましくはフォトリソグラフィ工程、次に反応性イオンエッチングを使用して、低抵抗材料140をパターン化して熱源要素170を規定するが、当業者によって容易に決定されるように、他の技術を使用してもよい。エッチングプロセスにより、フォトレジストによって覆われない領域の低抵抗材料140が完全に取り除かれる。熱源要素170が図14に示されている。
(7)次に、好ましくはフォトリソグラフィ工程、次に反応性イオンエッチングを使用して、高抵抗材料130の孔特徴部180をパターン化するが、当業者によって容易に決定されるように、他の技術を使用してもよい。孔特徴部180を有する領域では、暴露された高抵抗材料130及び電気絶縁材料120が完全に取り除かれる。重要なことに、孔特徴部180の寸法及び形状は、当業者によって容易に決定されるように変更してもよい。孔特徴部180が図15に示されている。
(8)次に、接触パッド形成用の金属層190、好ましくはPVDを介して蒸着された約100nmのタングステン層を蒸着する。金属層190をパターン化するために使用されるエッチングプロセスから下層を保護するために、層190の厚さ以下の薄い導電性のエッチストッパ層を金属層190の前に蒸着し得ることを認識すべきである。次に、このエッチストッパ層は、層190の下の層をあまりエッチングしないエッチングプロセスで取り除かれるであろう。本明細書に記載したように、代わりの金属層190の組成物及び厚さを使用し得ることを認識すべきである。当業者によって容易に決定されるように、代わりの蒸着技術を使用してもよい。
(9)次に、好ましくはフォトリソグラフィ工程、次に湿式化学エッチングを使用して、金属層190をパターン化して接触パッド200を形成するが、当業者によって容易に決定されるように、他の技術を使用してもよい。接触パッドの代わりの製作方法は、リフトオフフォトリソグラフィ、次に金又は白金のような金属層190の蒸着、及びレジスト除去を含むことが可能である。金属接触パッド200は、低抵抗材料140を有する領域に形成され、それによって略完全に囲まれる。接触パッド200の形成後、接触パッド200は、保護材料(例えば、ProTEK(登録商標)B1-18、Brewer Science、USA)で覆って、引き続く基材110のエッチング工程中の起こり得る劣化を回避することが可能である。接触パッド200が図16に示されている。
(10)次に、装置フレーム特徴部160を通して基材110を完全にエッチングして、膜領域210を形成する。好ましいシリコン基材(基板)では、シリコンエッチャントは、加熱された水酸化カリウム(KOH)溶液であることが好ましい。硬質マスク材料150、低抵抗材料140、及び高抵抗材料130は、基材110のエッチャントに対し抵抗性であることが好ましい。基材エッチングに続く装置構造体が図17に示されている。他の実施形態では、工程(8)を工程(6)と(7)の前に実施してもよい。
(1)基材300、好ましくは約1〜10Ωcmの抵抗率及び約0.3mmの厚さを有する結晶シリコンから開始する。基材300が本明細書に記載したような異なる組成、抵抗率及び厚さを有し得ることを認識すべきである。基材300が図18に示されている。
(2)次に、電気絶縁材料310、好ましくは約50nmの湿式又は乾式の熱成長二酸化ケイ素を基材300の上に蒸着又は成長させる。電気絶縁材料310が本明細書に記載したような異なる組成及び/又は厚さであり、他の技術を使用して蒸着又は成長させ得ることを認識すべきである。
(3)次に、高抵抗半導体又はセラミック材料320、好ましくは約1Ωcmの抵抗率を有する約300nmのナノ結晶のLPCVD炭化ケイ素を電気絶縁材料310の上に蒸着する。高抵抗半導体又はセラミック材料320が、本明細書に記載したような異なる組成、抵抗率、及び/又は厚さを有し、他の技術を使用して蒸着又は成長させ得ることを認識すべきである。
(4)次に、装置フレーム領域を画定するために使用される硬質マスク材料330を基材300、好ましくは約200nmのLPCVD窒化ケイ素の上に蒸着する。硬質マスク材料330が本明細書に記載したような異なる組成及び/又は厚さを有し、他の技術を使用して蒸着又は成長させ得ることを認識すべきである。電気絶縁材料310を有する基材300、高抵抗半導体又はセラミック材料320、及び硬質マスク材料330の層が図19に示されている。
(5)次に、好ましくはフォトリソグラフィプロセス、次に窒化物エッチングプロセスを使用して、硬質マスク材料330を規定して装置フレーム領域340を生成するが、当業者によって容易に決定されるように、他の技術を使用してもよい。装置フレーム領域340の寸法及び形状は、当業者によって容易に決定されるように変更してもよく、この特徴により、膜の寸法及び形状が最終的に決定される。装置フレーム領域340が図20に示されている。
(6)次に、好ましくはフォトリソグラフィ工程、次に反応性イオンエッチングを使用して、高抵抗材料320の孔特徴部350をパターン化するが、当業者によって容易に決定されるように、他の技術を使用してもよい。孔特徴部350を有する領域では、暴露された高抵抗材料320及び電気絶縁材料310が完全に取り除かれる。孔特徴部350の寸法及び形状は、当業者によって容易に決定されるように変更してもよい。孔特徴部350が図21に示されている。
(7)次に、熱源要素及び接触パッド形成用の耐火金属層360、好ましくはPVDを介して蒸着された約100nmのタングステン層を蒸着する。金属層360をパターン化するために使用されるエッチングプロセスから下層を保護するために、層360の厚さ以下の薄い導電性のエッチストッパ層を金属層360の前に蒸着し得ることを認識すべきである。次に、このエッチストッパ層は、層360の下の層をあまりエッチングしないエッチングプロセスで取り除かれるであろう。代わりの耐火金属層360の組成物及び厚さを使用し得る。さらに、代わりの蒸着技術を使用してもよい。
(8)次に、好ましくはフォトリソグラフィ工程、次に湿式化学エッチングを使用して、耐火金属層360をパターン化して、熱源要素380及び接触パッド390から構成される耐火金属領域370を形成する。他のリソグラフィ及びエッチング技術を使用してもよいことを認識すべきである。接触パッドの代わりの製作方法は、リフトオフフォトリソグラフィ、次に金属層360の蒸着及びレジスト除去を含むことが可能である。接触パッド390は、高抵抗材料320によって形成され、それによって略完全に囲まれる。接触パッド390の形成後、接触パッド390は、保護材料で覆って、引き続く基材300のKOHのようなエッチング工程中の起こり得る劣化を回避することが可能である。熱源要素380及び接触パッド390が図22に示されている。
(9)次に、装置フレーム特徴部340を通してシリコン基材300を完全にエッチングして、膜領域400を形成する。好ましいシリコン基材では、シリコンエッチャントは、加熱された水酸化カリウム(KOH)溶液であることが好ましい。硬質マスク材料330及び高抵抗材料320は、基材300のエッチャントに対し抵抗性であることが好ましい。基材エッチングに続く装置構造体が図23に示されている。他の実施形態では、工程(7)を工程(6)の前に実施してもよい。
Claims (41)
- (a)少なくとも1つの膜領域を含む膜と、
(b)前記膜の加熱可能領域を形成する前記膜と接触する少なくとも1つの導電性要素と、
を含む装置。 - 前記膜領域が、1つ以上の孔を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記膜領域が、1つ以上のディンプルを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記膜が、1つ以上の層の膜材料から形成される膜フィルム(membrane film)スタックの部分である、請求項1に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの膜と接触するか又は前記膜に一体化された少なくとも1つの機械的支持要素をさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記膜がフレームによって支持される、請求項1に記載の装置。
- 前記膜材料が、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、グラフェン、炭素、窒化アルミニウム、二酸化ケイ素、ケイ素及びそれらの組み合わせからなる群から選択される半導体膜を含む、請求項4に記載の装置。
- 前記装置が半導体装置である、請求項1に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの導電性要素が、前記少なくとも1つの導電性要素が前記膜よりも比較的導電性であるような半導体材料を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの導電性要素が、1つ以上のヒートシンク要素及び/又は1つ以上の熱源要素を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記ヒートシンク要素及び/又は熱源要素が、前記少なくとも1つの膜上に直接パターン化された材料のより厚い領域を含み、前記材料が、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、他の半導体材料、金属、セラミック、導電性酸化物、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項10に記載の装置。
- 前記熱源要素を使用して、少なくとも1つの膜領域を直接加熱する、請求項10に記載の装置。
- 前記ヒートシンク要素が、前記膜上にパターン化された金属を含み、前記金属が耐火金属、金及び/又は銅を含む、請求項10に記載の装置。
- 前記装置が、1つ以上の加熱可能領域の近傍に1つ以上の膜領域を含み、1つ以上のヒートシンク要素が、前記膜領域が断熱されるように熱の散逸を制御するために、前記加熱可能領域の間に設けられる、請求項10に記載の装置。
- 前記膜の表面にパターン化された温度感知要素を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記温度感知要素が、前記加熱可能領域の前記膜の表面にパターン化されたワイヤ又は熱電対を含む、請求項15に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの導電性要素が、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、他の半導体材料、金属、セラミック、導電性酸化物、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記導電性要素が、一体化された抵抗ヒータの端末を形成する、請求項9に記載の装置。
- 少なくとも1つの金属パッドが前記導電性要素に適用される、請求項17に記載の装置。
- 前記導電性要素が交互に組み合わせられる、請求項1に記載の装置。
- 前記導電性要素が濃厚にドープされる、請求項9に記載の装置。
- (a)少なくとも1つの膜領域を含む膜と、
(b)少なくとも1つの機械的支持要素と、
を含む装置。 - 前記少なくとも1つの機械的支持要素が観察領域を画定する、請求項22に記載の装置。
- 装置上の試料の顕微鏡撮像を可能にする方法で取り付けられた請求項1又は22に記載の装置を含む、顕微鏡装置。
- 装置上の試料の顕微鏡撮像を可能にする方法で取り付けられた請求項1に記載の装置を含み、導電性要素が電源に結合される顕微鏡装置。
- 複数の温度で及び/又は顕微鏡装置を使用して温度を変更しつつ、試料を撮像する方法であって、前記方法が、請求項25に記載の装置を設ける工程と、撮像中に前記試料の温度を制御する工程とを含む、方法。
- 次の制御、すなわち、
(a)装置上の試料の加熱、
(b)装置上の前記試料の1つ以上の他の環境状態、
の制御を許容するように構成された請求項1に記載の装置を含む環境セル。 - 前記1つ以上の環境パラメータが、光、圧力、及び気体内容物からなる群から選択される、請求項27に記載の環境セル。
- 装置上に存在する試料を含む、請求項27に記載の環境セル。
- 2つ以上の導電性要素が、それらの間に位置決めされた前記装置の加熱可能領域を画定する、請求項1に記載の装置。
- 前記加熱可能領域への電流の印加が均一な加熱をもたらす、請求項30に記載の装置。
- 前記加熱可能領域への電流の印加が、約100ミリ秒未満で少なくとも約1000Kの均一な温度変化をもたらす、請求項30に記載の装置。
- 前記加熱可能領域への電流の印加が、約100ミリ秒未満で少なくとも約1500Kの均一な温度変化をもたらす、請求項30に記載の装置。
- 前記加熱可能領域への電流の印加が、約100ミリ秒未満で少なくとも約2000Kの均一な温度変化をもたらす、請求項30に記載の装置。
- 少なくとも1つの温度制御装置を含む、請求項27に記載の環境セル。
- 少なくとも1つの窓装置を含む、請求項27に記載の環境セル。
- 少なくとも1つの窓装置をさらに含む、請求項35に記載の環境セル。
- 前記少なくとも1つの窓装置が、引き込み可能な装置に取り付けられる、請求項36又は37に記載の環境セル。
- 前記少なくとも1つの温度制御装置及び前記少なくとも1つの窓装置が整列される、請求項37に記載の環境セル。
- 前記少なくとも1つの温度制御装置及び前記少なくとも1つの窓装置が不整列である、請求項37に記載の環境セル。
- 前記熱シンク要素が前記少なくとも1つの膜領域から熱を引き、これによって、前記膜領域を断熱する、請求項10に記載の装置。
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