JP2010512660A - 無極性および半極性の発光デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、米国特許法第119条(e)に基づいて、本発明の譲受人に譲渡された以下の同時係属の米国特許出願の利益を主張するものである。
米国特許仮出願第60/869,540号、出願日2006年12月11日、発明者:スティーブン P.デンバース(Steven P.DenBaars)、マシュー C.シュミット(Mathew C.Schmidt)、キム クァン チューン(Kwang−Choong Kim)、ジェームス S.スペック(James S.Speck)、およびシュウジ ナカムラ(Shuji Nakamura)、発明の名称「無極性(m面)および半極性発光デバイス(NON−POLAR (M−PLANE) AND SEMI−POLAR EMITTING DEVICES)」、代理人整理番号30794.213−US−P1(2007−317−1)。
この出願は参照として本明細書中に組み込まれているものとする。
米国実用特許出願第10/581,940号、出願日2006年6月7日、発明者:テツオ フジイ(Tetsuo Fujii)、ヤン ガオ(Yan Gao)、イーブリン L.フー(Evelyn L.Hu)、およびシュウジ ナカムラ、発明の名称「表面粗面化による高効率窒化ガリウムベースの発光ダイオード(HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA SURFACE ROUGHENING)」、代理人整理番号30794.108−US−WO(2004−063)。この出願は米国特許法第365条(c)に基づいて以下の特許の利益を主張するものである。
米国実用特許出願第11/067,956号、出願日2005年2月28日、発明者:オウレリエン J.F.デーヴィッド、クロード C.A.ワイズバッシュ、およびスティーブン P.デンバース、発明の名称「最適化されたフォトニック結晶取出し器を有する高効率発光ダイオード(LED)(HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE (LED) WITH OPTIMIZED PHOTONIC CRYSTAL EXTRACTOR)」、代理人整理番号30794.126−US−01(2005−198−1)。
米国実用特許出願第11/454,691号、出願日2006年6月16日、発明者:村井 章彦、クリスティーナ イェ チェン(Christina Ye Chen)、ダニエル B.トンプソン(Daniel B.Thompson)、リー S.マッカーシー(Lee S.McCarthy)、スティーブン P.デンバース、シュウジ ナカムラ、およびウメシュ K.ミシュラ、発明の名称「光電子応用のための(Al,Ga,In)NとZnOとの直接ウェーハ・ボンディング構造とその作製方法((Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDING STRUCTURE FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS AND ITS FABRICATION METHOD)」、代理人整理番号30794.134−US−U1(2005−536−4)。この出願は米国特許法第119条(e)に基づいて以下の特許出願の利益を主張するものである。
米国特許仮出願第60/732,319号、出願日2005年11月1日、発明者:村井 章彦、クリスティーナ イェ チェン、ダニエル B.トンプソン、リー S.マッカーシー、スティーブン P.デンバース、シュウジ ナカムラ、およびウメシュ K.ミシュラ、発明の名称「光電子応用のための(Al,Ga,In)NとZnOとの直接ウェーハ・ボンディング構造とその作製方法((Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDING STRUCTURE FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS AND ITS FABRICATION METHOD)」、代理人整理番号30794.134−US−P2(2005−536−2)、および、米国特許仮出願第60/764,881号、出願日2006年2月3日、発明者:村井 章彦、クリスティーナ イェ チェン、ダニエル B.トンプソン、リー S.マッカーシー、スティーブン P.デンバース、シュウジ ナカムラ、およびウメシュ K.ミシュラ、発明の名称「光電子応用のための(Al,Ga,In)NとZnOとの直接ウェーハ・ボンディング構造とその作製方法((Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDING STRUCTURE FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS AND ITS FABRICATION METHOD)」、代理人整理番号30794.134−US−P3(2005−536−3)。
米国実用特許出願第11/633,148号、出願日2006年12月4日、発明者:クロード C.A.ワイズバッシュ、およびシュウジ ナカムラ、発明の名称「多数回のオーバーグロス法でパターン化された基板上への成長により作製された改良型の水平放出、垂直放出、ビーム成型形、分布帰還(DFB)レーザ(IMPROVED HORIZONTAL EMITTING,VERTICAL EMITTING,BEAM SHAPED,DISTRIBUTED FEEDBACK(DFB) LASERS FABRICATED BY GROWTH OVER A PATTERNED SUBSTRATE WITH MULTIPLE OVERGROWTH)」、代理人整理番号30794.143−US−U1(2005−721−2)。この出願は米国特許法第119条(e)に基づいて以下の特許出願の利益を主張するものである。
米国実用特許出願第11/517,797号、2006年9月8日出願、発明者:マイケル イザ(Michael Iza)、トロイ J.ベーカー、ベンジャミン A.ハスケル、スティーブン P.デンバース、およびシュウジ ナカムラ、発明の名称「有機金属化学気相成長法による半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長促進法(METHOD FOR ENHANCING GROWTH OF SEMIPOLAR (Al,In,Ga,B)N VIA METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)」、代理人整理番号30794.144−US−U1(2005−722−2)。この出願は米国特許法第119条(e)に基づいて次の特許出願の利益を主張するものである。
米国実用特許出願第11/608,439号、出願日2006年12月8日、発明者:スティーブン P.デンバース、シュウジ ナカムラ、およびジェームス S.スペック、発明の名称「高効率の発光ダイオード(LED)(HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED))」、代理人整理番号30794.164−US−U1(2006−318−3)。この出願は米国特許法第119条(e)に基づいて以下の特許出願の利益を主張するものである。
米国実用特許出願第11/676,999号、出願日2007年2月20日、発明者:ホン ゾーン(Hong Zhong)、ジョン F.ケディング、ラジャット シャーマ、ジェームス S.スペック、スティーブン P.デンバース、およびシュウジ ナカムラ、発明の名称 「半極性(Al,In,Ga,B)N光電子デバイスの成長方法(METHOD FOR GROWTH OF SEMIPOLAR (Al,In,Ga,B)N OPTOELECTRONIC DEVICES)」、代理人整理番号30794.173−US−U1(2006−422−2)。この出願は米国特許法第119条(e)に基づいて以下の特許出願の利益を主張するものである。
米国実用特許出願第xx/xxx,xxx号、出願日2007年12月11日、発明者:シュウジ ナカムラ、スティーブン P.デンバース、およびヒロクニ アサミズ(Hirokuni Asamizu)、発明の名称「透明な発光ダイオード(TRANSPARENT LIGHT EMITTING DIODES)」、代理人整理番号30794.211−US−U1(2007−282−2)。この出願は米国特許法第119条(e)に基づいて以下の特許出願の利益を主張するものである。
米国実用特許出願第xx/xxx、xxx、出願日2007年12月11日、発明者:マシュー C.シュミット、キム クァン チューン、佐藤 均、スティーブン P.デンバース、ジェームス S.スペック、およびシュウジ ナカムラ、発明の名称「高特性無極性面III族窒化物光デバイスの有機金属化学気相成長(MOCVD)法(METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD) GROWTH OF HIGH PERFORMANCE NON−POLAR III−NITRIDE OPTICAL DEVICES)」、代理人整理番号30794.212−US−U1(2007−316−2)。
本出願は、米国特許法第119条(e)に基づいて、本発明の譲受人に譲渡された以下の同時係属の米国特許出願の利益を主張するものである。
米国特許仮出願第60/869,535、出願日2006年12月11日、発明者:マシュー C.シュミット、キム クァン チューン、佐藤 均、スティーブン P.デンバース、ジェームス S.スペック、およびシュウジ ナカムラ、発明の名称「高特性M面GaN光デバイスのMOCVD成長(MOCVD GROWTH OF HIGH PERFORMANCE M−PLANE GAN OPTICAL DEVICES)」、代理人整理番号30794.212−US−P1(2007−316−1)。
米国特許仮出願第60/869,701号、出願日2006年12月12日、発明者:キム クァン チューン、マシュー C.シュミット、フェン ウー、平井 朝子、メルヴィン B.マクローリン、スティーブン P.デンバース、シュウジ ナカムラ、およびジェームス S.スペック、発明の名称「各種基板上の(Al,In,Ga,B)Nのm面および半極性面の結晶成長(CRYSTAL GROWTH OF M−PLANE AND SEMIPOLAR PLANES OF (Al,In,Ga,B)N ON VARIOUS SUBSTRATES)」、代理人整理番号30794.214−US−P1(2007−334−1)。
本発明は、発光ダイオード(LED)およびレーザ・ダイオード(LD)のような、高効率無極性および半極性発光デバイスに関する。
2.関連技術の説明
(注:この出願は、本明細書を通して示されている、多くの異なる刊行物を参照する。更に、これらの刊行物は、以下に「参考文献」と記されたセクションに見出すことが出来る。これらの刊行物のそれぞれは、参照として本明細書中に組み込まれているものとする。)
現在、大抵の市販の窒化ガリウム(GaN)ベースの発光デバイスは、c軸方位の結晶上に構成されている。その結果、強い圧電電界が発光効率を制御している。従来のLEDおよびLDの構造では、量子井戸(QW)の厚さは僅か2〜5nm前後である。QW層の厚さが5nmより厚くなると、QW層の伝導帯エネルギー・バンドと価電子帯エネルギー・バンドは強い圧電電界によって傾き、発光再結合効率は小さくなり、そのためLEDおよびLDの発光効率は小さくなる。
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本発明のデバイスのQW層の厚さは、より厚くすることができる。すなわち、4nmより厚く、好ましくは約8〜12nm、より好ましくは、約10nmの厚さにすることができる。無極性および半極性LEDにおいて、より厚い量子井戸を用いることによって、より大きな電流密度でより高い効率が達成される。LDにとっては、より厚いQW層を用いると、モード利得が増加し、閾値電流密度が低減する。他の例では、より高電圧となる弊害を受けることなく、効率を上げるためにQW層の数を大きくすることが出来る。
他の利点は、無極性および半極性LEDは、c面デバイスよりもはるかに効率よく偏光を発生することである。0.83という高い偏光発生比が観測されたことから、無極性および半極性LEDがLCD背面照明、信号、保護付きディスプレイ、および照明のような多くの応用分野で有用であることがわかる。
例えば、異方性エッチング(すなわち円錐形状表面の生成)などによる表面の粗面化、繊維構造化、パターン化、または形状化は、内部の反射の最小化とともに光の取り出しを助ける。ダイの形状化も高い光取り出し効率を実現する。
概要
GaNおよびその合金は、すべてが唯一のc軸に垂直であり、お互いに対して120度回転している2(または3)本の等価な基底面軸(a軸)を用いて記述される六方晶ウルツ鉱型結晶構造において最も安定である。
図3Cは、無極性(a面)構造では自発分極(Psp)および圧電分極(PPE)の影響がないことを示す。図3Dは、図3Cに対応して価電子帯(Ev)および伝導帯(Ec)のエネルギー・バンド図を示す。
図17は、本発明の無極性LEDの簡易測定出力(mV)対電流(mA)を示すグラフである。本発明のm面LEDでは、出力パワーは入力電流に対して直線的であることが示されている。
参考文献
以下の参考文献は、参照として本明細書中に組み込まれているものとする。
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結論
主にm面窒化ガリウムに関して論じられたが、本発明は窒化ガリウムおよび他の関係する材料系の他の無極性および半極性形状にとって利点がある。更に、本発明は、レーザ・ダイオード(LD)、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)、太陽電池、トランジスタ、ダイオード、他の発光デバイス、および半導体処理技術を用いて作製される他のデバイスのような他の電子デバイスまたは同様の電子デバイスのために用いられる他の材料にとっても利点がある。
Claims (26)
- 1つ以上のp型層、活性領域、および1つ以上のn型層を備える複数の無極性または半極性III族窒化物層を備え、前記活性領域が4ナノメートルより厚い1つ以上の量子井戸を含むことを特徴とする無極性または半極性III族窒化物発光デバイス。
- 前記量子井戸は、厚さが約8〜12ナノメートルであることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記量子井戸は、厚さが約10ナノメートルであることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記無極性III族窒化物層は、m面またはa面III族窒化物層を備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記デバイスの1つ以上の発光面は、粗面化、繊維構造化、パターン化、または形状化されていることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記デバイスの2つ以上の発光面が、粗面化、繊維構造化、パターン化、または形状化されていることを特徴とする請求項5に記載のデバイス。
- 前記デバイスの前記発光面は円錐形状表面であることを特徴とする請求項5に記載のデバイス。
- 前記活性領域は、2つ以上の波長で発光する多重発光層を備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記無極性または半極性III族窒化物層の近傍に形成された透明電極層を更に備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記透明電極層は、導電性接触層であることを特徴とする請求項9に記載のデバイス。
- 透明層の表面は、粗面化、繊維構造化、パターン化、または形状化されていることを特徴とする請求項9に記載のデバイス。
- 前記透明電極層の前に電流拡散層が成膜されることを特徴とする請求項9に記載のデバイス。
- 前記デバイスは、透明なマウント構造上に設置されることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 1つ以上のp型層、活性領域、および1つ以上のn型層を備え、前記活性領域は4ナノメートルより厚い1つ以上の量子井戸を含むことを特徴とする、複数の無極性または半極性III族窒化物層を形成するステップを備えることを特徴とする、無極性または半極性III族窒化物発光デバイスを作製する方法。
- 前記量子井戸は、厚さが約8〜12ナノメートルであることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記量子井戸は、厚さが約10ナノメートルであることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記無極性III族窒化物層は、m面またはa面III族窒化物層を備えることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記デバイスの1つ以上の発光面は、粗面化、繊維構造化、パターン化、または形状化されていることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記デバイスの2つ以上の発光面は、粗面化、繊維構造化、パターン化、または形状化されていることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記デバイスの前記発光面は、円錐形状表面であることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記活性領域は、2つ以上の波長で発光する多重発光層を備えることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記無極性または半極性III族窒化物層の近傍に透明電極層を形成するステップを更に備えることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記透明電極層は、導電性接触層であることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記透明層の表面は、粗面化、繊維構造化、パターン化、または形状化されていることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記透明電極層の前に、電流拡散層が成膜されることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記デバイスは、透明なマウント構造上に設置されることを特徴とする請求項14に記載の方法。
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