JP2010507929A - タイルサブアレイ並びに関連する回路及び技法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (30)
- タイルサブアレイであって、
第1の表面を有する下側多層アセンブリ(LMLA)であって、該第1の表面には複数のパッケージレスT/Rモジュールが電気的に結合される、下側多層アセンブリ(LMLA)と、
前記複数のT/Rモジュール上に配置される第1の相互接続基板と、
前記相互接続基板上に配置されるサーキュレータ基板と、
前記サーキュレータ基板上に配置される第2の相互接続基板と、
前記第2の相互接続基板上に配置される上側多層アセンブリ(UMLA)と、
を備えたタイルサブアレイ。 - 前記相互接続基板は、ファズボタンエッグクレート基板として設けられる、請求項1に記載のタイルサブアレイ。
- 前記UMLAは、RF信号分配、インピーダンス整合、及び偏波ダイバーシティ信号の生成を実行する層状のRF伝送線路として設けられる、請求項1に記載のタイルサブアレイ。
- 前記LMLAは、パッケージレス送信/受信(T/R)チャネル及び埋込サーキュレータ層サブアセンブリを集積する、請求項1に記載のタイルサブアレイ。
- 前記LMLAは、ボールグリッドアレイ(BGA)相互接続を用いて、前記UMLAに接着される、請求項1に記載のタイルサブアレイ。
- 前記LMLAは下側多層基板(LMLB)を含み、該下側多層基板は、RF、DC及び論理信号分配を集積する、請求項1に記載のタイルサブアレイ。
- タイルサブアレイであって、
第1の複数のプリント回路基板から構成される上側多層アセンブリ(UMLA)と、
前記UMLAに結合される下側多層アセンブリ(LMLA)であって、該LMLAは第2の複数のプリント回路基板から構成される、下側多層アセンブリ(LMLA)と、を備え、
前記UMLA及び前記LMLAのそれぞれは、1つ又は複数のRF相互接続を備え、該1つ又は複数のRF相互接続のそれぞれは、前記第1の複数のプリント回路基板及び前記第2の複数のプリント回路基板のうちの1つの第1の層上の第1の伝送線路と、前記第1の複数のプリント回路基板及び前記第2の複数のプリント回路基板のうちの1つの第2の異なる層上の第2の伝送線路との間に少なくとも1つのRF信号経路を設け、前記RF相互接続のそれぞれは、1つ又は複数のRF整合パッドを含み、該RF整合パッドは前記RF相互接続内に形成されるRFスタブの1つ又は複数の電気的特性を電気的に整合させる、タイルサブアレイ。 - 前記RF整合パッドのそれぞれは、導電性領域及びリリーフエリアを有するように設けられる、請求項7に記載のタイルサブアレイ。
- 前記導電性領域のうちの少なくとも1つは、円板形を有するように設けられる、請求項8に記載のタイルサブアレイ。
- 前記リリーフエリアのうちの少なくとも1つは、アニュラリング形状を有するように設けられる、請求項8に記載のタイルサブアレイ。
- プリント回路基板アセンブリであって、
複数の回路基板であって、該複数の回路基板のうちの少なくとも2つは、その上に配置される1つ又は複数の回路層を有する、複数の回路基板と、
前記複数の回路基板のうちの第1の回路基板上の少なくとも1つの回路層に電気的に結合される第1の部分を有すると共に、前記複数の回路基板のうちの第2の異なる回路基板上の少なくとも1つの回路層に電気的に結合される第2の部分を有する無線周波数(RF)相互接続であって、該RF相互接続は第1のRFスタブを有する、無線周波数(RF相互接続と、
前記第1のRF相互接続に電気的に結合される第1のRF整合パッドであって、該第1のRF整合パッドは、前記第1のRFスタブのインピーダンス特性を調整する、第1のRF整合パッドと、
を備えたプリント回路基板アセンブリ。 - 前記第1のRF整合パッドは、第1の前記RF相互接続に結合される複数のRF整合パッドのうちの第1のRF整合パッドである、請求項11に記載のプリント回路基板アセンブリ。
- 前記RF相互接続に結合される前記複数のRF整合パッドのうちの少なくとも2つは、異なる回路基板の異なる層上に配置される、請求項12に記載のプリント回路基板アセンブリ。
- 前記第1のRF整合パッドは、
前記RF相互接続の周囲に配置される導電性円板と、
前記導電性円板の周囲に配置され、且つ該導電性円板から電気的に分離される導体と、
を含む、請求項11に記載のプリント回路基板アセンブリ。 - 前記導体は、該導体と前記導電性円板との間に非導電性のアニュラリング・リリーフエリアが設けられるように、前記導電性円板の周囲に配置される、請求項14に記載のプリント回路基板アセンブリ。
- 前記第1のRF相互接続は、複数のRF相互接続のうちの第1のRF相互接続である、請求項11に記載のプリント回路基板アセンブリ。
- 前記複数のRF相互接続のうちの第2の異なるRF相互接続は、該第2の異なるRF相互接続に電気的に結合される第1のRF整合パッドを有する、請求項16に記載のプリント回路基板アセンブリ。
- 前記第2のRF相互接続は、該第2のRF相互接続に電気的に結合される第2のRF整合パッドを有する、請求項17に記載のプリント回路基板アセンブリ。
- プリント回路基板アセンブリであって、
複数の回路基板であって、該複数の回路基板のそれぞれは、1つ又は複数の回路層を有する、複数の回路基板と、
前記複数の回路基板のうちの第1の回路基板上の少なくとも1つの回路層に電気的に結合される第1の部分を有すると共に、前記複数の回路基板のうちの第2の異なる回路基板上の少なくとも1つの回路層に電気的に結合される第2の部分を有する第1の無線周波数(RF)相互接続であって、該第1のRF相互接続は第1のRFスタブを有する、第1の無線周波数(RF)相互接続と、
前記第1のRF相互接続に結合される第1のRF整合パッドであって、該第1のRF整合パッドは、前記第1のRF相互接続に結合される前記第1のRFスタブのインピーダンス特性を整合させるためのものである、第1のRF整合パッドと、
を備えたプリント回路基板アセンブリ。 - 前記第1のRFスタブは、該第1のRF相互接続の第1の端部の近くに配置される、請求項19に記載のプリント回路基板アセンブリ。
- 前記第1のRF相互接続は、前記第1のRF相互接続の第2の反対側にある端部の近くに配置される第2のRFスタブを有するように設けられる、請求項20に記載のプリント回路基板アセンブリ。
- 前記第1のRF相互接続に結合される第2のRF整合パッドをさらに含み、該第2のRF整合パッドは、前記第2のRFスタブのインピーダンス特性を整合させる、請求項21に記載のプリント回路基板アセンブリ。
- 前記第1のRF整合パッドは、
前記RF相互接続の周囲に配置される導電性円板と、
前記導電性円板の周囲に配置され、且つ該導電性円板から電気的に分離される導体と、
を含む、請求項19に記載のプリント回路基板アセンブリ。 - 前記導体は、該導体と前記導電性円板との間に非導電性のアニュラリング・リリーフエリアが設けられるように、前記導電性円板の周囲に配置される、請求項23に記載のプリント回路基板アセンブリ。
- 製造方法であって、
複数の回路基板を設け、該複数の回路基板から1つの回路基板アセンブリが設けられ、
前記複数の回路基板のそれぞれに複数の穴を開け、
前記複数の穴のうちの少なくともいくつかをめっきして、複数のRF相互接続を設け、前記複数のRF相互接続のうちの少なくとも1つは、第1の回路基板の第1の層上の第1の回路と、第2の異なる回路基板の第1の層上の第1の回路との間に電気信号経路を設け、
その一部としてRFスタブが設けられる各RF相互接続の周囲にRF整合パッドを設け、該RF整合パッドのそれぞれは、1つの対応するRF相互接続に電気的に結合され、前記RF整合パッドのそれぞれは、該RF整合パッドに電気的に結合される前記RF相互接続のインピーダンス特性を調整するため、RF整合パッドを設ける、
ことを含む製造方法。 - その一部としてRFスタブが設けられる各RF相互接続の周囲にRF整合パッドを設けることは、前記RF相互接続が通過する回路基板の少なくとも1つの層上に導体を設けることを含み、前記導体は、該導体が前記RF相互接続に電気的に結合されるように、前記RF相互接続の近くに配置され、前記導体のサイズ及び形状は、前記RF相互接続のインピーダンス特性を調整するように選択される、請求項25に記載の方法。
- 前記導体のうちの少なくとも1つは円板形を有するように設けられる、請求項26に記載のタイルサブアレイ。
- その一部としてRFスタブが設けられる各RF相互接続の周囲にRF整合パッドを設けることは、前記RF相互接続を該RF相互接続の周囲のグランドプレーンから電気的に分離するために、前記グランドプレーン内にリリーフエリアを設けることを含み、該リリーフエリアのサイズ及び形状は、前記RF相互接続のインピーダンス特性を調整するように選択される、請求項25に記載のタイルサブアレイ。
- 前記リリーフエリアは、アニュラリング形状を有するように設けられる、請求項28に記載のタイルサブアレイ。
- 前記複数の穴のうちの少なくともいくつかをめっきして、前記複数の回路基板内に1つ又は複数のモード抑圧バイアを設け、前記RF相互接続を周囲の回路から電気的に分離することをさらに含む、請求項25に記載のプリント回路基板アセンブリ。
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