JP2010507929A - タイルサブアレイ並びに関連する回路及び技法 - Google Patents

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Abstract

タイルサブアレイは、第1の複数のプリント回路基板から設けられる上側多層アセンブリ(UMLA)と、第2の複数のプリント回路基板から設けられる下側多層アセンブリ(LMLA)とを含む。UMLA及びLMLAのそれぞれは、UMLA及びLMLAを構成する異なる回路基板上の異なる回路層間に1つ又は複数の無線周波数(RF)相互接続を含む。RF相互接続は、1つ又は複数のRF整合パッドを含むことができ、RF整合パッドは、所望のRF動作周波数帯にわたって所望の挿入損失及びインピーダンス特性を有するRF相互接続を設けるために、RFスタブのインピーダンス特性を整合させるための機構を提供する。RF整合パッドによって、UMLA及びLMLA内のRF相互接続のスタブ部分を除去するために任意のバックドリル及びバックフィル作業の実行を必要とすることなく、RF相互接続を有する回路基板を製造することができる。

Description

本発明は概括的には、比較的低コストで大量生産するのに適しており、比較的低プロファイルのフェーズドアレイアンテナに関し、より詳細には、フェーズドアレイアンテナにおいて利用される無線周波数(RF)回路及び技法に関する。
当該技術分野において知られているように、フェーズドアレイアンテナは、既知の距離だけ互いに離隔して配置されると共に、複数の移相器回路を通じて送信機、受信機のうちの一方又は両方に結合される複数のアンテナ素子を含む。場合によっては、移相器回路は、送信機及び/又は受信機の一部であると見なされる。
フェーズドアレイアンテナシステムは、無線周波数エネルギー(RF)のビームを生成すると共に、送信機又は受信機と、アンテナ素子のアレイとの間で行き来するRFエネルギーの位相を(移相器回路を介して)制御することによって、そのようなビームを選択された方向に誘導するように構成されることも知られている。電子走査式のフェーズドアレイでは、移相器回路の位相(それゆえ、ビーム方向)は、移相器部のそれぞれに制御信号又は制御ワードを送信することによって選択される。制御ワードは典型的には、所望の位相シフト、並びに所望の減衰レベル及び他の制御データを表すデジタル信号である。
フェーズドアレイアンテナ内に移相器回路及び振幅制御回路を含む結果として、典型的に、アンテナは相対的に大きく、重く、且つ高価になる。アンテナが、いわゆる「アクティブアパーチャ」(又はさらに簡単に言うと、「アクティブ」)フェーズドアレイアンテナとして設けられるとき、アクティブアパーチャアンテナは送信回路及び受信回路の両方を含むので、フェーズドアレイアンテナにおけるサイズ、重量及びコスト問題はさらに深刻になる。
フェーズドアレイアンテナは多くの場合に、防衛及び民間の両方の電子システムにおいて用いられる。たとえば、アクティブ電子走査アレイ(AESA)は、レーダ監視、陸上通信及び衛星通信、移動電話、ナビゲーション、識別、並びに電子妨害手段のような広範な防衛及び民間の電子システムにおいて需要がある。そのようなシステムは多くの場合に、全米ミサイル防衛、戦域ミサイル防衛、戦艦自衛及び広域防衛のためのレーダ、船舶及び航空機レーダシステム、並びに衛星通信システムにおいて用いられる。したがって、それらのシステムは多くの場合に、船舶、航空機、ミサイルシステム、ミサイルプラットフォーム、衛星、又は限られた量の空間しか利用することができない建物のような、単一の構造上に配置される。
AESAは、パッシブ走査式アレイ及び機械操作式アパーチャよりも、数多くの性能に関する利点を提供する。しかしながら、AESAを配置することに関連付けられ得るコストによって、それらの使用が特殊な軍事システムに限られる可能性がある。アレイのコストを一桁下げられれば、AESAを、レーダ、通信及び電子戦(EW)の用途で、軍事及び民間のシステムの中で広く使用することが可能になり得る。AESA構成の性能及び信頼性に関する利点は、船舶、航空機、衛星、ミサイル及び潜水艦を含む、種々のプラットフォームにも及び得る。
多くの従来のフェーズドアレイアンテナは、いわゆる「レンガ(brick)」タイプの構造を使用する。レンガ構造では、フェーズドアレイ内のアクティブ素子に供給される無線周波数(RF)信号及び電源信号は一般的に、アンテナアパーチャと同じ場所を占める(又はアンテナアパーチャによって画定される)面に対して垂直な面内に分配される。レンガタイプ構造のアンテナアパーチャ及びRF信号の直交配置によって、アンテナが単一偏波構成に制限されることもある。さらに、レンガタイプ構造の結果として、アンテナが非常に大きく、且つ重くなる可能性があり、それによって、そのようなアンテナを輸送し、配置するのが難しくなる。
フェーズドアレイアンテナのための別の構造は、いわゆる「タイル(tile)」構造である。タイル構造によれば、RF回路及びRF信号は、アンテナアパーチャによって画定される面に平行な面内に分配される。タイル構造は、「タイル」の形をとる基本構成要素を使用し、各タイルは、アセンブリ内に含まれるアンテナ素子及びそれに関連付けられるRF回路を含む、多層プリント回路基板構造から形成することができ、各アンテナタイルは、それだけで概ね平坦なフェーズドアレイとして動作することができるか、又ははるかに大きなアレイアンテナのサブアレイとして動作することができる。
タイル構造を有する例示的なフェーズドアレイの場合に、各タイルは、放射器、送信/受信(T/R)チャネル、RF及び電源マニホールド、並びに制御回路を組み込む、高度に集積されたアセンブリとすることができ、それらの構成要素は全て、AESAを実現するための低コストで、軽量のアセンブリ内に一体化することができる。そのような構造は、意図した目的(たとえば、空輸又は宇宙での用途)を果たすために、又は戦術的なアンテナを所望の場所に輸送し、配置するために、アンテナの重量及びサイズを低減することが重要である用途にとって、特に有利に働く可能性がある。
それゆえ、既存の技術と比べて、フロントエンドアクティブアレイのサイズ、重量及びコストが一桁小さく、同時に高性能を実証するAESAを提供することが望ましいであろう。
上記のように、フェーズドアレイのコストが相対的に高いことから、非常に特殊な用途を除いて、フェーズドアレイを使用することが妨げられている。特にアクティブな送信/受信チャネルの場合に、組立コスト及び部品コストは、大きなコスト上昇の要因である。フェーズドアレイのコストは、バッチ処理を利用し、部品及びアセンブリの接触作業を最小限に抑えることによって削減することができる。コスト効率的に製造することができ、自動化された工程を用いて組み立てることができ、アクティブ電子走査アレイ(AESA)に組み立てる前に個別に試験することができる、コンパクトなAESA用のタイルサブアレイを提供することが好都合であろう。また、フェーズドアレイの取得コスト及びライフサイクルコストを下げると同時に、帯域幅、偏波ダイバーシティ、及びロバストなRF動作特性を改善して、益々難しくなるアンテナ動作要件を満たすことも必要とされている。
本明細書において記述されるタイルサブアレイ構造の少なくともいくつかの実施の形態によれば、地上、海上及び空中プラットフォームにおける、多岐にわたるフェーズドアレイレーダの目的又は通信目的を、コスト効率的なフェーズドアレイで解決することができるようになる。さらに、少なくとも1つの実施の形態では、そのタイルサブアレイは、航空機翼若しくは胴体、又は無人機(UAV)上のコンフォーマルアレイにも適用することができる、薄く、軽量の構成を提供する。
いわゆる「パッケージレスT/Rチャネル」の一実施の形態では、タイルサブアレイは、次世代のレーダ及び通信システムのためのコスト及び性能に同時に対処する。多くのフェーズドアレイ設計は、単一の目的又はプラットフォームのために最適化される。対照的に、本明細書において記述されるタイルサブアレイ構造は自由度が高いので、さらに大きな1組の目的を解決することができるようになる。たとえば、一実施の形態では、それぞれ本明細書においてさらに説明する、いわゆる上側多層アセンブリ(UMLA)及び下側多層アセンブリ(LMLA)が、共通の構成要素としての役割を果たす。UMLAは、層を成すRF伝送線路アセンブリであり、RF信号分配、インピーダンス整合及び偏波ダイバーシティ信号の生成を実行する。製造は、多層プリント配線板(PWB)材料及び工程に基づく。LMLAは、パッケージレス送信/受信(T/R)チャネル、及び埋込サーキュレータ層サブアセンブリを集積する。好ましい実施の形態では、LMLAは、ボールグリッドアレイ(BGA)相互接続手法を用いて、UMLAに結合される。パッケージレスT/Rチャネルは、コストがかかるT/Rモジュールパッケージ部品及び関連するアセンブリコストを不要にする。パッケージレスLMLAの重要な構成要素は下側多層基板(LMLB)である。LMLBは、RF、DC、及び論理信号分配、並びに埋込サーキュレータ層を集積する。ピック・アンド・プレース装置を用いて、LMLA上に、全てのT/Rチャネルモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)並びに構成要素、RF、DC/論理コネクタ、及び熱拡散境界板を組み立てることができる。
本発明のさらに別の態様によれば、タイルサブアレイは、異なる回路基板上の異なる回路層間の1つ又は複数のRF相互接続を含む、少なくとも1つのプリント回路基板アセンブリを含み、RF相互接続のそれぞれは1つ又は複数のRF整合パッドを含み、RF整合パッドは、所望のRF動作周波数帯にわたって所望の挿入損失及びインピーダンス特性を有するRF相互接続を設けるために、RFスタブのインピーダンス特性を整合させるための機構を提供する。
この特定の構成によれば、RFバイアスタブを除去するために典型的に必要とされるバックドリル及びバックフィル作業の実行を必要とすることなく、タイルサブアレイを製造することができる。RF整合パッド技法は、回路基板のブランク層(すなわち、銅を含まない層)上に、又は回路基板のグランドプレーン層(リリーフエリアがエッチングされている)内に導体が設けられる技法を指している。導体及び関連するリリーフエリアは、回路基板内に設けられるRFバイア(RF相互接続回路とも呼ばれる)のインピーダンス特性を調整するための機構を提供する。バックドリル及びバックフィル作業を利用する必要がなくなるので、RF整合パッド手法によれば、標準的な低アスペクト比の穿孔及びめっき製造作業によって、内部回路層を接続し、且つX帯(8GHz〜12GHz)のような所望の周波数帯にわたって低挿入損失の特性も有するRFバイアを製造することができるようになる。
モード抑圧バイアが、RF相互接続を周囲の回路から電気的に分離するのを助け、それによって信号経路間で信号が「漏洩する」のを防ぐことが知られている。従来のシステムでは、相互接続RFバイアが穿孔及びめっきされるのと同時に、モード抑圧バイアも穿孔及びめっきされる。
しかしながら、本発明のRF整合パッド手法によれば、アセンブリ全体を通じて、全てのRF及びモード抑圧バイアを穿孔及びめっきすることができ、RF相互接続上でバックドリル及びバックフィル作業を利用する必要はない。したがって、ドリル公差及びバックフィル材料公差に起因するチャネル間変動がなくなるので、RF性能が改善されるのと同時に、バックドリル及びバックフィル作業に関連する製造コストを全く不要にすることができる。
一実施の形態では、RF整合パッド技法は、RF相互接続及びモード抑圧回路のグランドプレーン層内のアニュラリング・リリーフエリアによって取り囲まれる銅円板を利用する。RF整合パッド技法は一般的な技法であり、RF相互接続と、ストリップライン伝送線路の中央導体のようなRF信号経路との間のRF接合部を越えて、4分の1波長以下だけ延在する任意のRFスタブに適用することができる。
本発明の上記の特徴、及び本発明そのものは、図面に関する以下の説明から、さらに十分に理解することができる。
複数のタイルサブアレイから形成されるアレイアンテナの平面図である。 図1に示されるアレイアンテナにおいて用いられるタイプのタイルサブアレイの斜視図である。 図1Aに示されるタイルサブアレイの一部の組立分解斜視図である。 図1A及び図1Bに示されるタイルサブアレイの一部の断面図である。 単一の送信/受信(T/R)チャネルを有する二重円偏波(CP)タイルサブアレイの一部のブロック図である。 図1Cに示されるタイプの上側多層アセンブリ(UMLA)の断面図である。 図3に示される移行部の拡大した断面図である。 図4の断面の平面図である。 図4の断面の底面図である。 図3に示されるRF移行部の拡大した斜視図である。 図3及び図4に示される移行部の場合に予測される挿入損失対周波数のプロット図である。 図3に示される移行部の拡大した断面図である。 図5の断面の平面図である。 図5の断面の底面図である。 図3に示される移行部の拡大した斜視図である。 図3及び図4に示される移行部の場合に予測される挿入損失対周波数のプロット図である。 RF整合パッドの導電性領域又はリリーフエリアのための例示的な幾何学的形状の平面図である。 RF整合パッドの導電性領域又はリリーフエリアのための例示的な幾何学的形状の平面図である。 上側多層アセンブリ(UMLA)に結合される下側多層アセンブリ(LMLA)の代替的な実施形態のブロック図である。
図面及び本文において明確にするために、図面は必ずしも縮尺どおりではなく、全体として、本発明の原理を例示することが重要視されていることは理解されたい。
本発明の種々の実施形態を説明する前に、本明細書では、特定のアレイ形状及び/若しくはサイズ(たとえば、特定の数のアンテナ素子又は特定の数のタイル)を有するアレイアンテナ、又は特定の数の「タイルサブアレイ」(さらに簡単に言うと、「タイル」)から構成されるアレイアンテナについて言及することがあることに留意されたい。本明細書において記述される技法は、種々のサイズ及び形状のアレイアンテナに適用することができることは当業者には理解されよう。
同様に、本明細書では、特定の幾何学的形状(たとえば、正方形、長方形、円形)及び/若しくはサイズ、又は特定の格子タイプ若しくは間隔のアンテナ素子を有するタイルサブアレイについて言及することがある。本明細書において記述される技法は、種々のサイズ及び形状のアレイアンテナ、並びに種々のサイズ及び形状のタイルサブアレイに適用することができることは当業者には理解されよう。
したがって、本明細書において以下の説明は、概ね正方形又は長方形の形状を有し、概ね正方形又は長方形を有する複数のタイルサブアレイから構成されるアレイアンテナとの関連で発明の概念を説明するが、その概念が、他のサイズ及び形状のアレイアンテナ、並びに種々の異なるサイズ、形状及びタイプのアンテナ素子を有するタイルサブアレイにも同じく当てはまることは当業者には理解されよう。また、タイルは、限定はしないが、周期的な格子配列又は構成(たとえば、長方形、円形、正三角形又は二等辺三角形、及び螺線形の構成)、並びに任意の形状のアレイ形状を含む非周期的な幾何学的形状又は他の幾何学的形状の配列を含む、種々の異なる格子配列で配列することができる。
また、本明細書では、特定のタイプ、サイズ及び/又は形状のアンテナ素子を含むアレイアンテナについても言及することがある。たとえば、1つのタイプの放射素子は、特定の周波数(たとえば、10GHz)又は周波数範囲(たとえば、X帯周波数範囲)における動作に適合する正方形及びサイズを有する、いわゆるパッチアンテナ素子である。また、本明細書では、いわゆる「スタックパッチ」アンテナ素子についても言及することがある。当然、他の形状及びタイプのアンテナ素子(たとえば、スタックパッチアンテナ素子以外のアンテナ素子)が用いられることもあること、及びRF周波数範囲内の任意の周波数(たとえば、約1GHz〜約100GHzの範囲内の任意の周波数)における動作のために、1つ又は複数のアンテナ素子のサイズが選択されることがあることは当業者には理解されよう。本発明のアンテナにおいて用いられる放射素子のタイプは、限定はしないが、当業者に知られているノッチ素子、ダイポール、スロット又は任意の他のアンテナ素子(その素子がプリント回路素子であるか否かにはよらない)を含む。
また、各タイルサブアレイ内のアンテナ素子は、長方形、正方形、三角形(たとえば、正三角形又は二等辺三角形)及び螺旋形の構成のような周期的な格子配列(又は構成)、並びに非周期的格子配列又は任意の格子配列を含む、複数の異なるアンテナ素子格子配列のうちのいずれか1つを有するように設けることができることは当業者には理解されるであろう。
本明細書において記述されるタイルアレイ構造の少なくともいくつかの実施形態の用途は、限定はしないが、船舶、空輸、ミサイル及び衛星の用途を含む、多種多様な用途のためのレーダ、電子戦(EW)及び通信システムを含む。タイルサブアレイの少なくとも1つの実施形態の場合に、送信/受信(T/R)チャネル当たり1オンス未満の重量と、チャネル当たり100ドル未満の製造コストとを有するタイルサブアレイが望ましい。したがって、本明細書において記述されるタイルサブアレイは、レーダシステム又は通信システムの一部として用いることができることは理解されたい。
また、本明細書においてさらに説明されるように、本発明の少なくともいくつかの実施形態は、限定はしないが、軍事、空輸、海上輸送、通信、無人機(UAV)及び/又は民生用無線の用途に適用することができる。
後述するタイルサブアレイは、埋込サーキュレータ;スロット結合、偏波エッグクレート放射器;単一の集積モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC);及びパッシブ無線周波数(RF)回路構造を利用することもできる。たとえば、本明細書においてさらに説明するように、本発明の譲受人に譲渡される、以下の、「Embedded Planar Circulator」と題する米国特許第6,611,180号、「Slot Coupled, Polarized, Egg-Crate Radiator」と題する米国特許第6,624,787号、及び/又は「Multilayer stripline radio frequency circuits and interconnection methods」と題する米国特許第6,731,189号において記述される技術を、全体として、又は一部おいて用いることができ、且つ/又は本明細書において記述されるタイルサブアレイの少なくともいくつかの実施形態と共に用いられるように適合することができる。上記の特許のそれぞれは、参照により本明細書にそれらの全体が援用される。
ここで図1を参照すると、アレイアンテナ10が、複数のタイルサブアレイ12a〜12xから構成される。この例示的な実施形態では、x個の全タイルサブアレイ12が、アレイアンテナ10全体を構成することは理解されたい。一実施形態では、タイルサブアレイの全数は16タイルサブアレイ(すなわち、x=16)である。完全なアレイアンテナを設けるために用いられるタイルサブアレイ12の特定の数は、限定はしないが、動作周波数、アレイ利得、アレイアンテナのために利用することができる空間、及びアレイアンテナ10が用いられることが意図される特定の用途を含む、種々の要因に従って選択することができる。当業者は、完全なアレイアンテナを設けるときに用いるためのタイルサブアレイ12の数を選択するための方法を理解するであろう。
タイル12b及び12iにおいて示されるように、図1の例示的な実施形態では、各タイルサブアレイ12a〜12xは、8行13a〜13hのアンテナ素子15を含み、各行は8個のアンテナ素子15(又はさらに簡単に言うと、「素子15」)を含む。したがって、タイルサブアレイ12a〜12xのそれぞれは、8×8タイルサブアレイと言われる。素子15は、アレイアンテナ10の露出した表面(又は前面)上で直接見ることができないので、各アンテナ素子15は図1において透視して示されることに留意されたい。したがって、この特定の実施形態では、各タイルサブアレイ12a〜12xは、64個のアンテナ素子を含む。アレイ10が16個のそのようなタイルから構成される場合には、アレイ10は、全部で1,024個のアンテナ素子15を含む。
別の実施形態では、タイルサブアレイ12a〜12xのそれぞれは、16個の素子を含む。したがって、アレイ10が16個のそのようなタイルから構成され、各タイルが16個のアンテナ素子15を含む場合には、アレイ10は全部で256個のアンテナ素子15を含む。
さらに別の例示的な実施形態では、タイルサブアレイ12a〜12xのそれぞれは、1024個の素子15を含む。したがって、アレイ10が16個のそのようなタイルから構成される場合には、アレイ10は、全部で16,384個のアンテナ素子15を含む。
それゆえ、上記の例示的な実施形態を考えると、タイルサブアレイのそれぞれは任意の所望の数の素子を含むことができることは理解されたい。タイルサブアレイ12a〜12xのそれぞれに含まれる素子の特定の数は、限定はしないが、所望の動作周波数、アレイ利得、アレイアンテナのために利用することができる空間、アレイアンテナ10が用いられることが意図される特定の用途、及び各タイルサブアレイ12のサイズを含む、種々の要因に従って選択することができる。任意の所与の用途の場合に、各タイルサブアレイに含まれる放射素子の相応しい数を選択するための方法を、当業者は理解されよう。アンテナアレイ10のようなアンテナアレイ内に含まれるアンテナ素子15の全数は、アンテナアレイ内に含まれるタイルの数、及び各タイル内に含まれるアンテナ素子の数に応じて決まる。
以下の説明から明らかになるように、各タイルサブアレイは電気的に自律(自立)している(当然、1つのタイル内、及び異なるタイル上の素子15間で行なわれる任意の相互結合を除く)。したがって、タイル上の各放射器との間でRFエネルギーを結合するRF給電回路は、そのタイル内に完全に組み込まれる(すなわち、タイル12b内の素子15との間でRF信号を結合するRF給電及びビーム形成回路の全てがタイル12bの中に含まれる)。以下に図1B及び図1Cとの関連で説明されるように、各タイルは1つ又は複数のRFコネクタを含み、RF信号は、各タイルサブアレイ上に設けられるRFコネクタ(複数可)を通じて、そのタイルに供給される。
また、送信/受信(T/R)回路との間で信号を結合する、論理信号のための信号経路及び電源信号のための信号経路は、T/R回路が存在するタイル内に含まれる。以下に図1B及び図1Cとの関連で説明するように、RF信号は、タイルサブアレイ上に設けられる1つ又は複数の電源/論理コネクタを通じて、そのタイルに供給される。
アレイ10全体のためのRFビームは、タイルサブアレイ12a〜12xのそれぞれからのRF出力を合成する外部の(すなわち、タイルサブアレイ12のそれぞれの外部にある)ビームフォーマによって形成される。当業者に知られているように、ビームフォーマは従来的に、N個のサブアレイを1つのRF信号ポートに合成するプリント配線板ストリップ回路として実装されることがある(それゆえ、ビームフォーマは1:Nビームフォーマと呼ばれることがある)。
タイルサブアレイは、アレイアンテナを構成する各タイルにわたってアレイ格子パターンが連続しているように、従来の技法を用いて取付構造物に機械的に固定されるか、又は他の方法で固定される。一実施形態では、取付構造物は、タイルサブアレイが留め具(たとえば、#10〜32サイズのねじ等)を用いて固定される「額縁」として設けることができる。タイルのかみ合う部分の間の公差は、約±0.005インチの範囲内にあることが好ましいが、限定はしないが、動作周波数を含む種々の要因に基づいて、それよりも大きな公差を許容することができることもある。タイルサブアレイ12a〜12xは、アレイ格子パターン(それは、図1の例示的な実施形態では、三角形の格子パターンとして示される)がアレイ10の表面10a(又は「前面」)全体にわたって電気的に連続して見えるように、機械的に取り付けられることが好ましい。
本明細書において記述されるタイルサブアレイ(たとえば、タイルサブアレイ12a〜12x)の実施形態は、タイルサブアレイのマイクロ波回路が、タイルから構成されるアレイアンテナの前面(又は表面)(たとえば、アレイアンテナ10の表面10a)によって画定される平面に対して平行である平面内に配置される回路層内に含まれるという点で、従来のいわゆる「レンガ」アレイ構造とは異なることは理解されたい。図1の例示的な実施形態では、たとえば、タイル12a〜12xが設けられる回路基板の層上に設けられる回路は全て、アレイアンテナ10の表面10aに対して平行である。アレイアンテナの前面によって画定される平面に対して平行である回路層を利用することによって、タイル構造手法は結果として、低減されたプロファイル(すなわち、従来のアレイアンテナの厚みに比べて薄くされた厚み)を有するアレイアンテナを形成する。
都合が良いことに、本明細書において記述されるタイルサブアレイ実施形態は、民生品(COTS)マイクロ波材料、及び高度に集積されたアクティブモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)を用いて、高度に集積されたパッシブRF回路を製造するための標準的なプリント配線板(PWB)製造工程を用いて製造することができる。この結果として、製造コストが削減される。タイルサブアレイは、従来のPWB製造技法を用いて、PWBの比較的大きなパネル又はシートから設けることができるので、アレイアンテナ製造コストも削減することができる。
1つの例示的な実施形態では、1枚のシート(又は多層PWB)上に、0.5メートル×0.5メートルの寸法を有し、1024個の二重円偏波アンテナ素子を含むアレイアンテナ(パネルアレイと呼ばれることもある)が製造された。本明細書において記述される技法によれば、標準的なプリント配線板工程を用いて、多層プリント配線板(PWB)の1枚のシートから、1m×1mまでの寸法を有し、4096個までのアンテナ素子を含むパネルを製造することができるようになる。アレイ内のT/Rチャネルの製造を含む製造工程全体を通じて「バッチ処理」手法を用いることができるので、大きなパネルを利用するアレイアンテナの製造は、多数のアンテナ素子を関連するRF給電及びビーム形成回路と集積することによって、コストを削減する。バッチ処理は、自動化された装置を用いて、材料及び部品を大量生産し、且つ/又は組み立てることを利用することに関連している。特定のアンテナ設計を製造するためにバッチ処理手法を用いることができることは、結果として、一般的に製造コストが相対的に低くなるので望ましい。タイル構造を用いる結果として、アレイアンテナは、同じサイズの(すなわち、概ね同じ物理的寸法を有する)従来のアレイと比べて、低プロファイルを有し、軽量になる。
ここで、図1Aを参照すると、図1の同様の構成要素が同様の参照指示を有するように与えられ、タイルサブアレイ12a及び12c〜12xの代表としてタイルサブアレイ12bが図示されており、タイルサブアレイ12bは上側多層アセンブリ(UMLA)18を含む。UMLA18は、放射器サブアセンブリ22を含み、この例示的な実施形態では、いわゆる「二重円偏波スタックパッチエッグクレート放射器」アセンブリとして設けられ、それは、本発明の譲受人に譲渡され、参照によりその全体が本明細書に援用される、「Slot Coupled, Polarized, Egg-Crate Radiator」と題する米国特許出願第6,624,787号において記述されるタイプと同じか、又は概ね同じにすることができる。当然、図面及び本文によって与えられる説明において明確にするためだけに、本明細書において特定のタイプの放射器サブアセンブリが説明されることは理解されたい。特定のタイプの放射器を記述することは、決して限定することを意図するものではなく、限定するものと解釈されるべきではない。したがって、タイルサブアレイにおいて、スタックパッチアンテナ素子以外のアンテナ素子を用いてもよい。
放射器サブアセンブリ22は、レードームとしての役割を果たすことができる第1の表面22a及び反対側にある第2の表面22bを有するように設けられる。図1B及び図1Cとの関連で以下に詳細に説明するように、放射器サブアセンブリ22は、複数のマイクロ波回路基板(PWBとも呼ばれる)(図1Aでは見ることができない)から構成される。放射器素子15は、表面22aの下に配置され、それゆえ、図1Aの図では直接見ることができないので、図1Aでは透視して示される。
放射器サブアセンブリ22は、上側多層(UML)基板36(又はUMLB36)上に設けられる。以下に図1B、図1Cとの関連で詳細に説明するように、本明細書において記述される例示的な実施形態では、UML基板36は、8つの個別のプリント回路基板(PCB)から構成され、それらのプリント回路基板が結合されて、UML基板36が形成される。当然、他の実施形態では、UML基板36は、8つよりも少ないか、又は多いPCBから構成されてもよいことは理解されたい。UML基板36は、放射器サブアセンブリ22の一部として設けられるアンテナ素子15との間でRF信号を結合するRF給電回路を含む。
UML基板36は第1の相互接続基板50上に配置され、この特定の実施形態では、それはいわゆる「ファズボタン(Fuzz Button)」基板50として設けられる。相互接続基板50は、サーキュレータ基板60上に配置され、その基板はさらに、第2の相互接続基板71上に配置される。図1Bとの関連で説明するように、第2の相互接続基板71は、複数のT/Rモジュール76(図1B)上に配置される、いわゆるファズボタンエッグクレート基板として設けられることがある。ファズボタンエッグクレート基板71は、下側多層(LML)基板80上に配置され、LML基板80は熱拡散板86上に配置される。LML基板80及び熱拡散板86は、T/Rモジュール76(図1Aでは見ることができない)と共に、下側多層アセンブリ20(LMLA20)を構成する。
「ファズボタン」基板50は、UML基板36及びサーキュレータ基板60上の回路及び信号間のRF信号経路を与える。同様に、「ファズボタン」エッグクレート基板71は、サーキュレータ基板60とLML基板80との間のRF信号経路を与える。図1Bとの関連で以下の説明から明らかになるように、ファズボタンエッグクレート基板71は、LML基板80の表面上に設けられる複数のT/Rモジュール(図1Aでは見ることができない)上に配置される。ファズボタン基板50及びファズボタンエッグクレート基板71はそれぞれ多数の同軸RF伝送線路から構成され、各同軸RF伝送線路は、円筒形に紡いだベリリウム‐銅ワイヤから構成され、誘電体スリーブの中に圧縮され(それはいわゆるファズボタンを形成する)、詰め込まれることができる。その後、ファズボタン/誘電体スリーブアセンブリが、金属基板(たとえば、基板50内)、又は金属エッグクレートに組み付けられる。ファズボタン基板50及びファズボタンエッグクレート71によって、UML基板36、サーキュレータ基板60及びLML基板80を機械的に組み立てることができるようになる。これは、比較的大きなアレイアンテナ(たとえば、地上基地レーダアレイのための、面積が約1平方メートル(1m)よりも大きなアレイ面を有するアレイアンテナ)にとって重要であり、「既知の良好なサブアセンブリ」(すなわち、既に試験されており、試験において満足がいくように動作することがわかっているサブアセンブリ)を集積することによって、相対的に高い歩留まりが達成される。しかしながら、それより小さなアレイの場合(たとえば、移動体レーダアレイのための、面積が約1mよりも小さなアレイ面を有するアレイアンテナ)、UML基板36、サーキュレータ基板60及びLML基板80は、本発明の譲受人に譲渡され、参照によりその全体が本明細書に援用される、「Multilayer stripline radio frequency circuits and interconnection methods」と題する米国特許第6,731,189号に記述されるように、ボールグリッドアレイ相互接続法を用いて、機械的且つ電気的に集積することができる。こうして、この手法によれば、用途及びプラットフォームに合わせて柔軟に組み立てることができるようになる。
上記のように、ファズボタン基板50は、サーキュレータ基板60上に配置される。この特定の実施形態では、サーキュレータ基板60は、いわゆる「RFオンフレックス(RF-on-Flex)サーキュレータ」基板60として設けられる。サーキュレータ基板60は、本発明の譲受人に譲渡され、参照によりその全体が本明細書に援用される、「Embedded Planar Circulator」と題する米国特許第6,611,180号に記述されるタイプと同じもの、又は類似のものとすることができる。
サーキュレータ基板60は、その中に、タイルサブアレイ内に設けられる送信信号経路と受信信号経路との間のRF信号の結合を妨げるように配置される複数の埋込サーキュレータ回路を設けられている。すなわち、サーキュレータ基板60は、送信信号経路を受信信号経路から分離するための役割を果たす。
サーキュレータ基板60は第2の相互接続基板71(別名は、ファズボタンエッグクレート基板71)上に配置され、その中には複数の送信/受信(T/R)モジュール(図1Aでは見ることができない)が配置される。ファズボタンエッグクレート基板71は、T−Rモジュール(LML基板80上の回路にはんだ付けされるか、又は別の方法で電気的に結合される)とサーキュレータ基板60との間でRF信号を結合するように配置される。
上記のように、ファズボタンエッグクレート層71は下側多層(LML)基板80上に配置され、LML基板80は熱拡散板86上に配置され、T/Rモジュール76、下側多層(LML)基板80及び熱拡散板86は合わせて、下側多層アセンブリ(LMLA)20を構成する。図1Aに示される特定の例示的な実施形態では、ファズボタンエッグクレート層71はLMLA20の一部として含まれないことに留意されたい。
ここで図1Bを参照すると、図1及び図1Aの同様の構成要素が同様の参照指示を有するように与えられており、放射器サブアセンブリ22は、第1の放射器基板24、第1のいわゆる「エッグクレート」基板26(図1Cにおいてエッグクレート壁26a、26bを見ることができる)、第2の放射器基板28及び第2のエッグクレート基板30(図1Cにおいてエッグクレート壁30a、30bを見ることができる)から構成される。第1の基板24は、第1の複数の放射アンテナ素子15aを含む(第1の複数の放射アンテナ素子15aは図1Cにおいて最も明確に見ることがきる)。基板24は、第1のいわゆる「エッグクレート」基板26上に配置され、放射素子のそれぞれは、エッグクレート基板26内の開口部に位置合わせされるように配置されている。
エッグクレート基板26は、第2の基板28の第1の表面28a上に配置される。その基板の反対側にある第2の表面28bは、その上に配置される第2の複数の放射アンテナ素子15bを有する。第2の複数の放射素子15bは、この図では直接見ることができないので、図1Bでは透視して示される。放射素子15a、15bは図1Cの図において明確に見ることができる。第1の素子15a及び第2の素子15bは、合わせて考えられるときに、図1及び図1Aにおいて全体として15で示される。第2の基板28は第2の「エッグクレート」基板30上に配置される。第1のエッグクレート基板26及び第2のエッグクレート基板30は、第2のエッグクレート基板30内の開口部が第1のエッグクレート基板26内の開口部と位置合わせされるように位置合わせされる。第2の基板28上の1組のアンテナ素子15bは、第2のエッグクレート基板30内の開口部と位置合わせされるように配置される。
放射器サブアセンブリ22は、複数の基板38、40から構成されるUML基板36上に配置され、それらの基板は、放射器サブアセンブリ22のアンテナ素子と、以下に説明するRF送信機及び受信機回路との間でRF信号を結合するRF給電回路を含む。RF給電回路基板38、40そのものは、多数の個別の回路基板から構成されることがあり、それらの回路基板はUML基板36を設けるために接着されるか、又は別の方法で結合されることは理解されたい。
放射器サブアセンブリ22及びUML基板36は合わせて、UMLA18を形成することも理解されたい。UMLA18は、LMLA20上に配置され、且つ結合される。具体的には、UML基板36はファズボタン基板50、サーキュレータ基板60及びファズボタンエッグクレート基板71上に配置される。したがって、この特定の実施形態では、ファズボタン基板50、サーキュレータ基板60及びファズボタンエッグクレート基板71は、UMLA18とLMLA20との間に配置される。ファズボタン基板50は、UMLA18内の回路基板及びサーキュレータ基板60の多数のバイア間のRF接続を容易にする。ファズボタンエッグクレート基板71は、サーキュレータ基板60とLMLA20との間のRF接続を容易にする。
ファズボタンエッグクレート基板71は、T/Rモジュール、及びLMLB80の表面上に配置される。図1Bの組立分解図では、T/Rモジュール76はLML基板80から離れて示されるが、実際には、T/Rモジュール76は、従来の技法を用いて、LML基板80に結合されることは理解されたい。LML基板80は熱拡散板86上に配置され、熱拡散板86は、その中心線の一部に沿ってスロット87を形成されている。
熱拡散板86、LML基板80及びT/Rモジュール76は合わせてLMLA20を構成する。複数のDC及び論理コネクタ88、90が、熱拡散板86内に設けられるスロット86及び開口部を通じて配置され、LMLA20への電気的な入力/出力接続を与える。一対のRFコネクタ91a、91bも熱拡散板86内の穴93a、93bを通じて配置され、それによって、LML基板80と電気的に接続し、タイル12bのためのRF接続ポートを提供する。
UMLA18、ファズボタン基板50、サーキュレータ基板60、ファズボタンエッグクレート基板71及びLMLA20はそれぞれ、その中に複数の穴94を設けられる。図を明確にするために、全ての穴94が示されているわけではなく、図示されている全ての穴が符号を付されているわけではない。穴94のそれぞれの少なくとも一部はねじ山を切られる。92で包括的に示される対応する複数のねじが穴94の中に入り、ねじ92上のねじ山が、穴94内の対応するねじ山と噛み合う。したがって、複数のねじ92が共に締り、UMLA18をLMLA20に固定し(それゆえ、その間にある基板50、60及び71を固定し)、それによって、組み立てられたタイル12bが与えられる。図1Bの例示的な実施形態では、放射器アセンブリ22内の穴94のうちの一部がねじ山を切られ、熱拡散板86及びLMLA20の中にねじが挿入され、放射器アセンブリ22内の穴94のうちのねじ山を切られた部分と噛み合う。再び、図を明確にするために、全てのねじ92が示されているわけではなく、図示される全てのねじが符号を付されるわけではない。
ねじ92が穴94の中に入ることができるようにするために、UMLA18及びLMLA20を構成する基板のそれぞれにおいて、基板のそれぞれの穴94が位置合わせされなければならないことは理解されたい。また、重要なこととして、穴94は、タイル12bを提供する基板内に設けられる任意の回路又は回路部品を避けるように、基板内に配置されなければならない。
一対のボス95が点96において熱拡散板に結合され、タイル12bと機械的に結合するためのポイントを与える。一実施形態では、ボス95はねじ山を切られ、液体冷却板アセンブリ、又は(この事例の場合のように)空冷によって熱管理するための熱交換器アセンブリ(たとえば、以下に説明される熱拡散板86)を取り付けるために利用可能にされる。
図1Bには2つのLMLA20しか示されていないこと、及び完全なタイルサブアレイ12を形成するために、UMLA18に複数のLMLA20が取り付けられることは理解されたい。図1Bの例示的な実施形態では、1つのUMLA22当たり4つのLMLA20が存在するであろう。しかしながら、一般的には、必要とされるLMLA20の数は、少なくとも部分的に、タイルサブアレイに含まれる放射素子の数に応じて決まる。
この特定の例では、各タイルサブアレイ12は、64個の放射アンテナ素子を含み、それらの素子は、8行のサブアレイの中で所定のパターン(ここでは、三角形格子パターン)において均一に分布する(すなわち、タイルサブアレイの各行は同じ数のアンテナ素子を含む)。図1〜図1Cの例示的な設計では、各LMLA20は2行のアンテナ素子15に結合するようになっており、全部で16個のアンテナ素子15が構成される(当然、図1Bでは、各素子15がスタックパッチ素子に対応すること、及び各スタックパッチ素子15は2つのパッチ素子15a、15bから構成されることに留意されたい)。別の言い方をすると、各LMLA20は、サブアレイ12bの2×8部分に給電する。したがって、タイルサブアレイ12内に8行のアンテナ素子が存在し、各LMLAは2つの行に給電するので、サブアレイ12b全体に給電するための4つのLMLA20が必要とされる。この例示的な実施形態では、タイルサブアレイ12a〜12xのそれぞれは8行のアンテナ素子を含むので、タイルサブアレイ12a〜12xのそれぞれは4つのLMLA20を必要とする。
図面及び本文において明確にするために、図1Bの例示的な実施形態では、2つのLMLA20しか示されないことに留意されたい。しかしながら、上述したように、実際には、完全なタイル12bを設けるために、4つのLMLA20a〜20dがUMLA18の適切な領域に固定される。
この例では、各LMLA20が2行のアンテナ素子に給電するが、各LMLA20が3つ以上、又は2つ未満の数のアンテナ行に給電する実施形態を構成することができることにも留意されたい。たとえば、タイルサブアレイが図1〜図1Cに示されるように8行を含むものと仮定すると、LMLA構成を、1行のアンテナ素子に結合するように構成することができる(その場合、タイルサブアレイ当たり8つのLMLAが必要とされるであろう)。又は代替的に、LMLA構成を、4行のアンテナ素子に結合するように構成することができるか(その場合、タイルサブアレイ当たり2つのLMLAが必要とされるであろう)、又は8行のアンテナ素子に結合するように構成することができる(その場合、タイルサブアレイ当たり1つのLMLAしか必要とされないであろう)。任意の特定のタイルサブアレイにおいて使用するためのLMLAの特定の数(すなわち、特定のLMLA構成)は、限定はしないが、タイルサブアレイ内の放射素子の数、各LMLAのコスト、タイルサブアレイが使用されることになる特定の用途、サブアレイ内のLMLAを変更することの容易さ(又は難しさ)(たとえば、LMLAが故障した場合)、及びタイルサブアレイ内のLMLAが故障した場合に、LMLAを修理するか、交換するか、又は別の方法で変更するのにかかるコストを含む、種々の要因に応じて決まる。当業者は、特定の用途の場合に特定のLMLA構成を選択する方法を理解するであろう。
各LMLAを、1つ又は複数のT/Rチャネルに関連付けることができる。たとえば、図1〜図1Cの実施形態では、各LMLA20は、タイルサブアレイ12bの一部として設けられるアンテナ素子の2×8アレイに結合される2×8レイアウトに配列される16個のT/Rチャネルを含む。したがって、完全なタイルサブアレイにおいて、4つのそのようなLMLA20が用いられる。
ここで、図1Cを参照すると、図1〜図1Bの同様の構成要素が同様の参照符号を有するように与えられており、いわゆる「スタックパッチ」エッグクレート放射器サブアセンブリ22として設けられる放射器アセンブリ22が示され、それは上側パッチ放射器15a及び下側パッチ放射器15bを含み、第1のアンテナ素子15aが基板24の表面24b上に配置され、第2のアンテナ素子15bが基板28の表面28b上に配置されている。2つの基板24、28は、エッグクレート基板26によって離隔して配置される。放射器アセンブリ22と同じ、又は類似であることがあるスタックパッチ放射器アセンブリの詳細は、本発明の譲受人に譲渡される、「Slot Coupled, Polarized, Egg-Crate Radiator」と題する米国特許出願第6,624,787号において記述される。
デュアルスタックパッチエッグクレート放射器アセンブリ22は、UML基板36上に配置され、UML基板36は、偏波及び給電回路基板40、38から設けられる。偏波及び給電回路基板40、38は、複数のRFプリント回路基板100〜114から設けられる。回路基板100、102はアンテナ素子給電回路を含み、回路基板104〜110は電力分配器回路を含み、回路基板112、114は偏波回路を含む。この例示的な実施形態では、偏波、給電及び電力分配器回路は全て、プリント回路として実装されるが、低コストで、低プロファイルで、機能的に等価な回路を実装するための任意の技法を用いることもできる。
この実施形態では、回路基板100は、その表面上に配置される導体を有する。導体101の中に、一対の開口部又はスロット101a、101bが形成されるか、又は他の方法で設けられ、スロット101a、101bを通じて、アンテナ素子15a、15bにRF信号が結合される。したがって、そのタイルサブアレイは、非共振スロット結合を利用する平衡給電回路(図1Cでは見ることができない)を利用する。非共振スロット結合を用いることによって、2つの利点が与えられる。第1の利点は、スロット(たとえば、スロット101a、101b)の使用が、給電回路網をアンテナ素子(たとえば、アンテナ素子15a、15b)から分離するのを助け、それによって、スプリアス放射を防ぐのを大きく助けることができること、そして第2の利点は、非共振スロットは、放射器の利得を大きく低減する可能性がある強いバックローブ放射(共振スロットの特徴である)を除去するのを大きく助けることができることである。給電回路がストリップライン給電回路として実装される一実施形態では、給電回路及びスロットは、UML36の適切な部分に設けられる、めっきされたスルーホール(それはモード抑圧ポストとしての役割を果たす)によって分離される。
UML基板36(偏波及び給電回路基板40、38から構成される)は、ファズボタン基板50上に配置される。ファズボタン基板50は、1つ又は複数の電気信号経路116(図1Cには、1つの電気信号経路116しか示されない)を含む。電気信号経路116は、UML36の一部として含まれる回路(たとえば、偏波及び給電回路)と、サーキュレータ基板60上に含まれる回路との間の電気的接続を与える。
サーキュレータ基板60は、5つの回路基板119〜123、磁石125(それは、一実施形態では、サマリウムコバルト磁石として設けられる)、フェライトディスク124(それは、一実施形態では、ガーネットフェライトとして設けられる)及び磁極片127(それは、一実施形態では、磁化可能なステンレス鋼として設けられるが、任意の磁化可能な材料から設けることができる)から構成される。回路基板121上に設けられるプリント回路が、サーキュレータ回路の全てを構成し、サーキュレータを通って伝搬するRF信号のための信号経路を提供する。一実施形態では、サーキュレータは、本発明の譲受人に譲渡され、参照によりその全体が本明細書に援用される「Embedded Planar Circulator」と題する米国特許第6,611,180号に記述されるタイプとして実装することができる。サーキュレータ基板60は、「ファズボタン」エッグクレート基板70上に配置される。
レンガスタイル構造を有するアレイアンテナでは、図1Cに示されるRFサーキュレータのようなサーキュレータは典型的には、各T/Rチャネルに含まれる基板に組み込まれることに留意されたい。
しかしながら、本明細書において記述される本発明の実施形態では、タイルサブアレイ12bの設計は、T/Rモジュールからサーキュレータを除去し、それを別個のサーキュレータ基板60に埋め込む。たとえば、図1Cに示される実施形態では、RFサーキュレータ構成要素(たとえば、フェライト124、磁石125及び磁極片127)は、低損失及び低誘電率のポリテトラフルオロエタン(PTFE)系材料のような市販の材料の層内に「埋め込まれる」か、又は「組み込まれる」ことができる。したがって、回路基板119〜123は、PTFE系回路基板として設けられることがある。
サーキュレータを(T/Rモジュールの一部ではなく)埋込サーキュレータとして設けることによって、T/Rチャネルサイズが著しく縮小される。T/Rチャネルのサイズを縮小することによって、タイルサブアレイのアンテナ素子の格子間隔をさらに狭くすることができる。狭い格子間隔はグレーティングローブのないスキャンボリュームを達成するための広帯域のフェーズドアレイ用途において重要であるので望ましい。さらに、埋込サーキュレータは、量産用のバッチ処理技法及び市販の材料を利用して設けることができるので、結果として、フェーズドアレイのコストが削減される。
ファズボタンエッグクレート基板70は、エッグクレート基板71から設けられる。T/Rモジュール76が、基板70内に設けられる開口部内に配置される。T/Rモジュールは、その上に設けられるボールグリッドアレイ(BGA)126を有するように設けられる。T/Rモジュール76は、ボール126aに電気的に結合される第1の信号ポートと、ボール126bに電気的に結合される第2の信号ポートとを備える。BGA126は、その上にT/Rモジュール76が配置されるLML基板80内に設けられる電気回路及び信号経路に電気的に結合される(たとえば、はんだ付け、又は当業者によく知られている電気的接続を形成するための任意の他の技法による)。基板71は、その中に設けられるファズボタン信号経路116も有し、その中を通って、RF信号が、ボール126b及びLML基板80上の電気信号経路を通って、T/Rモジュール76の第2のポートからサーキュレータ基板60まで伝搬することができる。
この例示的な実施形態では、LML基板80は、2組のプリント回路基板130、132から構成され、2組130、132のそれぞれ自体は、複数のプリント回路基板134〜144及び146〜154から構成されている。当業者であれば理解するように、接着層がPCB130、132の一部として示されるのではなく、UMLB36のPCB38、40と共に示されることに留意されたい。この実施形態では、回路基板130(それゆえ、回路基板134〜144)は、LML基板80のRF部分に対応し、一方、回路基板132(それゆえ、回路基板146〜154)は、LML基板80のDC及び論理信号部分に対応し、基板154は熱拡散板86上に配置される。
参照符号162によって示される複数の熱経路が、T/Rモジュール76から、LML基板80を通って、熱拡散板86までの熱の伝達を容易にし、好ましい実施形態では、熱拡散板は冷却式の放熱板として設けられる。この実施形態では、熱拡散板86は、熱伝導性エポキシを介して、LML基板80の基板154に結合される。基板130、132が組み立てられ(たとえば、接着されるか、又は別の方法で結合され)、LML基板80が形成されると、BGA126との適切な接触を確保するために、熱ピン162(図1Cには、そのうちの2つだけが符号を付される)のかかりのついた第1の端部がLML基板80の穴の中に収まるまで、熱ピン162がその穴の中に挿入される。ピン162の第2の端部は、ピン162の第2の端部が熱拡散板86の穴165の中に配置されるように、LML基板80の中に短い距離だけ延在する。その後、穴165は熱伝導エポキシで満たされる。したがって、BGA126は、RF信号、DC及び論理信号の結合、並びにT/Rモジュール76からの熱伝達を達成するための手段を提供する。
当然、拡散板86をLMLA20に結合するために、他の技法を用いることもできることも理解されたい。また、タイル12b上の拡散板の正確な場所に関係なく、且つ拡散板がタイル12bに結合される方法に関係なく(たとえば、熱伝導性エポキシ、はんだ、熱グリース等)、熱経路(熱経路162等)が、T/Rモジュール76のような発熱デバイスを拡散板86のようなヒートシンクに結合することが好ましいことも理解されたい。
RFコネクタ91bが、LMLA20内のRF信号経路168に結合される。この特定の実施形態では、RFコネクタはGPPOコネクタとして設けられるが、特定の用途に適している電気的及び機械的特性を有する任意のRFコネクタを用いてもよい。
参照符号168を付された破線によって示されるように、ポート91b内に給電されるRF信号は、LML基板80を通って結合され、BGA126aを通ってT/Rモジュール76に結合される。RF信号は、T/Rモジュール76を通って伝搬し、BGA126bを通って、基板134、136間の信号経路に沿って、ファズボタンエッグクレート基板70内の信号経路116に結合される。信号経路116は、基板50内の信号経路116、及びUML基板36上の回路から設けられる一連のRF信号経路を通って、サーキュレータ基板60に繋がる。UML基板36上のRF回路は、信号168を2つの部分168a及び168bに分割し、それらの部分は放射器層22に結合される。サーキュレータ基板60及びT/Rモジュール76は、システムを双方向性にするように動作することは理解されたい。すなわち、ポート91bは、入力ポート、出力ポートのいずれかとしての役割を果たすことができる。このようにして、信号168はタイルサブアレイ内のアンテナ素子の列(たとえば、図1Bに示されるタイルサブアレイ12bの列14a)に結合される。
UMLA(及びLMLAも同様)の層が所望のマイクロ波特性を有する概ね任意のPTFE系材料から製造することができることは当業者には理解されよう。たとえば、本実施形態では、UMLA及びLMLA内に含まれるプリント回路基板は、ガラス繊維織物で強化された材料で製造される。
LMLAは、パッケージレスT/Rチャネル及び埋込サーキュレータ層サブアセンブリを集積することは理解されたい。上記のように、好ましい実施形態では、LMLAは、ボールグリッドアレイ(BGA)相互接続手法を用いて、UMLAに結合される。パッケージレスT/Rチャネルは、費用のかかるT/Rモジュールパッケージ部品及び関連する組立コストを不要にする。パッケージレスLMLAの1つの重要な構成要素は下側多層基板(LMLB)である。LMLBは、RF、DC及び論理信号分配、並びに埋込サーキュレータ層を集積する。T/RチャネルMMIC、並びに構成要素、RF、DC/論理コネクタ、及び熱拡散境界板は全て、ピック・アンド・プレース装置を用いて、LMLA上に組み立てることができる。以下の図7は、ダイレクトMMICチップアタッチ実施形態を示しており、MMICチップは、T/Rチャネル当たり比較的高いピーク送信電力を有することが望ましい用途のために、LMLBの下側層に直接取り付けられる。
ここで図2を参照すると、1つの例示的なタイルサブアレイ200の一部が、第1のインターフェース205、サーキュレータ206及び第2のインターフェース207を通じて、下側多層アセンブリ(LMLA)204に結合される上側多層アセンブリ(UMLA)202を含む。インターフェース205は、たとえば、図1A〜図1Cとの関連で上述したファズボタンインターフェース50に類似のタイプとして設けることができる。サーキュレータ206は、図1A〜図1Cとの関連で上述したサーキュレータ基板60に類似のタイプとして設けることができ、インターフェース207は、図1A〜図1Cとの関連で上記で説明されたファズボタンエッグクレートインターフェース71に類似のタイプとして設けることができる。
UMLA202は、図1A〜図1Cとの関連で上述したUMLA18のようなUMLAの中に含まれることがあるタイプの回路を含む。UMLA202は、給電回路210に電気的に結合されるアンテナ素子208を含む。好ましい実施形態では、給電回路210は、平衡給電回路として設けられる。この特定の実施形態では、給電回路210は、偏波制御回路211の入力に結合される一対のポートを有するように示される。この特定の実施形態では、偏波制御回路は、直交ハイブリッド回路216に結合される電力分配回路212から設けられる。しかしながら、当業者は、電力分配器回路及びハイブリッド回路以外の回路を用いて、偏波制御回路を実装することができることを理解されよう。
図2の例示的な実施形態では、分配器回路212は、一対のウィルキンソン電力分配器214a、214bから設けられる。他の実施形態では、ウィルキンソンタイプの電力分配器以外の電力分配器を用いてもよい。電力分配器回路212は、直交ハイブリッド回路216のポート216a、216bのそれぞれに接続される一対のポート212a、212bを有する。ハイブリッド回路216の第2の一対のポート216c、216dはUMLAポート202a、202bに繋がる。
上記のように、UMLA202は、図1A〜図1Cとの関連で上述したUMLA18のようなUMLA内に含まれる回路のうちのいくつかを例示することを意図している。したがって、図面及び対応する説明において明確にするために、アンテナ素子208は、UMLA202を介してLMLAに結合されるアンテナ素子だけを表すことは理解されたい。したがって、図2の素子208は、タイルサブアレイ内の全てのアンテナ素子を表すことがあるか(たとえば、タイルサブアレイが単一のLMLAだけを含む実施形態)、又は代替的に、図2の素子208は、タイルサブアレイ内のアンテナ素子の全数の一部だけを表すことがある(たとえば、タイルサブアレイが多数のLMLAを含む実施形態)。
別の言い方をすると、アンテナ素子208は、UMLA202を介してLMLAに結合される全タイルサブアレイ内のアンテナ素子の一部を表す。図1Cとの関連で上述したように、タイルサブアレイ(たとえば、図1〜図1C内のタイルサブアレイ12b)は、単一のUMLA(たとえば、図1A〜図1CのUMLA18)から設けられることがあり、それに結合される多数のLMLAを有することがある。代替的に、タイルサブアレイ(たとえば、図1〜図1Cのタイルサブアレイ12b)は、単一のUMLA(たとえば、図1A及び図1BのUMLA18)及びそれに結合される単一のLMLAから設けられてもよく、当該単一のLMLAが、UMLAから与えられる全ての信号を処理するために必要とされる数のT/Rモジュールを含む。
図2に示されるLMLA204は、給電回路網210を通じてアンテナ素子208に結合される単一の送信/受信(T/R)チャネルだけを含むことは理解されたい。したがって、単一のT/Rチャネルが1つのアンテナ素子に結合される。しかしながら、他の実施形態では、単一のT/Rチャネルが、複数のアンテナ素子に結合されてもよい。また、LMLAは単一のT/Rチャネルのみを含むように示されるが、他の実施形態では、各LMLAは多数のT/Rチャネルを有するように設けられてもよい。
実際のシステムでは、全タイルサブアレイは複数のT/Rチャネルを含むが、説明及び図面において明確にするために、図2の例示的な実施形態では、単一のチャネルだけが用いられることは理解されたい。したがって、LMLAが単一のT/Rチャネルだけを含むものとして例示することは、限定することを意図するものではなく、限定するものと解釈されるべきではない。
図2は単一のT/Rチャネルからなる素子を示し、そのチャネルは、図1〜図1Cとの関連で上述したタイルサブアレイ12a〜12xのうちの1つに含まれるタイプのチャネルとすることができることにも留意されたい。当然、本発明の種々の実施形態に従って設けられる各タイルサブアレイ12a〜12X(図1)は、複数のそのようなT/Rチャネルを含むことができる(そして、一般的には含むであろう)。
UMLAポート202a、202bは、インターフェース回路205、サーキュレータ回路206及びインターフェース207を通じて、LMLA204のポート204a、204bに結合される。詳細には、インターフェース回路206は信号経路を含み、その信号経路を通って、UMLAからLMLAまでRF信号が伝搬することができる。信号経路の少なくとも一部を、図1A〜図1Cとの関連で上記で説明されたような、いわゆるファズボタン回路から設けることができる。
LMLA204はT/Rモジュール230を含む。T/Rモジュールは、受信信号経路231及び送信信号経路250を含む。UMLAポート202a、202bからの信号は、ポート204a、204cにおいて受信信号経路231に結合される。第1の偏波を有する信号はUMLA202からポート204aに結合され、第2の異なる偏波を有する信号は、UMLA202から、サーキュレータ基板206を通って、ポート204cに結合される。
受信信号経路は、一対の単極双投(SPDP)スイッチ232、234を含む。スイッチ232、234は、ポート204a、204cからの2つの信号(それぞれ異なる偏波を有する)のうちの所望の信号を、好ましい実施形態では低雑音増幅器(LNA)236として設けられる増幅器236の入力ポートに結合するように協動する。スイッチ232、234が図2に示されるように位置決めされている場合、ポート204aにおける信号が、LNA236の入力ポートに供給される。スイッチ232、234のスイッチアームが図2の破線で示されるように位置決めされている場合には、ポート204cにおける信号が、LNAの入力ポートに供給される。
LNA236に供給される信号は、適切に増幅され、SPDTスイッチ238に結合される。SPDTスイッチ238のスイッチアームは、受信位置又は送信位置のいずれかに入ることができる。受信位置(図2に示される)では、SPDTスイッチ238は、LNA236の出力から移相器240の入力への信号経路を与える。信号は、移相器を通じて、振幅制御回路242(たとえば、減衰器242)及びRF I/O回路246に結合される。回路246は、RF、DC及び論理信号を、T/Rモジュール230との間で結合する。
SPDTスイッチ238、移相器240及び振幅制御回路242は全て、送信信号経路250の一部でもある。T/Rモジュールが送信動作モードにあるとき、SPDTスイッチ238のスイッチアームは、送信位置に(すなわち、移相器240と増幅器252への入力との間に低損失の信号経路を設けるように)入れられる。スイッチ238のアームがそのように位置決めされる場合、送信信号源(図2には示されない)からの信号が、分配回路246のRF部分を通って、減衰器242、移相器240、スイッチ238を通って、増幅器に結合される。この増幅器は電力増幅器252として設けられることが好ましい。
電力増幅器は、インターフェース207を通じて、サーキュレータ206のポート206aに、適切に増幅された信号(送信信号とも呼ばれる)を与える。サーキュレータ206の第2のポート206bは、インターフェース205を通じてUMLAポート202bに結合され、サーキュレータの第3のポート206bは、スイッチ232を通じて、終端254に結合される。
その後、送信信号は、偏波制御回路211を通って、給電回路210に結合され、最後に、RF送信信号を放射するアンテナ素子208に結合される。
T/Rモジュール76はタイルサブアレイ12内の能動回路の概ね全てを含むことは理解されたい。図1〜図1Cとの関連で上記で説明されたように、T/Rモジュール76は、送信信号経路及び受信信号経路を含み、各経路はLMLA20のビームフォーマに結合される。
一実施形態では、LNA236は、コンパクトなガリウムヒ素(GaAs)低雑音増幅器として設けることができ、電力増幅器252は、コンパクトなGaAs電力増幅器として設けることができる。図2には示されないが、いくつかの実施形態では、T/Rモジュールは、スイッチ232、234、238、移相器240又は振幅制御回路242のうちのいくつか、又は全てを制御するためのシリコンゲルマニウム(SiGe)制御モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)も含むことができる。
ここで図3を参照すると、UMLA260が、UMLB264上に配置されるエッグクレート放射器アセンブリ262(図1〜図1Cとの関連で上述したアセンブリ22と同じか、又は類似のものとすることができる)から構成される。UMLB264は、2つのサブアセンブリ310、312から構成される。各サブアセンブリ310、312が製造され、そして、層274を介して結合されて、UMLB264が設けられる。好ましい実施形態では、層274は接着層274に対応する。1つの好ましい実施形態では、その層274は、シアン酸エステルBステージ樹脂(たとえば、W. L. Gore & Associatesによって製造され、Speedboard−C(登録商標)の商品名で販売されるタイプ)として設けられる接着層274に対応する。その後、エッグクレート放射器及びUMLBサブアセンブリ262、264は、UMLA260を設けるために接着されるか、又は別の方法で固定される。エッグクレート放射器262及びUMLA264は、導電性エポキシ接着フィルムを介して、互いに結合することができる。当然、当業者によく知られており、マイクロ波回路サブアセンブリを互いに固定するのに適している任意の他の接着技法又は固着技法を用いることもできることは当業者には理解されよう。好ましい実施形態では、UMLA260は接着されたアセンブリとして設けられることは理解されたい。しかしながら、本発明によれば、最終的に接着されるUMLAアセンブリは、多数の積層、接着及び組立工程の結果である。
UMLAのためのマルチステップ積層、製造及び組立工程の結果として、いくつかの利点がもたらされる。(a)各サブアセンブリ262、310、312を個別に試験することができ、所望の電気的動作特性及び/又は機械的動作特性を満たしていないか、又は超えていない任意のサブアセンブリ262、310、312を特定して、修理することができるか、又はUMLAを形成するのに使用しないことができる。(b)各サブアセンブリ310、312は、個別に試験することができ、所望の電気的動作特性及び/又は機械的動作特性を満たしていないか、又は超えていない任意のサブアセンブリ310、312を特定して、修理することができるか、又はUMLBを形成するのに使用しないことができる。(c)サブアセンブリ262、310、312を個別に製造することによって、そのサブアセンブリの最大の歩留まりを得るために、各サブアセンブリのための製造工程を個別に最適化することができるようになる。(d)既知の「良好な」サブアセンブリ310、312だけを用いてUMLBが製造されるので、この結果として、UMLB製造工程の歩留まりが高くなる。(e)既知の「良好な」サブアセンブリ262、310、312だけを用いてUMLAが製造されるので、この結果として、UMLA製造工程の歩留まりが高くなる。(f)後に接着層を介して互いに固定されるサブアセンブリ262、310、312を個別に製造する結果として、サブアセンブリ262、310、312毎の接着剤及び接着温度の選択の幅が広がり、それによって、サブアセンブリ262、310、312毎の機械的性能が改善される。したがって、UMLA260のために開発された製造及び組立手法は、ロバストな機械的設計を生み出し、それによって製造歩留まりが著しく改善される。
1つの特定の実施形態では、エッグクレート放射器262及びUMLB264サブアセンブリはいずれも0.5m×0.5mであり、それゆえ、UMLAは0.5メートル(m)長×0.5m幅(19.7in×19.7in)である。UMLA260は、典型的には約0.25インチの厚み又は高さHを有するように設けられ、1024個の二重円偏波RFチャネルを含み、各RFチャネルは0.16オンス(4.65g)の重みを有する。さらに、上記のマルチステップ積層及び製造工程によれば、UMLAの各回路層は、PWB業界標準の工程及び製造公差、並びに市販の材料を用いて製造することができる。
一実施形態では、2つのサブアセンブリ310、312は、FEP接着剤267の2ミル厚の層によって分離される10ミル厚のタコニックRF−30誘電体回路基板266、268、270、272、276、278、280、282の積層から構成される。上記のように、エッグクレート放射器262とUMLB264との間の接着は、導電性エポキシフィルムを介して達成することができる。好ましい手法では、サブアセンブリ310、312が最初に互いに固定されて、UMLB264が形成され(すなわち、基板310、312は、サブアセンブリ310、312を分離するグランドプレーン間にSpeedboard−C(登録商標)接着剤を用いて接着される)、その後、UMLB264が、エッグクレート放射器262に固定されて、UMLA260が形成される。
UMLB264は複数の垂直相互接続290〜306を含むことは理解されたい。垂直相互接続290〜306は、本明細書において「RFバイア」と呼ばれることもある。RFバイア290〜306は、UMLB264を構成する回路基板266〜282の種々の層上に設けられる回路又は信号経路間のRF信号経路を与える。
たとえば、サブアセンブリ310では、回路基板270が、その層270b上に配置される50オーム入力ポート/25オーム出力ポートウィルキンソン抵抗分配器を有するように設けられる(抵抗分配器の一部320だけを図3の断面図において見ることができる)。抵抗分配器の一部320は、RFバイア294、296を通じて、回路基板268の層268a上のストリップライン給電回路322に結合される(給電回路322の一部だけを図3の断面図において見ることができる)。その後、給電回路322は、RF信号を1つ又は複数のスロット放射器314aに与える。スロット放射器は、エッグクレート放射器サブアセンブリ262の一部として設けられる一対のスタックパッチ放射器を励起する。
同様に、サブアセンブリ312は、回路基板280の層280b上に50オーム入力ポート/50オーム出力ポート3分岐直交ハイブリッド回路324と、回路基板278の層278a上に50オーム入力ポート/25オーム出力ポートウィルキンソン抵抗分配器326とを含む(回路324及び326の一部だけを図3において見ることができる)。直交ハイブリッド324は、そこに供給される入力信号を分割し、アンテナにおいて偏波制御を与えるために必要とされる±90°位相関係を与える(たとえば、図2との関連で上記で説明されたような偏波制御回路による)。詳細には、±90°位相関係は、アンテナにおいて左円偏波及び右円偏波を達成するために必要とされる。ウィルキンソン抵抗分配器320及び326は、再び信号を分割して、サブアセンブリ262内の放射器263a、263bに給電する空間的に直交する信号を与える。294、296及び304、306に給電するウィルキンソンポートにおいて奇数モード励起を終端することによって、アレイがボアサイトから走査されるので、抵抗器は軸方向無線性能を改善する。抵抗器は、たとえば、Omega−ply(登録商標)のような銅薄膜の一部として設けることができるか、又は回路基板の誘電体材料上にある銅回路に直接インク抵抗器として塗布するか若しくはチップ抵抗器として適用することができる。RF相互接続290、302は、直交ハイブリッド回路324と、層270b、278a上に設けられるウィルキンソン分配器回路320及び326とを電気的に結合する。
RF相互接続294、296は、UMLB264の単一のサブアセンブリ(すなわち、サブアセンブリ310)内の層上に設けられる回路を相互接続することは理解されたい。同様に、RF相互接続292、302は、サブアセンブリ312(すなわち、UMLB264の単一のサブアセンブリ)内の異なる層上に設けられる回路を相互接続する。
一方で、RF相互接続290、304及び306は、UMLB264の種々のサブアセンブリ内の異なる層上に設けられる回路を相互接続する。たとえば、RF相互接続304、306は、層278a上に設けられるウィルキンソン分配器回路326と、層268a上に設けられる給電回路322とを電気的に結合し、一方、RF相互接続290は、層280b上に設けられる直交ハイブリッド回路324と、層270b上に設けられる分配器回路320とを電気的に結合する。RF相互接続290及びRF相互接続304、306は、UMLB264の最も下にある層(すなわち、層282b)からUMLB264の最も上にある層(すなわち、層266a)まで延在するので、RF相互接続290、304、306は、UMLB264上の任意の層上にある回路を結合することができる。
上記のように、限定はしないが、UMLA260を製造するコストを含む理由から、標準的なPWB製造工程を用いて、UMLB264のサブアセンブリ310、312を製造することが望ましい。
しかしながら、そのような製造技法を用いるとき、RFバイア(及び一般的に知られているようにRFバイアの周囲に設けられることがあるモード抑圧バイア)を形成するために、標準的な穿孔及びめっき工程から、RF「スタブ」が形成される。RFスタブは、RFバイアと伝送線路導体(たとえば、ストリップラインRF伝送線路の中央導体)との間の交差部(又は接合部)の上及び/又は下に延在する、RFバイアの部分である。RFスタブは、2つ(又はそれ以上)のRF伝送線路が接続されるときに形成される。
図3のUMLAでは、2つの内部回路層を接続するために、RFバイアを穿孔し、めっきすることから、UMLB内に4つの個別のRFスタブが形成される。第一に、サブアセンブリ310内に、上側ウィルキンソン分配器回路層(たとえば、層270b上の回路320)と、給電回路層(たとえば、層268a上の回路322)との間の接続において、スタブ390及び392が生じる。第二に、サブアセンブリ312において、直交ハイブリッド回路層(たとえば、層280b上の回路324)と、下側ウィルキンソン分配器回路層(たとえば、層278a上の回路326)との間に接続において、スタブ393、394が生じる。第三に、直交ハイブリッド回路層(たとえば、層280b上の回路324)と、上側ウィルキンソン分配器回路層(たとえば、層270b上の回路320)との間に接続において、スタブ420(図5)及び422が生じる。第四に、図3には示されないが、下側ウィルキンソン回路層(すなわち、層278a)と給電回路層(すなわち、層268a)との間の接続の結果として、スタブが生じる可能性がある。第三及び第四の状況は、サブアセンブリ310がサブアセンブリ312に接着されるか、又は別の方法で固定されるときに生じることは理解されたい。したがって、単一のサブアセンブリ内の異なる層上の回路間を接続する結果として、又は多数のサブアセンブリ内の異なる層上の回路間を接続する結果として、スタブが生じる可能性がある。
多数の回路基板及び回路層を有する従来のマイクロ波アセンブリでは、RFスタブは、個別の、いわゆる「バックドリル作業」によって除去され、その作業では、RFバイアのスタブ部分が、RFバイアの直径よりも大きなドリル径を用いてRFバイアを穿孔することによって物理的に除去される。ドリル作業後に残される、結果として形成される穴は、非導電性エポキシで埋め戻される(back-filled)。
この追加される製造ステップ(すなわち、バックドリル作業)は2つの結果をもたらす。第一に、RF接合部を越えて延在する誘電体「スタブ」によって、RF性能が劣化する。エポキシ充填材は典型的には、誘電率及び誘電損の電気的特性において、周囲のマイクロ波積層物と一致しないだけでなく、x方向、y方向及びz方向における熱膨張率のような機械的特性も、エポキシとマイクロ波積層物との間で一致しない。したがって、RF相互接続の動作帯域幅が縮小し、RF性能(反射減衰量、挿入損失)のチャネル間トラッキングが劣化する。第二に、その工程によって、著しくコストが上がり、リードタイムが長くなる。これらの2つの結果は、充填材料並びに回路基板の電気的特性及び機械的特性の間の少なくとも製造公差及び変動の結果であり、システム動作能力を低下させる。
しかしながら、本発明のタイルサブアレイは、「RF整合パッド」を利用して、RFバイアスタブをRF動作周波数帯にわたって電気的に「整合させる」ことによって、全てのRFバイアスタブのバックドリル及びバックフィルを不要にする。RF整合パッド技法は、ブランク層上(すなわち、銅を含まない層)、又はグランドプレーン層内(リリーフエリアを含む)に導電性材料が設けられ、標準的な低アスペクト比のドリル及びめっき製造作業によって、内部回路層を接続すると共にX帯(8GHz〜12GHz)にわたって低挿入損失のRF遷移を生成するRFバイアを製造することができるようにする技法である。RF整合パッド手法によれば、全てのRFバイア及びモード抑圧バイアを、アセンブリ全体を通じて、同時に穿孔し、めっきすることができる。バックドリル作業及びバックフィル作業に関連付けられる製造コストは全く不要である。さらに、ドリル公差及びバックフィル材料公差に起因するチャネル間変動が除去されているので、RF性能は改善されている。
図3の実施形態では、RF整合パッドは、グランドプレーン回路層(すなわち、層266a、268b、270a、272b、274a、278b、280a及び282b)内の導電性円板(アニュラリング・リリーフエリアによって包囲される)から設けられる。RF整合パッド技法は、RF相互接続及びRF伝送線路の交差部によって形成されるRF接合部を越えて、4分の1波長以下だけ延在する任意のRFスタブに適用することができる一般的な手法である。
ここで図4〜図4Cを参照すると、図3の同様の素子が同様の参照符号を有するように設けられており、RF相互接続294が、回路基板266の層266a上の第1の端部から、回路基板272の層272b上の第2の端部まで延在することを明らかに見ることがる。図3との関連で上述したように、RF相互接続294は、回路層270b上の伝送線路320を、回路層268a上の伝送線路322に結合する。図3及び図4に示される実施形態では、RF伝送線路320、322はそれぞれ、ストリップライン伝送線路の中央導体に対応し、導体320a、320b及び322a、322bはそれぞれ、ストリップライン構成のグランドプレーンに対応することは理解されたい。
伝送線路320とRF相互接続294との間の接合(又は交差)の結果として、第1のRFスタブ390が生じ、伝送線路322とRF相互接続294との間の接合(又は交差)の結果として、第2のRFスタブ392が生じる。RF相互接続294の第1の端部は、RF相互接続294に結合される第1の導電性領域408から設けられるRF整合パッド407を有するように設けられる。この例示的な実施形態では、RF整合パッドの第1の導電性領域は、円板形導体408として設けられる。第1の導電性領域(たとえば、円板形導体408)は、導体408をグランドプレーン322aから電気的に分離する非導電性リリーフエリア409によって包囲される。この例示的な実施形態では、リリーフエリア409は、第1の内径、及び第2の直径又は外径によって画定されるアニュラリングとして設けられる。
同様に、RF相互接続294の第2の端部は、グランドプレーン320bを導体411から分離する非導電性リリーフエリア412によって包囲される第1の導電性領域411から設けられるRF整合パッド410を有するように設けられる。
RF整合パッド407、410のサイズ及び形状は、それぞれのRFスタブ392、390の任意のインピーダンス及び/又は伝送特性を「調整する」(又は、「一致させる」)ように選択される。RF整合パッド407は、RF整合パッド410と同じサイズ又は形状である必要はないことは理解されたい。すなわち、円板408、411の直径は、同じである必要はない。また、アニュラリング409、412の内径及び外径は同じである必要はない。むしろ、各RF整合パッド407、410は、所望の機械的及び電気的動作特性を有するRF相互接続294を最も実効的に与える形状及び寸法(すなわち、サイズ)を有するように設けられる。
また、以下の図6及び図6Aとの関連で示されるように、RF整合パッドの第1の導電性領域の形状が円板である必要はない。むしろ、RF整合パッドの第1の導電性領域は、任意の規則的な幾何学的形状、又は不規則な幾何学的形状を有するように設けることができる。同様に、リリーフ領域(たとえば、領域409、412)も環状を有するように設けられる必要はない。むしろ、リリーフ領域が、RF整合パッドの第1の導電性領域(たとえば、領域408)を、第1の導電性領域が生じる層上のグランドプレーンから概ね電気的に分離する限り、リリーフ領域は任意の規則的な幾何学的形状、又は不規則な幾何学的形状を有するように設けることができる。たとえば、図4に示されるように、グランドプレーン322aは導電性領域408と同じ回路層上にある。したがって、リリーフ領域409は(そのサイズ及び/若しくは形状に、並びに/又は導電性領域408のサイズ及び/若しくは形状に関係なく)、導電性領域408をグランドプレーン導体322aから電気的に分離すべきである。
また、図4Cの伝送線路部分321によって示されるように、RF整合パッドは、伝送線路のインピーダンス整合部分と共に利用することができることも理解されたい。RF整合パッド410を設計する(すなわち形状及び寸法を選択する)ときに、整合部分321のインピーダンス特性の効果が考慮に入れられるべきである。
ここで図4Dを参照すると、RF相互接続294のための挿入損失対周波数のプロットが示される。
ここで図5〜図5Cを参照すると、図3の同様の素子が、同様の参照符号を有するように設けられており、RF相互接続290が、回路基板266の層266a上の第1の端部から、回路基板282の層282b上の第2の端部まで延在することを明らかに見ることができる。図3との関連で上記で説明されたように、RF相互接続290が、回路層270b上の伝送線路320を回路層280b上の伝送線路324に結合する。伝送線路320はサブアセンブリ310内に配置され、伝送線路324はサブアセンブリ312内に配置されることに留意されたい。したがって、RF相互接続290は、サブアセンブリ310及びサブアセンブリ312の両方を通過する。
図3及び図4Aに示される実施形態において、RF伝送線路320、324はそれぞれストリップライン伝送線路の中央導体に対応し、導体320a、320b及び324a、324bはそれぞれストリップライン構成のグランドプレーンにそれぞれ対応することは理解されたい。
伝送線路320とRF相互接続290との間の接合(又は交差)の結果として、RFスタブ420、422が生じる。伝送線路324とRF相互接続290との間の接合(又は交差)の結果として、さらなるRFスタブ422が生じる。
スタブ420〜422に起因するRF相互接続290への影響を低減するために、RF相互接続290は、複数のRF整合パッド424、426、428、430、432を有するように設けられる。RF整合パッド424は、RF相互接続290に結合される第1の導電性領域434から設けられる。この例示的な実施形態では、RF整合パッドの第1の導電性領域は、円板形導体434として設けられる。第1の導電性領域434は、非導電性リリーフエリア436によって包囲され、そのリリーフエリアは、導体434をグランドプレーン322aから電気的に分離する。この例示的な実施形態では、リリーフエリア436は、第1の直径(又は内径)及び第2の直径(又は外径)によって画定されるアニュラリングとして設けられる。
同様に、RF整合パッド426、428、430、432はそれぞれ、非導電性リリーフエリア439、441、443、445によってそれぞれ包囲される第1の導電性領域438、440、442、444を含む。リリーフエリア439、441、443、445はそれぞれ、導電性領域438、440、442、444をそれぞれグランドプレーン320a、320b、450a、324bから電気的に分離する。
RF整合パッド424〜432のサイズ及び形状は、それぞれのRFスタブ420、421、422の任意のインピーダンス及び/又は伝送特性を「調整する」(又は、「一致させる」)ように選択される。それらのRF整合パッドは、互いに同じサイズ又は形状である必要はないことは理解されたい。すなわち、円板434、438、440、442、444の直径は、同じである必要はない。また、アニュラリング436、439、441、443、445の内径及び外径は同じである必要はない。むしろ、各RF整合パッド424〜432は、所望の機械的動作特性及び電気的動作特性を有するRF相互接続290を最も実効的に与える形状及び寸法(すなわち、サイズ)を有するように設けられる。
また、以下の図6及び図6Aとの関連で示されるように、RF整合パッド424〜432の第1の導電性領域の形状は円板である必要はない。むしろ、RF整合パッドの第1の導電性領域は、任意の規則的な幾何学的形状、又は不規則な幾何学的形状を有するように設けることができる。同様に、リリーフ領域も環状を有するように設けられる必要はない。むしろ、リリーフ領域が、RF整合パッドの第1の導電性領域を、第1の導電性領域が生じる層上のグランドプレーンから概ね電気的に分離する限り、リリーフ領域は任意の規則的な幾何学的形状、又は不規則な幾何学的形状を有するように設けることができる。たとえば、図5に示されるように、グランドプレーン320aは導電性領域438と同じ層上にある。したがって、リリーフ領域439は(そのサイズ及び/若しくは形状に、並びに/又は導電性領域426のサイズ及び/若しくは形状に関係なく)、導電性領域438をグランドプレーン導体320aから電気的に分離すべきである。
また、図5Cの伝送線路部分321’によって示されるように、RF整合パッドは、伝送線路のインピーダンス整合部分と共に利用することができることも理解されたい。RF整合パッド410を設計する(すなわち形状及び寸法を選択する)ときに、整合部分321’のインピーダンス特性の効果が考慮に入れられるべきである。
ここで図5Dを参照すると、RF相互接続290のための挿入損失対周波数のプロットが示される。
ここで図6及び図6Aを参照すると、一対の幾何学的形状460、462が、RF整合パッドの第1の導電性領域及び/又はリリーフエリアが設けられることがある形状を例示する。上記のように、RF整合パッドの第1の導電性領域(たとえば、図4A、図4Bの領域408、411、又は図5の領域434、438、440、442、444)は、任意の規則的な幾何学的形状、又は不規則な幾何学的形状を有するように設けられることがある。同様に、リリーフ領域(たとえば、図4A、図4Bの領域409、412、又は図5の領域436、439、441、443、445)も環状を有するように設けられる必要はない。むしろ、リリーフ領域が、RF整合パッドの第1の導電性領域を、第1の導電性領域が生じる層上のグランドプレーンから概ね電気的に分離する限り、リリーフ領域は、任意の規則的な幾何学的形状、又は不規則な幾何学的形状を有するように設けることができる。したがって、そのサイズ及び/又は形状に関係なく、リリーフ領域は、導電性領域をグランドプレーン導体から電気的に分離すべきである。
RF整合パッドの導電性領域及びリリーフ領域は、限定はしないが、長方形、正方形、円形、三角形、偏菱形及び弧状を含む、任意の形状を有するように設けることができる。また、RF整合パッドの導電性領域及びリリーフ領域は、上記の形状のうちの任意の形状の組み合わせから設けられることもできる。また、RF整合パッドの導電性領域及びリリーフ領域は、規則的な形状及び不規則な形状のうちの任意の形状の組み合わせから設けることができる。
ここで図7を参照すると、タイルサブアレイ470が、T/Rモジュール回路基板472を含み、その上にRF回路基板474が配置される。RF回路基板の上には、DC/論理回路基板476が配置される。DC/論理回路基板の上には、サーキュレータ回路基板478が配置される。T/Rモジュール回路基板、RF回路基板、DC/論理回路基板及びサーキュレータ回路基板のそれぞれは、図1A〜図2との関連で上記で説明されたT/Rモジュール回路、RF回路、DC/論理回路及びサーキュレータ回路と概ね同じ機能を果たす。
最後に、サーキュレータ回路基板上にUMLA480が配置される。UMLAは、図1A〜図5との関連で上述したUMLAと同じ、又は類似のものとすることができる。
図7の例示的な実施形態は、T/Rモジュール472をLMLBの下側層に直接取り付けることができることを示す。すなわち、LMLBの下側層へのダイレクトMMICチップアタッチ手法(MMICチップは示されない)を用いることができる。この手法は、T/Rチャネル当たりの送信電力のピークが相対的に高いことが望ましい用途において、有利に働き得る。
本明細書において列挙される全ての刊行物及び引用文献は、参照によりそれらの全体が本明細書に援用される。
本願の図面において、場合によっては、或る特定の素子の例示として、複数の素子が示されることがあり、複数の特定の素子の例示として、単一の素子が示されることがある。複数の特定の素子を示すことによって、本発明に従って実施されるシステム又は方法が、その素子又はステップの2つ以上を含まなければならないことを暗示するものでもなければ、単一の素子を示すことによって、本発明が、そのそれぞれの素子のうちの単一の素子を有する実施形態に限定されることを意図するものでもない。図面において示される特定の素子の数を、少なくとも或る状況では、特定のユーザ要件に対応するように選択することができることは当業者には理解されよう。
上述した実施形態では、複数の素子及び特徴の特定の組み合わせだけが例示される。これらの教示を、本特許出願、並びに参照により本明細書に援用される特許及び特許出願における他の教示と入れ替えること及び置き換えることも明らかに考えられる。特許請求の範囲に記載された本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、本明細書において記述される変形形態、変更形態及び他の実施態様を当業者であれば思いつくことができることは、当業者には理解されよう。
さらに、本発明を説明する際に、且つ図面において本発明の実施形態を図示する際に、明確にするために、特定の用語、数、寸法、材料等が用いられる。しかしながら、本発明は、そのように選択された特定の用語、数、寸法、材料等には限定されず、特定の用語、数、寸法、材料等はそれぞれ、少なくとも、同様の目的を果たすために同様に動作する全ての技術的及び機能的な均等物を含む。所与の言葉、言い回し、数、寸法、材料、用語、製品ブランド等を使用することは、全ての文法的、字義的、科学的、技術的及び機能的な均等物を含むことを意図している。本明細書において用いられる用語は、説明することを目的としており、限定することは意図していない。
本発明の好ましい実施形態について説明したが、ここで、それらの概念を組み込む他の実施形態を用いることもできることは、当業者には明らかになるであろう。さらに、本明細書において記述される本発明の実施形態を変更して、本明細書において参照される適用可能な技術及び標準規格における変更及び改善に対応し、且つ/又は準拠することができることは当業者には理解されよう。たとえば、その技術は、数多くの他の異なる形において、及び数多くの異なる環境において実施することができ、本明細書において開示される技術は、他の技術と組み合わせて用いることもできる。特許請求の範囲に記載された本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、本明細書において記述される実施形態の変形形態、変更形態及び他の実施態様を当業者であれば思いつくことができる。それゆえ、これらの実施形態は、開示される実施形態に限定されるべきではなく、特許請求の範囲の精神及び範囲によってのみ限定されるべきであると考えられる。
上述した実施形態では、複数の素子及び特徴の特定の組み合わせだけが例示される。これらの教示を、本願、並びに参照される特許及び特許出願における他の教示と入れ替えること及び置き換えることも明らかに考えられる。特許請求の範囲に記載される本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、本明細書において記述される変形形態、変更形態及び他の実施態様を当業者であれば思いつくことができることは、当業者には理解されよう。したがって、これまでの説明は一例にすぎず、制限することは意図していない。本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその均等物において定められる。

Claims (30)

  1. タイルサブアレイであって、
    第1の表面を有する下側多層アセンブリ(LMLA)であって、該第1の表面には複数のパッケージレスT/Rモジュールが電気的に結合される、下側多層アセンブリ(LMLA)と、
    前記複数のT/Rモジュール上に配置される第1の相互接続基板と、
    前記相互接続基板上に配置されるサーキュレータ基板と、
    前記サーキュレータ基板上に配置される第2の相互接続基板と、
    前記第2の相互接続基板上に配置される上側多層アセンブリ(UMLA)と、
    を備えたタイルサブアレイ。
  2. 前記相互接続基板は、ファズボタンエッグクレート基板として設けられる、請求項1に記載のタイルサブアレイ。
  3. 前記UMLAは、RF信号分配、インピーダンス整合、及び偏波ダイバーシティ信号の生成を実行する層状のRF伝送線路として設けられる、請求項1に記載のタイルサブアレイ。
  4. 前記LMLAは、パッケージレス送信/受信(T/R)チャネル及び埋込サーキュレータ層サブアセンブリを集積する、請求項1に記載のタイルサブアレイ。
  5. 前記LMLAは、ボールグリッドアレイ(BGA)相互接続を用いて、前記UMLAに接着される、請求項1に記載のタイルサブアレイ。
  6. 前記LMLAは下側多層基板(LMLB)を含み、該下側多層基板は、RF、DC及び論理信号分配を集積する、請求項1に記載のタイルサブアレイ。
  7. タイルサブアレイであって、
    第1の複数のプリント回路基板から構成される上側多層アセンブリ(UMLA)と、
    前記UMLAに結合される下側多層アセンブリ(LMLA)であって、該LMLAは第2の複数のプリント回路基板から構成される、下側多層アセンブリ(LMLA)と、を備え、
    前記UMLA及び前記LMLAのそれぞれは、1つ又は複数のRF相互接続を備え、該1つ又は複数のRF相互接続のそれぞれは、前記第1の複数のプリント回路基板及び前記第2の複数のプリント回路基板のうちの1つの第1の層上の第1の伝送線路と、前記第1の複数のプリント回路基板及び前記第2の複数のプリント回路基板のうちの1つの第2の異なる層上の第2の伝送線路との間に少なくとも1つのRF信号経路を設け、前記RF相互接続のそれぞれは、1つ又は複数のRF整合パッドを含み、該RF整合パッドは前記RF相互接続内に形成されるRFスタブの1つ又は複数の電気的特性を電気的に整合させる、タイルサブアレイ。
  8. 前記RF整合パッドのそれぞれは、導電性領域及びリリーフエリアを有するように設けられる、請求項7に記載のタイルサブアレイ。
  9. 前記導電性領域のうちの少なくとも1つは、円板形を有するように設けられる、請求項8に記載のタイルサブアレイ。
  10. 前記リリーフエリアのうちの少なくとも1つは、アニュラリング形状を有するように設けられる、請求項8に記載のタイルサブアレイ。
  11. プリント回路基板アセンブリであって、
    複数の回路基板であって、該複数の回路基板のうちの少なくとも2つは、その上に配置される1つ又は複数の回路層を有する、複数の回路基板と、
    前記複数の回路基板のうちの第1の回路基板上の少なくとも1つの回路層に電気的に結合される第1の部分を有すると共に、前記複数の回路基板のうちの第2の異なる回路基板上の少なくとも1つの回路層に電気的に結合される第2の部分を有する無線周波数(RF)相互接続であって、該RF相互接続は第1のRFスタブを有する、無線周波数(RF相互接続と、
    前記第1のRF相互接続に電気的に結合される第1のRF整合パッドであって、該第1のRF整合パッドは、前記第1のRFスタブのインピーダンス特性を調整する、第1のRF整合パッドと、
    を備えたプリント回路基板アセンブリ。
  12. 前記第1のRF整合パッドは、第1の前記RF相互接続に結合される複数のRF整合パッドのうちの第1のRF整合パッドである、請求項11に記載のプリント回路基板アセンブリ。
  13. 前記RF相互接続に結合される前記複数のRF整合パッドのうちの少なくとも2つは、異なる回路基板の異なる層上に配置される、請求項12に記載のプリント回路基板アセンブリ。
  14. 前記第1のRF整合パッドは、
    前記RF相互接続の周囲に配置される導電性円板と、
    前記導電性円板の周囲に配置され、且つ該導電性円板から電気的に分離される導体と、
    を含む、請求項11に記載のプリント回路基板アセンブリ。
  15. 前記導体は、該導体と前記導電性円板との間に非導電性のアニュラリング・リリーフエリアが設けられるように、前記導電性円板の周囲に配置される、請求項14に記載のプリント回路基板アセンブリ。
  16. 前記第1のRF相互接続は、複数のRF相互接続のうちの第1のRF相互接続である、請求項11に記載のプリント回路基板アセンブリ。
  17. 前記複数のRF相互接続のうちの第2の異なるRF相互接続は、該第2の異なるRF相互接続に電気的に結合される第1のRF整合パッドを有する、請求項16に記載のプリント回路基板アセンブリ。
  18. 前記第2のRF相互接続は、該第2のRF相互接続に電気的に結合される第2のRF整合パッドを有する、請求項17に記載のプリント回路基板アセンブリ。
  19. プリント回路基板アセンブリであって、
    複数の回路基板であって、該複数の回路基板のそれぞれは、1つ又は複数の回路層を有する、複数の回路基板と、
    前記複数の回路基板のうちの第1の回路基板上の少なくとも1つの回路層に電気的に結合される第1の部分を有すると共に、前記複数の回路基板のうちの第2の異なる回路基板上の少なくとも1つの回路層に電気的に結合される第2の部分を有する第1の無線周波数(RF)相互接続であって、該第1のRF相互接続は第1のRFスタブを有する、第1の無線周波数(RF)相互接続と、
    前記第1のRF相互接続に結合される第1のRF整合パッドであって、該第1のRF整合パッドは、前記第1のRF相互接続に結合される前記第1のRFスタブのインピーダンス特性を整合させるためのものである、第1のRF整合パッドと、
    を備えたプリント回路基板アセンブリ。
  20. 前記第1のRFスタブは、該第1のRF相互接続の第1の端部の近くに配置される、請求項19に記載のプリント回路基板アセンブリ。
  21. 前記第1のRF相互接続は、前記第1のRF相互接続の第2の反対側にある端部の近くに配置される第2のRFスタブを有するように設けられる、請求項20に記載のプリント回路基板アセンブリ。
  22. 前記第1のRF相互接続に結合される第2のRF整合パッドをさらに含み、該第2のRF整合パッドは、前記第2のRFスタブのインピーダンス特性を整合させる、請求項21に記載のプリント回路基板アセンブリ。
  23. 前記第1のRF整合パッドは、
    前記RF相互接続の周囲に配置される導電性円板と、
    前記導電性円板の周囲に配置され、且つ該導電性円板から電気的に分離される導体と、
    を含む、請求項19に記載のプリント回路基板アセンブリ。
  24. 前記導体は、該導体と前記導電性円板との間に非導電性のアニュラリング・リリーフエリアが設けられるように、前記導電性円板の周囲に配置される、請求項23に記載のプリント回路基板アセンブリ。
  25. 製造方法であって、
    複数の回路基板を設け、該複数の回路基板から1つの回路基板アセンブリが設けられ、
    前記複数の回路基板のそれぞれに複数の穴を開け、
    前記複数の穴のうちの少なくともいくつかをめっきして、複数のRF相互接続を設け、前記複数のRF相互接続のうちの少なくとも1つは、第1の回路基板の第1の層上の第1の回路と、第2の異なる回路基板の第1の層上の第1の回路との間に電気信号経路を設け、
    その一部としてRFスタブが設けられる各RF相互接続の周囲にRF整合パッドを設け、該RF整合パッドのそれぞれは、1つの対応するRF相互接続に電気的に結合され、前記RF整合パッドのそれぞれは、該RF整合パッドに電気的に結合される前記RF相互接続のインピーダンス特性を調整するため、RF整合パッドを設ける、
    ことを含む製造方法。
  26. その一部としてRFスタブが設けられる各RF相互接続の周囲にRF整合パッドを設けることは、前記RF相互接続が通過する回路基板の少なくとも1つの層上に導体を設けることを含み、前記導体は、該導体が前記RF相互接続に電気的に結合されるように、前記RF相互接続の近くに配置され、前記導体のサイズ及び形状は、前記RF相互接続のインピーダンス特性を調整するように選択される、請求項25に記載の方法。
  27. 前記導体のうちの少なくとも1つは円板形を有するように設けられる、請求項26に記載のタイルサブアレイ。
  28. その一部としてRFスタブが設けられる各RF相互接続の周囲にRF整合パッドを設けることは、前記RF相互接続を該RF相互接続の周囲のグランドプレーンから電気的に分離するために、前記グランドプレーン内にリリーフエリアを設けることを含み、該リリーフエリアのサイズ及び形状は、前記RF相互接続のインピーダンス特性を調整するように選択される、請求項25に記載のタイルサブアレイ。
  29. 前記リリーフエリアは、アニュラリング形状を有するように設けられる、請求項28に記載のタイルサブアレイ。
  30. 前記複数の穴のうちの少なくともいくつかをめっきして、前記複数の回路基板内に1つ又は複数のモード抑圧バイアを設け、前記RF相互接続を周囲の回路から電気的に分離することをさらに含む、請求項25に記載のプリント回路基板アセンブリ。
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