CN111919338B - 天线模块 - Google Patents

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Abstract

天线模块(100)包括：介电体基板(125)；天线组(123A、123B)，其包含多个天线元件(121)；RFIC(110A、110B)，其向天线组(123A、123B)供给高频电力；分配器(140)，其向各RFIC(110A、110B)分配高频信号；以及接地电极(GND2)。RFIC(110A、110B)安装于介电体基板(125)的安装面(126)。分配器(140)配置于比配置有天线组(123A、123B)的层靠安装面(126)侧的位置，包含低阻抗的第1线路和高阻抗的第2线路。在自安装面(126)的法线方向俯视时，在接地电极的与第2线路相对的部分形成有开口部(300)。

Description

天线模块
技术领域
本公开涉及天线模块，更特定而言，涉及具有多个天线元件的天线模块的抑制特性降低的构造。
背景技术
以往以来，已知在便携终端等无线通信的领域中在发送侧和接收侧使用多个天线元件(例如2～8个)来进行通信的MIMO(Multiple-Input and Multiple-Output)技术。通过使用MIMO技术，具有以下优点：即使不强化通信频率的带宽、发送输出，也能够改善数据的吞吐量、能够通信的距离。
在国际公开第2016/067969号(专利文献1)中，公开了一种天线元件和高频半导体元件一体化地安装于介电体基板的天线模块。在专利文献1所公开的天线模块中，自1个高频半导体元件向多个天线元件供给高频电力，也能够应用于上述的MIMO。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2016/067969号
发明内容
发明要解决的问题
近年，智能手机等便携终端的使用者数量增加，进而由于IoT等的技术革新，具有无线通信功能的电子设备也增加。由此，无线网络的通信量增大，产生对于通信速度和通信品质降低的担忧。
为了解决这样的问题，进一步发展上述那样的MIMO技术而得到的大规模MIMO(Massive MIMO)受到关注。大规模MIMO是以下技术：使用比通常的MIMO多的数量(例如128个)的天线元件来实现高度的波束成形和空间复用等技术，从而针对每个终端分配单独的电波，谋求通信速度的高速化和通信品质的提高。
在进行这样的使用大量的天线元件的无线发送的情况下，自多个高频半导体元件向多个天线元件输出要发送的高频信号。另外，向多个高频半导体元件输入同一基准信号。因此，在天线模块中，使用用于将该基准信号向多个高频半导体元件分配的分配器。另一方面，对于便携终端等通信装置，要求进一步的小型化和薄型化，随之需要天线模块自身的小型化和薄型化。
通常，在天线模块中，为了实现高效率化和低损耗化，设计为整个信号的传递路径的阻抗成为预定的阻抗(例如50Ω或75Ω)。在为了实现上述的大规模MIMO而在天线模块的介电体基板设有分配器的情况下，若减小天线模块整体的高度(厚度)，则分配器的寄生电容成分变大而无法实现期望的阻抗，存在难以确保作为目标的通信特性的可能性。
本公开是为了解决这样的问题而完成的，其目的在于，在内置分配器的天线模块中，抑制通信特性的降低并实现小型化。
用于解决问题的方案
本公开的技术方案的天线模块包括：介电体基板，其具有多层构造；第1天线组和第2天线组；第1供电电路和第2供电电路；分配器；以及第1接地电极，其配置于介电体基板。第1天线组和第2天线组分别包含配置于介电体基板的多个天线元件。第1供电电路和第2供电电路向第1天线组和第2天线组分别供给高频电力。分配器将输入的高频信号分配到第1供电电路和第2供电电路。第1供电电路和第2供电电路安装于介电体基板的安装面。分配器在介电体基板中配置于比配置有第1天线组和第2天线组的层靠安装面侧的层。分配器包含具有第1阻抗的第1线路和具有比第1阻抗高的第2阻抗的两个第2线路。在自介电体基板的安装面的法线方向俯视天线模块时，在第1接地电极的至少与分配器的第2线路相对的部分形成有开口部。
优选的是，第1接地电极在介电体基板中配置于配置有分配器的层与安装面之间。
优选的是，天线模块还包括第2接地电极，该第2接地电极在介电体基板中配置于配置有分配器的层与配置有第1天线组和第2天线组的层之间。
优选的是，在自介电体基板的法线方向俯视天线模块时，在第2接地电极的至少与分配器的第2线路相对的部分形成有开口部。
优选的是，在自介电体基板的法线方向俯视天线模块时，开口部形成于与第1供电电路和第2供电电路中的任一者均不重叠的位置。
优选的是，第1接地电极在介电体基板中配置于配置有分配器的层与配置有第1天线组和所述第2天线组的层之间。
优选的是，天线模块还包括振荡器，该振荡器配置于安装面，生成高频信号并向分配器输出。高频信号是在第1供电电路和第2供电电路中使用的基准频率信号。
优选的是，分配器是威尔金森型的分配器。
优选的是，分配器包含连接于第2线路间的贴片电阻器。
优选的是，贴片电阻器的贴片尺寸为0.4mm×0.2mm以下。
优选的是，多个天线元件二维排列。
优选的是，天线模块还包括无供电元件，该无供电元件与第1天线组和第2天线组所包含的多个天线元件分别对应地设置。
优选的是，在自法线方向俯视天线模块时，分配器配置于第1供电电路与第2供电电路之间。
发明的效果
在本公开的天线模块中，利用设于接地电极的开口部，成为在俯视天线模块的情况下配置于介电体基板内的分配器与接地电极不重叠的结构。由此，能够减小分配器的特别是高阻抗线路与接地电极之间的寄生电容，因此即使减薄天线模块的厚度，也易于实现期望的阻抗。因而，能够抑制高频信号的传递路径的反射和损耗的增加，能够实现通信特性降低的抑制和小型化。
附图说明
图1是应用实施方式的天线模块的通信装置的框图。
图2是图1的天线模块的剖视图。
图3是用于说明在图2中示出的分配器的详细的结构的图。
图4是在使用2×4个天线元件的天线模块的例子中俯视包含天线元件的层而得到的图。
图5是在图4的天线模块中自BBIC侧俯视包含RFIC的层而得到的图。
图6是在图4的天线模块中俯视包含分配器的层而得到的图。
图7是在图4的天线模块中自BBIC侧俯视包含第2接地电极的层而得到的图。
图8是在使用4×4个天线元件的天线模块的例子中俯视包含天线元件的层而得到的图。
图9是在图8的天线模块中自BBIC侧俯视包含RFIC的层而得到的图。
图10是在图8的天线模块中俯视包含分配器的层而得到的图。
图11是在图8的天线模块中自BBIC侧俯视包含第2接地电极的层而得到的图。
图12是使用0402尺寸的贴片电阻器作为威尔金森型分配器的电阻器的情况的史密夫图表的例子。
图13是使用0603尺寸的贴片电阻器作为威尔金森型分配器的电阻器的情况的史密夫图表的例子。
图14是表示使用0402尺寸的贴片电阻器的情况的威尔金森型分配器的特性的图。
图15是表示使用0603尺寸的贴片电阻器的情况的威尔金森型分配器的特性的图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本公开的实施方式。另外，对于图中相同或相当的部分标注相同的附图标记，不重复其说明。
(通信装置的基本结构)
图1是应用本实施方式的天线模块100的通信装置10的框图。通信装置10例如是手机、智能手机或平板电脑等便携终端、具备通信功能的个人计算机等。
参照图1，通信装置10包括天线模块100和构成基带信号处理电路的BBIC 200。天线模块100包括多个RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)110A～110D、天线阵列120、振荡器(OSC)130以及分配器(DIV)140。通信装置10将自BBIC 200向天线模块100传递的信号上变频为高频信号而自天线阵列120辐射，并且将利用天线阵列120接收的高频信号下变频而利用BBIC 200进行信号处理。
天线阵列120包含多个天线元件121。在图1中，以如下结构为例来说明：作为多个天线元件121，16个天线元件121以4×4的方式二维排列，针对由4个天线元件121构成的天线组123A～123D，分别设置RFIC 110A～110D。另外，在图1中，为了容易说明，示出与天线组123A对应的RFIC 110A的详细结构，省略与具有同样的结构的其他RFIC 110B～110D对应的结构。
另外，在以下的说明中，也将RFIC 110A～110D统称为“RFIC 110”，将天线组123A～123D统称为“天线组123”。
RFIC 110包括开关111A～111D、113A～113D、117、功率放大器112AT～112DT、低噪声放大器112AR～112DR、衰减器114A～114D、移相器115A～115D、信号合成/分波器116、混频器118以及放大电路119。
RFIC 110作为向各天线元件121供给高频电力的供电电路发挥功能。在发送高频信号的情况下，开关111A～111D、113A～113D向功率放大器112AT～112DT侧切换，并且开关117连接于放大电路119的发送侧放大器。在接收高频信号的情况下，开关111A～111D、113A～113D向低噪声放大器112AR～112DR侧切换，并且开关117连接于放大电路119的接收侧放大器。
自BBIC 200传递的信号被放大电路119放大，被混频器118上变频。上变频而得到的发送信号被信号合成/分波器116分波成4个信号，通过4个信号路径而向分别不同的供电元件121供给。此时，通过逐一地调整在各信号路径配置的移相器115A～115D的移相度，能够调整天线阵列120的方向性。
另外，利用各供电元件121接收的接收信号分别经由不同的4个信号路径，被信号合成/分波器116合波。合波而得到的接收信号被混频器118下变频，被放大电路119放大而向BBIC 200传递。
RFIC 110例如形成为包含上述电路结构的单芯片的集成电路部件。或者，关于RFIC 110所包含的设备中的与各天线元件121对应的设备(开关、功率放大器、低噪声放大器、衰减器、移相器)，也可以针对每个对应的天线元件121形成单芯片的集成电路部件。
振荡器130是生成在各RFIC 110中使用的基准频率信号的振荡器。利用振荡器130生成的基准频率信号被分配器140分波而向各RFIC 110的混频器118输出。混频器118将自BBIC 200传递的中间频率(例如3.5GHz±0.5GHz)的信号与来自振荡器130的基准频率信号(例如23～26GHz)混合，从而生成高频信号。另外，混频器118将利用天线元件121接收的高频信号与来自振荡器130的基准频率信号混合，从而生成中间频率的信号。
(天线模块的结构)
图2是图1的天线模块100安装于BBIC 200的状态的剖视图。参照图2，天线模块100包括多层构造的介电体基板125。介电体基板125由例如低温共烧陶瓷(Low TemperatureCo-fired Ceramics：LTCC)形成。另外，天线模块100也可以不安装于BBIC 200，也可以安装于安装有BBIC 200的主板。
在介电体基板125的内部的层中配置有利用图1说明的天线元件121。在图2中，天线组123A和天线组123B所包含的天线元件分别各示出两个。
在介电体基板125的安装面126上，虽未图示，但形成有用于安装设备的电极图案和将电极图案彼此电连接的布线图案。RFIC 110A、110B和振荡器130借助钎焊凸块155安装于安装面126。另外，形成匹配电路的电容或电感等设备150也安装于安装面126。
安装于安装面126的各设备利用树脂135进行模制。在树脂135形成有用于在与BBIC 200之间收发信号的输入/输出用的贯通电极160。贯通电极160的安装面126侧的端部连接于在安装面126形成的布线图案。另外，贯通电极160的暴露于BBIC 200侧的面的端部借助电极图案165和钎焊凸块170连接于BBIC 200表面的连接端子210。经由贯通电极160和安装面126的布线图案，在BBIC 200与各RFIC 110之间收发信号。
在介电体基板125中，在天线元件121与安装面126之间的层形成有接地电极GND1(第1接地电极)，在接地电极GND1与安装面126之间的层还形成有接地电极GND2(第2接地电极)。
自RFIC 110A经由供电线128A向天线组123A所包含的天线元件供给高频信号。另外，自RFIC 110B经由供电线128B向天线组123B所包含的天线元件供给高频信号。供电线128A、128B分别贯穿接地电极GND1、GND2，连接于各天线组所包含的天线元件121。
另外，也可以是，在介电体基板125的比配置有天线元件121的层靠表面127侧的层中，在与各天线元件121相对的位置配置有无供电元件122。
介电体基板125的比接地电极GND1靠表面127侧的部分在天线模块100中作为实质的天线发挥功能，在本说明书中将该区域称为“天线区域ANT”。另外，在介电体基板125中，在接地电极GND1与接地电极GND2之间的区域形成有将安装于安装面126的各设备彼此或各设备与天线元件之间连接的布线图案，在本说明书中将该区域称为“布线区域LINE”。并且，在本说明书中将利用树脂135进行模制的区域称为“部件区域PRT”。
分配器140配置于上述的布线区域LINE的层。分配器140连接于在安装面126安装的振荡器130，并且利用形成于布线区域LINE的布线图案129连接于各RFIC 110。分配器140接收来自振荡器130的基准频率信号，将该基准频率信号分配到各RFIC 110。
(分配器的结构)
图3是用于说明在图2中示出的分配器140的详细的结构的图。在本公开中，作为分配器140，使用威尔金森型分配器。与其他类型的分配器相比，威尔金森型分配器具有低损耗且分配出的信号的相位成为相同相位这样的特征。
参照图3，分配器140使自输入端口IN输入的信号分支而向两个输出端口OUT1、OUT2输出。自输入端口IN输入的信号在具有Z0的阻抗的线路141中分支。分支出的一信号通过具有比Z0高的ZL的阻抗的线路142和具有Z0的阻抗的线路143而自输出端口OUT1输出。另一信号通过同样具有ZL的阻抗的线路144和具有Z0的阻抗的线路145而自输出端口OUT2输出。另外，低阻抗的线路141、143、145对应于本公开的“第1线路”。另外，高阻抗的线路142、144对应于本公开的“第2线路”。
高阻抗的线路142、144的阻抗ZL设定为低阻抗的线路141、143、145的阻抗的√2倍(ZL＝√2×Z0)。另外，若将传递的代表性的高频信号的波长设为λ，则将高阻抗的线路142、144的线路长度设计为λ/4。
另外，为了确保分支出的两个输出的隔离度，在线路143与线路145之间连接有具有ZR的阻抗的电阻器R1。电阻器R1的阻抗设定为低阻抗的线路141、143、145的阻抗的2倍(ZR＝2×Z0)。
例如，在将传递路径的阻抗设计为50Ω(即Z0＝50Ω)的情况下，高阻抗的线路142、144设定为约71Ω(ZL＝71Ω)，电阻器R1的阻抗设定为100Ω(ZR＝100Ω)。
图2所示那样的天线模块100有时用于智能手机等便携终端。在这样的便携终端中，谋求设备的小型化和薄型化。在图2所示的天线模块100中，天线区域ANT的厚度由通信所使用的高频信号的频段等的规格决定，因此为了实现进一步的薄型化，需要减小布线区域LINE或部件区域PRT的厚度。
但是，若减薄布线区域LINE，则配置于布线区域LINE的分配器140与接地电极GND1、GND2之间的距离变短。这样一来，分配器140与接地电极GND1、GND2之间的寄生电容增加，因此成为无法充分地确保分配器140的各线路(特别是高阻抗的线路142、144)的阻抗的状态，存在因信号的反射等而导致损耗增加而通信特性降低的隐患。
因此，在本实施方式中，关于布线区域LINE所包含的接地电极GND1、GND2中的至少一者，在自安装面126的法线方向俯视天线模块100的情况下，在与分配器140的至少高阻抗的线路142、144相互重叠的部分形成有开口部。另外，在图2中，示出在安装面126侧的接地电极GND2形成有开口部300的例子，但也可以取而代之或在此基础上在接地电极GND1侧形成开口部。不过，接地电极GND1作为天线区域ANT的基准电位发挥功能，并且也作为用于切断自布线区域LINE和部件区域PRT辐射的噪声信号的屏蔽件发挥功能。因此，与在接地电极GND1形成开口部相比，优选在接地电极GND2侧形成开口部。
另外，也可以是，不仅在与分配器140的高阻抗的线路142、144重叠的部分形成开口部，在接地电极的与分配器140的线路142、144以外的部分重叠的部分也形成开口部。
通过设为这样的结构，能够减小分配器140与接地电极GND1或接地电极GND2之间的寄生电容，因此易于确保构成分配器140的各线路的阻抗。其结果，能够改善各端口(输入端口、输出端口)的反射特性，抑制损耗的降低。
(天线模块的各层的配置)
接着，使用图4～图7和图8～图11，说明本实施方式的天线模块的各层的设备的配置的例子。在此，图4～图7是8个天线元件121以2×4的方式二维排列的天线模块的例子，图8～图11是16个天线元件121以4×4的方式二维排列的天线模块的例子。
图4和图8是俯视包含天线元件121的层而得到的图。图5和图9是自BBIC200侧俯视包含RFIC 110的层而得到的图。图6和图10是俯视包含分配器140(140A)的层而得到的图。图7和图11是自BBIC 200侧俯视包含接地电极GND2的层而得到的图。
参照图4，8个天线元件121以2×4的方式二维排列。将其中的一组2×2个的天线元件设为天线组123A，将另一组2×2个的天线元件设为天线组123B。
并且，如图5所示，针对天线组123A配置RFIC 110A，针对天线组123B配置RFIC110B。在图5中，各RFIC配置为：在俯视天线模块100的情况下，RFIC的对角线中心与对应的天线组所包含的4个天线元件121的配置中心重叠。
如图6所示，分配器140形成于在俯视天线模块100的情况下与两个RFIC110A、110B不重叠的位置。并且，分配器140以与两个RFIC 110A、110B的距离较短且相等的方式配置于RFIC 110A与RFIC 110B之间。通过在这样的位置配置分配器140，能够对两个RFIC 110A、110B以相同相位且低损耗供给高频信号。由此，能够实现具有优异的方向控制性的高增益的天线模块。
如图7所示，在俯视天线模块100的情况下，在接地电极GND2的与该分配器140的至少高阻抗线路重叠的部分形成有开口部300。另外，为了抑制RFIC 110与分配器140之间的电磁场干涉，优选开口部300也形成为与两个RFIC 110A、110B不重叠。
接着，说明4×4个天线元件121二维排列的例子。参照图8，16个天线元件121组合为4个包含2×2个天线元件121的天线组123A、123B、123C、123D。并且，针对天线组123A配置RFIC 110A，针对天线组123B配置RFIC 110B，针对天线组123C配置RFIC 110C，针对天线组123D配置RFIC 110D(图9)。
为了使用在图3中示出的威尔金森型分配器来对4个天线组分配信号，如图10所示的分配器140A那样，需要3个分配器。更具体而言，自振荡器130输出的高频信号首先由分配器140A1分支成两个系统。然后，一者的输出向分配器140A2输入，另一者的输出向分配器140A3输入。利用分配器140A2分支出的信号向RFIC 110A、110B供给。利用分配器140A3分支出的信号向RFIC 110C、110D供给。
如图10所示，在俯视天线模块100的情况下，由3个分配器形成的分配器140A以布线长度相等的方式配置于与RFIC 110A～110D中的任一者均不重叠的位置。并且，在俯视天线模块100的情况下，在接地电极GND2的与分配器140A的至少高阻抗线路重叠的部分形成有开口部300A(图11)。
另外，在上述的说明中，说明了自RFIC对各天线元件供给1个高频信号的单极化型的天线模块的例子，但也能够将上述那样的结构应用于对各天线元件供给两个不同的高频信号的双极化型的天线模块。
(关于分配器的电阻器)
如利用图3说明的那样，在威尔金森型分配器中，为了确保两个输出端口间的隔离度，在输出端口间连接有电阻器。作为该电阻器，能够使用通常市售的基板表面安装用的贴片电阻器。
但是，当在威尔金森型分配器中使用贴片电阻器的情况下，即使是能够达成期望的电阻值的贴片电阻器，也会根据贴片电阻器的尺寸而影响分配器的特性。具体而言，在公称电阻值相同的情况下，若贴片尺寸变大，则与较小的贴片尺寸相比，贴片内部的导电构件的宽度或长度变大，由此，电阻器的寄生电容和/或寄生电感变大。这样一来，即使实现了设计上的电阻值，也会因该寄生成分而导致线路的阻抗发生变化，结果分配器的特性降低，对天线模块的频率特性也可能造成影响。
因而，在使用威尔金森型分配器作为本实施方式的天线模块的分配器的情况下，优选使用贴片尺寸尽量小的贴片电阻器。
以下，使用图12～图15，说明使用不同的尺寸的贴片电阻器的情况的分配器的特性的模拟结果。作为贴片电阻器，使用贴片尺寸为“0402”尺寸的方形贴片电阻器和“0603”尺寸的方形贴片电阻器来进行模拟。另外，贴片尺寸为“0402”表示长度为0.4mm且宽度为0.2mm(0.4mm×0.2mm)的方形贴片电阻器，“0603”表示长度为0.6mm且宽度为0.3mm(0.6mm×0.3mm)的方形贴片电阻器。
图12是使用“0402”尺寸的贴片电阻器的情况的史密夫图表的例子，图13是使用“0603”尺寸的贴片电阻器的情况的史密夫图表的例子。在图12和图13中，成为目标的阻抗(50Ω)的位置由P0表示，P1是“0402”尺寸的情况的阻抗，P2是“0603”尺寸的情况的阻抗。
根据图12和图13可知，在史密夫图表上，贴片尺寸较小的“0402”尺寸的贴片电阻器比“0603”尺寸的贴片电阻器接近目标阻抗。
图14是表示使用“0402”尺寸的贴片电阻器的情况的各端口的反射特性(图14的(a))和输出端口间的隔离特性(图14的(b))的模拟结果的图。另外，图15是表示使用“0603”尺寸的贴片电阻器的情况的各端口的反射特性(图15的(a))和输出端口间的隔离特性(图15的(b))的模拟结果的图。
在此，在本实施方式中示出的天线模块的一例中，将毫米波段用的高频信号作为对象，因此将使用频段设为23～26GHz来进行评价。
参照图14，在图14的(a)中，线L10表示输出端口OUT1的反射特性，线L11表示输出端口OUT2的反射特性，线L12表示输入端口IN的反射特性。根据图14的(a)可知，对于任一端口而言，反射损耗均在23～26GHz的频段中达成30dB以上。也就是说，对于任一端口而言，在使用频段中反射均较少，均达成良好的反射特性。另外，在图14的(b)中，输出端口间的隔离度(线L15)在23～26GHz的频段中达成25dB以上。也就是说，在使用频段中，输出端口间的高频信号的泄漏较少，达成良好的隔离特性。
另一方面，在图15的(a)中，线L20、线L21、线L22分别表示输出端口OUT1、OUT2、输入端口的反射特性，对于任一端口而言，反射损耗均在23～26GHz的频段中成为比30dB小的值。也就是说，在使用“0603”尺寸的贴片电阻的情况下，与使用“0402”尺寸的贴片电阻的情况相比，使用频段的反射特性恶化。另外，关于图15的(b)的输出端口间的隔离度(线L25)，在23～25.4GHz附近的频段中达成25dB以上，但在25.4～26GHz的频段中成为低于25dB的值，隔离特性恶化。
这样，在公称电阻值相同的情况下，使用的贴片电阻器的尺寸也可能对威尔金森型分配器的频率特性造成影响。根据上述的模拟的结果，在使用贴片电阻器作为威尔金森型分配器的隔离用电阻器的情况下，优选使用“0402”尺寸以下的贴片尺寸的电阻器。
应理解为，本次公开的实施方式在所有的方面均为例示而不是限制。本公开的范围由权利要求书表示而不由上述的实施方式的说明表示，并且意图包含在与权利要求书均等的意思和范围内的所有的变更。
附图标记说明
10、通信装置；126、安装面；100、天线模块；111A～111D、113A～113D、117、开关；112AR～112DR、低噪声放大器；112AT～112DT、功率放大器；114A～114D、衰减器；115A～115D、移相器；116、信号合成/分波器；118、混频器；119、放大电路；120、天线阵列；121、天线元件；122、无供电元件；123、123A～123D、天线组；125、介电体基板；127、表面；128、供电线；129、布线图案；130、振荡器；135、树脂；140、140A、140A1～140A3、分配器；141～145、线路；150、设备；155、170、钎焊凸块；160、贯通电极；165、电极图案；210、连接端子；300、300A、开口部；ANT、天线区域；GND1、GND2、接地电极；IN、输入端口；OUT1、OUT2、输出端口；PRT、部件区域；R1、电阻器。

Claims (13)

1.一种天线模块，其中，
该天线模块包括：
介电体基板，其具有多层构造；
第1天线组和第2天线组，其配置于所述介电体基板，分别包含多个天线元件；
第1供电电路和第2供电电路，其构成为向所述第1天线组和所述第2天线组分别供给高频电力；
分配器，其构成为将输入的高频信号分配到所述第1供电电路和所述第2供电电路；以及
第1接地电极，其配置于所述介电体基板，
所述第1供电电路和所述第2供电电路安装于所述介电体基板的安装面，
所述分配器在所述介电体基板中配置于比配置有所述第1天线组和所述第2天线组的层靠所述安装面侧的层，
所述分配器包含具有第1阻抗的第1线路和具有比所述第1阻抗高的第2阻抗的两个第2线路，
在自所述介电体基板的所述安装面的法线方向俯视所述天线模块时，在所述第1接地电极的至少与所述分配器的所述第2线路相对的部分形成有开口部。
2.根据权利要求1所述的天线模块，其中，
所述第1接地电极在所述介电体基板中配置于配置有所述分配器的层与所述安装面之间。
3.根据权利要求2所述的天线模块，其中，
该天线模块还包括第2接地电极，该第2接地电极在所述介电体基板中配置于配置有所述分配器的层与配置有所述第1天线组和所述第2天线组的层之间。
4.根据权利要求3所述的天线模块，其中，
在自所述法线方向俯视所述天线模块时，在所述第2接地电极的至少与所述分配器的所述第2线路相对的部分形成有开口部。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的天线模块，其中，
在自所述法线方向俯视所述天线模块时，所述开口部形成于与所述第1供电电路和所述第2供电电路中的任一者均不重叠的位置。
6.根据权利要求1所述的天线模块，其中，
所述第1接地电极在所述介电体基板中配置于配置有所述分配器的层与配置有所述第1天线组和所述第2天线组的层之间。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的天线模块，其中，
该天线模块还包括振荡器，该振荡器配置于所述安装面，生成所述高频信号并向所述分配器输出，
所述高频信号是在所述第1供电电路和所述第2供电电路中使用的基准频率信号。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的天线模块，其中，
所述分配器是威尔金森型的分配器。
9.根据权利要求8所述的天线模块，其中，
所述分配器包含连接于所述第2线路间的贴片电阻器。
10.根据权利要求9所述的天线模块，其中，
所述贴片电阻器的贴片尺寸为0.4mm×0.2mm以下。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的天线模块，其中，
所述多个天线元件二维排列。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的天线模块，其中，
该天线模块还包括无供电元件，该无供电元件与所述第1天线组和所述第2天线组所包含的所述多个天线元件分别对应地设置。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的天线模块，其中，
在自所述法线方向俯视所述天线模块时，所述分配器配置于所述第1供电电路与所述第2供电电路之间。
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