WO2022230427A1 - アンテナ装置 - Google Patents

Abstract

アンテナ装置（１２０）は、Ｙ軸方向に延在するグランド電極（ＧＮＤ）が形成されたメイン基板（１０）と、メイン基板（１０）に実装されるサブ基板（２３）とを備える。サブ基板（２３）は、第１アンテナ素子（２１）と第２アンテナ素子（２２）とがＹ軸方向に並べて配置された上面（２３ａ）と、実装端子部（２４）が配置された下面（２３ｂ）とを有する。サブ基板（２３）の下面（２３ｂ）における中央領域（第１アンテナ素子（２１）と第２アンテナ素子（２２）との間の領域）には、上面（２３ａ）に向けて窪んだ凹部（２５）が形成される。

Description

アンテナ装置

　本開示は、グランドが形成された第１基板に、複数のアンテナ素子が配置された第２基板を実装して構成されるアンテナ装置に関する。

　特開２００８－９８９１９号公報（特許文献１）には、第１基板と、第１基板に実装される第２基板とを有するアンテナ装置が記載されている。第２基板は、２つのアンテナ素子が隣接して配列された上面と、グランドが配置された下面とを有する。さらに、２つのアンテナ素子間を伝搬する表面電流を抑制するために、第２基板におけるアンテナ素子間の領域には、スリットが設けられる。このスリットにより、第２基板は、一方のアンテナ素子が配置される基板と他方のアンテナ素子が配置される基板とに分割される。

特開２００８－９８９１９号公報

　上述の特開２００８－９８９１９号公報に記載されたアンテナ装置においては、グランドと２つのアンテナ素子とが第２基板に配置される。

　しかしながら、アンテナ装置のなかには、グランドが第１基板に配置され、第２基板にはグランドは配置されずに複数のアンテナ素子のみが配置されるものが存在する。このような構成においては、第２基板のアンテナ素子と第１基板のグランドとの間に、第２基板を第１基板に実装するための実装端子が設けられることになる。そのため、アンテナ素子がグランドではなく実装端子と結合してしまい、アンテナの特性が劣化してしまうことが懸念される。

　また、２つのアンテナ素子が第２基板上に並べて配置される場合には、各アンテナ素子の配列方向外側の端部とグランドとの間で形成される電気力線は第２基板の外部（第２基板よりも誘電率の低い層、たとえば空気層）を通る一方、各アンテナ素子の配列方向内側の端部とグランドとの間で形成される電気力線は第２基板の内部を通ることになる。そのため、各アンテナ素子の配列方向における誘電率の対称性（第２基板の外部の層が占める割合のバランス）が大きく崩れてしまい、アンテナの特性が劣化してしまうことが懸念される。

　本開示は、このような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、グランドが形成された第１基板に、複数のアンテナ素子が配置された第２基板を実装して構成されるアンテナ装置の特性を向上させることである。

　本開示によるアンテナモジュールは、第１方向に延在するグランドが形成された第１基板と、第１基板に実装される第２基板とを備える。第２基板は、第１アンテナ素子と、第２アンテナ素子と、第１面と、前記第１面と対向する第２面とを有する。第１アンテナ素子と第２アンテナ素子とは、第１面に、または、第１面と第２面との間の層に、第１方向に並べて配置される。第２基板の第２面における第１アンテナ素子と第２アンテナ素子との間の領域に、第１面に向けて窪んだ凹部が形成される。

　本開示によれば、第２基板の第２面における第１アンテナ素子と第２アンテナ素子との間の領域に、第１面に向けて窪んだ凹部が形成される。そのため、各アンテナ素子の配列方向内側の端部とグランドとの間で形成される電気力線は凹部（第２基板よりも誘電率の低い層、たとえば空気層）を通ることになる。これにより、凹部が設けられない場合に比べて、各アンテナ素子の配列方向における誘電率の対称性（第２基板の外部の層が占める割合のバランス）が良好となる。さらに、アンテナ素子と、凹部を挟んでアンテナ素子と対向する位置に配置される端子部との間のアイソレーションを向上させることもできる。その結果、グランドが形成された第１基板に、複数のアンテナ素子が配置された第２基板を実装して構成されるアンテナ装置の特性を向上させることができる。

アンテナ装置が適用される通信装置のブロック図の一例である。 アンテナ装置の斜視図（その１）である。 アンテナ装置の断面図（その１）である。 アレイアンテナをＸ軸正方向から平面視した図である。 アンテナ装置の断面図（その２）である。 アンテナ装置の断面図（その３）である。 アンテナ装置の断面図（その４）である。 アンテナ装置の断面図（その５）である。

　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。

　（通信装置の基本構成）
　図１は、本実施の形態に係るアンテナ装置１２０が適用される通信装置１のブロック図の一例である。通信装置１は、たとえば、携帯電話、スマートフォンあるいはタブレットなどの携帯端末や、通信機能を備えたパーソナルコンピュータなどである。

　図１を参照して、通信装置１は、アンテナモジュール１００と、ベースバンド信号処理回路を構成するＢＢＩＣ２００とを備える。アンテナモジュール１００は、給電回路の一例であるＲＦＩＣ１１０と、アンテナ装置１２０とを備える。通信装置１は、ＢＢＩＣ２００からアンテナモジュール１００へ伝達された信号を高周波信号にアップコンバートしてアンテナ装置１２０から放射するとともに、アンテナ装置１２０で受信した高周波信号をダウンコンバートしてＢＢＩＣ２００にて信号を処理する。

　図１では、説明を容易にするために、アンテナ装置１２０を構成する複数のアンテナ素子１２１のうち、４つのアンテナ素子１２１に対応する構成のみ示され、同様の構成を有する他のアンテナ素子１２１に対応する構成については省略されている。なお、図１においては、アンテナ装置１２０が二次元のアレイ状に配置された複数のアンテナ素子１２１で形成される例を示している。本実施の形態においては、アンテナ素子１２１は、略正方形の平板形状を有するパッチアンテナである。

　ＲＦＩＣ１１０は、スイッチ１１１Ａ～１１１Ｄ，１１３Ａ～１１３Ｄ，１１７と、パワーアンプ１１２ＡＴ～１１２ＤＴと、ローノイズアンプ１１２ＡＲ～１１２ＤＲと、減衰器１１４Ａ～１１４Ｄと、移相器１１５Ａ～１１５Ｄと、信号合成／分波器１１６と、ミキサ１１８と、増幅回路１１９とを備える。

　高周波信号を送信する場合には、スイッチ１１１Ａ～１１１Ｄ，１１３Ａ～１１３Ｄがパワーアンプ１１２ＡＴ～１１２ＤＴ側へ切換えられるとともに、スイッチ１１７が増幅回路１１９の送信側アンプに接続される。高周波信号を受信する場合には、スイッチ１１１Ａ～１１１Ｄ，１１３Ａ～１１３Ｄがローノイズアンプ１１２ＡＲ～１１２ＤＲ側へ切換えられるとともに、スイッチ１１７が増幅回路１１９の受信側アンプに接続される。

　ＢＢＩＣ２００から伝達された信号は、増幅回路１１９で増幅され、ミキサ１１８でアップコンバートされる。アップコンバートされた高周波信号である送信信号は、信号合成／分波器１１６で４分波され、４つの信号経路を通過して、それぞれ異なるアンテナ素子１２１に給電される。このとき、各信号経路に配置された移相器１１５Ａ～１１５Ｄの移相度が個別に調整されることにより、アンテナ装置１２０の指向性を調整することができる。

　各アンテナ素子１２１で受信された高周波信号である受信信号は、それぞれ、異なる４つの信号経路を経由し、信号合成／分波器１１６で合波される。合波された受信信号は、ミキサ１１８でダウンコンバートされ、増幅回路１１９で増幅されてＢＢＩＣ２００へ伝達される。

　ＲＦＩＣ１１０は、例えば、上記回路構成を含む１チップの集積回路部品として形成される。あるいは、ＲＦＩＣ１１０における各アンテナ素子１２１に対応する機器（スイッチ、パワーアンプ、ローノイズアンプ、減衰器、移相器）については、対応するアンテナ素子１２１毎に１チップの集積回路部品として形成されてもよい。

　（アンテナ装置の構成）
　図２は、アンテナ装置１２０の斜視図である。アンテナモジュール１００は、メイン基板１０と、アレイアンテナ２０，３０とを含む。なお、以下では、メイン基板１０の主面の法線方向を「Ｚ軸方向」、Ｚ軸方向に垂直であってかつ互いに垂直な方向をそれぞれ「Ｘ軸方向」および「Ｙ軸方向」とも称する。また、以下では、各図におけるＺ軸の正方向を上面側、負方向を下面側として説明する場合がある。

　図２に示す例では、メイン基板１０の上面に、４個のアレイアンテナ２０が所定間隔を隔ててＸ軸方向に並べて配置され、４個のアレイアンテナ３０が所定間隔を隔ててＸ軸方向に並べて配置されている。４個のアレイアンテナ３０は、４個のアレイアンテナ２０に対して、それぞれ所定間隔を隔ててＹ軸方向に隣接するように配置されている。

　各アレイアンテナ２０は、第１アンテナ素子２１と、第２アンテナ素子２２と、サブ基板２３とを含む。サブ基板２３は、Ｚ軸方向から平面視した場合において、Ｙ軸方向を長辺とする略矩形状に形成される。第１アンテナ素子２１および第２アンテナ素子２２は、Ｚ軸方向から平面視した場合において、略正方形状に形成される。第１アンテナ素子２１と第２アンテナ素子２２とは、サブ基板２３の上面に、所定間隔を隔ててＹ軸方向に並べて配置されている。なお、第１アンテナ素子２１と第２アンテナ素子２２とは、サブ基板２３の上面に近い層（サブ基板２３の上面と下面との間の層）に、所定間隔を隔ててＹ軸方向に並べて配置されていてもよい。

　各アレイアンテナ３０は、第１アンテナ素子３１と、第２アンテナ素子３２と、サブ基板３３とを含む。サブ基板３３は、Ｚ軸方向から平面視した場合において、Ｙ軸方向を長辺とする略矩形状に形成される。第１アンテナ素子３１および第２アンテナ素子３２は、Ｚ軸方向から平面視した場合において、略正方形状に形成される。第１アンテナ素子３１と第２アンテナ素子３２とは、サブ基板３３の上面に、所定間隔を隔ててＹ軸方向に並べて配置されている。なお、第１アンテナ素子３１と第２アンテナ素子３２とは、サブ基板３３の上面に近い層（サブ基板３３の上面と下面との間の層）に、所定間隔を隔ててＹ軸方向に並べて配置されていてもよい。

　第１アンテナ素子２１，３１および第２アンテナ素子２２，３２は、いずれも、Ｙ軸方向を偏波方向とする電波を放射するように構成される。なお、第１アンテナ素子２１，３１および第２アンテナ素子２２，３２は、図１に示すアンテナ素子１２１のいずれかである。

　このように、４個のアレイアンテナ２０と４個のアレイアンテナ３０とをメイン基板１０上に実装することによって、合計１６個のアンテナ素子が４×４の二次元状に配列されたアンテナ装置１２０が形成される。

　なお、アンテナ素子の面中心（対角線の交点）同士の距離（以下「アンテナ素子間距離」ともいう）は、いずれも、自由空間における電波の波長λの半分（＝λ／２）以上の値に設定される。

　図３は、図２におけるアンテナ装置１２０のＩＩＩ－ＩＩＩ断面図である。図３においては、アレイアンテナ３０の断面形状は省略されている。なお、アレイアンテナ３０の断面形状は、アレイアンテナ２０の断面形状とほぼ同じである。

　メイン基板１０は、誘電体１１と、誘電体１１の内部の層に配置されるグランド電極ＧＮＤとを含む。グランド電極ＧＮＤは、Ｙ軸方向およびＸ軸方向に延在する平板形状を有する。

　アレイアンテナ２０のサブ基板２３は、上面２３ａと、上面２３ａと対向する下面２３ｂとを有する。サブ基板２３の上面２３ａには、第１アンテナ素子２１と第２アンテナ素子２２とが所定間隔を隔ててＹ軸方向に並べて配置される。なお、上述のように、第１アンテナ素子２１と第２アンテナ素子２２とは、サブ基板２３の上面２３ａに近い層（サブ基板２３の上面２３ａと下面２３ｂとの間の層）に、所定間隔を隔ててＹ軸方向に並べて配置されていてもよい。

　サブ基板２３の下面２３ｂには、サブ基板２３をメイン基板１０の上面１０ａに実装するための実装端子部２４が配置される。実装端子部２４は、複数のはんだバンプなどの導電体によって形成される。

　サブ基板２３の下面２３ｂにおける第１アンテナ素子２１と第２アンテナ素子２２との間の領域（平面的な領域）には、上面２３ａに向けて窪んだ凹部２５が形成される。

　実装端子部２４は、下面２３ｂにおける凹部２５よりも第１アンテナ素子２１に近い側（Ｙ軸負方向側）の第１領域に設けられる第１端子部２４ａと、下面２３ｂにおける凹部２５よりも第２アンテナ素子２２に近い側（Ｙ軸正方向側）の第２領域に設けられる第２端子部２４ｂとを含む。

　凹部２５は、サブ基板２３における、第１アンテナ素子２１と第２端子部２４ｂとの間であって、かつ第２アンテナ素子２２と第１端子部２４ａとの間の領域（立体的な領域）に形成される。

　また、凹部２５は、Ｘ軸方向（すなわち各アンテナ素子が放射する電波の偏波方向と直交する方向）に延在するように形成される。なお、アレイアンテナ３０においても、凹部２５と同様の凹部３５（図２参照）が形成される。

　図３においては実装端子部２４が第１領域に設けられる第１端子部２４ａと第２領域に設けられる第２端子部２４ｂとを含む例が示されているが、実装端子部２４の配置はこのような配置に限定されない。たとえば、実装端子部２４が第１端子部２４ａおよび第２端子部２４ｂのどちらか一方のみを含むものであってもよい。

　また、図３に示す例では第１端子部２４ａが第１領域のほぼ全面に配置されるとともに第２端子部２４ｂが第２領域のほぼ全面に配置される例が示されているが、第１端子部２４ａおよび第２端子部２４ｂの配置はこのような配置に限定されない。たとえば、第１端子部２４ａが第１領域の一部分に配置されてもよいし、第２端子部２４ｂが第２領域の一部分に配置されてもよい。いずれの場合であっても、凹部２５は、少なくとも、サブ基板２３における、第１アンテナ素子２１と第２端子部２４ｂとの間の領域、および第２アンテナ素子２２と第１端子部２４ａとの間の領域の少なくとも一方に形成されるものであればよい。

　図４は、アレイアンテナ２０をＺ軸正方向から平面視した図である。なお、アレイアンテナ３０をＺ軸正方向から平面視した形状は、アレイアンテナ２０をＺ軸正方向から平面視した形状とほぼ同じである。

　サブ基板２３は、Ｙ軸方向における、第１アンテナ素子２１に近い第１端面２３ｃと、第２アンテナ素子２２に近い側の第２端面２３ｄとを有する。凹部２５は、Ｙ軸方向における、第１アンテナ素子２１に近い第１側面２５ｃと、第２アンテナ素子２２に近い第２側面２５ｄとを有する。

　第１アンテナ素子２１と第１端面２３ｃとの間のＹ軸方向の距離、第１アンテナ素子２１と第１側面２５ｃとの間のＹ軸方向の距離、第２アンテナ素子２２と第２端面２３ｄとの間のＹ軸方向の距離、および、第２アンテナ素子２２と第２側面２５ｄとの間のＹ軸方向の距離は、いずれも所定値ｄである。

　以上のように、本実施の形態によるアンテナ装置１２０は、グランド電極ＧＮＤが形成されたメイン基板１０にサブ基板２３を実装して構成される。サブ基板２３の下面２３ｂにおける中央領域（第１アンテナ素子２１と第２アンテナ素子２２との間の領域）には、上面２３ａに向けて窪んだ凹部２５が形成される。そのため、各アンテナ素子２１，２２（第１アンテナ素子２１および第２アンテナ素子２２の各々）の配列方向外側の端部とグランド電極ＧＮＤとの間で形成される電気力線はサブ基板２３の外部（空気層）を通る一方、各アンテナ素子２１，２２の配列方向内側の端部とグランド電極ＧＮＤとの間で形成される電気力線においても凹部２５（空気層）を通ることになる。そのため、凹部２５が設けられない場合に比べて、各アンテナ素子２１，２２の配列方向における誘電率の対称性（空気層が占める割合のバランス）が良好となる。

　さらに、凹部２５は、サブ基板２３における、第１アンテナ素子２１と第２端子部２４ｂとの間であって、かつ第２アンテナ素子２２と第１端子部２４ａとの間の領域に形成される。これにより、第１アンテナ素子２１と第２端子部２４ｂ（凹部２５を挟んで第１アンテナ素子２１と対向する位置に配置される端子部）との間の結合強度を低減して、第１アンテナ素子２１と第２端子部２４ｂとの間のアイソレーションを向上させることができる。また、第２アンテナ素子２２と第１端子部２４ａ（凹部２５を挟んで第２アンテナ素子２２と対向する位置に配置される端子部）との間の結合強度を低減して、第２アンテナ素子２２と第１端子部２４ａとの間のアイソレーションも向上させることができる。

　その結果、グランド電極ＧＮＤが形成されたメイン基板１０に、複数のアンテナ素子２１，２２が配置されたサブ基板２３を実装して構成されるアンテナ装置１２０の特性を向上させることができる。

　特に、凹部２５は、Ｘ軸方向（すなわち各アンテナ素子２１，２２が放射する電波の偏波方向と直交する方向）に延在するように形成される。これにより、第１アンテナ素子２１と第２アンテナ素子２２との間のアイソレーションも向上させることができる。

　また、サブ基板２３の下面２３ｂに凹部２５を形成することによって、メイン基板１０の上面１０ａが空気と接触する表面積を増大させることができるので、メイン基板１０の放熱性を向上させることができる。

　また、サブ基板２３に凹部２５を形成することによって、凹部２５が形成される部分の強度が低下するため、サブ基板２３内に発生する応力を凹部２５が形成される部分に集中させて吸収することができる。その結果、実装端子部２４周辺に作用する応力を低減して実装強度を確保することができる。

　なお、本実施の形態の「メイン基板１０」、「グランド電極ＧＮＤ」、「第１アンテナ素子２１」、「第２アンテナ素子２２」、および「サブ基板２３」は、本開示の「第１基板」、「グランド」、「第１アンテナ素子」、「第２アンテナ素子」、および「第２基板」にそれぞれ対応し得る。

　また、本実施の形態の「上面２３ａ」、「下面２３ｂ」、「実装端子部２４」、および「凹部２５」は、本開示の「第１面」、「第２面」、「端子部」、および「凹部」にそれぞれ対応し得る。

　また、本実施の形態の「第１端子部２４ａ」および「第２端子部２４ｂ」は、本開示の「第１端子部」および「第２端子部」にそれぞれ対応し得る。

　また、本実施の形態の「第１端面２３ｃ」、「第２端面２３ｄ」、「第１側面２５ｃ」、および「第２側面２５ｄ」は、本開示の「第１端面」、「第２端面」、「第１側面」、および「第２側面」にそれぞれ対応し得る。

　［変形例１］
　上述の凹部２５とメイン基板１０とによって形成される空間を、メイン基板１０に実装される部品を配置するスペースとして活用してもよい。

　図５は、本変形例１によるアンテナ装置１２０Ａの断面図である。アンテナ装置１２０Ａは、上述の実施の形態によるアンテナ装置１２０に対して、凹部２５とメイン基板１０とによって形成される空間に、導体５１を介してグランド電極ＧＮＤに接続された金属壁５０を追加したものである。

　このように変形することにより、凹部２５とメイン基板１０とによって形成される空間を、メイン基板１０に実装される金属壁５０を配置するスペースとして活用することができる。さらに、第１アンテナ素子２１と第２端子部２４ｂとの間のアイソレーション、および、第２アンテナ素子２２と第１端子部２４ａとの間のアイソレーションを、より向上させることができる。

　本変形例１の「金属壁５０」は、本開示の「部品」に対応し得る。
　［変形例２］
　上述の凹部２５の表面を凹凸形状にして凹部２５の表面積を増加させるようにしてもよい。

　図６は、本変形例２によるアンテナ装置１２０Ｂの断面図である。アンテナ装置１２０Ｂは、上述の実施の形態によるアンテナ装置１２０の凹部２５を凹部２５Ｂに変更したものである。凹部２５Ｂは、凹部２５の表面を凹凸形状に変更したものである。

　このように変形することにより、凹部２５の表面積を増加させることができるため、メイン基板１０の放熱性をより向上させることができる。

　［変形例３］
　上述の実施の形態によるアンテナ装置１２０をスタックパッチアンテナに変更してもよい。

　図７は、本変形例３によるアンテナ装置１２０Ｃの断面図である。アンテナ装置１２０Ｃは、上述の実施の形態によるアンテナ装置１２０に対して、第３アンテナ素子２１Ｃおよび第４アンテナ素子２２Ｃを追加したものである。

　第３アンテナ素子２１Ｃは、第１アンテナ素子２１と下面２３ｂとの間の層に形成される。第３アンテナ素子２１Ｃは、第１アンテナ素子２１とともに、シングルバンド型あるいはデュアルバンド型のスタックアンテナを形成する。なお、シングルバンド型とは、第１アンテナ素子２１と第３アンテナ素子２１Ｃとが同一バンドもしくは同一の周波数帯の電波を放射することを意味する。デュアルバンド型とは、第１アンテナ素子２１と第３アンテナ素子２１Ｃとが異なるバンドもしくは異なる周波数帯の電波を放射することを意味する。

　第４アンテナ素子２２Ｃは、第２アンテナ素子２２と下面２３ｂとの間の層に形成される。第４アンテナ素子２２Ｃは、第２アンテナ素子２２とともに、シングルバンド型あるいはデュアルバンド型のスタックアンテナを形成する。なお、シングルバンド型とは、第２アンテナ素子２２と第４アンテナ素子２２Ｃとが同一バンドもしくは同一の周波数帯の電波を放射することを意味する。デュアルバンド型とは、第２アンテナ素子２２と第４アンテナ素子２２Ｃとが異なるバンドもしくは異なる周波数帯の電波を放射することを意味する。

　このようなアンテナ装置１２０Ｃにおいて、凹部２５は、第３アンテナ素子２１Ｃと第４アンテナ素子２２Ｃとの間の領域に配置される。より具体的には、凹部２５の深さＨは、下面２３ｂと第３アンテナ素子２１Ｃとの間の距離ｈ１、および下面２３ｂと第４アンテナ素子２２Ｃとの間の距離ｈ２よりも大きくなるように形成される。これにより、第３アンテナ素子２１Ｃと第４アンテナ素子２２Ｃとの間のアイソレーションも向上させることができる。

　本変形例３の「第３アンテナ素子２１Ｃ」および「第４アンテナ素子２２Ｃ」は、本開示の「第３アンテナ素子」および「第４アンテナ素子」にそれぞれ対応し得る。

　［変形例４］
　上述の実施の形態によるアンテナ装置１２０において、凹部２５および凹部３５のＹ軸方向の幅を、サブ基板２３とサブ基板３３との間のＹ軸方向の距離よりも大きくするようにしてもよい。

　図８は、本変形例４によるアンテナ装置１２０Ｄの断面図である。アンテナ装置１２０Ｄは、上述の実施の形態によるアンテナ装置１２０において、凹部２５および凹部３５のＹ軸方向の幅Ｗを、サブ基板２３とサブ基板３３との間のＹ軸方向の距離Ｄよりも大きくしたものである。

　このようにすることにより、凹部２５によって形成される空気層の体積を、隣接するサブ基板２３とサブ基板３３との間に形成される空気層の体積に近づけることができる。そのため、第２アンテナ素子２２のＹ軸方向における誘電率の対称性を向上させることができる。同様に、第１アンテナ素子３１のＹ軸方向における誘電率の対称性を向上させることができる。

　本変形例４の「サブ基板３３」は、本開示の「第３基板」に対応し得る。
　［変形例５］
　上述の実施の形態においては凹部２５とメイン基板１０との間の領域に空気層が形成される例について説明したが、凹部２５とメイン基板１０との間の領域の少なくとも一部に、サブ基板２３よりも誘電率の小さい樹脂が充填されていてもよい。

　今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

　１　通信装置、１０　メイン基板、１０ａ，２３ａ　上面、１１　誘電体、２０，３０　アレイアンテナ、２１　第１アンテナ素子、２１Ｃ　第３アンテナ素子、２２　第２アンテナ素子、２２Ｃ　第４アンテナ素子、２３，３３　サブ基板、２３ｂ　下面、２３ｃ　第１端面、２３ｄ　第２端面、２４　実装端子部、２４ａ　第１端子部、２４ｂ　第２端子部、２５，２５Ｂ，３５　凹部、２５ｃ　第１側面、２５ｄ　第２側面、５０　金属壁、５１　導体、１００　アンテナモジュール、１１１Ａ，１１１Ｄ，１１３Ａ，１１３Ｄ，１１７　スイッチ、１１２ＡＲ，１１２ＤＲ　ローノイズアンプ、１１２ＡＴ，１１２ＤＴ　パワーアンプ、１１４Ａ，１１４Ｄ　減衰器、１１５Ａ，１１５Ｄ　移相器、１１６　分波器、１１８　ミキサ、１１９　増幅回路、１２０，１２０Ａ～１２０Ｄ　アンテナ装置、１２１　アンテナ素子。

Claims (10)

1. 　第１方向に延在するグランドが形成された第１基板と、
   　前記第１基板に実装される第２基板とを備え、
   　前記第２基板は、
   　　第１アンテナ素子と、
   　　第２アンテナ素子と、
   　　第１面と、
   　　前記第１面と対向する第２面とを有し、
   　前記第１アンテナ素子と前記第２アンテナ素子とは、前記第１面に、または、前記第１面と前記第２面との間の層に、前記第１方向に並べて配置され、
   　前記第２基板の前記第２面における前記第１アンテナ素子と前記第２アンテナ素子との間の領域に、前記第１面に向けて窪んだ凹部が形成される、アンテナ装置。
2. 　前記第２面には、前記第２基板を前記第１基板に実装するための端子部が配置され、
   　前記凹部は、前記第２基板における、前記第１アンテナ素子および前記第２アンテナ素子の少なくとも一方と前記端子部との間の領域に形成される、請求項１に記載のアンテナ装置。
3. 　前記端子部は、
   　　前記第２面における、前記凹部よりも前記第１アンテナ素子に近い側の領域に設けられる第１端子部と、
   　　前記第２面における、前記凹部よりも前記第２アンテナ素子に近い側の領域に設けられる第２端子部とを含み、
   　前記凹部は、前記第２基板における、前記第１アンテナ素子と前記第２端子部との間であって、かつ前記第２アンテナ素子と前記第１端子部との間の領域に形成される、請求項２に記載のアンテナ装置。
4. 　前記第２基板は、前記第１方向における、前記第１アンテナ素子に近い第１端面と、前記第２アンテナ素子に近い第２端面とを有し、
   　前記凹部は、前記第１方向における、前記第１アンテナ素子に近い第１側面と、前記第２アンテナ素子に近い第２側面とを有し、
   　前記第１アンテナ素子と前記第２基板の前記第１端面との間の前記第１方向の距離は、前記第１アンテナ素子と前記凹部の前記第１側面との間の前記第１方向の距離に略等しく、
   　前記第２アンテナ素子と前記第２基板の前記第２端面との間の前記第１方向の距離は、前記第２アンテナ素子と前記凹部の前記第２側面との間の前記第１方向の距離に略等しい、請求項１～３のいずれかに記載のアンテナ装置。
5. 　前記第２基板の前記凹部と前記第１基板とによって形成される空間に配置される部品をさらに備える、請求項１～４のいずれかに記載のアンテナ装置。
6. 　前記凹部の表面は凹凸形状を有する、請求項１～５のいずれかに記載のアンテナ装置。
7. 　前記第２基板は、
   　　前記第１アンテナ素子と前記第２面との間の領域に形成される第３アンテナ素子と、
   　　前記第２アンテナ素子と前記第２面との間の領域に形成される第４アンテナ素子とをさらに有し、
   　前記凹部は、前記第３アンテナ素子と前記第４アンテナ素子との間の領域に配置される、請求項１～６のいずれかに記載のアンテナ装置。
8. 　前記凹部の深さは、前記第２面と前記第３アンテナ素子との間の距離、および前記第２面と前記第４アンテナ素子との間の距離よりも大きい、請求項７に記載のアンテナ装置。
9. 　前記第１基板上に前記第２基板と前記第１方向に並べて配置される第３基板をさらに備え、
   　前記凹部の前記第１方向の幅は、前記第２基板と前記第３基板との間の前記第１方向の距離よりも大きい、請求項１～８のいずれかに記載のアンテナ装置。
10. 　前記第１アンテナ素子および前記第２アンテナ素子は、偏波方向を有する電波を放射し、
    　前記凹部は、前記偏波方向と交差する方向に延在する、請求項１～９のいずれかに記載のアンテナ装置。

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