CN114175399B - 子阵列天线、阵列天线、天线模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

天线模块(100)包括主基板(10)和多个子阵列天线(20)。各子阵列天线(20)具备子基板(21)和多个天线元件(22)。各天线元件(22)包括配置于子基板(21)的上表面(21a)的无馈电元件(22a)以及配置于子基板(21)的上表面(21a)与下表面(21c)之间的层的馈电元件(22b)。在将自由空间中的电波的波长设为λ时,配置于同子基板(21)的端面(21b)邻接的位置的天线元件(22)的面中心与端面(21b)的距离为λ/9以上、且为各子阵列天线(20)内的彼此相邻的两个天线元件(22)的中心之间的距离(P)的一半以下。

Description

子阵列天线、阵列天线、天线模块和通信装置
技术领域
本公开涉及一种天线模块和搭载有该天线模块的通信装置,更具体地涉及提高子阵列天线的特性的技术。
背景技术
在日本特开2016-213927号公报中,公开了将大量天线元件排列于一个基板而成的阵列天线。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-213927号公报
发明内容
发明要解决的问题
在日本特开2016-213927号公报所公开的阵列天线中,将大量天线元件直接排列于一个基板,因此安装各天线元件的基板有大型化的倾向。因此,有如下担心:安装各天线元件的基板容易翘曲,或用于将各天线元件安装于基板的设备大型化。
作为针对其的对策,设想了将大量天线元件分割来排列于多个子基板(子阵列天线)、并将多个子阵列天线排列在主基板上。然而,在这样的阵列天线中,根据天线元件与子基板的端面的距离关系不同,有如下担心:天线元件单体的特性劣化,或阵列天线整体的旁瓣电平上升。
另外,作为其它对策,还设想了在排列有大量天线元件的一个基板中设置用于吸收翘曲的槽部(缝隙)。然而,即使是在这样的阵列天线中,也根据天线元件与槽部之间的距离关系不同而有如下担心:天线元件单体的特性劣化,或阵列天线整体的旁瓣电平上升。
本公开是为了解决这样的问题而完成的,其目的在于,在将多个子阵列天线进行排列来作为阵列天线的情况下,不使天线元件单体的特性劣化地抑制阵列天线整体的旁瓣电平。
另外,本公开的其它目的在于,在将多个天线元件排列于设置有槽部的基板而形成的阵列天线中,不使天线元件单体的特性劣化地抑制阵列天线整体的旁瓣电平。
用于解决问题的方案
根据本公开的子阵列天线具备基板以及平板状的多个天线元件。基板具有:第一面;与第一面相向的第二面;以及将第一面与第二面连接的端面。多个天线元件沿着第一面等间隔地并排配置于第一面或者第一面与第二面之间的层。在将自由空间中的电波的波长设为λ时,彼此相邻的两个天线元件的中心之间的距离为λ/2以上。外侧天线元件的中心与端面的距离为λ/9以上且为彼此相邻的两个天线元件的中心之间的距离的一半以下,其中,外侧天线元件是多个天线元件中的配置于与端面邻接的位置的天线元件。
在上述的子阵列天线中,外侧天线元件的中心与子基板的端面的距离为λ/9以上且为彼此相邻的两个天线元件的中心之间的距离的一半以下。由此,在将多个子阵列天线进行排列来作为阵列天线的情况下,能够不使天线元件单体的特性劣化地抑制阵列天线整体的旁瓣电平。
根据本公开的阵列天线具备基板以及平板状的多个天线元件。基板具有:第一面;与第一面相向的第二面;以及比第一面向第二面侧凹陷的槽部。多个天线元件沿着第一面等间隔地并排配置于第一面或者第一面与第二面之间的层。在将自由空间中的电波的波长设为λ时,彼此相邻的两个天线元件的中心之间的距离为λ/2以上。多个天线元件中的配置于同槽部邻接的位置的天线元件的中心与槽部的距离为λ/9以上、且为彼此相邻的两个天线元件的中心之间的距离的一半以下。
在上述的阵列天线中,配置于同槽部邻接的位置的天线元件的中心与槽部的距离为λ/9以上、且为彼此相邻的两个天线元件的中心之间的距离的一半以下。由此,能够不使天线元件单体的特性劣化地抑制阵列天线整体的旁瓣电平。
根据本公开的其它子阵列天线具备基板以及平板状的多个天线元件。基板具有:第一面;与第一面相向的第二面;以及将第一面与第二面连接的端面。多个天线元件沿着第一面等间隔地并排配置于第一面或者第一面与第二面之间的层。在将彼此相邻的两个天线元件的中心之间的距离设为P时,外侧天线元件的中心与端面的距离为P的九分之二以上且P的一半以下,其中,外侧天线元件是多个天线元件中的配置于与端面邻接的位置的天线元件。
在上述的子阵列天线中,外侧天线元件的中心与子基板的端面的距离为P(彼此相邻的两个天线元件的中心之间的距离)的λ/9以上且P的一半以下。由此,在将多个子阵列天线进行排列来作为阵列天线的情况下,能够不使天线元件单体的特性劣化地抑制阵列天线整体的旁瓣电平。
发明的效果
根据本公开,能够不使天线元件单体的特性劣化地抑制阵列天线整体的旁瓣电平。
附图说明
图1是通信装置的框图的一例。
图2是天线模块的俯视图。
图3是子阵列天线的俯视图(其一)。
图4是子阵列天线的子基板的局部放大图。
图5是天线模块的截面图(其一)。
图6是示出谐振频率特性的仿真结果的一例的图。
图7是示出辐射特性的仿真结果的一例的图。
图8是示出隔离度特性的仿真结果的一例的图(其一)。
图9是天线模块的截面图(其二)。
图10是示出隔离度特性的仿真结果的一例的图(其二)。
图11是天线模块的截面图(其三)。
图12是天线模块的截面图(其四)。
图13是天线模块的截面图(其五)。
图14是子阵列天线的俯视图(其二)。
图15是示出从图3所示的各天线元件辐射的、以X轴方向为偏振方向的电波的特性的图。
图16是示出从图3所示的各天线元件辐射的、以Y轴方向为偏振方向的电波的特性的图。
图17是示出从图14所示的各天线元件辐射的、以X轴方向为偏振方向的电波的特性的图。
图18是示出从图14所示的各天线元件辐射的、以Y轴方向为偏振方向的电波的特性的图。
具体实施方式
下面,参照附图来详细地说明本公开的实施方式。此外,对图中同一或相当部分标注同一标记并不重复其说明。
(通信装置的基本结构)
图1是应用了本实施方式所涉及的天线模块100的通信装置1的框图的一例。通信装置1例如是便携式电话、智能电话或平板等便携式终端、具备通信功能的个人计算机等。本实施方式所涉及的天线模块100所使用的电波的频带的一例例如是以28GHz、39GHz以及60GHz等为中心频率的毫米波带的电波,但是也能够应用上述以外的频带的电波。
参照图1,通信装置1具备天线模块100以及构成基带信号处理电路的BBIC 200。天线模块100具备作为馈电电路的一例的RFIC 110、多个子阵列天线20以及滤波器装置130。子阵列天线20包括多个平板状的天线元件(辐射电极)22。通信装置1将从BBIC 200向天线模块100传递的信号上变频为高频信号后从天线元件22辐射,并且将利用天线元件22接收到的高频信号下变频后用BBIC 200对信号进行处理。
此外,在图1中,为了便于说明,仅示出一个子阵列天线20,省略了具有相同结构的其它子阵列天线20。另外,在图1中,为了便于说明,仅示出子阵列天线20所包括的多个天线元件22中的与四个天线元件22(22A~22D)对应的结构,省略了与具有相同结构的其它天线元件22对应的结构。另外,在图1中,示出了子阵列天线20是将多个天线元件22配置成二维阵列状所得的二维阵列的例子,但是子阵列天线20也可以是将多个天线元件22配置成一列所得的一维阵列。
另外,根据本实施方式的子阵列天线20是能够从各天线元件22辐射具有互不相同的偏振方向的两个电波的、所谓的双偏振类型的天线装置。因此,从RFIC 110向各天线元件22供给第一偏振用的高频信号和第二偏振用的高频信号。此外,子阵列天线20不限定于双偏振类型的天线装置,也可以是单偏振类型的天线装置。
RFIC 110具备开关111A~111H、113A~113H、117A、117B、功率放大器112AT~112HT、低噪声放大器112AR~112HR、衰减器114A~114H、移相器115A~115H、信号合成/分波器116A、116B、混合器118A、118B、以及放大电路119A、119B。其中,开关111A~111D、113A~113D、117A、功率放大器112AT~112DT、低噪声放大器112AR~112DR、衰减器114A~114D、移相器115A~115D、信号合成/分波器116A、混合器118A以及放大电路119A的结构是用于第一偏振用的高频信号的电路。另外,开关111E~111H、113E~113H、117B、功率放大器112ET~112HT、低噪声放大器112ER~112HR、衰减器114E~114H、移相器115E~115H、信号合成/分波器116B、混合器118B以及放大电路119B的结构是用于第二偏振用的高频信号的电路。
在发送高频信号的情况下,开关111A~111H、113A~113H被切换到功率放大器112AT~112HT侧,并且开关117A、117B与放大电路119A、119B的发送侧放大器连接。在接收高频信号的情况下,开关111A~111H、113A~113H被切换到低噪声放大器112AR~112HR侧,并且开关117A、117B与放大电路119A、119B的接收侧放大器连接。
滤波器装置130包括滤波器装置130A~130H。此外,在下面的说明中,有时将滤波器装置130A~130H统称为“滤波器装置130”。滤波器装置130A~130H分别与RFIC 110中的开关111A~111H连接。如后述那样,滤波器装置130A~130H中的各滤波器装置具有使特定的频带的高频信号衰减的功能。
从BBIC 200传递的信号被放大电路119A、119B放大后,被混合器118A、118B上变频。上变频后的作为高频信号的发送信号被信号合成/分波器116A、116B分成四个,通过对应的信号路径被馈送到各不相同的馈电元件121。
来自开关111A、111E的高频信号分别经由滤波器装置130A、130E来被供给到馈电元件121A。同样地,来自开关111B、111F的高频信号分别经由滤波器装置130B、130F来被供给到馈电元件121B。来自开关111C、111G的高频信号分别经由滤波器装置130C、130G来被供给到馈电元件121C。来自开关111D、111H的高频信号分别经由滤波器装置130D、130H来被供给到馈电元件121D。
能够通过独立地对配置于各信号路径的移相器115A~115H的移相度进行调整,来调整天线装置120的方向性。
被各馈电元件121接收到的作为高频信号的接收信号经由滤波器装置130来向RFIC 110传递,并经由各不相同的四个信号路径来在信号合成/分波器116A、116B中被合成。合成后的接收信号被混合器118A、118B下变频后,被放大电路119A、119B放大后向BBIC200传递。
RFIC 110例如形成为包括上述电路结构的单芯片的集成电路部件。或者,也可以是,将RFIC 110中的与各馈电元件121对应的设备(开关、功率放大器、低噪声放大器、衰减器、移相器)按对应的馈电元件121形成为单芯片的集成电路部件。
(天线模块的结构)
图2是本实施方式所涉及的天线模块100的俯视图。此外,下面,也将图2所示的平面的法线方向称为“Z轴方向”、将与Z轴方向垂直且相互垂直的方向分别称为“X轴方向”和“Y轴方向”。另外,下面,以各图中的Z轴的正方向为上表面侧且以负方向为下表面侧来进行说明。
天线模块100除了包括RFIC 110和多个子阵列天线20之外还包括主基板10。在图2所示的例子中,在主基板10的上表面10a,4个子阵列天线20排列成2×2的二维状。
各子阵列天线20包括子基板21和多个天线元件22。在图2所示的例子中,在子基板21的上表面21a,16个天线元件22排列成4×4的二维状。
像这样,通过在主基板10上排列4个在子基板21上排列了16个天线元件22所得的子阵列天线20,来形成合计64个天线元件排列成8×8的二维状所得的天线模块100。换言之,天线模块100是64个天线元件被分割来安装于四个子基板21所得的阵列天线。
在各子阵列天线20内,天线元件22沿X轴方向及Y轴方向等间隔地并排配置于子基板21的上表面21a。在各子阵列天线20内,在X轴方向及Y轴方向上彼此相邻的两个天线元件22的面中心(对角线的交点)之间的距离(下面也称为“天线元件间距离P”)均被设定为λ/2以上的值。“λ”是自由空间中的电波的波长。
在从Z轴方向俯视的情况下,主基板10、子基板21以及天线元件22均形成为大致矩形形状。在彼此相邻的子阵列天线20的子基板21之间,形成空间S。
在将配置于与子基板21的端面21b邻接的位置的天线元件22定义为“外侧天线元件”时,彼此相邻的子阵列天线20的外侧天线元件的面中心之间的距离(下面,也简称为“外侧天线元件间距离A”)被设定为与作为在各子阵列天线20内彼此相邻的两个天线元件22的面中心之间的距离的“天线元件间距离P”相同的值。即,在天线模块100中,所有的天线元件22在X轴方向及Y轴方向上以λ/2以上的间隔等间距地排列。
图3是子阵列天线20的俯视图。如上所述,在子基板21的上表面21a,16个天线元件22排列成4×4的二维状。另外,天线元件间距离P被设定为λ/2以上的值。
多个天线元件22中的配置于与子基板21的端面21b邻接的位置的天线元件22是上述的“外侧天线元件”。在本实施方式中,外侧天线元件的面中心C与端面21b的距离(下面也称为“基板端距离B”)被设定为λ/9以上且P/2以下的值。
在此,天线元件间距离P为λ/2以上的值从而“λ≤2P”的关系成立,因此基板端距离B能够换而言之为2P/9以上且P/2以下的值。即,基板端距离B为天线元件间距离P的九分之二以上且天线元件间距离P的一半以下。
此外,下面,也将从Z轴方向俯视子阵列天线20的情况下的外侧天线元件与端面21b之间的区域(图3中比由点划线示出的框线L1靠外侧的区域)记载为“外侧区域Rout”、将比外侧区域Rout靠内侧的区域(比框线L1靠内侧的区域)记载为“内侧区域Rin”。
图4是子阵列天线20的子基板21的局部放大图。如上所述,子阵列天线20是所谓的双偏振类型的天线装置。因此,在各天线元件22设置两个馈电点SP1、SP2。
馈电点SP1配置于相对于天线元件22的面中心C向图4的X轴的正方向偏移的位置。从RFIC 110向馈电点SP1供给第一偏振用的高频信号。由此,从天线元件22辐射以X轴方向为偏振方向的电波。
馈电点SP2配置于相对于天线元件22的面中心C从图4的Y轴的负方向偏移的位置。从RFIC 110向馈电点SP2供给第二偏振用的高频信号。由此,从天线元件22辐射以Y轴方向为偏振方向的电波。
子基板21如上所述那样形成为大致矩形形状,包括与X轴方向垂直的端面21b(下面也称为“X端面21bx”)以及与Y轴方向垂直的端面21b(下面也称为“Y端面21by”)。
外侧天线元件的面中心C与X端面21bx的距离Bx以及外侧天线元件的面中心C与Y端面21by的距离By均被设定为λ/9以上且P/2以下的值。
此外,在子阵列天线20为单偏振类型的天线装置的情况下,例如能够省略馈电点SP2而仅设有馈电点SP1。此外,也可以是,例如在仅设有馈电点SP1的情况下,外侧天线元件的面中心C与X端面21bx的距离Bx被设定为λ/9以上的值,但是外侧天线元件的面中心C与Y端面21by的距离By未必是λ/9以上的值。
图5是天线模块100的图2的V-V截面图。如上所述,天线模块100包括主基板10和配置于主基板10的上表面10a的多个子阵列天线20。主基板10包括接地端子11和接地电极12。接地端子11配置于主基板10的上表面10a,经由通孔来与接地电极12连接。
各子阵列天线20包括子基板21和天线元件22。此外,图5所示的天线元件22是在各子阵列天线20内的配置于与子基板21的端面21b邻接的位置的“外侧天线元件”。
子基板21例如是低温共烧陶瓷(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramics)多层基板;将多个由环氧、聚酰亚胺等树脂构成的树脂层层叠形成的多层树脂基板;将多个由具有更低的介电常数的液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer:LCP)构成的树脂层层叠形成的多层树脂基板;将多个由氟系树脂构成的树脂层层叠形成的多层树脂基板;或者LTCC以外的陶瓷多层基板。此外,子基板21不限于多层基板,也可以是单层构造的基板。主基板10也能够设为与子基板21相同的组成和层构造。
另外,也可以将子基板21设为多层树脂基板,将主基板10设为低温共烧陶瓷(LTCC)基板。一般地说,天线正下方的滤波器的插入损耗与发送功率(EIRP:EquivalentIsotropically Radiated Power:等效全向辐射功率)、接收灵敏度有相关性,从而要求尽可能低的损耗以提高无线机的性能。同时,滤波器还需要通带附近的衰减性能。因此需要提高滤波器的Q值。为了提高滤波器的Q值,增加基板厚度是有意义的方法。毫米波滤波器具有在使用介电常数高的基材时能够小型化的优点。从这样的观点出发,将主基板10设为LTCC基板是有优势的。另一方面,在贴片天线中,为了确保频带也需要基板厚度,但是介电常数低有利于确保频带、提高增益。即,滤波器与天线对基材要求的特性不同,如果在相同的基材内构成滤波器和天线,则对某一方的性能产生制约。另外,在LTCC基板的情况下,在制造上能够实现的基板厚度存在限制,因此在由同一基材构成的情况下,滤波器和天线这两者均出现厚度限制,从而对滤波器和天线这两者的设计产生制约。鉴于以上,使配置天线元件22的子基板21与配置滤波器装置130的主基板10由不同的基材构成,具体地说,如上所述,也可以将子基板21设为多层树脂基板,将主基板10设为低温共烧陶瓷(LTCC)基板。
子基板21具有上表面21a、与上表面21a相向的下表面21c、以及将上表面21a与下表面21c连接的端面21b。另外,子基板21包括馈电布线23、接地电极24、25、通孔26、27、以及接地端子28。
馈电布线23与天线元件22的馈电点SP2连接。馈电布线23由沿X轴方向及Y轴方向延伸的配置于层内的布线图案以及沿Z轴方向延伸的通孔形成。来自RFIC 110的高频信号经由馈电布线23被传递到馈电点SP2。此外,在图5中未示出,但是在子基板2还设置有用于向天线元件22的馈电点SP1(参照图4)传递高频信号的馈电布线。
接地端子28配置于子基板21的下表面21c。在子阵列天线20安装于主基板10的状态下,接地端子28经由焊锡凸块29来与主基板10的接地端子11连接。接地端子28和焊锡凸块29配置于外侧区域Rout。
接地电极24经由通孔27来与接地端子28连接。接地电极25配置于比接地电极24靠上表面21a侧的层,经由通孔26来与接地电极24连接。接地电极24、25以及通孔26、27形成于配置有天线元件22的层与下表面21c之间的层。此外,也可以是,在子基板21是上基板与下基板叠加的多层基板的情况下,在上基板配置天线元件22,在下基板配置接地电极24、25以及通孔26、27。
接地电极24、25从内侧区域Rin延伸至外侧区域Rout。即,接地电极24、25的一部分配置于外侧区域Rout。但是,接地电极24、25的外侧的端部没有到达端面21b。即,接地电极24、25没有在端面21b暴露出来。
用于将接地电极24与接地电极25连接的通孔26以及用于将接地电极24与接地端子28连接的通孔27均配置于外侧区域Rout。此外,也可以是,通孔26、27的一部分配置于内侧区域Rin。
天线元件22包括无馈电元件22a和馈电元件22b。无馈电元件22a配置于子基板21的上表面21a,馈电元件22b沿着上表面21a配置于上表面21a与下表面21c之间的层。在图2所示的例子中,作为馈电元件22b和无馈电元件22a,使用大致相同尺寸的电极。在这样的结构中,能够辐射的频带为一个,但是能够通过无馈电元件22a来扩大频带宽度,从而也能够支持多个频带。
另外,天线元件22也可以仅具备馈电元件22b。在该情况下,馈电元件22b可以如图5所示那样配置于上表面21a与下表面21c之间的层,也可以配置于上表面21a。
此外,在图5中,构成天线元件、电极、布线图案以及通孔等的导体由以铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)以及它们的合金为主成分的金属形成。
在本实施方式所涉及的天线模块100中,在子阵列天线20内,接地电极24、25的一部分以及通孔26、27配置于外侧区域Rout。由此,子阵列天线20内的接地被强化,外侧天线元件的特性不易劣化。
并且,在本实施方式所涉及的天线模块100中,如图2及图5所示,在各子阵列天线20中,基板端距离B被设定为λ/9以上的值。由此,能够确保外侧区域Rout中的接地电极24、25相对于外侧天线元件的面积,能够抑制外侧天线元件的特性劣化。
图6是示出外侧天线元件的谐振频率特性的仿真结果的一例的图。在图6中,横轴表示基板端距离B除以波长λ所得的值(=B/λ),纵轴表示谐振频率相对于设计值(目标值)的偏差的比例。此外,一般地说,谐振频率相对于设计值的偏差的比例的允许值为百分之二左右。此外,在图6中,基板端距离B为外侧天线元件的面中心C与垂直于偏振方向的端面21b(在偏振方向是X轴方向的情况下为X端面21bx,在偏振方向是Y轴方向的情况下为Y端面21by)的距离。
如图6所示,当B/λ小于0.13时,谐振频率的偏差的比例从1起逐渐变大,在B/λ为0.11(大致为1/9)时,谐振频率的偏差的比例达到允许值即百分之二。基于这样的试验结果,在本实施方式中,将基板端距离B设定为λ/9以上的值。由此,能够将外侧天线元件的谐振频率的偏差的比例抑制为小于允许值即百分之二。
此外,在本实施方式中,外侧天线元件的面中心C与X端面21bx的距离Bx以及外侧天线元件的面中心C与Y端面21by的距离By均被设定为λ/9以上的值(参照上述的图4)。因此,能够将以X轴方向为偏振方向的电波以及以Y轴方向为偏振方向的电波这两者的谐振频率的偏差抑制为小于允许值。
并且,在本实施方式所涉及的天线模块100中,如图2所示,大量天线元件22形成为被分割来安装于多个子阵列天线20。而且,在各子阵列天线20中,基板端距离B被设定为P/2以下的值。由此,在将多个子阵列天线20进行排列来作为天线模块100时,能够将外侧天线元件间距离A设定为与天线元件间距离P相同的值,而避免彼此相邻的子阵列天线20的子基板21之间发生干扰。由此,在天线模块100中,能够将所有的天线元件22以λ/2以上的间隔(天线元件间距离P)等间距地进行排列。
图7是示出在将外侧天线元件间距离A设定为与天线元件间距离P相同的值的情况下(本公开)的、以及在将外侧天线元件间距离A设定为比天线元件间距离P大的值的情况下(比较例)的辐射特性的仿真结果的一例的图。在图7中,横轴表示相对于Z轴方向的角度,纵轴表示增益。此外,在图7中,用实线表示A=P的情况下(本公开)的仿真结果,用点划线表示A>P的情况下(比较例)的仿真结果。
如根据图7能够了解的那样,相比于在A>P的情况下的增益(点划线),在A=P的情况下的增益(实线)中的特别是相对于Z轴方向的角度的大小超过60°的范围的增益变小。因而,通过设为A=P,能够抑制旁瓣。即,假如基板端距离B为比P/2大的值,则有如下担心:彼此相邻的子基板21之间发生干扰并且外侧天线元件间距离A变得比天线元件间距离P大从而天线模块100整体的旁瓣电平恶化,但是在本实施方式中能够抑制那样的恶化。
并且,在本实施方式所涉及的天线模块100中,彼此相邻的子基板21之间不接触,而形成了有效介电常数比子基板21的有效介电常数低的空间S。由此,能够容易确保彼此相邻的子阵列天线20之间的隔离度。另外,在彼此相邻的子基板21之间形成有空间S从而子基板21之间不接触,由此能够抑制以X轴方向为偏振方向的电波以及以Y轴方向为偏振方向的电波这两者的波束的偏差。
并且,在本实施方式所涉及的天线模块100中,在子阵列天线20内,接地电极24、25的外侧的端部没有在端面21b暴露出来。由此,能够进一步适当地确保彼此相邻的子阵列天线20之间的隔离度。
图8是示出彼此相邻的子阵列天线20之间的隔离度特性的仿真结果的一例的图。图8是示出隔离度相对于频率的变化的图表,横轴表示频率,纵轴表示隔离度。此外,越是在纵轴的下侧,则表示隔离度越高。
在图8中,用实线表示接地电极24、25没有在端面21b暴露出来的情况下(本公开)的仿真结果,用点划线表示接地电极24、25在端面21b暴露出来的情况下(比较例)的仿真结果。在图8中,设想了在天线模块100中使用了以28GHz为中心频率的频带。
根据图8所示的仿真结果,能够了解,在天线模块100的频率的使用带中,接地电极24、25没有在端面21b暴露出来的情况(实线)相比于接地电极24、25在端面21b暴露出来的情况(点划线)隔离度大。即,通过使用实施方式那样的结构,能够进一步适当地确保隔离度。
如上所述,在根据本实施方式的子阵列天线20中,作为外侧天线元件的面中心与端面21b的距离的“基板端距离B”被设定为λ/9以上且P/2以下的值。由此,能够在确保外侧区域Rout中的接地电极24、25相对于外侧天线元件的面积的同时,将外侧天线元件间距离A设为与天线元件间距离P相同的值从而使所有的天线元件22等间距地排列。其结果,在将多个子阵列天线20进行排列来作为阵列天线的情况下,能够不使天线元件22单体的特性劣化地抑制阵列天线整体的旁瓣电平。
<变形例1>
在上述的实施方式中,说明了接地端子28和焊锡凸块29配置于外侧区域Rout的例子。然而,也可以是,以接地端子28和焊锡凸块29配置于内侧区域Rin的方式变形。
图9是根据变形例1的天线模块100A的截面图。图9所示的天线模块100A的截面图是相对于上述的图5所示的天线模块100的截面图而言将子阵列天线20变更为子阵列天线20A而得到的。子阵列天线20A是相对于上述的子阵列天线20而言变更了接地端子28和焊锡凸块29的位置而得到的。其它构造与上述的天线模块100相同,因此在此不重复详细的说明。
在子阵列天线20A中,接地端子28配置于内侧区域Rin。与此相应地,焊锡凸块29也配置于内侧区域Rin。通过像这样将接地端子28和焊锡凸块29配置于内侧区域Rin,能够使从彼此相邻的子阵列天线20A中的一个子阵列天线20A的接地端子28到另一个子阵列天线20A的接地端子28的路径更长。因此,能够使从彼此相邻的子阵列天线20A中的一个子阵列天线20A的接地电极24经由双方的接地端子28到达另一个子阵列天线20A的接地电极24的路径更长。由此,能够使从一个子阵列天线20A经由双方的接地端子28绕到另一个子阵列天线20A的电流小。其结果,能够进一步提高彼此相邻的子阵列天线20A之间的隔离度。
图10是示出彼此相邻的子阵列天线20A之间的隔离度特性的仿真结果的一例的图。图10是与上述的图8同样地示出隔离度相对于频率的变化的图表,横轴表示频率,纵轴表示隔离度。越是在纵轴的下侧,则表示隔离度越高。
在图10中,用实线表示将接地端子28和焊锡凸块29配置于内侧区域Rin的情况下(本变形例1)的仿真结果,用点划线表示将接地端子28和焊锡凸块29配置于外侧区域Rout的情况下的仿真结果。此外,在图10中与图8同样地,也设想了在天线模块100A中使用以28GHz为中心频率的频带。
根据图10所示的仿真结果,能够了解,在天线模块100A的频率的使用带中,将接地端子28和焊锡凸块29配置于内侧区域Rin的情况(实线)相比于将接地端子28和焊锡凸块29配置于外侧区域Rout的情况(点划线)隔离度高。即,通过使用本变形例1那样的结构,能够进一步提高隔离度。
<变形例2>
在上述的实施方式中,说明了子基板21的下表面21c暴露出来的例子。然而,也可以利用树脂模制子基板21的下表面21c。
图11是根据变形例2的天线模块100B的截面图。图11所示的天线模块100B的截面图是相对于上述的图5所示的天线模块100的截面图而言将子阵列天线20变更为子阵列天线20B而得到的。子阵列天线20B是相对于上述的子阵列天线20而言将接地端子28变更为接地端子28B、并且利用密封树脂M模制子基板21的下表面21c整体而得到的。其它构造与上述的天线模块100相同,因此在此不重复详细的说明。
密封树脂M在Z轴方向上具有厚度。接地端子28B以贯通密封树脂M的状态沿着Z轴方向延伸。接地端子28B的一个端部在密封树脂M的上表面(子基板21的下表面21c)与通孔27连接,接地端子28B的另一个端部经由焊锡凸块29来与主基板10的接地电极12连接。此外,在密封树脂M的下表面与主基板10的上表面10a之间,形成与焊锡凸块29的厚度相当的空间。
通过像这样利用在Z轴方向上具有厚度的密封树脂M来模制子基板21的下表面21c,来使从彼此相邻的子阵列天线20B中的一个子阵列天线20B的接地电极24经由双方的接地端子28B到达另一个子阵列天线20B的接地电极24的路径更长。因此,能够使从彼此相邻的子阵列天线中的一个子阵列天线20B经由双方的接地端子28B绕到另一个子阵列天线20B的电流小。其结果,能够进一步提高彼此相邻的子阵列天线20B之间的隔离度。
<变形例3>
在上述的实施方式中,说明了在子基板21的下表面21c与主基板10的上表面10a之间形成空间的例子。然而,子基板21的下表面21c与主基板10的上表面10a之间也可以利用树脂模制。
图12是根据变形例3的天线模块100C的截面图。图12所示的天线模块100C的截面图是相对于上述的图5所示的天线模块100的截面图而言追加了密封树脂M1而得到的。其它构造与上述的天线模块100相同,因此在此不重复详细的说明。
密封树脂M1被填充在子基板21的下表面21c与主基板10的上表面10a之间。此外,在图12中,示出彼此相邻的子基板21之间的空间S的一部分也填充有密封树脂M1的例子。
像这样,子基板21的下表面21c与主基板10的上表面10a之间也可以利用密封树脂M1模制。
<变形例4>
在上述的实施方式中,说明了安装有大量天线元件22的基板被分割成多个子基板21的例子。然而,安装有大量天线元件22的基板未必限定于被分割,也可以是一个基板。
图13是根据变形例4的天线模块100D的截面图。图13所示的天线模块100D的截面图是通过使上述的图5所示的天线模块100的截面图中所示的空间S的下表面侧的部分连结来将多个子基板21变更为一个子基板21D、并且在相当于上述的图5所示的空间S的部分形成槽部(缝隙)G而得到的。其它构造与上述的天线模块100相同。
即,天线模块100D具备一个子基板21D以及平板状的多个天线元件22。子基板21D具有上表面21a、与上表面21a相向的下表面21c、以及比上表面21a向下表面21c侧凹陷的槽部G。多个天线元件22中的配置于同槽部G邻接的位置的天线元件的面中心与槽部G的距离Bg为λ/9以上且P/2以下。
在这样的天线模块100D中,也与上述的实施方式同样地,能够不使天线元件22单体的特性劣化地抑制阵列天线整体的旁瓣电平。
另外,在子基板21D中,能够在槽部G中吸收因热等引起的子基板21D的变形。因此,即使子基板21D大型化,也能够抑制子基板21D的翘曲。
<变形例5>
在上述的实施方式中,说明了在各子基板21上将16个天线元件22排列成4×4的二维状的例子,但是各子基板中的天线元件22的数量和排列不限定于此。例如,也可以是在各子基板上将2个天线元件22排列成1×2的一维状。通过减少各子基板的天线元件22的个数来在彼此相邻的子基板之间形成更多的空间(空气层),由此进一步能够抑制从各天线元件22辐射的波束的偏差。
图14是根据本变形例5的子阵列天线20E的俯视图。在各子阵列天线20E中,在长方形形状的子基板21E的上表面,2个天线元件22排列成1×2的一维状。8个这样的子基板21E在主基板上排列成4×2的二维状。在相邻的子基板21E之间形成空间(空气层)。通过像这样将16个天线元件22分开地排列于8个子基板21E而不是将16个天线元件22集中地排列于一个子基板,能够与上述的图3所示的子阵列天线20同样地将16个天线元件22排列成4×4的二维状,并且在相邻的子基板21E之间形成更多的空间,从而进一步抑制从各天线元件22辐射的波束的偏差。
此外,在图14中,分别对16个天线元件22标注的1至16的编号表示各天线元件22的配置。
本申请发明人等分别在上述的图3所示的情况(16个天线元件22集中地配置于一个子基板21的情况)以及图14所示的情况(16个天线元件22分开地配置于8个子基板21E的情况)下,通过仿真确认了从各天线元件22辐射的电波的特性。
图15是示出从图3所示的各天线元件22辐射的、以X轴方向为偏振方向的电波的特性的图。图16是示出从图3所示的各天线元件22辐射的、以Y轴方向为偏振方向的电波的特性的图。
图17是示出从图14所示的各天线元件22辐射的、以X轴方向为偏振方向的电波的特性的图。图18是示出从图14所示的各天线元件22辐射的、以Y轴方向为偏振方向的电波的特性的图。
此外,在图15~图18中,横轴表示在以Z轴方向为0度时的电波的辐射角度,纵轴表示电波的增益。另外,对图15~图18所示的特性曲线标注的数值与上述的图14所示的各天线元件22的配置对应。即,例如,在图16及图17中用被标注“16”的点划线表示的曲线表示从图14中的配置于被标注“16”的位置的天线元件22辐射的电波的特性。
根据图15、图16所示的仿真结果,能够了解,在图3所示的情况下(16个天线元件22集中地配置于一个子基板21的情况下),从各天线元件22辐射的电波的增益的偏差较大。与此相对,根据图17、图18所示的仿真结果,能够了解,相对于图3所示的情况,在图14所示的情况下(16个天线元件22分开地配置于8个子基板21E的情况下),能够使电波的辐射角度的偏差大致相等,并且抑制电波的增益的偏差。
应该认为本次公开的实施方式在所有方面都是示例性的而不是限制性的。本公开的范围是由权利要求书表示,而不是由上述的实施方式的说明表示,本发明的范围旨在包括与权利要求书等同的含义和范围内的所有变更。
附图标记说明
1:通信装置;10:主基板;10a、21a:上表面;11、28、28B:接地端子;12、24、25:接地电极;20、20A、20B、20E:子阵列天线;21、21D、21E:子基板;21b:端面;21c:下表面;22:天线元件;22a:无馈电元件;22b:馈电元件;23:馈电布线;26、27:通孔;29:焊锡凸块;100、100A、100B、100C、100D:天线模块;111A~111H、113A~113H、117A、117B:开关;112AR~112DR:低噪声放大器;112AT~112HT:功率放大器;114A~114H:衰减器;115A~115H:移相器;116A、116B:信号合成/分波器;118A、118B:混合器;119A、119B:放大电路;130、130A~130H:滤波器装置;SP1、SP2:馈电点。

Claims (10)

1.一种子阵列天线,具备:
基板;以及
平板状的多个天线元件,
其中,所述基板具有:
第一面;
与所述第一面相向的第二面;以及
将所述第一面与所述第二面连接的端面,
所述多个天线元件沿着所述第一面等间隔地并排配置于所述第一面或者所述第一面与所述第二面之间的层,
在将自由空间中的电波的波长设为λ时,
彼此相邻的两个所述天线元件的中心之间的距离为λ/2以上,
外侧天线元件的中心与所述端面的距离为λ/9以上且为彼此相邻的两个所述天线元件的中心之间的距离的一半以下,其中,所述外侧天线元件是所述多个天线元件中的配置于与所述端面邻接的位置的天线元件,
所述基板还具有:
配置于所述第二面的接地端子;以及
在配置有所述多个天线元件的层与所述第二面之间形成的、与所述接地端子连接的接地电极及通孔,
所述接地电极和所述通孔的至少一部分配置于作为所述外侧天线元件与所述端面之间的区域的外侧区域。
2.根据权利要求1所述的子阵列天线,其特征在于,
所述接地电极没有在所述端面暴露出来。
3.根据权利要求1或2所述的子阵列天线,其特征在于,
所述接地端子配置于所述基板的比所述外侧区域靠内侧的区域。
4.根据权利要求1或2所述的子阵列天线,其特征在于,
所述基板的所述第二面是利用树脂模制而成的。
5.根据权利要求1或2所述的子阵列天线,其特征在于,
所述基板和所述多个天线元件各自形成为大致矩形形状,
所述多个天线元件中的各天线元件构成为:辐射以第一方向为偏振方向的电波和以不同于所述第一方向的第二方向为偏振方向的电波,
所述端面包括与所述第一方向垂直的第一端面以及与所述第二方向垂直的第二端面,
同所述第一端面邻接的所述外侧天线元件的中心与所述第一端面的距离以及同所述第二端面邻接的所述外侧天线元件的中心与所述第二端面的距离为λ/9以上、且为彼此相邻的两个所述天线元件的中心之间的距离的一半以下。
6.一种阵列天线,在所述阵列天线的主基板上并排配置有根据权利要求1~5中的任一项所述的子阵列天线,其中,
作为彼此相邻的两个所述子阵列天线的所述外侧天线元件的、彼此相邻的所述外侧天线元件的中心之间的距离与各所述子阵列天线内的彼此相邻的两个所述天线元件的中心之间的距离相同。
7.一种阵列天线,具备:
基板;以及
平板状的多个天线元件,
其中,所述基板具有:
第一面;
与所述第一面相向的第二面;以及
比所述第一面向所述第二面侧凹陷的槽部,
所述多个天线元件沿着所述第一面等间隔地并排配置于所述第一面或者所述第一面与所述第二面之间的层,
在将自由空间中的电波的波长设为λ时,
彼此相邻的两个所述天线元件的中心之间的距离为λ/2以上,
所述多个天线元件中的配置于同所述槽部邻接的位置的天线元件的中心与所述槽部的距离为λ/9以上、且为彼此相邻的两个所述天线元件的中心之间的距离的一半以下,
所述基板还具有:
配置于所述第二面的接地端子;以及
在配置有所述多个天线元件的层与所述第二面之间形成的、与所述接地端子连接的接地电极及通孔,
所述接地电极和所述通孔的至少一部分配置于作为所述多个天线元件中的配置于同所述槽部邻接的位置的天线元件与所述槽部之间的区域的外侧区域。
8.一种天线模块,具备:
根据权利要求1~5中的任一项所述的子阵列天线或者根据权利要求6或7所述的阵列天线;以及
馈电电路,其构成为向所述多个天线元件提供高频信号。
9.一种通信装置,其搭载有根据权利要求8所述的天线模块。
10.一种子阵列天线,具备:
基板;以及
平板状的多个天线元件,
其中,所述基板具有:
第一面;
与所述第一面相向的第二面;以及
将所述第一面与所述第二面连接的端面,
所述多个天线元件沿着所述第一面等间隔地并排配置于所述第一面或者所述第一面与所述第二面之间的层,
在将彼此相邻的两个所述天线元件的中心之间的距离设为P时,
外侧天线元件的中心与所述端面的距离为P的九分之二以上且P的一半以下,其中,所述外侧天线元件是所述多个天线元件中的配置于与所述端面邻接的位置的天线元件,
所述基板还具有:
配置于所述第二面的接地端子;以及
在配置有所述多个天线元件的层与所述第二面之间形成的、与所述接地端子连接的接地电极及通孔,
所述接地电极和所述通孔的至少一部分配置于作为所述外侧天线元件与所述端面之间的区域的外侧区域。
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