JP2010507882A - サンプル抽出および取り扱いのための方法および装置 - Google Patents
サンプル抽出および取り扱いのための方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010507882A JP2010507882A JP2009533583A JP2009533583A JP2010507882A JP 2010507882 A JP2010507882 A JP 2010507882A JP 2009533583 A JP2009533583 A JP 2009533583A JP 2009533583 A JP2009533583 A JP 2009533583A JP 2010507882 A JP2010507882 A JP 2010507882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- microprobe
- probe
- tip
- lamella
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 238000000605 extraction Methods 0.000 title claims description 54
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 665
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims abstract description 125
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 16
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 10
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 24
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 150
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 74
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 11
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 10
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000005464 sample preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 241000487918 Acacia argyrodendron Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 235000011222 chang cao shi Nutrition 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- -1 gallium ions Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/32—Polishing; Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/285—Emission microscopes, e.g. field-emission microscopes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/31—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for cutting or drilling
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
- G01N2001/2873—Cutting or cleaving
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
- G01N2001/2873—Cutting or cleaving
- G01N2001/2886—Laser cutting, e.g. tissue catapult
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2893—Handling, conveying or loading, e.g. belts, boats, vacuum fingers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2802—Transmission microscopes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2812—Emission microscopes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/31—Processing objects on a macro-scale
- H01J2237/3109—Cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/31—Processing objects on a macro-scale
- H01J2237/3114—Machining
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
Claims (25)
- 平坦なサンプル面を有するサンプルを基板から抽出するための装置であって、
1以上のステージ・コントローラに接続された、基板用の可動ステージと、
真空源に接続された中空管を含み、その先端が開放されているマイクロプローブと、
前記マイクロプローブに接続され、1以上のマイクロマニピュレータ・コントローラに接続されたマイクロマニピュレータと、
可動ステージ上にも設けられ、前記抽出されたサンプルを保持するサンプル・ホルダと、
撮像装置と、
真空を前記マイクロプローブ先端中に印加できるように前記マイクロプローブに接続された真空源とを備えた装置。 - 前記マイクロプローブがほぼ平坦な先端部を有し、平坦な表面が前記マイクロプローブの円筒軸線に対して斜めになった先端角で角度付けされており、前記マイクロプローブが、前記マイクロプローブの前記円筒軸線が前記基板表面に対して斜めのプローブ角になるように、かつ勾配の付いた前記プローブ先端が前記サンプル面に対して実質的に平行になるように、配向されており、かつ、前記マイクロマニピュレータが前記マイクロプローブを前記マイクロプローブの前記円筒軸線周囲で回転させることができる、請求項1に記載の装置。
- コンピュータ可読命令を保持するメモリを有するコンピュータをさらに備え、前記コンピュータが前記ステージ・コントローラ、前記マイクロマニピュレータ・コントローラ、および前記撮像装置に動作可能に接続されており、
前記コンピュータ可読命令が、
(a)サンプル部位が前記撮像装置の視野内に入るように、前記ステージを移動させる命令と、
(b)前記サンプル部位を撮像する命令と、
(c)前記サンプル位置を位置決めする命令と、
(d)前記マイクロプローブが前記サンプル面に対して直角になるように前記ステージを回転させる命令と、
(e)前記マイクロプローブ先端表面が前記サンプル表面に対して平行になるように、前記マイクロプローブをその円筒軸線周囲で回転させる命令と、
(f)前記マイクロプローブ先端を移動させて前記サンプル面と接触させる命令と、
(g)サンプルが取り付けられた前記マイクロプローブ先端を前記基板から離れる方に上昇させる命令と、
(h)前記サンプル・ホルダが前記撮像装置の視野内に入るように前記ステージを移動させる命令と、
(i)前記マイクロプローブをその円筒軸線周囲で回転させて、前記サンプルを前記サンプル・ホルダに対して所望の配向にする命令と、
(j)前記サンプルが前記サンプル・ホルダ上の所望の位置に配置されるように、前記マイクロプローブを移動させる命令とを含む、請求項2に記載の装置。 - 前記撮像装置が光学顕微鏡を備える、請求項1に記載の装置。
- 前記サンプル・ホルダがTEM格子である、請求項1に記載の方法。
- 光が前記基板表面に向けられるが、前記基板表面から反射する光が前記光学顕微鏡の受光角度に入らないように、前記基板表面に対して斜角に位置決めされた光源をさらに備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記マイクロプローブの前記円筒軸線が前記サンプル面に対して直角になるように前記ステージを回転させるように、また前記光源からの照明も前記サンプル面に対して直角に方向付けられるように前記光源を位置決めするように、前記光源が前記マイクロプローブの前記円筒軸線と同じ垂直平面内に概ね位置決めされた、請求項6に記載の装置。
- 前記プローブ角が45°であり、前記先端角が45°であり、第1の回転角が180°である、請求項2に記載の方法。
- 前記マイクロプローブのほぼ平坦な先端が、前記プローブ先端と前記サンプルとの間の静電引力を最小化するために粗くした面を有する、請求項2に記載の装置。
- 前記マイクロプローブが導電性材料で被覆され、前記マイクロプローブが表面といつ接触するかを検出する接触センサをさらに備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記マイクロプローブ先端中に印加される前記真空の圧力変動を監視することによってサンプル接触を決定する空気流センサをさらに備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記可動ステージがおよび前記マイクロマニピュレータが、イオン・ビーム・システム内部に配置されていない、請求項1に記載の装置。
- 基板からラメラを抽出する方法であって、
抽出すべき前記ラメラを有する前記基板を可動ステージ上に配置するステップと、
真空源に接続された中空管を含み、その先端が開放されているマイクロプローブを移動させて前記ラメラと接触させるステップと、
真空が前記サンプルを前記マイクロプローブ先端に対して保持するように前記真空を前記マイクロプローブ先端中に印加するステップと、
サンプルが取り付けられた前記マイクロプローブを前記基板から離れる方に上昇させるステップと、
前記サンプルがサンプル・ホルダ上の所望の位置と接触するように前記マイクロプローブを移動させるステップと、
解放された前記サンプルから離れるように前記マイクロプローブを移動させるステップと
を含む方法。 - 前記プローブ先端を移動させて前記ラメラと接触させるステップが、前記プローブ先端が前記ラメラと接触するまで前記プローブ先端を移動させ、次いで、前記プローブを前方に移動させて前記サンプルを押しやり、前記ラメラと前記基板との間に残っている連結を分断するステップとを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記サンプルがサンプル・ホルダ上の所望の位置と接触するように前記マイクロプローブを移動させるステップが、前記サンプルがサンプル・ホルダ上の所望の位置と接触するように前記マイクロプローブを移動させ、次いで、前記サンプルが前記マイクロプローブ先端から解放されるように、前記マイクロプローブ先端中の前記真空を停止させるステップを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記サンプルが前記サンプル・ホルダ上の所望の位置に配置された後、前記マイクロプローブ中に正圧を印加するステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記ラメラが実質的に垂直なサンプル面を有しており、マイクロプローブを移動させて前記ラメラと接触させるステップが、
前記基板を円筒軸線を有するマイクロプローブに対して位置決めし、前記円筒軸線が前記サンプル面に対して直角である平面にあるようにするステップであり、前記マイクロプローブがマイクロマニピュレータに接続され、かつ、前記プローブの前記円筒軸線周囲で回転することのできるプローブ・ステージ上に設置されており、前記マイクロプローブが、前記マイクロプローブの前記円筒軸線に対して斜めになった先端角で勾配の付いたほぼ平坦な先端を有し、かつ、前記マイクロプローブが、前記マイクロプローブの前記円筒軸線が前記サンプル面に対して斜めのプローブ角であるように、かつ、前記勾配の付いたプローブ先端が前記サンプル面に対して実質的に平行になるように配向されたステップと、
前記プローブ先端の前記平坦な先端が前記サンプル面と接触するように前記マイクロプローブを移動させるステップとを含む、請求項13に記載の方法。 - 前記サンプルがサンプル・ホルダ上の所望の位置と接触するように前記プローブを移動させるステップが、
前記勾配の付いたプローブ先端の面と前記サンプル面とがサンプル・ホルダの表面に対して実質的に平行になるように、前記プローブをその円筒軸線周囲に第1の回転角で回転させるステップと、
前記サンプルが前記サンプル・ホルダ上の所望の位置の概ね上方になるように、前記プローブを位置決めするステップと、
前記サンプルが前記サンプル・ホルダの前記表面と接触するまで前記プローブを下降させるステップとを含む、
請求項17に記載の方法。 - 前記プローブ角が45°であり、前記先端角が45°であり、前記第1の回転角が180°である、請求項18に記載の方法。
- 前記サンプルを抽出するステップがイオン・ビーム・システム内では行われない、請求項13に記載の方法。
- 抽出すべき前記ラメラを有する前記基板を可動ステージ上に配置後、抽出すべきラメラの概算のx−y座標が光学顕微鏡の視野内にあるように前記ステージを移動させるステップと、
前記基板表面に対して鋭角に光源を前記ラメラに方向付けるステップと、
前記光源からの前記照明が前記ラメラの垂直面に対して直角の平面内で方向付けられるように、前記ステージを回転させるステップと、
コンピュータをベースにした画像認識ソフトウェアを用いて、前記ラメラの正確な場所を識別するステップとをさらに含む、請求項22に記載の方法。 - 基板からサンプルを抽出する方法であって、
プローブ取り付け部位として用いられるべき平坦な面を有する抽出すべき前記サンプルを有する前記基板を可動ステージ上に設置するステップと、
前記基板を、円筒軸線を有するマイクロプローブに対して前記円筒軸線が前記サンプル面に対して直角である平面にあるように位置決めするステップであって、前記マイクロプローブがマイクロマニピュレータに接続され、かつ、前記プローブの前記円筒軸線周囲で回転することのできるプローブ・ステージ上に設置されており、前記マイクロプローブが、前記マイクロプローブの前記円筒軸線に対して斜めの先端角で勾配の付いたほぼ平坦な先端を有し、かつ、前記マイクロプローブが、前記マイクロプローブの前記円筒軸線が前記基板表面に対して斜めのプローブ角であるように、かつ、前記勾配の付いたプローブ先端が前記サンプル面に対して実質的に平行になるように配向されたステップと、
前記マイクロプローブ先端が前記サンプル上の垂直面と接触するように前記マイクロプローブを移動させるステップと、
サンプルが取り付けられた前記マイクロプローブを前記基板から離れる方に上昇させるステップと、
前記勾配の付いたプローブ先端の面と前記サンプル面とがサンプル・ホルダの表面に対して実質的に平行になるように、前記プローブをその円筒軸線周囲に第1の回転角で回転させるステップと、
前記サンプルが前記サンプル・ホルダ上の所望の位置の概ね上方になるように、前記プローブを位置決めするステップと、
前記サンプルが前記サンプル・ホルダと接触するまで前記プローブを下降させるステップと、
前記サンプルを前記サンプル・ホルダ上に載せるステップと、
解放された前記サンプルから離れるように前記プローブを移動させるステップと
を含む方法。 - 前記平坦な面が前記基板表面に対する第1のサンプル角度にあり、前記先端角と前記プローブ角の合計が前記平坦な面の角度に等しい、請求項22に記載の方法。
- 開放されたマイクロプローブ先端を通して前記マイクロプローブに真空を印加して、前記真空が前記マイクロプローブ先端に対して前記サンプルを保持するようにするステップをさらに含む、請求項22に記載の方法。
- 請求項1に記載の装置を用いて基板から抽出するのに適したサンプルであって、
近位端と、遠位端と、中央区間とを有するサンプルを含み、
前記中央区間が、ほぼ楔形であり、撮像すべき対象のフィーチャを含み、
少なくとも1つのウィング区間が、前記近位端または遠位端のいずれかに形成され、前記ウィング区間が500nm未満の厚さと、少なくとも1つの実質的に垂直な面とを有するサンプル。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US85318306P | 2006-10-20 | 2006-10-20 | |
US60/853,183 | 2006-10-20 | ||
US92771907P | 2007-05-04 | 2007-05-04 | |
US60/927,719 | 2007-05-04 | ||
PCT/US2007/082030 WO2008051880A2 (en) | 2006-10-20 | 2007-10-20 | Method and apparatus for sample extraction and handling |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012267309A Division JP5711204B2 (ja) | 2006-10-20 | 2012-12-06 | サンプル抽出および取り扱いのための方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010507882A true JP2010507882A (ja) | 2010-03-11 |
JP5266236B2 JP5266236B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=39325290
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009533583A Active JP5266236B2 (ja) | 2006-10-20 | 2007-10-20 | サンプル抽出および取り扱いのための方法および装置 |
JP2012267309A Active JP5711204B2 (ja) | 2006-10-20 | 2012-12-06 | サンプル抽出および取り扱いのための方法および装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012267309A Active JP5711204B2 (ja) | 2006-10-20 | 2012-12-06 | サンプル抽出および取り扱いのための方法および装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8357913B2 (ja) |
EP (1) | EP2095134B1 (ja) |
JP (2) | JP5266236B2 (ja) |
WO (1) | WO2008051880A2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014061524A1 (ja) * | 2012-10-15 | 2014-04-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および試料作製法 |
JP2015038477A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-26 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 試料調製中におけるtem試料からのプローブの分離 |
JP2015092156A (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-14 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 統合薄片抜取りステーション |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060219919A1 (en) * | 2003-11-11 | 2006-10-05 | Moore Thomas M | TEM sample holder and method of forming same |
WO2008051880A2 (en) | 2006-10-20 | 2008-05-02 | Fei Company | Method and apparatus for sample extraction and handling |
EP2104946B1 (en) | 2006-10-20 | 2015-08-12 | FEI Company | Method for creating s/tem sample and sample structure |
US7884326B2 (en) | 2007-01-22 | 2011-02-08 | Fei Company | Manipulator for rotating and translating a sample holder |
EP1953789A1 (en) | 2007-02-05 | 2008-08-06 | FEI Company | Method for thinning a sample and sample carrier for performing said method |
US7845245B2 (en) | 2007-06-29 | 2010-12-07 | Fei Company | Method for attaching a sample to a manipulator by melting and then freezing part of said sample |
EP2051280A1 (en) | 2007-10-18 | 2009-04-22 | The Regents of the University of California | Motorized manipulator for positioning a TEM specimen |
EP2182544A1 (en) | 2008-10-31 | 2010-05-05 | FEI Company | Charged-particle optical system with dual specimen loading options |
TWI465708B (zh) * | 2008-12-29 | 2014-12-21 | Ind Tech Res Inst | 聚焦式離子束系統之物件加工方法及應用於該方法之載具 |
DE102009008063A1 (de) | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Teilchenstrahlsystem |
DE102009008166A1 (de) | 2009-02-10 | 2010-09-02 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Verfahren zur Abscheidung von Schutzstrukturen |
JP5378830B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2013-12-25 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置、及びそれを用いた試料の加工方法 |
DE102009036701A1 (de) | 2009-08-07 | 2011-03-03 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Teilchenstrahlsystem und Untersuchungsverfahren hierzu |
US9312095B2 (en) * | 2010-03-24 | 2016-04-12 | Brown University | Method and system for automating sample preparation for microfluidic cryo TEM |
ES2372846B2 (es) * | 2010-07-12 | 2012-07-09 | Universidad De Cádiz | Método para fabricar nanoagujas en zonas de interés localizadas en el interior de muestras sólidas a escala nanométrica. |
US8604446B2 (en) | 2011-08-08 | 2013-12-10 | The State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of The University Of Oregon | Devices and methods for cryo lift-out with in situ probe |
US10068749B2 (en) | 2012-05-21 | 2018-09-04 | Fei Company | Preparation of lamellae for TEM viewing |
US8884247B2 (en) * | 2012-09-25 | 2014-11-11 | Fei Company | System and method for ex situ analysis of a substrate |
CN103792114B (zh) * | 2012-11-02 | 2016-04-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem样品的制备方法 |
US8729469B1 (en) | 2013-03-15 | 2014-05-20 | Fei Company | Multiple sample attachment to nano manipulator for high throughput sample preparation |
US9040908B2 (en) * | 2013-06-28 | 2015-05-26 | Fei Company | Plan view sample preparation |
DE102013012225A1 (de) | 2013-07-23 | 2015-01-29 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zur TEM-Lamellen-Herstellung und Anordnung für TEM-Lamellen-Schutzvorrichtung |
EP3115796A1 (en) * | 2013-11-11 | 2017-01-11 | Rasco GmbH | A carrier, assembly & method for handling components |
JP6300553B2 (ja) * | 2014-02-12 | 2018-03-28 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
US9281163B2 (en) | 2014-04-14 | 2016-03-08 | Fei Company | High capacity TEM grid |
JP6552383B2 (ja) * | 2014-11-07 | 2019-07-31 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 自動化されたtem試料調製 |
US9761408B2 (en) * | 2015-02-24 | 2017-09-12 | Fei Company | Pattern matching using a lamella of known shape for automated S/TEM acquisition and metrology |
CN105158516B (zh) * | 2015-08-20 | 2018-10-16 | 上海华力微电子有限公司 | 一种集成电路分析中透射电镜平面样品的制备方法 |
US9978586B2 (en) * | 2015-11-06 | 2018-05-22 | Fei Company | Method of material deposition |
US10801926B2 (en) | 2017-07-17 | 2020-10-13 | Expresslo Llc | Probe with solid beveled tip and method for using same for specimen extraction |
DE102018206898A1 (de) * | 2018-05-04 | 2019-11-07 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Nachverfolgung mikroskopischer Proben |
US10522324B1 (en) | 2018-08-02 | 2019-12-31 | Expresslo Llc | Method of producing lift out specimens for teaching, practice, and training |
CN110567994B (zh) * | 2019-10-12 | 2022-03-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提取用于透射电子显微镜的待测样品的方法 |
US11808679B2 (en) | 2022-01-27 | 2023-11-07 | Expresslo Llc | Method and apparatus for cryogenic and environmental controlled specimen handling |
US20230245850A1 (en) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 | Fei Company | Inert gas sample transfer for beam systems |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003511844A (ja) * | 1999-10-12 | 2003-03-25 | エフ イー アイ カンパニ | 集束イオンビームを同軸光学顕微鏡に対する方法と装置 |
JP2004111097A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Sharp Corp | 集束イオンビーム装置用試料ステージ及び薄片試料の形成方法 |
US7041985B1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-09 | Western Digital (Fremont), Inc. | Manipulator for microscopy sample preparation and methods for making and use thereof |
JP2006144825A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Yokogawa Electric Corp | デバイスホルダ |
JP2008008850A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Fujifilm Corp | マイクロマニピュレータ |
Family Cites Families (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60136315A (ja) | 1983-12-26 | 1985-07-19 | Hitachi Ltd | マイクロイオンビ−ム加工方法およびその装置 |
JP2590063B2 (ja) | 1986-01-29 | 1997-03-12 | 株式会社日立製作所 | イオンビーム照射装置 |
US5254438A (en) | 1990-11-29 | 1993-10-19 | Hewlett-Packard Company | Single pass compensation for electron beam proximity effect |
JPH06342750A (ja) | 1990-11-29 | 1994-12-13 | Hewlett Packard Co <Hp> | 近接効果の補正方法 |
JP3030935B2 (ja) | 1991-06-28 | 2000-04-10 | 日本電気株式会社 | 表面実装対応配線装置における自動配線方法 |
JP2774884B2 (ja) * | 1991-08-22 | 1998-07-09 | 株式会社日立製作所 | 試料の分離方法及びこの分離方法で得た分離試料の分析方法 |
JP2788139B2 (ja) | 1991-09-25 | 1998-08-20 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
JP3221797B2 (ja) * | 1994-06-14 | 2001-10-22 | 株式会社日立製作所 | 試料作成方法及びその装置 |
JP3058394B2 (ja) | 1994-06-23 | 2000-07-04 | シャープ株式会社 | 透過電子顕微鏡用断面試料作成方法 |
US5794868A (en) | 1994-09-21 | 1998-08-18 | Maschinenfabrik Rieter Ag | Spin winding machines |
TW313626B (ja) * | 1995-03-31 | 1997-08-21 | Lintec Corp | |
US5916424A (en) | 1996-04-19 | 1999-06-29 | Micrion Corporation | Thin film magnetic recording heads and systems and methods for manufacturing the same |
JPH09306411A (ja) | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Jeol Ltd | 集束イオンビーム加工装置 |
US5942805A (en) | 1996-12-20 | 1999-08-24 | Intel Corporation | Fiducial for aligning an integrated circuit die |
US5847821A (en) | 1997-07-10 | 1998-12-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of fiducial marks for improved blank wafer defect review |
US6828566B2 (en) * | 1997-07-22 | 2004-12-07 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for specimen fabrication |
JP3547143B2 (ja) * | 1997-07-22 | 2004-07-28 | 株式会社日立製作所 | 試料作製方法 |
JP3677968B2 (ja) | 1997-10-01 | 2005-08-03 | 株式会社日立製作所 | 試料解析方法および装置 |
JP3117960B2 (ja) | 1997-12-11 | 2000-12-18 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 集束イオンビーム加工方法及び装置 |
JPH11183339A (ja) | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Matsushita Electron Corp | 透過電子顕微鏡の試料作製方法 |
US6039000A (en) | 1998-02-11 | 2000-03-21 | Micrion Corporation | Focused particle beam systems and methods using a tilt column |
JP3383574B2 (ja) | 1998-03-18 | 2003-03-04 | 株式会社日立製作所 | プロセス管理システム及び集束イオンビーム装置 |
US6424734B1 (en) | 1998-04-03 | 2002-07-23 | Cognex Corporation | Fiducial mark search using sub-models |
JP4090567B2 (ja) | 1998-05-11 | 2008-05-28 | 株式会社日立製作所 | ウエハ検査加工装置およびウエハ検査加工方法 |
JP3648384B2 (ja) | 1998-07-03 | 2005-05-18 | 株式会社日立製作所 | 集束イオンビーム加工方法及び加工装置 |
JP2000035391A (ja) | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Seiko Instruments Inc | 薄片化加工時の試料歪除去方法 |
JP2000035390A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Seiko Instruments Inc | 薄片化加工方法 |
JP2000133567A (ja) | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
US6608920B1 (en) | 1998-10-29 | 2003-08-19 | Applied Materials, Inc. | Target acquisition technique for CD measurement machine |
JP4126786B2 (ja) | 1998-11-24 | 2008-07-30 | 株式会社日立製作所 | 試料作成装置および方法 |
JP3843637B2 (ja) | 1999-02-23 | 2006-11-08 | 株式会社日立製作所 | 試料作製方法および試料作製システム |
JP2000268768A (ja) | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム装置 |
US6188072B1 (en) | 1999-06-08 | 2001-02-13 | Mosel Vitelic Inc. | Apparatus for extracting TEM specimens of semiconductor devices |
FR2795974B1 (fr) | 1999-07-06 | 2001-09-14 | Elf Aquitaine | Microemulsion nutritive pulverisable utile comme accelerateur de biodegradation |
US7069101B1 (en) | 1999-07-29 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Computer integrated manufacturing techniques |
JP4137329B2 (ja) | 2000-01-11 | 2008-08-20 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 集束イオンビーム加工方法 |
US6322672B1 (en) | 2000-03-10 | 2001-11-27 | Fei Company | Method and apparatus for milling copper interconnects in a charged particle beam system |
JP2001319954A (ja) | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Nippon Steel Corp | 集束イオンビームによる試料の加工方法 |
AU2001263285A1 (en) | 2000-05-19 | 2001-12-03 | Imago Scientific Instruments | Methods of sampling specimens for microanalysis |
US6420722B2 (en) | 2000-05-22 | 2002-07-16 | Omniprobe, Inc. | Method for sample separation and lift-out with one cut |
US6841788B1 (en) | 2000-08-03 | 2005-01-11 | Ascend Instruments, Inc. | Transmission electron microscope sample preparation |
JP4178741B2 (ja) | 2000-11-02 | 2008-11-12 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置および試料作製装置 |
EP1209737B2 (en) | 2000-11-06 | 2014-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for specimen fabrication |
JP4283432B2 (ja) | 2000-11-06 | 2009-06-24 | 株式会社日立製作所 | 試料作製装置 |
US6570170B2 (en) * | 2001-03-01 | 2003-05-27 | Omniprobe, Inc. | Total release method for sample extraction from a charged-particle instrument |
DE10110389A1 (de) * | 2001-03-03 | 2002-09-12 | Zeiss Carl | Verfahren zur Justierung einer Lampe relativ zu einem Beleuchtungsstrahlengang eines Mikroskopes und zur Ausführung des Verfahrens geeignetes Mikroskop |
WO2002075806A1 (fr) | 2001-03-16 | 2002-09-26 | Hitachi, Ltd. | Procede d'inspection d'une plaquette, dispositif a faisceau ionique focalise et dispositif a faisceau electronique de transmission |
US6842538B2 (en) | 2001-03-23 | 2005-01-11 | Shih-Jong J. Lee | Automatic detection of alignment or registration marks |
US7103439B1 (en) | 2001-04-02 | 2006-09-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for initializing tool controllers based on tool event data |
JP4200665B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2008-12-24 | 株式会社日立製作所 | 加工装置 |
US7047099B2 (en) | 2001-06-19 | 2006-05-16 | Applied Materials Inc. | Integrating tool, module, and fab level control |
US6965895B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-11-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for analyzing manufacturing data |
US6993177B1 (en) | 2001-11-02 | 2006-01-31 | Cognex Technology And Investment Corporation | Gauging based on global alignment and sub-models |
JP3753239B2 (ja) | 2002-01-10 | 2006-03-08 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体ウェーハ表層結晶欠陥観察用試料とその作製方法 |
JP4302933B2 (ja) | 2002-04-22 | 2009-07-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビームによる穴埋め方法及びイオンビーム装置 |
JP2004020519A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Jfe Steel Kk | 金属材料表層の内部酸化層評価方法 |
US6871114B1 (en) | 2002-08-30 | 2005-03-22 | Eric O. Green | Updating process controller based upon fault detection analysis |
JP2004164966A (ja) | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Seiko Instruments Inc | 関連情報をコード化して書き込む機能を備えたtem試料加工用集束イオンビーム装置 |
NL1022426C2 (nl) | 2003-01-17 | 2004-07-26 | Fei Co | Werkwijze voor het vervaardigen en transmissief bestralen van een preparaat alsmede deeltjes optisch systeem. |
US7002152B2 (en) | 2003-02-15 | 2006-02-21 | Bal-Tec Ag | Sample preparation for transmission electron microscopy |
JP2004325136A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Sii Nanotechnology Inc | 識別機能を備えたtem試料及びtem試料加工用集束イオンビーム装置並びに透過型電子顕微鏡 |
DE602004031073D1 (de) | 2003-06-13 | 2011-03-03 | Fei Co | Verfahren und Vorrichtung zum Manipulieren von mikroskopischen Proben |
NL1023717C2 (nl) | 2003-06-20 | 2004-12-21 | Fei Co | Preparaatdrager voor het dragen van een met een elektronenbundel te doorstralen preparaat. |
JP3887356B2 (ja) | 2003-07-08 | 2007-02-28 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 薄片試料作製方法 |
US20050010317A1 (en) | 2003-07-11 | 2005-01-13 | Ron Hadar | Method and apparatus for automated bi-directional integration of peripheral data sources for a production tool |
KR100558204B1 (ko) | 2003-10-13 | 2006-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 분석용 마크, 마킹 방법 및 분석용 시료 제작방법 |
US20060017016A1 (en) | 2004-07-01 | 2006-01-26 | Fei Company | Method for the removal of a microscopic sample from a substrate |
US7408178B2 (en) | 2004-07-01 | 2008-08-05 | Fei Company | Method for the removal of a microscopic sample from a substrate |
US8723144B2 (en) * | 2004-07-14 | 2014-05-13 | Applied Materials Israel, Ltd. | Apparatus for sample formation and microanalysis in a vacuum chamber |
WO2006020324A2 (en) | 2004-07-28 | 2006-02-23 | Moore Thomas M | Method and apparatus for in-situ probe tip replacement inside a charged particle beam microscope |
US7414252B2 (en) | 2004-11-03 | 2008-08-19 | Omniprobe, Inc. | Method and apparatus for the automated process of in-situ lift-out |
JP2006136923A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工機及びレーザ加工方法 |
US7442924B2 (en) * | 2005-02-23 | 2008-10-28 | Fei, Company | Repetitive circumferential milling for sample preparation |
JP4635717B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2011-02-23 | 株式会社デンソー | ワークの保持方法および保持装置 |
US7348556B2 (en) | 2005-07-19 | 2008-03-25 | Fei Company | Method of measuring three-dimensional surface roughness of a structure |
US7511282B2 (en) * | 2006-05-25 | 2009-03-31 | Fei Company | Sample preparation |
US7423263B2 (en) * | 2006-06-23 | 2008-09-09 | Fei Company | Planar view sample preparation |
US7615745B2 (en) | 2006-07-10 | 2009-11-10 | Fei Company | Method for separating a minute sample from a work piece |
WO2008049137A1 (en) | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Smit Hendrik Johannes Christia | A fluid reservoir and a method of manufacturing thereof |
WO2008051880A2 (en) | 2006-10-20 | 2008-05-02 | Fei Company | Method and apparatus for sample extraction and handling |
EP2104946B1 (en) | 2006-10-20 | 2015-08-12 | FEI Company | Method for creating s/tem sample and sample structure |
US7842920B2 (en) * | 2006-12-14 | 2010-11-30 | Dcg Systems, Inc. | Methods and systems of performing device failure analysis, electrical characterization and physical characterization |
US7880151B2 (en) | 2008-02-28 | 2011-02-01 | Fei Company | Beam positioning for beam processing |
-
2007
- 2007-10-20 WO PCT/US2007/082030 patent/WO2008051880A2/en active Application Filing
- 2007-10-20 JP JP2009533583A patent/JP5266236B2/ja active Active
- 2007-10-20 EP EP07863442.5A patent/EP2095134B1/en active Active
- 2007-10-20 US US12/446,376 patent/US8357913B2/en active Active
-
2012
- 2012-12-06 JP JP2012267309A patent/JP5711204B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-21 US US13/746,124 patent/US8993962B2/en active Active
-
2015
- 2015-03-31 US US14/674,840 patent/US9349570B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003511844A (ja) * | 1999-10-12 | 2003-03-25 | エフ イー アイ カンパニ | 集束イオンビームを同軸光学顕微鏡に対する方法と装置 |
JP2004111097A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Sharp Corp | 集束イオンビーム装置用試料ステージ及び薄片試料の形成方法 |
US7041985B1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-09 | Western Digital (Fremont), Inc. | Manipulator for microscopy sample preparation and methods for making and use thereof |
JP2006144825A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Yokogawa Electric Corp | デバイスホルダ |
JP2008008850A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Fujifilm Corp | マイクロマニピュレータ |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014061524A1 (ja) * | 2012-10-15 | 2014-04-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および試料作製法 |
US9362088B2 (en) | 2012-10-15 | 2016-06-07 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam device and sample preparation method |
JP2015038477A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-26 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 試料調製中におけるtem試料からのプローブの分離 |
US10053768B2 (en) | 2013-08-14 | 2018-08-21 | Fei Company | Detaching probe from TEM sample during sample preparation |
JP2015092156A (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-14 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 統合薄片抜取りステーション |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8993962B2 (en) | 2015-03-31 |
EP2095134A2 (en) | 2009-09-02 |
EP2095134A4 (en) | 2011-09-14 |
US20100305747A1 (en) | 2010-12-02 |
WO2008051880B1 (en) | 2008-09-04 |
US8357913B2 (en) | 2013-01-22 |
EP2095134B1 (en) | 2017-02-22 |
JP5266236B2 (ja) | 2013-08-21 |
JP5711204B2 (ja) | 2015-04-30 |
WO2008051880A3 (en) | 2008-07-03 |
JP2013101123A (ja) | 2013-05-23 |
US20150311034A1 (en) | 2015-10-29 |
WO2008051880A2 (en) | 2008-05-02 |
US9349570B2 (en) | 2016-05-24 |
US20130153785A1 (en) | 2013-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5266236B2 (ja) | サンプル抽出および取り扱いのための方法および装置 | |
JP5628882B2 (ja) | S/temのサンプルを作成する方法およびサンプル構造 | |
US8884247B2 (en) | System and method for ex situ analysis of a substrate | |
CN105914159B (zh) | 利用已知形状薄片自动s/tem采集和计量的图形匹配 | |
US8729469B1 (en) | Multiple sample attachment to nano manipulator for high throughput sample preparation | |
US10539489B2 (en) | Methods for acquiring planar view STEM images of device structures | |
US10410829B1 (en) | Methods for acquiring planar view stem images of device structures | |
EP3070731A1 (en) | Pattern matching using a lamella of known shape for automated s/tem acquisition and metrology |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A525 Effective date: 20090609 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090902 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100819 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120711 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121008 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121016 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121111 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130430 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130502 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5266236 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |