DE102009008063A1 - Teilchenstrahlsystem - Google Patents

Teilchenstrahlsystem Download PDF

Info

Publication number
DE102009008063A1
DE102009008063A1 DE102009008063A DE102009008063A DE102009008063A1 DE 102009008063 A1 DE102009008063 A1 DE 102009008063A1 DE 102009008063 A DE102009008063 A DE 102009008063A DE 102009008063 A DE102009008063 A DE 102009008063A DE 102009008063 A1 DE102009008063 A1 DE 102009008063A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
particle beam
film
transmittance
detector
beam system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102009008063A
Other languages
English (en)
Inventor
Hubert Mantz
Rainer Arnold
Michael Dr. Albiez
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss Microscopy GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss NTS GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss NTS GmbH filed Critical Carl Zeiss NTS GmbH
Priority to DE102009008063A priority Critical patent/DE102009008063A1/de
Priority to US12/658,476 priority patent/US20100200750A1/en
Priority to EP20100001335 priority patent/EP2216798B1/de
Priority to JP2010026846A priority patent/JP5529574B2/ja
Publication of DE102009008063A1 publication Critical patent/DE102009008063A1/de
Priority to US13/247,995 priority patent/US8368020B2/en
Priority to US13/247,979 priority patent/US8368019B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/05Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/22Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/222Image processing arrangements associated with the tube
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/252Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
    • H01J37/256Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers using scanning beams

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

Ein Elektronenstrahlsystem umfasst eine Teilchenstrahlquelle (5) zur Erzeugung eines Primärteilchenstrahls (13), eine Objektivlinse (19) zur Fokussierung des Primärteilchenstrahls, einen Elektronendetektor (17) und einen Röntgendetektor (47). Der Röntgendetektor weist mehrere Halbleiterdetektoren auf, deren Detektionsflächen (51) jeweils der Objektebene (23) zugewandt sind. Zwischen der Objektebene und der Detektionsfläche ist jeweils eine Folie vorgesehen, wobei für verschiedene Halbleiterdetektoren verschiedene Folien vorgesehen sind, die sich hinsichtlich ihres Transmissionsgrades für Sekundärelektronen unterscheiden.

Description

  • Bereich der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein Teilchenstrahlsystem mit einer Teilchenstrahlquelle zur Erzeugung eines Primärteilchenstrahls, einem Elektronendetektor und einem Röntgendetektor.
  • Kurze Beschreibung des verwandten Standes der Technik
  • Ein herkömmliches Teilchenmikroskop umfasst eine Teilchenstrahlquelle zur Erzeugung eines Primärteilchenstrahls und einen Elektronendetektor. Das Teilchenmikroskop kann eine Elektronenstrahlquelle als Teilchenquelle umfassen, um ein Elektronenmikroskop zu bilden, oder es kann eine Ionenquelle als Primärteilchenquelle umfassen, um ein Ionenmikroskop zu bilden. Es ist bekannt, ein Elektronenmikroskop mit einem Röntgendetektor zu kombinieren, um Röntgenstrahlung zu detektieren, welche durch den Primärteilchenstrahl an einer zu untersuchenden Probe erzeugt wird. Diese Röntgenstrahlung kann für einzelne Elemente charakteristische Röntgenstrahlung enthalten, so dass aus Detektionssignalen des Röntgendetektors auf in der Probe enthaltene Elemente geschlossen werden kann. Die Analyse der Röntgenstrahlung kann eine Analyse einer Energie von detektierten Röntgenquanten umfassen. Eine solche Art der Analyse wird herkömmlicherweise als energie-dispersive Röntgenspektroskopie (EDX, ”Energy Dispersive X-ray spectroscopy”) bezeichnet.
  • Ein herkömmliches Elektronenmikroskop, welches mit einem Röntgendetektor kombiniert ist, ist aus US 2006/0138325 A1 bekannt. Darin empfängt der Röntgendetektor Röntgenstrahlung, welche von einer Probe ausgeht und dort durch einen auf die Probe fokussierten Primärteilchenstrahl erzeugt wird. Da durch den Primärteilchenstrahl ebenfalls Sekundärelektronen erzeugt werden, welche von der Probe ausgehen, umfasst der Röntgendetektor eine Elektronenfalle, um zu verhindern, dass Sekundärelektronen in dem Röntgendetektor Detektionssignale auslösen, welche als vermeintliche Röntgensignale interpretiert werden. Die Elektronenfalle kann beispielsweise eine magnetische Elektronenfalle sein.
  • Bei herkömmlichen Kombinationen aus einem Elektronenmikroskop und einem Röntgendetektor wurde die Nachweisempfindlichkeit für Röntgenstrahlung insbesondere bei niedrigen Energien des Primärteilchenstrahls für zu gering empfunden.
  • Überblick über die Erfindung
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Teilchenstrahlsystem mit einer Teilchenstrahlquelle, einem Elektronendetektor und einem Röntgendetektor anzugeben, welches den Nachweis von Röntgenstrahlung auf einfachere Weise oder/und mit einer höheren Qualität ermöglicht.
  • Gemäß Ausführungsformen der Erfindung umfasst ein Teilchenstrahlsystem eine Teilchenstrahlquelle zur Erzeugung eines Primärteilchenstrahls, eine Objektivlinse, um den Primärteilchenstrahl in einer Objektebene zu fokussieren, einen Elektronendetektor, um durch den Primärteilchenstrahl an der Probe hervorgerufener Sekundärelektronen zu detektieren, und einen Röntgendetektor, welcher wenigstens zwei Halbleiterdetektoren aufweist, von denen ein jeder eine der Probe zugewandte Detektionsfläche und eine zwischen der Probe und der Detektionsfläche angeordnete Folie aufweist. Hierbei unterscheiden sich die vor zwei verschiedenen Halbleiterdetektoren angeordneten Folien hinsichtlich ihres Transmissionsgrades für Sekundärelektronen.
  • Der Röntgendetektor ist insbesondere frei von magnetischen Elektronenfallen. Die Erfinder haben nämlich erkannt, dass in der Nähe einer Objektivlinse zur Fokussierung des Primärteilchenstrahls herkömmlicherweise angeordnete magnetische Elektronenfallen des Röntgendetektors die von der magnetischen Objektivlinse erzeugten Felder zur Fokussierung des Elektronenstrahls stören, die Fokussierung des Primärteilchenstrahls beeinträchtigen und damit eine Ortsauflösung des Systems beeinträchtigen.
  • Bei dem Röntgendetektor gemäß der Ausführungsform der Erfindung könnten Sekundärelektronen durch das jeweilige Fenster vor dem Halbleiterdetektor hindurchtreten und von dem Halbleiterdetektor nachgewiesen werden. Da sich allerdings zwei verschiedene Fenster hinsichtlich ihres Transmissionsgrades für Sekundärelektronen unterscheiden, werden die beiden Fenster von einer unterschiedlichen Anzahl von Sekundärelektronen durchsetzt, so dass die beiden Halbleiterdetektoren ebenfalls eine unterschiedliche Anzahl von Ereignissen detektieren, welche auf das Auftreffen von Elektronen zurückgehen. Hierdurch ist es möglich, für einen der beiden Halbleiterdetektoren einen Anteil der auf den Nachweis von Elektronen zurückgehenden Zählereignisse zu ermitteln und entsprechend einen verbleibenden Anteil an Zählereignissen den nachgewiesenen Röntgenquanten zuzuordnen und somit eine vergleichsweise genaue Zählung der durch den Primärteilchenstrahl erzeugten Röntgenquanten ohne Einsatz beispielsweise einer magnetischen Elektronenfalle zu ermöglichen.
  • Gemäß weiterer Ausführungsformen der Erfindung umfasst der Röntgendetektor einen Ring, welcher den Strahlgang des Primärteilchenstrahls umgibt und welcher die wenigstens zwei Halbleiterdetektoren derart trägt, dass deren Detektionsflächen einer Objektebene der Objektivlinse zugewandt sind. Gemäß beispielhafter Ausführungsformen hierin umfasst der Röntgendetektor mehr als zwei Halbleiterdetektoren, wie beispielsweise drei, vier, acht oder mehr Halbleiterdetektoren. Hierbei können die Detektionsflächen der einzelnen Halbleiterdetektoren in einer gemeinsamen Ebene liegen, und die einzelnen Halbleiterdetektoren können als Segmente ausgebildet sein, so dass sie zusammen eine Kreisfläche ausfüllen, welche eine zentrale Öffnung für den Durchtritt des Primärteilchenstrahls aufweist.
  • Gemäß weiterer Ausführungsformen der Erfindung umfasst ein Teilchenstrahlsystem eine Teilchenstrahlquelle zur Erzeugung eines Primärteilchenstrahls, eine Objektivlinse, um den Primärteilchenstrahl in einer Objektebene zu fokussieren, einen Elektronendetektor, um durch den Primärteilchenstrahl an der Probe hervorgerufene Sekundärelektronen zu detektieren, und einen Röntgendetektor, welcher einen ersten Halbleiterdetektor umfasst, der eine der Objektebene zugewandte Detektionsfläche aufweist. Das Teilchenstrahlsystem kann ferner einen Antrieb und eine Folie umfassen, welche an den Antrieb gekoppelt ist, wobei der Antrieb dazu konfiguriert ist, die erste Folie zwischen einer ersten Stellung, in der sie zwischen dem Halbleiterdetektor und der Objektebene angeordnet ist, und einer zweiten Stellung, in der sie nicht zwischen dem Halbleiterdetektor und der Objektebene angeordnet ist, hin und her zu bewegen.
  • Die erste Folie, welche wahlweise vor dem ersten Halbleiterdetektor angeordnet werden kann, weist einen Transmissionsgrad für Elektronen auf, der kleiner als 1 ist. Somit lässt sich durch Anordnen der ersten Folie vor dem ersten Halbleiterdetektor und durch Entfernen der ersten Folie vor dem Halbleiterdetektor eine Nachweisempfindlichkeit des Halbleiterdetektors für Sekundärelektronen variieren. Ähnlich wie vorangehend zu der Ausführungsform, welche zwei Halbleiterdetektoren mit zwei Folien verschiedenen Transmissionsgrads für Elektronen umfasst, beschrieben, können mit dieser Ausführungsform nacheinander zwei Messungen durchgeführt werden, welche sich hinsichtlich des Transmissionsgrads für Elektronen unterscheiden, woraus dann mit vergleichsweise hoher Zuverlässigkeit auf die durch Röntgenquanten hervorgerufenen Zählereignisse rückgeschlossen werden kann.
  • Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform hierin ist eine zweite Folie vorgesehen, welche ebenfalls an den Antrieb gekoppelt ist und dann vor dem Halbleiterdetektor angeordnet ist, wenn die erste Folie nicht vor dem Halbleiterdetektor angeordnet ist und umgekehrt.
  • Ausführungsbeispiele
  • Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend anhand von Zeichnungen näher erläutert. Hierbei zeigt:
  • 1 ein Teilchenstrahlsystem gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,
  • 2 einen Querschnitt eines Röntgendetektors des in 1 gezeigten Teilchenstrahlsystems, und zwar geschnitten entlang einer Linie II-II in 3,
  • 3 eine Draufsicht von unten durch den in 2 gezeigten Röntgendetektor,
  • 4 zeigt einen Graphen, der einen Transmissionsgrad von Fenstern des in den 2 und 3 gezeigten Röntgendetektors für Elektronen repräsentiert,
  • 5 zeigt einen Graphen, der einen Transmissionsgrad von Fenstern des in den 2 und 3 gezeigten Röntgendetektors für Röntgenstrahlung repräsentiert,
  • 6 zeigt einen Graphen, der mit dem in den 2 und 3 gezeigten Röntgendetektor detektierte Zählraten repräsentiert,
  • 7 ein Teilchenstrahlsystem gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, und
  • 8 eine Detailansicht von unten eines Teilchenstrahlsystems gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung.
  • 1 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Teilchenstrahlsystems 1, welches eine Elektronenstrahlquelle 5 mit einer Kathode 7 und Extraktor- und Supressorelektroden 9 umfasst, um einen Primärteilchenstrahl 13 zu erzeugen. Der Primärteilchenstrahl 13 durchsetzt zunächst eine Kondensorlinse 11, eine Ausnehmung 15 in einem Elektronendetektor 17 und eine Objektivlinse 19, um den Primärteilchenstrahl 13 an einem Ort 21 in einer Objektebene 23 zu fokussieren. In der Objektebene 23 ist eine Oberfläche eines Objekts 25 angeordnet, welches in dem hier beschriebenen Ausführungsbeispiel zu analysieren ist.
  • Die Objektivlinse 19 umfasst eine Ringspule 27, welche in einem Ringkern 29 angeordnet ist, welcher ein ringförmiges oberes Polende 31 und ein ringförmiges unteres Polende 32 umfasst, so dass in einem Ringspalt zwischen den beiden Polenden 31, 32 ein den Elektronenstrahl 13 fokussierendes Magnetfeld erzeugt wird.
  • Das Teilchenstrahlsystem 1 umfasst ferner ein Strahlrohr 35, welches die Objektivlinse 19 zentral durchsetzt, von dem Primärteilchenstrahl 13 durchlaufen wird und nahe der Polenden 31, 32 in einer Endelektrode 37 endet. Zwischen der Endelektrode 37 und der Objektebene 23 ist eine Abschlusselektrode 36 angeordnet, wobei ein zwischen der Abschlusselektrode 36 und der Endelektrode 37 bereitgestelltes elektrostatisches Feld eine fokussierende Wirkung auf den Primärteilchenstrahl 13 ausübt. Die durch das elektrostatische Feld zwischen den Elektroden 36 und 37 erzeugte fokussierende Wirkung und die durch das Magnetfeld zwischen den Polenden 31 und 32 bereitgestellte fokussierende Wirkung bilden gemeinsam die fokussierende Wirkung der Objektivlinse 19 des Elektronenstrahlsystems 1. Über eine Steuerung 39 können an die Abschlusselektrode 36, die Endelektrode 37, die Kathode 7, die Extraktor- und Supressorelektroden 9 einstellbare Spannungen angelegt werden, um eine kinetische Energie der Elektronen des Primärteilchenstrahls 13 beim Auftreffen an dem Ort 21 auf der Probe 25 einzustellen und um die fokussierende Wirkung des elektrostatischen Feldes einzustellen. Hierbei kann insbesondere an die Abschlusselektrode durch die Steuerung 39 auch Massepotential oder ein hiervon verschiedenes Potential angelegt sein.
  • In der Objektivlinse 19 sind ferner Ablenker 41 angeordnet, welche ebenfalls von der Steuerung 39 kontrolliert werden, um den Elektronenstrahl 13 abzulenken und den Ort 21, an dem der Primärteilchenstrahl 13 in der Objektebene 23 auf das Objekt 25 trifft, zu variieren und um insbesondere einen Teil der Probe 25 systematisch mit dem Primärteilchenstrahl 13 abzuscannen.
  • Der auf die Probe 25 treffende Primärteilchenstrahl führt dazu, dass von der Probe 25 wiederum Sekundärelektronen ausgehen, welche zum Teil in das Strahlrohr 35 eintreten und von dem Elektronendetektor 17 nachgewiesen werden können. Im Rahmen der vorliegenden Anmeldung umfasst der Begriff Sekundärelektronen sämtliche Arten von Elektronen, welche nach Richten des Primärteilchenstrahls hin zur Probe 25 von dieser ausgehen und durch den Elektronendetektor 17 nachgewiesen werden können. Insbesondere umfasst der Begriff somit rückgestreute Elektronen, deren kinetische Energie der kinetischen Energie der Primärteilchen entspricht oder etwas geringer ist, Sekundärelektronen im engeren Sinne, deren kinetische Energie beim Austritt aus der Probe wesentlich kleiner ist als die kinetische Energie der Primärteilchen beim Auftreffen auf die Probe. In 1 ist eine Trajektorie eines exemplarischen Sekundärelektrons mit dem Bezugszeichen 43 versehen.
  • Das Teilchenstrahlsystem 1 umfasst ferner einen Röntgendetektor 47, welcher zwischen der Objektivlinse 19 und der Objektebene 23 angeordnet ist. Der Röntgendetektor 47 weist eine zentrale Ausnehmung 49 auf, um den Primärteilchenstrahl 13 und Sekundärelektronen 43 hindurchtreten zu lassen. Radial außerhalb der Ausnehmung 49 umfasst der Röntgendetektor 47 mehrere Detektionsflächen 51 zum Nachweis von Röntgenquanten, welche durch den auf die Probe 25 gerichteten Primärteilchenstrahl 13 erzeugt werden. Eine exemplarische Trajektorie eines an dem Ort 21 durch den Primärteilchenstrahl 13 erzeugten und auf den Röntgendetektor 47 treffenden Röntgenquants ist in 1 mit dem Bezugszeichen 53 versehen.
  • Ein Aufbau des Röntgendetektors 47 ist in den 2 und 3 im Schnitt bzw. in Draufsicht schematisch dargestellt. Der Röntgendetektor 47 umfasst einen ringförmigen Träger mit einer oberen Platte 55 mit einer zentralen Bohrung, um die Ausnehmung 49 zum Durchtritt des Primärteilchenstrahls 13 und der Sekundärelektronen 43 bereitzustellen. An der Unterseite der Platte 55 sind vier separate Halbleiterdetektoren 57 flächig derart angebracht, dass eine Nachweisfläche 59 eines jeden Halbleiterdetektors 57 der Objektebene 23 zugewandt ist. Vor der Nachweisfläche 59 eines jeden Halbleiterdetektors 57 ist jeweils eine Folie 61 angeordnet, um ein Auftreffen von Sekundärelektronen auf der Detektionsfläche 59 des Halbleiterdetektors 57 wenigstens teilweise zu verhindern. In dem in 2 gezeigten Beispiel ist die Folie 61 mit einem kleinen Abstand von der Detektionsfläche 59 angeordnet. Es ist jedoch auch möglich, dass die Folie an der Detektionsfläche anliegt oder als Folien-Schicht direkt auf die Detektionsfläche aufgebracht und von dieser getragen ist.
  • Die Folien 61 können austauschbar sein, indem sie nicht fest mit dem Halbleiterdetektor 57 verbunden sind, sondern durch Rahmen oder ähnliches gehaltert sind. In dem in den 2 und 3 dargestellten Ausführungsbeispiel sind an der Platte 55 Vorsprünge 63 vorgesehen, an deren Enden Zungen 65 angebracht sind, die die Folien 61 haltern können. Beispielsweise können die Folien 61 zwischen den Zungen 65 und einem radial außen liegenden Ringvorsprung 66 der Platte 55 eingeklemmt sein.
  • In dem in den 2 und 3 dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst der Röntgendetektor 57 vier voneinander separate Halbleiterdetektoren 57, welche eine Konfiguration von vier Quadranten um die Ausnehmung 49 bilden. Die vier Halbleiterdetektoren 57 weisen jeweils einen gleichen Aufbau und gleiche Eigenschaften auf, und Detektionssignale der vier Halbleiterdetektoren 57 werden durch die Steuerung 39 separat erfasst.
  • Die vier Folien 61, welche vor den Detektionsflächen 59 der vier Halbleiterdetektoren 57 angeordnet sind, weisen allerdings unterschiedliche Eigenschaften auf. Es sind zwei verschiedene Arten von Folien vorgesehen. Zwei Folien, welche in der 3 mit dem Bezugszeichen 61 versehen sind, haben einen Transmissionsgrad für Sekundärelektronen, welcher jeweils größer ist als der Transmissionsgrad für Sekundärelektronen der beiden anderen Folien, welche in 2 mit dem Bezugszeichen 61' versehen sind.
  • Die beiden Arten von Folien mit unterschiedlichen Transmissionsgraden für Sekundärelektronen dienen dazu, den Nachweis von Sekundärelektronen durch den Röntgendetektor zu unterdrücken, ohne hierbei auch den Nachweis von Röntgenquanten allzu sehr zu unterdrücken. Insbesondere können die Folien mit den unterschiedlichen Transmissionsgraden für Sekundärelektronen dazu eingesetzt werden, aus Unterschieden in den Zählraten, welche von den einzelnen Halbleiterdetektoren erzeugt werden, auf den Anteil von nachgewiesenen Sekundärelektronen zu schließen und entsprechend den verbleibenden Anteil der Zählraten dem Nachweis von Röntgenquanten zuzuordnen und hierdurch die Qualität des Nachweises der Röntgenquanten zu verbessern.
  • Die Folien 61 sind bevorzugt aus einem Material aus Elementen mit kleiner Ordnungszahl gefertigt, um für Röntgenquanten gut durchlässig zu sein. Sämtliche Folien können aus dem gleichen Material gefertigt sein und sich hinsichtlich ihrer Dicke unterscheiden, um den unterschiedlichen Transmissionsgrad für Sekundärelektronen bereitzustellen. Die Folien können beispielsweise aus Polyester bestehen. Beispiele für ein geeignetes Polyester sind Terephtalat-Polyester, wie z. B. Polyethylenterephtalat-Polyester. Geeignete Folien sind beispielsweise Folien, welche unter der Produktbezeichnung Mylar von der Firma DuPont, Wilmington, USA bezogen werden können. Geeignete Dicken dieser Folien liegen im Bereich von 0,1 μm bis 50 μm, insbesondere im Bereich von 1,0 μm bis 10 μm. Andere geeignete Folien können unter der Produktbezeichnung AP3.3 von der Firma MoxTek, Orem, USA, bezogen werden. Ein Beispiel für ein weiteres Material für die Folien ist Beryllium.
  • In den nachfolgend anhand der 4 und 5 erläuterten Beispielen ist eine Folie mit dem größeren Transmissionsgrad für Elektronen durch eine Folie der Dicke 1 μm des Materials AP3.3 gebildet, und eine Folie mit dem kleineren Transmissionsgrad für Elektronen ist durch eine Folie des Materials Mylar mit der Dicke 6 μm gebildet.
  • 4 zeigt den durch Simulationsrechnungen erhaltenen Transmissionsgrad für Elektronen der beiden Fenster für unterschiedliche kinetische Energien der Elektronen.
  • 5 zeigt den ebenfalls durch Simulationsrechnungen erhaltenen Transmissionsgrad für Röntgenstrahlung der beiden Folien für unterschiedliche Energien der Röntgenstrahlung.
  • In dem nachfolgend anhand der 6 erläuterten Beispiel ist eine Folie mit dem größeren Transmissionsgrad für Elektronen durch eine Folie der Dicke 1 μm des Materials Mylar gebildet, und eine Folie mit dem kleineren Transmissionsgrad für Elektronen ist durch eine Folie desselben Materials mit der Dicke 6 μm gebildet.
  • 6 zeigt im Experiment gemessene Zählraten, wie sie durch die Halbleiterdetektoren des in dem Teilchenstrahlsystem 1 montierten Röntgendetektors 47 erhalten werden, wenn der Primärteilchenstrahl auf eine Probe aus Mangan gerichtet wird. In 6 sind die Zählraten für den Halbleiterdetektor, vor dem die dünne Folie angeordnet ist und für den Halbleiterdetektor, vor dem die dicke Folie angeordnet ist, jeweils in Abhängigkeit von der kinetischen Energie der Primärteilchen beim Auftreffen auf die Probe dargestellt.
  • Aus 6 ist ersichtlich, dass die Zählraten für das dünne Fenster und das dicke Fenster einen unterschiedlichen Verlauf in Abhängigkeit von der Energie aufweisen, so dass es durch Vergleich der Zählraten, welche mit der dünnen Folie und der dicken Folie gewonnen werden, möglich ist, aus den Messsignalen mehr Information zu gewinnen und insbesondere den Anteil an detektierten Röntgenquanten in diesen Signalen mit höherer Qualität zu ermitteln.
  • In dem vorangehend erläuterten Ausführungsbeispiel umfasst der Röntgendetektor vier separate einzelne Halbleiterdetektoren. Es ist jedoch möglich, anstatt der vier separaten Halbleiterdetektoren eine andere Zahl von Halbleiterdetektoren einzusetzen. Ferner werden in dem vorangehend erläuterten Ausführungsbeispiel zwei verschiedene Arten von Folien mit unterschiedlichem Transmissionsgrad für Sekundärelektronen eingesetzt. Es ist jedoch auch möglich, eine höhere Zahl von Folien mit unterschiedlichen Transmissionsgraden für Sekundärelektronen einzusetzen.
  • Die von den einzelnen Halbleiterdetektoren 57 erzeugten Nachweissignale werden von der Steuerung 39 ausgelesen, ebenso wie die Nachweissignale des Elektronendetektors 17. Hierbei können aus den Nachweissignalen der einzelnen Halbleiterdetektoren und den Nachweissignalen des Elektronendetektors elektronenmikroskopische Bilder erzeugt werden, indem durch Ansteuern der Ablenker 41 der Primärteilchenstrahl 13 an verschiedene Orte 21 auf der Probe 25 gescannt wird und den jeweiligen Orten zugeordnete detektierte Intensitäten der einzelnen Detektoren gespeichert werden. Die sich derart ergebenden Bilder können beispielsweise auf einem Bildschirm 81 dargestellt werden, und die Steuerung 39 kann beispielsweise über eine Tastatur 82 bedient werden. Es ist auch möglich, die durch die einzelnen Detektoren, d. h. die mit den verschiedenen Fenstern 61, 61' versehenen Halbleiterdetektoren 57 zur Detektion von Röntgenstrahlung und den Elektronendetektor 17, miteinander zu verrechnen, um aus den Detektionssignalen abgeleitete Messgrößen zu erhalten, welche wiederum als Bilder in Abhängigkeit von den jeweiligen Orten 21, auf welche der Primärteilchenstrahl gerichtet ist, darzustellen.
  • Nachfolgend werden weitere Ausführungsformen eines Teilchenstrahlsystems erläutert. Dabei werden Komponenten, die hinsichtlich ihrer Struktur oder Funktion Komponenten der vorangehend erläuterten Ausführungsform ähnlich sind, mit den gleichen Bezugszeichen versehen, welche zur Unterscheidung durch einen zusätzlichen Buchstaben ergänzt sind.
  • 7 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Teilchenstrahlsystems 1a, welches einen ähnlichen Aufbau aufweist, wie das anhand der 1 bis 6 erläuterte Teilchenstrahlsystem. Das Teilchenstrahlsystem 1a umfasst wiederum eine Objektivlinse 19a, vor welcher ein Röntgendetektor 47a angeordnet ist, der einen Halbleiterdetektor 57 umfasst, vor dessen Detektionsfläche eine Folie 61a angeordnet ist.
  • Zwischen dem Röntgendetektor 47a und einer Objektebene 23a der Objektivlinse 19a ist an einem ringförmigen Träger 71 eine Folie 73 gehaltert. Der Träger 71 ist an einer Stange 75 befestigt, welche einen Vakuummantel 77 des Elektronenstrahlsystems 1a durch eine Dichtung 79 verschiebbar durchsetzt. An dem Vakuummantel 77 ist ferner ein motorischer Antrieb 81 getragen, welcher von einer Steuerung (39, in 7 nicht gezeigt) des Elektronenstrahlsystems 1a kontrolliert wird. Durch Betätigen des Antriebs 81 kann die Stange 75 in deren Längsrichtung hin und her verschoben werden, wie dies durch einen Pfeil 83 in 7 angedeutet ist. Durch Betätigen des Antriebs 81 ist es somit möglich, die Folie 73 vor dem Detektor 47a anzuordnen bzw. von einer Position vor dem Detektor 47a zu entfernen. Die Folie 73 stellt somit in den beiden Stellungen unterschiedliche Transmissionsgrade für Elektronen bereit. Durch Betätigen des Antriebs 81 ist es somit möglich, wahlweise vor dem Halbleiterdetektor 57a des Röntgendetektors 47a Folie 73 anzuordnen, um die Nachweischarakteristik für Röntgenstrahlung des Halbleiterdetektors zu beeinflussen.
  • Die Folie 61a, welche durch den Röntgendetektor 47a getragen ist, ist optional und kann auch weggelassen werden, wobei die Nachweischarakteristik für Elektronen ebenfalls durch Verlagern der Folie 73 durch den Antrieb möglich ist.
  • 8 ist eine Detailansicht einer weiteren Ausführungsform eines Teilchenstrahlsystems 1b, wobei diese Ausführungsform der anhand der 7 erläuterten Ausführungsform ähnlich ist. 8 zeigt eine Draufsicht auf einen Röntgendetektor 47b von unten, wie von einer Objektebene (vgl. 23a in 7) aus gesehen, wobei an einem Träger 71b gehaltene Folien 73b und 73b' wahlweise vor Detektionsflächen 59b des Rontgendetektors 47b anordenbar sind. Hierzu ist die Halterung 71b an einer Stange 75b getragen, welche durch einen in 8 nicht dargestellten Antrieb hin und her verlagerbar ist, wie dies durch einen Pfeil 83b angedeutet ist. Die beiden Folien 73b und 73b' unterscheiden sich hinsichtlich ihrer Transmissionscharakteristik für Sekundärelektronen. In dem in 8 gezeigten Beispiel umfasst der Röntgendetektor 47b vier Halbleiterdetektoren, welche jeweils eine Detektionsfläche 59b aufweisen. Vor den Detektionsflächen kann eine zusätzliche Folie angebracht sein, wie dies mit der Folie 61a der anhand der 7 erläuterten Ausführungsform gezeigt wurde. Eine solche Folie ist jedoch optional und kann auch weggelassen werden. Sind derartige Folien vor den Detektionsflächen 59b der verschiedenen Halbleiterdetektoren angeordnet, so können diese sich auch hinsichtlich ihrer Transmissionscharakteristik für Sekundärelektronen unterscheiden. Es ist auch möglich, eine von der Zahl 4 verschiedene Zahl von Halbleiterdetektoren an dem Röntgendetektor vorzusehen. Insbesondere ist es auch möglich, lediglich einen einzigen Halbleiterdetektor vorzusehen und gleichwohl die Möglichkeit bereitzustellen, Messungen mit unterschiedlichen Transmissionscharakteristiken für Sekundärelektronen durchzuführen, da ja an dem Träger 71b zwei verschiedene Folien 73b und 73b' angebracht sind, welche sich hinsichtlich ihrer Transmissionscharakteristik für Sekundärelektronen unterscheiden und welche wahlweise vor dem Röntgendetektor 47b anordenbar sind.
  • Hierbei ist es auch möglich, dass von den beiden Folien 73b und 73b' lediglich eine Folie, z. B. die Folie 73b, vorhanden ist und die andere Folie 73b' nicht vorhanden ist. Durch das Hin- und Herverlagern der lediglich einen Folie 73b ist es dann gleichwohl möglich, zwei Messungen aufzunehmen, die sich hinsichtlich der Transmissionscharakteristik für Sekundärelektronen unterscheiden.
  • Die in den anhand der 7 und 8 erläuterten Ausführungsformen an dem durch den Antrieb verlagerbaren Träger gehalterten ein oder mehreren Folien können aus den gleichen Materialien und mit vergleichbaren Dicken gefertigt sein, wie dies vorangehend für die Folien 61 in dem anhand der 1 bis 6 erläuterten Ausführungsbeispiel beschrieben wurde.
  • Es ist auch möglich, den Motor für den Antrieb innerhalb des Vakuummantels anzuordnen oder anstatt des durch die Steuerung des Elektronenstrahlsystems kontrollierten motorischen Antriebs 81 einen handbetätigten Antrieb zur Verlagerung der ein oder mehreren Folien 73 vor dem Detektor 47a bereitzustellen.
  • In den vorangehend erläuterten Ausführungsformen ist das Teilchenstrahlsystem jeweils ein Elektronenstrahlsystem, bei welchem ein Elektronenstrahl als Primärelektronenstrahl eingesetzt wird, um Elektronen und Röntgenquanten aus einer Probe auszulösen, welche dann durch einen Elektronendetektor bzw. einen Röntgendetektor detektiert werden. Es ist jedoch auch möglich, anstatt des Elektronenstrahls einen Ionenstrahl als Primärteilchenstrahl einzusetzen, um die Elektronen und Röntgenquanten aus der Probe auszulösen. Beispiele für hierfür geeignete Systeme zur Erzeugung eines Ionenstrahls als Primärteilchenstrahl sind aus US 2007/0228287 A1 und aus US 2007/0215802 A1 bekannt, deren Offenbarung in die vorliegende Anmeldung vollumfänglich aufgenommen wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform stellt die Erfindung ein Teilchenstrahlsystem bereit, welches eine Elektronenstrahlquelle zur Erzeugung eines Primärteilchenstrahls, eine Objektivlinse zur Fokussierung des Primärteilchenstrahls, einen Elektronendetektor und einen Röntgendetektor umfasst. Der Röntgendetektor weist mehrere Halbleiterdetektoren auf, deren Detektionsflächen jeweils der Objektebene zugewandt sind. Zwischen der Objektebene und der Detektionsfläche ist jeweils mindestens eine Folie vorgesehen, wobei für verschiedene Halbleiterdetektoren verschiedene Folien vorgesehen sind, die sich hinsichtlich ihres Transmissionsgrades für Sekundärelektronen unterscheiden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 2006/0138325 A1 [0003]
    • - US 2007/0228287 A1 [0050]
    • - US 2007/0215802 A1 [0050]

Claims (15)

  1. Teilchenstrahlsystem, umfassend: eine Teilchenstrahlquelle (5) zur Erzeugung eines Primärteilchenstrahls (13); eine Objektivlinse (19) zur Fokussierung des Primärteilchenstrahls (13) in einer Objektebene (23); einen Elektronendetektor (17); und einen entlang des Strahlengangs des Primärteilchenstrahls (13) zwischen Objektivlinse (19) und der Objektebene (23) angeordneten Röntgendetektor, wobei der Röntgendetektor umfasst: einen ersten und einen zweiten Halbleiterdetektor (57), welche jeweils eine der Objektebene (23) zugewandte Detektionsfläche (59) aufweisen, eine erste Folie (61; 73), welche zwischen der Objektebene (23) und der Detektionsfläche (59) des ersten Halbleiterdetektors (57) angeordnet ist, und eine zweite Folie (61; 73), welche zwischen der Objektebene (23) und der Detektionsfläche (59) des zweiten Halbleiterdetektors (57) angeordnet ist, wobei ein Transmissionsgrad für Elektronen der ersten Folie größer ist als ein Transmissionsgrad für Elektronen der zweiten Folie.
  2. Teilchenstrahlsystem nach Anspruch 1, wobei der Transmissionsgrad der ersten Folie für Elektronen einer kinetischen Energie von 12 keV größer als 0,5 ist und wobei der Transmissionsgrad der zweiten Folie für Elektronen der kinetischen Energie von 12 keV kleiner als 0,3 ist.
  3. Teilchenstrahlsystem nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Transmissionsgrad der ersten Folie für Elektronen einer kinetischen Energie von 8 keV größer als 0,5 ist und wobei der Transmissionsgrad der zweiten Folie für Elektronen der kinetischen Energie von 8 keV kleiner als 0,3 ist.
  4. Teilchenstrahlsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei ein Transmissionsgrad der ersten Folie für Röntgenstrahlung einer Energie von 0,5 keV größer als 0,2 ist und wobei ein Transmissionsgrad der zweiten Folie für Röntgenstrahlung der Energie von 0,5 keV kleiner als 0,1 ist.
  5. Teilchenstrahlsystem, insbesondere in Kombination mit dem Teilchestrahlsystem gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, umfassend: eine Teilchenstrahlquelle (5) zur Erzeugung eines Primärteilchenstrahls (13); eine Objektivlinse (19) zur Fokussierung des Primärteilchenstrahls (13) in einer Objektebene (23); einen Elektronendetektor (17); und einen entlang des Strahlengangs des Primärteilchenstrahls (13) zwischen Objektivlinse (19) und der Objektebene (23) angeordneten Röntgendetektor, welcher einen ersten Halbleiterdetektor (57) umfasst, welcher eine der Objektebene (23) zugewandte Detektionsfläche (59) aufweist, wobei das Teilchenstrahlsystem ferner einen Antrieb (81) und eine an den Antrieb gekoppelte erste Folie umfasst, und der Antrieb dazu konfiguriert ist, die erste Folie zwischen einer ersten Stellung, in der sie zwischen dem Halbleiterdetektor (47a) und der Objektebene (23a) angeordnet ist, und einer zweiten Stellung, in der sie nicht zwischen dem Halbleiterdetektor und der Objektebene angeordnet ist, hin und her zu bewegen.
  6. Teilchenstrahlsystem nach Anspruch 5, ferner umfassend eine zweite Folie umfasst, welche derart an den Antrieb gekoppelt ist, dass sie in der ersten Stellung nicht zwischen dem Halbleiterdetektor und der Objektebene angeordnet ist und in der zweiten Stellung zwischen dem Halbleiterdetektor und der Objektebene angeordnet ist, und wobei ein Transmissionsgrad für Elektronen der ersten Folie größer ist als ein Transmissionsgrad für Elektronen der zweiten Folie.
  7. Teilchenstrahlsystem nach Anspruch 6, wobei der Transmissionsgrad der ersten Folie für Elektronen einer kinetischen Energie von 12 keV größer als 0,5 ist und wobei der Transmissionsgrad der zweiten Folie für Elektronen der kinetischen Energie von 12 keV kleiner als 0,3 ist.
  8. Teilchenstrahlsystem nach Anspruch 6 oder 7, wobei der Transmissionsgrad der ersten Folie für Elektronen einer kinetischen Energie von 8 keV größer als 0,5 ist und wobei der Transmissionsgrad der zweiten Folie für Elektronen der kinetischen Energie von 8 keV kleiner als 0,3 ist.
  9. Teilchenstrahlsystem nach einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei ein Transmissionsgrad der ersten Folie für Röntgenstrahlung einer Energie von 0,5 keV größer als 0,2 ist und wobei ein Transmissionsgrad der zweiten Folie für Röntgenstrahlung der Energie von 0,5 keV kleiner als 0,1 ist.
  10. Teilchenstrahlsystem nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei der Halbleiterdetektor eine dritte Folie trägt, die zwischen der Detektionsfläche des Halbleiterdetektors und der Objektebene angeordnet ist.
  11. Teilchenstrahlsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner umfassend eine Steuerung (39) mit einer Signalverarbeitungskomponente, welche dazu konfiguriert ist, aus Detektionssignalen des ersten Halbleiterdetektors und aus Detektionssignalen des zweiten Halbleiterdetektors Analysedaten zu bestimmen.
  12. Teilchenstrahlsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 12, ferner umfassend einen Ablenker für den Primarteilchenstrahl, um diesen auf verschiedene Orte in der Objektebene zu richten.
  13. Teilchenstrahlsystem nach Anspruch 12, ferner umfassend eine Steuerung, welche dazu konfiguriert ist den Ablenker derart anzusteuern, dass der Primärteichenstrahl über die Objektebene gescannt wird und aus während des Abscannens aufgezeichneten Detektionssignalen des ersten und des zweiten Halbleiterdetektors ein Bild einer Probe zu erzeugen.
  14. Teilchenstrahlsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der erste und der zweite Halbleiterdetektor (57) jeweils an einem Ring (55), der den Strahlengang des Primärteilchenstrahls (13) umgibt, angebracht sind.
  15. Teilchenstrahlsystem nach Anspruch 14, wobei an dem Ring ein oder mehrere weitere Halbleiterdetektoren angebracht sind, vor deren Detektionsflächen jeweils eine Folie zur Absorption von Elektronen angebracht ist.
DE102009008063A 2009-02-09 2009-02-09 Teilchenstrahlsystem Withdrawn DE102009008063A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009008063A DE102009008063A1 (de) 2009-02-09 2009-02-09 Teilchenstrahlsystem
US12/658,476 US20100200750A1 (en) 2009-02-09 2010-02-08 Particle beam system
EP20100001335 EP2216798B1 (de) 2009-02-09 2010-02-09 Teilchenstrahlsystem
JP2010026846A JP5529574B2 (ja) 2009-02-09 2010-02-09 粒子ビームシステム
US13/247,995 US8368020B2 (en) 2009-02-09 2011-09-28 Particle beam system
US13/247,979 US8368019B2 (en) 2009-02-09 2011-09-28 Particle beam system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009008063A DE102009008063A1 (de) 2009-02-09 2009-02-09 Teilchenstrahlsystem

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102009008063A1 true DE102009008063A1 (de) 2010-08-19

Family

ID=42077310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102009008063A Withdrawn DE102009008063A1 (de) 2009-02-09 2009-02-09 Teilchenstrahlsystem

Country Status (4)

Country Link
US (3) US20100200750A1 (de)
EP (1) EP2216798B1 (de)
JP (1) JP5529574B2 (de)
DE (1) DE102009008063A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011080341A1 (de) 2011-08-03 2013-02-07 Carl Zeiss Nts Gmbh Verfahren und Teilchenstrahlgerät zur Erzeugung eines Bildes eines Objekts
DE102013211327A1 (de) * 2013-06-18 2014-12-18 Bruker Nano Gmbh Verfahren zur Detektion von Röntgenstrahlen sowie Vorrichtung

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009008063A1 (de) * 2009-02-09 2010-08-19 Carl Zeiss Nts Gmbh Teilchenstrahlsystem
DE102009036701A1 (de) * 2009-08-07 2011-03-03 Carl Zeiss Nts Gmbh Teilchenstrahlsystem und Untersuchungsverfahren hierzu
WO2011089955A1 (ja) * 2010-01-20 2011-07-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
DE112010005188B4 (de) * 2010-01-27 2016-04-07 Hitachi High-Technologies Corp. Vorrichtung zum Bestrahlen mit geladenen Teilchen
DE102010007777A1 (de) * 2010-02-12 2011-08-18 Carl Zeiss NTS GmbH, 73447 Teilchenstrahlsystem
EP2599103B1 (de) * 2010-07-30 2017-03-15 Pulsetor, LLC Elektronendetektor mit einer eng gekoppelten szintillator-photovervielfacher-kombination sowie damit ausgestattetes elektronenmikroskop und abbildungsverfahren
US8487252B2 (en) * 2010-09-29 2013-07-16 Carl Zeiss Nts Gmbh Particle beam microscope and method for operating the particle beam microscope
US9190241B2 (en) * 2013-03-25 2015-11-17 Hermes-Microvision, Inc. Charged particle beam apparatus
JP6355934B2 (ja) * 2014-02-18 2018-07-11 株式会社堀場製作所 放射線透過窓、放射線検出器及び放射線検出装置
WO2016088249A1 (ja) * 2014-12-05 2016-06-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置による観察方法
US10236156B2 (en) 2015-03-25 2019-03-19 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
DE102018204683B3 (de) * 2018-03-27 2019-08-08 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Elektronenstrahlmikroskop
US11373838B2 (en) * 2018-10-17 2022-06-28 Kla Corporation Multi-beam electron characterization tool with telecentric illumination
US11577320B2 (en) * 2020-06-15 2023-02-14 Thermo Electron Scientific Instruments Llc Shutter assembly for x-ray detection
CN111948697B (zh) * 2020-07-08 2022-11-08 中国科学院国家空间科学中心 一种星载中能电子探测器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3204095A (en) * 1960-12-21 1965-08-31 Hitachi Ltd Electron probe microanalyzer with means to eliminate the effect of surface irregularities
DE69709307T2 (de) * 1996-10-04 2002-06-20 Etec Systems, Inc. Montieren eines festkörperdetektors innerhalb eines magnetischen ablenkfeldes
US20060138325A1 (en) 2004-12-29 2006-06-29 Kyung-Duk Choi X-ray detecting devices and apparatus for analyzing a sample using the same
DE102005061663A1 (de) * 2005-12-22 2007-07-05 RUHR-UNIVERSITäT BOCHUM Ionenimplantationsvorrichtung, Verfahren zur Steuerung einer Ionenimplantationsvorrichtung sowie Abbremseinrichtung
US20070215802A1 (en) 2006-03-20 2007-09-20 Alis Technology Corporation Systems and methods for a gas field ion microscope
US20070228287A1 (en) 2006-03-20 2007-10-04 Alis Technology Corporation Systems and methods for a gas field ionization source

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL231278A (de) * 1957-09-26
US3030512A (en) * 1958-11-21 1962-04-17 Gen Electric Monochromator system
US3100261A (en) * 1960-07-29 1963-08-06 Gen Electric X-ray analyzing apparatus wherein two comparative detector channels have different absorption versus frequency characteristics
JPS56153656A (en) 1980-04-28 1981-11-27 Hitachi Ltd Electron microscope equipped with x-ray analyzing device
EP0053620B1 (de) 1980-06-11 1986-10-01 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Verfahren und vorrichtung zur materialanalyse
JPS5769655A (en) 1980-10-16 1982-04-28 Jeol Ltd Electron beam device
JP2738761B2 (ja) 1990-01-23 1998-04-08 日本電信電話株式会社 X線計数管
JP2637871B2 (ja) 1991-12-26 1997-08-06 日本電信電話株式会社 X線計数管
JP3119959B2 (ja) 1993-02-05 2000-12-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 集束イオンビーム装置および加工観察装置
GB2295454B (en) 1994-11-25 1997-01-08 Hitachi Ltd Energy dispersive x-ray analyzer
US5903004A (en) 1994-11-25 1999-05-11 Hitachi, Ltd. Energy dispersive X-ray analyzer
US5943388A (en) * 1996-07-30 1999-08-24 Nova R & D, Inc. Radiation detector and non-destructive inspection
US5847388A (en) 1997-06-11 1998-12-08 Noran Instruments, Inc. Collimator for high takeoff angle energy dispersive spectroscopy (EDS) detectors
JP3688160B2 (ja) * 1999-09-17 2005-08-24 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
JP2002042713A (ja) * 2000-07-28 2002-02-08 Jeol Ltd 対物レンズ内検出器を備えた走査電子顕微鏡
US20020190207A1 (en) * 2000-09-20 2002-12-19 Ady Levy Methods and systems for determining a characteristic of micro defects on a specimen
JP2002221504A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Hitachi Ltd X線検出装置および荷電粒子線装置
JP3820964B2 (ja) * 2001-11-13 2006-09-13 株式会社日立製作所 電子線を用いた試料観察装置および方法
JP3909669B2 (ja) 2002-01-29 2007-04-25 株式会社トプコンテクノハウス 分析電子顕微鏡
DE10233002B4 (de) * 2002-07-19 2006-05-04 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Objektivlinse für ein Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopiesystem
JP4563049B2 (ja) * 2004-02-24 2010-10-13 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 Fib−sem複合装置を用いたイオンビーム加工方法
US7663097B2 (en) * 2004-08-11 2010-02-16 Metrosol, Inc. Method and apparatus for accurate calibration of a reflectometer by using a relative reflectance measurement
US7330535B2 (en) * 2005-11-10 2008-02-12 General Electric Company X-ray flux management device
EP2104864B1 (de) 2006-10-20 2015-03-04 FEI Company Verfahren zur s/tem-sample-erzeugung und sample-struktur
JP5266236B2 (ja) 2006-10-20 2013-08-21 エフ・イ−・アイ・カンパニー サンプル抽出および取り扱いのための方法および装置
US7825386B2 (en) * 2006-10-25 2010-11-02 Hermes-Microvision, Inc. System and method for a charged particle beam
EP2105944A1 (de) 2008-03-28 2009-09-30 FEI Company "Environmental Cell" für eine TeilchenoptischeVorrichtung
DE102009008063A1 (de) * 2009-02-09 2010-08-19 Carl Zeiss Nts Gmbh Teilchenstrahlsystem
DE102009024928B4 (de) 2009-04-06 2012-07-12 Bruker Nano Gmbh Detektor, Vorrichtung und Verfahren zur gleichzeitigen, energiedispersiven Aufnahme von Rückstreuelektronen und Röntgenquanten
DE102009036701A1 (de) * 2009-08-07 2011-03-03 Carl Zeiss Nts Gmbh Teilchenstrahlsystem und Untersuchungsverfahren hierzu

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3204095A (en) * 1960-12-21 1965-08-31 Hitachi Ltd Electron probe microanalyzer with means to eliminate the effect of surface irregularities
DE69709307T2 (de) * 1996-10-04 2002-06-20 Etec Systems, Inc. Montieren eines festkörperdetektors innerhalb eines magnetischen ablenkfeldes
US20060138325A1 (en) 2004-12-29 2006-06-29 Kyung-Duk Choi X-ray detecting devices and apparatus for analyzing a sample using the same
DE102005061663A1 (de) * 2005-12-22 2007-07-05 RUHR-UNIVERSITäT BOCHUM Ionenimplantationsvorrichtung, Verfahren zur Steuerung einer Ionenimplantationsvorrichtung sowie Abbremseinrichtung
US20070215802A1 (en) 2006-03-20 2007-09-20 Alis Technology Corporation Systems and methods for a gas field ion microscope
US20070228287A1 (en) 2006-03-20 2007-10-04 Alis Technology Corporation Systems and methods for a gas field ionization source

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011080341A1 (de) 2011-08-03 2013-02-07 Carl Zeiss Nts Gmbh Verfahren und Teilchenstrahlgerät zur Erzeugung eines Bildes eines Objekts
DE102013211327A1 (de) * 2013-06-18 2014-12-18 Bruker Nano Gmbh Verfahren zur Detektion von Röntgenstrahlen sowie Vorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
EP2216798B1 (de) 2014-04-02
EP2216798A3 (de) 2012-06-13
US20100200750A1 (en) 2010-08-12
US8368020B2 (en) 2013-02-05
US20120025078A1 (en) 2012-02-02
US20120025077A1 (en) 2012-02-02
US8368019B2 (en) 2013-02-05
JP5529574B2 (ja) 2014-06-25
JP2010182679A (ja) 2010-08-19
EP2216798A2 (de) 2010-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102009008063A1 (de) Teilchenstrahlsystem
DE102009036701A1 (de) Teilchenstrahlsystem und Untersuchungsverfahren hierzu
EP1439565B1 (de) Elektronenstrahlgerät und Detektoranordnung
EP0218920B1 (de) Elektronenenergiefilter vom Omega-Typ
DE102005045622B4 (de) Verfahren und Anordnungen zum Nachweis der Elektronen-Spinpolarisation
DE3854283T2 (de) Direkt-abbildendes monochromatisches Elektronenmikroskop.
EP0969495A2 (de) Teilchenstrahlgerät mit Sekundärelektronen-Detektor
DE112011100306T5 (de) Ladungsteilchenstrahlvorrichtung
DE102008041815A1 (de) Verfahren zur Analyse einer Probe
DE102007026847A1 (de) Teilchenstrahlgerät und Verfahren zur Anwendung bei einem Teilchenstrahlgerät
DE102017110993A1 (de) Rasterelektronenmikroskop und Verfahren zu dessen Verwendung
EP1063676B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur energie- und winkelaufgelösten Elektronenspektroskopie
DE112019004823T5 (de) Röntgenstrahlung-erzeugungsvorrichtung und röntgenanalyseeinrichtung
DE10236738B4 (de) Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopieverfahren
DE102009016861A1 (de) Teilchenstrahlmikroskop
EP1642313B1 (de) Detektorsystem für ein rasterelektronenmikroskop und rasterelektronenmikroskop mit einem entsprechenden detektorsystem
DE3918249C1 (de)
EP0428906B1 (de) Korpuskularstrahlgerät
DE4041297A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum waehlen der aufloesung eines ladungsteilchenstrahl-analysators
DE102010056321B4 (de) Partikelstrahlmikroskop
DE69918958T2 (de) Rasterelektronenmikroskop mit einem ortssensitiven detektor
DE2705430A1 (de) Elektrostatischer analysator fuer geladene teilchen
DE3438987A1 (de) Auger-elektronenspektrometer mit hoher aufloesung
DE3636506A1 (de) Spiralabtastverfahren
DE102009040457B4 (de) Einrichtung zur Selektion von Teilchen bestimmter Energie aus Teilchenstrahlen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R082 Change of representative

Representative=s name: DIEHL & PARTNER GBR, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: CARL ZEISS NTS GMBH, 73447 OBERKOCHEN, DE

Effective date: 20130319

R082 Change of representative

Representative=s name: PATENT- UND RECHTSANWAELTE DIEHL & PARTNER GBR, DE

Effective date: 20130319

Representative=s name: DIEHL & PARTNER GBR, DE

Effective date: 20130319

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee