JP2002221504A - Ｘ線検出装置および荷電粒子線装置 - Google Patents
Ｘ線検出装置および荷電粒子線装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】電子顕微鏡内の試料に近接させても２次電子像
の移動および非点収差等による２次電子像の歪みの低
い，高感度なＸ線検出器を提供する。 【解決手段】試料照射によりＸ線とともに発生する電子
がＸ線検出器内の検出素子に入射するのを阻止するため
に設けられた磁界発生手段からの試料台への漏洩磁場を
相殺するための磁界発生手段を設ける。
の移動および非点収差等による２次電子像の歪みの低
い，高感度なＸ線検出器を提供する。 【解決手段】試料照射によりＸ線とともに発生する電子
がＸ線検出器内の検出素子に入射するのを阻止するため
に設けられた磁界発生手段からの試料台への漏洩磁場を
相殺するための磁界発生手段を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線を試料
に照射して発生する特性Ｘ線を検出し、試料の元素組成
の分析等をするＸ線分析技術分野に関する。
に照射して発生する特性Ｘ線を検出し、試料の元素組成
の分析等をするＸ線分析技術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子線を試料に照射して試料から発
生する特性Ｘ線を検出して、試料の元素分析を行う手法
がある。電子顕微鏡において電子線を試料に照射し、試
料から発生するＸ線を検出して試料の組成を計測するエ
ネルギー分散型Ｘ線分光と呼ばれる手法がその一例であ
る。本手法では、特性Ｘ線が試料を構成する元素に特有
なエネルギーを持つことを利用している。これらＸ線の
単位時間あたりの発生個数を、Ｘ線のエネルギーごとに
計数して試料の元素組成等の情報が得られる。Ｘ線を検
出する手段としては、シリコンやゲルマニウム等の半導
体結晶を用いた半導体検出素子を用いるのが一般的であ
る。
生する特性Ｘ線を検出して、試料の元素分析を行う手法
がある。電子顕微鏡において電子線を試料に照射し、試
料から発生するＸ線を検出して試料の組成を計測するエ
ネルギー分散型Ｘ線分光と呼ばれる手法がその一例であ
る。本手法では、特性Ｘ線が試料を構成する元素に特有
なエネルギーを持つことを利用している。これらＸ線の
単位時間あたりの発生個数を、Ｘ線のエネルギーごとに
計数して試料の元素組成等の情報が得られる。Ｘ線を検
出する手段としては、シリコンやゲルマニウム等の半導
体結晶を用いた半導体検出素子を用いるのが一般的であ
る。
【０００３】近年、フィジックス トデイ １９９８年６
月号のページ１９からページ２１（Physics Today, Jul
y (1999) pp. 19-21）に報告されているように、１００
ミリケルビン以下の極低温で動作させるマイクロカロリ
ーメーターと呼ばれる検出素子が開発され、上記の半導
体検出素子と比較して高いエネルギー分解能でＸ線を検
出できるようになって来ている。
月号のページ１９からページ２１（Physics Today, Jul
y (1999) pp. 19-21）に報告されているように、１００
ミリケルビン以下の極低温で動作させるマイクロカロリ
ーメーターと呼ばれる検出素子が開発され、上記の半導
体検出素子と比較して高いエネルギー分解能でＸ線を検
出できるようになって来ている。
【０００４】また、上記のエネルギー分散型Ｘ線分光に
よる手法以外に、Ｘ線分光器と比例計数管を組み合わせ
た波長分散型Ｘ線分光という手法が知られている。
よる手法以外に、Ｘ線分光器と比例計数管を組み合わせ
た波長分散型Ｘ線分光という手法が知られている。
【０００５】上記の半導体検出素子を用いた放射線検出
装置の代表的な構成図を図１６に示す。検出素子１０１
と前置増幅回路２０の入力段の電界効果トランジスタ２
は、雑音を低減するために、液体窒素またはペルチェ素
子による冷却装置７と冷却棒１２により低温に冷却され
るようになっている。電子線５が試料９に照射される
と、試料からＸ線１が放射される。Ｘ線１はＸ線透過窓
８を透過して検出素子１０１に入射すると、X線のエネ
ルギーに比例した個数の電子正孔対に変換される。
装置の代表的な構成図を図１６に示す。検出素子１０１
と前置増幅回路２０の入力段の電界効果トランジスタ２
は、雑音を低減するために、液体窒素またはペルチェ素
子による冷却装置７と冷却棒１２により低温に冷却され
るようになっている。電子線５が試料９に照射される
と、試料からＸ線１が放射される。Ｘ線１はＸ線透過窓
８を透過して検出素子１０１に入射すると、X線のエネ
ルギーに比例した個数の電子正孔対に変換される。
【０００６】以下、検出素子１０１で得られた信号の処
理方法について説明する。検出素子の電極に達した電子
は電荷積分型の前置増幅回路２０によりその個数に比例
した高さを有する電圧パルス２２０に変換され、さら
に、電圧パルス２２０は整形増幅器５１により、信号対
雑音比が高くなるように瀘波され、電圧パルス３１０に
整形される。波高分析装置５３により電圧パルス３１０
は波高分析されて、Ｘ線スペクトル４００に変換され
る。Ｘ線スペクトル４００はＸ線検出素子に入射したＸ
線１のエネルギー分布曲線、すなわち、ある値のエネル
ギーのＸ線が何個検出されたかを表わしており、スペク
トルピークのエネルギー値から試料に含まれている元素
種が、スペクトルピークの全計数から該元素種の含有量
が求められる。
理方法について説明する。検出素子の電極に達した電子
は電荷積分型の前置増幅回路２０によりその個数に比例
した高さを有する電圧パルス２２０に変換され、さら
に、電圧パルス２２０は整形増幅器５１により、信号対
雑音比が高くなるように瀘波され、電圧パルス３１０に
整形される。波高分析装置５３により電圧パルス３１０
は波高分析されて、Ｘ線スペクトル４００に変換され
る。Ｘ線スペクトル４００はＸ線検出素子に入射したＸ
線１のエネルギー分布曲線、すなわち、ある値のエネル
ギーのＸ線が何個検出されたかを表わしており、スペク
トルピークのエネルギー値から試料に含まれている元素
種が、スペクトルピークの全計数から該元素種の含有量
が求められる。
【０００７】以上、試料９から放射されるＸ線１に着目
してきたが、電子線５を試料９に照射すると、弾性散乱
あるいは非弾性散乱により試料９からは入射電子線のエ
ネルギー以下の様々なエネルギーをもつ電子４が試料９
から放射される。該電子４は後方散乱電子と呼ばれる。
該後方散乱電子４が、検出素子１０１に入射すると、Ｘ
線と同様に電気信号に変換され、背景雑音の原因とな
る。また、検出素子内に欠陥を生成し、検出素子の検出
特性を著しく劣化させる。
してきたが、電子線５を試料９に照射すると、弾性散乱
あるいは非弾性散乱により試料９からは入射電子線のエ
ネルギー以下の様々なエネルギーをもつ電子４が試料９
から放射される。該電子４は後方散乱電子と呼ばれる。
該後方散乱電子４が、検出素子１０１に入射すると、Ｘ
線と同様に電気信号に変換され、背景雑音の原因とな
る。また、検出素子内に欠陥を生成し、検出素子の検出
特性を著しく劣化させる。
【０００８】このため、図１６に示したように、検出素
子１０１と試料９の間に、後方散乱電子捕獲器３を設置
して、後方散乱電子４が検出素子１０１に入射しないよ
うにしている。さらに、後方散乱電子４は試料９以外の
場所に衝突して、Ｘ線を発生し背景雑音の原因となる。
子１０１と試料９の間に、後方散乱電子捕獲器３を設置
して、後方散乱電子４が検出素子１０１に入射しないよ
うにしている。さらに、後方散乱電子４は試料９以外の
場所に衝突して、Ｘ線を発生し背景雑音の原因となる。
【０００９】このため、検出素子１０１を格納する容器
６の一部は該Ｘ線が十分減衰する厚さの金属材料で構成
されており、試料以外で発生したＸ線は検出素子に入射
しないようになっている。
６の一部は該Ｘ線が十分減衰する厚さの金属材料で構成
されており、試料以外で発生したＸ線は検出素子に入射
しないようになっている。
【００１０】Ｘ線検出をしないときには後方散乱電子に
よる検出素子の劣化を確実に防ぐために、Ｘ線検出器を
試料から離しておく機構を持つものが知られている。以
後、後方散乱電子捕獲器を単に電子捕獲器と呼ぶ。
よる検出素子の劣化を確実に防ぐために、Ｘ線検出器を
試料から離しておく機構を持つものが知られている。以
後、後方散乱電子捕獲器を単に電子捕獲器と呼ぶ。
【００１１】マイクロスコピー アンド マイクロアナリ
シス第４巻１９９９年のページ６０５からページ６１５
（Microscopy and Microanalysis, Vol.4 (1999) pp.
605-615）にあるように従来のＸ線検出器としては１個
の検出素子を用いてＸ線を検出するものが一般的で、ま
た、電子捕獲器としては１対のすなわち２個の永久磁石
で構成されているものが報告されている。
シス第４巻１９９９年のページ６０５からページ６１５
（Microscopy and Microanalysis, Vol.4 (1999) pp.
605-615）にあるように従来のＸ線検出器としては１個
の検出素子を用いてＸ線を検出するものが一般的で、ま
た、電子捕獲器としては１対のすなわち２個の永久磁石
で構成されているものが報告されている。
【００１２】従来の電子捕獲器の一例を図１７、図１
８、図１９に示す。これは、特開昭５６-１０３３７９
号公報に記載されている電子捕獲器と同様な構造であ
る。図１７は、電子線５の光軸とＸ線検出軸を含む面で
の断面、図１８は、図１７における線XVIII-XVIIIを通
る断面図で、図１９は、図１８における線XIX-XIXを通
る断面図である。
８、図１９に示す。これは、特開昭５６-１０３３７９
号公報に記載されている電子捕獲器と同様な構造であ
る。図１７は、電子線５の光軸とＸ線検出軸を含む面で
の断面、図１８は、図１７における線XVIII-XVIIIを通
る断面図で、図１９は、図１８における線XIX-XIXを通
る断面図である。
【００１３】電子捕獲器３００はＸ線１を透過させるた
めの貫通孔１１を挟むように配置した２個の永久磁石２
１、２２と筒状の軟鉄製の磁路１３、溝１４をもつ支持
体１５、カバー１６から構成されている。貫通孔１１内
には、磁場１７が形成され、貫通孔１１に入射した後方
散乱電子４をローレンツ力により後方散乱電子４の進行
方向と磁場１７の向きの双方に垂直な方向に曲げて、溝
１４内の壁に衝突させて、電子線がＸ線検出素子に入射
しないようにしている。
めの貫通孔１１を挟むように配置した２個の永久磁石２
１、２２と筒状の軟鉄製の磁路１３、溝１４をもつ支持
体１５、カバー１６から構成されている。貫通孔１１内
には、磁場１７が形成され、貫通孔１１に入射した後方
散乱電子４をローレンツ力により後方散乱電子４の進行
方向と磁場１７の向きの双方に垂直な方向に曲げて、溝
１４内の壁に衝突させて、電子線がＸ線検出素子に入射
しないようにしている。
【００１４】溝１４を設けているのは、図１９に示した
ように後方散乱電子４が壁に衝突したときに出るＸ線１
８がＸ線検出素子１０１（図１６参照）に入射しないよ
うにするためである。磁場の磁束密度は0.数テスラであ
る。磁束密度0.2テスラの磁場に垂直に入射した20keVの
エネルギーの電子は曲率半径約２ミリメートルで曲げら
れる。
ように後方散乱電子４が壁に衝突したときに出るＸ線１
８がＸ線検出素子１０１（図１６参照）に入射しないよ
うにするためである。磁場の磁束密度は0.数テスラであ
る。磁束密度0.2テスラの磁場に垂直に入射した20keVの
エネルギーの電子は曲率半径約２ミリメートルで曲げら
れる。
【００１５】以上、１個の検出素子を用いた従来の実施
例を示したが、図２０、図２１は特開平８−２７６３７
１号公報に記載されている複数個の検出素子を用いたＸ
線検出素子の実施例を示す。
例を示したが、図２０、図２１は特開平８−２７６３７
１号公報に記載されている複数個の検出素子を用いたＸ
線検出素子の実施例を示す。
【００１６】図２０は電子顕微鏡に設置した構成を示す
図であり、電子線５を試料９に照射した際、試料９から
発生する特性Ｘ線を検出する４個のＸ線検出素子１０１
が左右対称に配置されている。符号１０７は、迷光Ｘ線
の影響を低減するためのコリメータである。
図であり、電子線５を試料９に照射した際、試料９から
発生する特性Ｘ線を検出する４個のＸ線検出素子１０１
が左右対称に配置されている。符号１０７は、迷光Ｘ線
の影響を低減するためのコリメータである。
【００１７】図２１は、図２０のコリメータ１０７に設
けられた電子捕獲器の内の、最内側の２個のＸ線検出素
子１０１に対応する２個の電子捕獲器を説明するための
拡大斜視図である。コリメータ１０７はタンタルからな
り、中央に照射電子線５を通過させるための照射電子線
透過孔７００が設けられた円錐台状に形成されている。
１対のＸ線透過孔７４の各々には一対の永久磁石２７
０、２７０とベリリウム板７２がはめ込まれている。
けられた電子捕獲器の内の、最内側の２個のＸ線検出素
子１０１に対応する２個の電子捕獲器を説明するための
拡大斜視図である。コリメータ１０７はタンタルからな
り、中央に照射電子線５を通過させるための照射電子線
透過孔７００が設けられた円錐台状に形成されている。
１対のＸ線透過孔７４の各々には一対の永久磁石２７
０、２７０とベリリウム板７２がはめ込まれている。
【００１８】電子線５を試料９に照射したとき、試料９
から発生した特性Ｘ線７９は一対のＸ線検出素子１０１
のうちの対応するものに入射し信号を形成するが、試料
９からは特性Ｘ線７９の他に後方散乱電子４も発生し、
これがＸ線検出素子１０１に入ると雑音の原因になるの
でこれを除去する必要がある。
から発生した特性Ｘ線７９は一対のＸ線検出素子１０１
のうちの対応するものに入射し信号を形成するが、試料
９からは特性Ｘ線７９の他に後方散乱電子４も発生し、
これがＸ線検出素子１０１に入ると雑音の原因になるの
でこれを除去する必要がある。
【００１９】図２１の構成においては、各Ｘ線検出素子
１０１に入射する特性Ｘ線の通路ごとに、この通路を挟
んで一対の永久磁石２７０、２７０が設けられているの
で、これらの永久磁石２７０、２７０が作る磁場１７に
より、上記後方散乱電子４は内側に曲げられベリリウム
板７２に衝突し、ベリリウム板７２に吸収される。
１０１に入射する特性Ｘ線の通路ごとに、この通路を挟
んで一対の永久磁石２７０、２７０が設けられているの
で、これらの永久磁石２７０、２７０が作る磁場１７に
より、上記後方散乱電子４は内側に曲げられベリリウム
板７２に衝突し、ベリリウム板７２に吸収される。
【００２０】一方、元素分析等で分析感度を高くするた
めには、被測定試料からのＸ線を効率良く、即ち、大き
い検出立体角で検出することが有効である。検出立体角
は、試料から検出素子までの距離と検出素子の有感面積
で決まり、距離が短いほど、有感面積が大きいほど大き
くなる。
めには、被測定試料からのＸ線を効率良く、即ち、大き
い検出立体角で検出することが有効である。検出立体角
は、試料から検出素子までの距離と検出素子の有感面積
で決まり、距離が短いほど、有感面積が大きいほど大き
くなる。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】電子顕微鏡の第一の機
能である試料の像観察は試料から放出される２次電子像
を検出して行なわれる。
能である試料の像観察は試料から放出される２次電子像
を検出して行なわれる。
【００２２】図２２は、従来の電子捕獲器３００を備え
たＸ線検出装置と漏洩磁場の関係を説明するための断面
図である。符号２３０、２３１（下側）は永久磁石、１
１はＸ線透過孔、２５は漏洩磁場、９は試料、１０は電
子線照射点、８はＸ線透過窓、１６はカバー、１０１は
Ｘ線検出素子である。
たＸ線検出装置と漏洩磁場の関係を説明するための断面
図である。符号２３０、２３１（下側）は永久磁石、１
１はＸ線透過孔、２５は漏洩磁場、９は試料、１０は電
子線照射点、８はＸ線透過窓、１６はカバー、１０１は
Ｘ線検出素子である。
【００２３】従来の電子捕獲器においては、図２２に示
すように、電子捕獲器３００の軸方向に漏洩磁場が存在
するため、電子線捕獲器３００を試料に接近させる前に
円形断面に調整してあった電子線の断面形状が、この漏
洩磁場２５との相互作用により、非円形になってしまい
非点収差と呼ばれる収差を生じ、２次電子像を歪まし、
像分解能を劣化させる原因となっていた。
すように、電子捕獲器３００の軸方向に漏洩磁場が存在
するため、電子線捕獲器３００を試料に接近させる前に
円形断面に調整してあった電子線の断面形状が、この漏
洩磁場２５との相互作用により、非円形になってしまい
非点収差と呼ばれる収差を生じ、２次電子像を歪まし、
像分解能を劣化させる原因となっていた。
【００２４】また、電子線の照射点１０の位置は電子線
と漏洩磁場の相互作用で決まるが、電子捕獲器を試料に
接近させると電子線位置での漏洩磁場２５の強さが変わ
るために、電子線の照射点１０が移動し、結果として２
次電子像が移動してしまうという現象があった。
と漏洩磁場の相互作用で決まるが、電子捕獲器を試料に
接近させると電子線位置での漏洩磁場２５の強さが変わ
るために、電子線の照射点１０が移動し、結果として２
次電子像が移動してしまうという現象があった。
【００２５】このように、Ｘ線検出装置を試料９に近接
させると２次電子像の歪み、移動が生じるため、補正作
業が必要となり、さらに近接させようとすると補正がで
きなくなるという問題があった。このため、感度を上げ
るためにＸ線検出素子１０１を試料９に近接できる距離
には制限があり、検出立体角を大きくすることが困難で
あった。
させると２次電子像の歪み、移動が生じるため、補正作
業が必要となり、さらに近接させようとすると補正がで
きなくなるという問題があった。このため、感度を上げ
るためにＸ線検出素子１０１を試料９に近接できる距離
には制限があり、検出立体角を大きくすることが困難で
あった。
【００２６】次に、２次電子像の分解能を決める主要因
である電子線のビーム径について述べる。図２３は、熱
電子放出型（タングステン ヘアピン フィラメント、ラ
ンタンヘキサボライド（LaB6）ポイント カソード）の
電子銃及び電界放出（FE）型の電子銃における、ビーム
電流とビーム径の関係を示す。
である電子線のビーム径について述べる。図２３は、熱
電子放出型（タングステン ヘアピン フィラメント、ラ
ンタンヘキサボライド（LaB6）ポイント カソード）の
電子銃及び電界放出（FE）型の電子銃における、ビーム
電流とビーム径の関係を示す。
【００２７】この図２３は、外村彰編「電子顕微鏡技
術」丸善（株）（平成１年）ページ１２２に記載されて
いる。これによると、電子ビーム電流が低いほどビーム
径が小さい。二次電子像観測では、通常10-11アンペア
のビーム電流があれば観測が可能である。しかしなが
ら、従来のＸ線検出装置には上記したように、試料に検
出素子を近接できる距離に限界があるため、Ｘ線検出効
率が低く、Ｘ線分析時には2×10-10アンペア程度と二次
電子像観測のときと比べて、大きな電流の電子線を照射
するのが一般的であった。
術」丸善（株）（平成１年）ページ１２２に記載されて
いる。これによると、電子ビーム電流が低いほどビーム
径が小さい。二次電子像観測では、通常10-11アンペア
のビーム電流があれば観測が可能である。しかしなが
ら、従来のＸ線検出装置には上記したように、試料に検
出素子を近接できる距離に限界があるため、Ｘ線検出効
率が低く、Ｘ線分析時には2×10-10アンペア程度と二次
電子像観測のときと比べて、大きな電流の電子線を照射
するのが一般的であった。
【００２８】大きなビーム電流を用いると、図２３から
明らかなようにビーム径が大きくなり、二次電子像観察
の分解能が低下する。このため、Ｘ線分析と高分解能二
次電子像観察を同時に実施することができず、別々に実
施するのが普通であった。また、各測定ごとに電子顕微
鏡の動作条件を調整する必要があり、煩雑で時間がかか
るという問題があった。
明らかなようにビーム径が大きくなり、二次電子像観察
の分解能が低下する。このため、Ｘ線分析と高分解能二
次電子像観察を同時に実施することができず、別々に実
施するのが普通であった。また、各測定ごとに電子顕微
鏡の動作条件を調整する必要があり、煩雑で時間がかか
るという問題があった。
【００２９】一方、従来の技術の項で述べた複数個の検
出素子を用いた例（図２０、２１）では、検出素子の数
だけ検出感度を上げることができるという利点があり、
高分解能２次電子像の観察と両立できる可能性がある
が、電子捕獲器に関しては、中心を照射電子線が通過す
る構造となっているため、一般に普及している１個の検
出素子からなるＸ線検出装置への適用に関しては問題が
あった。
出素子を用いた例（図２０、２１）では、検出素子の数
だけ検出感度を上げることができるという利点があり、
高分解能２次電子像の観察と両立できる可能性がある
が、電子捕獲器に関しては、中心を照射電子線が通過す
る構造となっているため、一般に普及している１個の検
出素子からなるＸ線検出装置への適用に関しては問題が
あった。
【００３０】また、非磁性体であるタンタル金属からな
るホルダーと永久磁石により構成しているため、漏れ磁
場が大きくなるという問題があった。
るホルダーと永久磁石により構成しているため、漏れ磁
場が大きくなるという問題があった。
【００３１】本発明の目的は、試料に近接させても２次
電子像の歪みと移動が少なく、また、従来の１個の検出
素子からなるＸ線検出装置にも適用が容易な電子捕獲器
を有するＸ線検出装置を提供することである。
電子像の歪みと移動が少なく、また、従来の１個の検出
素子からなるＸ線検出装置にも適用が容易な電子捕獲器
を有するＸ線検出装置を提供することである。
【００３２】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線検出装置及
び荷電粒子線装置は、以下の構成により上記目的を達成
する。
び荷電粒子線装置は、以下の構成により上記目的を達成
する。
【００３３】即ち、本発明の請求項１に記載の第１の発
明は、試料を載置する試料台と、前記試料台上の試料に
第1の荷電粒子線を照射する第1の荷電粒子線照射装置
と、前記第1の荷電粒子線照射装置により、前記試料に
前記第1の荷電粒子線を照射した際発生するX線を検出す
るX線検出素子と、前記第1の荷電粒子線による前記試料
上の照射点と前記X線検出素子とを結んだ直線を挟んで
配列される一対の永久磁石と、前記一対の永久磁石の配
列方向と垂直方向の，前記一対の永久磁石の両側に、前
記直線を含み前記配列方向に垂直な第１の平面を挟んで
対向する対を一対ずつ配設される二対の永久磁石とを備
え、該二対の永久磁石は、前記一対の永久磁石によって
前記照射点に形成される漏洩磁界を相殺する方向の磁界
を前記照射点に発生するX線検出装置である。
明は、試料を載置する試料台と、前記試料台上の試料に
第1の荷電粒子線を照射する第1の荷電粒子線照射装置
と、前記第1の荷電粒子線照射装置により、前記試料に
前記第1の荷電粒子線を照射した際発生するX線を検出す
るX線検出素子と、前記第1の荷電粒子線による前記試料
上の照射点と前記X線検出素子とを結んだ直線を挟んで
配列される一対の永久磁石と、前記一対の永久磁石の配
列方向と垂直方向の，前記一対の永久磁石の両側に、前
記直線を含み前記配列方向に垂直な第１の平面を挟んで
対向する対を一対ずつ配設される二対の永久磁石とを備
え、該二対の永久磁石は、前記一対の永久磁石によって
前記照射点に形成される漏洩磁界を相殺する方向の磁界
を前記照射点に発生するX線検出装置である。
【００３４】また、本発明の請求項２に記載の第２の発
明は、請求項１記載のX線検出装置において、前記一対
の永久磁石は互いに対向する面が異なる極性となる様配
列され、前記二対の永久磁石は互いに対向する面が異な
る極性となる様配列され，且その極性配列順序は前記一
対の永久磁石の極性配列順序とは逆であるX線検出装置
である。
明は、請求項１記載のX線検出装置において、前記一対
の永久磁石は互いに対向する面が異なる極性となる様配
列され、前記二対の永久磁石は互いに対向する面が異な
る極性となる様配列され，且その極性配列順序は前記一
対の永久磁石の極性配列順序とは逆であるX線検出装置
である。
【００３５】また、本発明の請求項３に記載の第３の発
明は、請求１又は２記載のX線検出装置において、前記
一対の永久磁石の磁極の強さが、前記二対の永久磁石の
磁極の強さの和にほぼ等しいX線検出装置である。
明は、請求１又は２記載のX線検出装置において、前記
一対の永久磁石の磁極の強さが、前記二対の永久磁石の
磁極の強さの和にほぼ等しいX線検出装置である。
【００３６】また、本発明の請求項４に記載の第４の発
明は、請求項１−３の何れかに記載のX線検出装置にお
いて、前記一対の永久磁石の各々の，前記第１の平面に
平行な断面積が、前記二対の永久磁石の各々の，前記第
１の平面に平行な断面積のほぼ２倍であるX線検出装置
である。
明は、請求項１−３の何れかに記載のX線検出装置にお
いて、前記一対の永久磁石の各々の，前記第１の平面に
平行な断面積が、前記二対の永久磁石の各々の，前記第
１の平面に平行な断面積のほぼ２倍であるX線検出装置
である。
【００３７】また、本発明の請求項５に記載の第５の発
明は、請求項１−４の何れかに記載のX線検出装置にお
いて、前記一対の永久磁石と前記二対の永久磁石とは、
非磁性体材料からなるスペーサを介して配列されている
X線検出装置である。
明は、請求項１−４の何れかに記載のX線検出装置にお
いて、前記一対の永久磁石と前記二対の永久磁石とは、
非磁性体材料からなるスペーサを介して配列されている
X線検出装置である。
【００３８】また、本発明の請求項６に記載の第６の発
明は、請求項１−５の何れかに記載のX線検出装置にお
いて、前記一対の永久磁石の各々は、同じ大きさの二つ
の磁石片を隣接させたものからなり、前記二対の永久磁
石の各々は、前記磁石片の一つからなるX線検出装置で
ある。
明は、請求項１−５の何れかに記載のX線検出装置にお
いて、前記一対の永久磁石の各々は、同じ大きさの二つ
の磁石片を隣接させたものからなり、前記二対の永久磁
石の各々は、前記磁石片の一つからなるX線検出装置で
ある。
【００３９】また、本発明の請求項７に記載の第７の発
明は、試料を載置する試料台と、電子源と、前記試料台
上の前記試料を、前記電子源からの一次電子線で走査及
び照射のそれぞれを行う走査コイルおよび対物レンズ
と、前記試料から発生する２次電子を検出する，前記対
物レンズと前記試料台の間に配置された２次電子検出器
と、前記２次電子検出器の信号を、前記走査コイルに入
力する走査信号と同期させて２次電子像を表示する表示
装置と、前記試料から発生するＸ線を検出するＸ線検出
器と、前記Ｘ線検出器の前記試料台側に前記Ｘ線検出器
の軸を挟んで配列される一対の永久磁石と、前記一対の
永久磁石の配列方向と垂直方向の，前記一対の永久磁石
の両側に、前記軌道を含み前記配列方向に垂直な平面を
挟んで対向する対を一対ずつ配設される二対の永久磁石
とを備え、該二対の永久磁石は、前記一対の永久磁石に
よって前記試料の位置に形成される漏洩磁界を相殺する
方向の磁界を前記試料の位置に発生する荷電粒子捕獲器
と、前記荷電粒子捕獲器との位置に対応させて前記２次
電子像の位置を移動する機構を有することを特徴とする
荷電粒子線装置である。
明は、試料を載置する試料台と、電子源と、前記試料台
上の前記試料を、前記電子源からの一次電子線で走査及
び照射のそれぞれを行う走査コイルおよび対物レンズ
と、前記試料から発生する２次電子を検出する，前記対
物レンズと前記試料台の間に配置された２次電子検出器
と、前記２次電子検出器の信号を、前記走査コイルに入
力する走査信号と同期させて２次電子像を表示する表示
装置と、前記試料から発生するＸ線を検出するＸ線検出
器と、前記Ｘ線検出器の前記試料台側に前記Ｘ線検出器
の軸を挟んで配列される一対の永久磁石と、前記一対の
永久磁石の配列方向と垂直方向の，前記一対の永久磁石
の両側に、前記軌道を含み前記配列方向に垂直な平面を
挟んで対向する対を一対ずつ配設される二対の永久磁石
とを備え、該二対の永久磁石は、前記一対の永久磁石に
よって前記試料の位置に形成される漏洩磁界を相殺する
方向の磁界を前記試料の位置に発生する荷電粒子捕獲器
と、前記荷電粒子捕獲器との位置に対応させて前記２次
電子像の位置を移動する機構を有することを特徴とする
荷電粒子線装置である。
【００４０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
【００４１】（第１の実施の形態）まず、本発明による
第１の実施の形態を説明する。
第１の実施の形態を説明する。
【００４２】図５は、本発明による電子捕獲器を備えた
Ｘ線検出装置を電子顕微鏡に搭載した状態を示す概略図
である。図１は、本発明による電子捕獲器を含むX線検
出装置の先端部の断面構造および試料との位置関係を示
す、図５における円筒状の容器６の軸を含む紙面に垂直
な平面で切ったときの拡大断面図である。図２はＸ線検
出装置の先端部の構造および試料との位置関係を示す、
図１をさらに拡大した断面図である。図２４は図２の垂
直断面図である。図３は本発明による電子捕獲器の構造
を示す垂直断面図、図４は本発明の電子捕獲器の構造を
示す分解斜視図である。
Ｘ線検出装置を電子顕微鏡に搭載した状態を示す概略図
である。図１は、本発明による電子捕獲器を含むX線検
出装置の先端部の断面構造および試料との位置関係を示
す、図５における円筒状の容器６の軸を含む紙面に垂直
な平面で切ったときの拡大断面図である。図２はＸ線検
出装置の先端部の構造および試料との位置関係を示す、
図１をさらに拡大した断面図である。図２４は図２の垂
直断面図である。図３は本発明による電子捕獲器の構造
を示す垂直断面図、図４は本発明の電子捕獲器の構造を
示す分解斜視図である。
【００４３】本実施の形態におけるX線検出装置は、図
１に示すようにその先端部に電子捕獲器３を備えてい
る。該電子捕獲器３は、図３、図４に示したようにＸ線
貫通孔１１を挟んで配置された２個の直方体形状の永久
磁石２６１、２６２および磁石２６１の両側に隣接して
配置された２個の永久磁石２６３、２６５および、２６
２の両側に隣接して配置された２個の永久磁石２６４、
２６６により形成される磁界を利用している。
１に示すようにその先端部に電子捕獲器３を備えてい
る。該電子捕獲器３は、図３、図４に示したようにＸ線
貫通孔１１を挟んで配置された２個の直方体形状の永久
磁石２６１、２６２および磁石２６１の両側に隣接して
配置された２個の永久磁石２６３、２６５および、２６
２の両側に隣接して配置された２個の永久磁石２６４、
２６６により形成される磁界を利用している。
【００４４】磁石２６１と２６２の寸法は同じで、磁石
２６３−２６６の厚さと縦の長さ（容器６の軸方向長
さ）は磁石２６１のそれと同じで、横の長さは磁石２６
１の半分となっている。従って、磁石２６３−２６６の
磁極の強さは磁石２６１、２６２の半分である。図３で
Ｘ線は紙面表から裏に向かって孔１１を通過するものと
する。図４では右から左に向かってＸ線が進むものとす
る。
２６３−２６６の厚さと縦の長さ（容器６の軸方向長
さ）は磁石２６１のそれと同じで、横の長さは磁石２６
１の半分となっている。従って、磁石２６３−２６６の
磁極の強さは磁石２６１、２６２の半分である。図３で
Ｘ線は紙面表から裏に向かって孔１１を通過するものと
する。図４では右から左に向かってＸ線が進むものとす
る。
【００４５】各磁石の磁極の向きは磁石２６１と磁石２
６２の相対する面がそれぞれＳ極、Ｎ極、磁石２６３と
磁石２６４の相対する面がそれぞれＮ極、Ｓ極、磁石２
６５と磁石２６６の相対する面がそれぞれＮ極、Ｓ極に
なるように配置した。磁石２６１、２６３、２６５と磁
石２６２、２６４、２６６はそれぞれ磁路２７０、２７
１に接着されている。
６２の相対する面がそれぞれＳ極、Ｎ極、磁石２６３と
磁石２６４の相対する面がそれぞれＮ極、Ｓ極、磁石２
６５と磁石２６６の相対する面がそれぞれＮ極、Ｓ極に
なるように配置した。磁石２６１、２６３、２６５と磁
石２６２、２６４、２６６はそれぞれ磁路２７０、２７
１に接着されている。
【００４６】本実施の形態では、磁石２６１のＮ極と磁
石２６３、２６５のＳ極とが相隣り合い、また磁石２６
２のＳ極と磁石２６４、２６６のＮ極とが相隣り合って
いるので、磁路２７０、２７１で磁場が外側に十分漏れ
ないようにできる。
石２６３、２６５のＳ極とが相隣り合い、また磁石２６
２のＳ極と磁石２６４、２６６のＮ極とが相隣り合って
いるので、磁路２７０、２７１で磁場が外側に十分漏れ
ないようにできる。
【００４７】磁石２６１と２６２の相対する面の挟む空
間の中心が、Ｘ線貫通孔１１の軸を通るように配置し
た。磁石２６１と磁石２６２により挟まれた空間に形成
される磁場により、試料からその空間に入射する荷電粒
子はローレンツ力により曲げられて捕獲されるようにな
っている。従って、荷電粒子はＸ線貫通孔を通過するこ
とができない。
間の中心が、Ｘ線貫通孔１１の軸を通るように配置し
た。磁石２６１と磁石２６２により挟まれた空間に形成
される磁場により、試料からその空間に入射する荷電粒
子はローレンツ力により曲げられて捕獲されるようにな
っている。従って、荷電粒子はＸ線貫通孔を通過するこ
とができない。
【００４８】図４に示したように磁路２７０、２７１に
固定した磁石２６１-２６６をスペーサ３２、３３を用
いて固定し、さらに、スペーサ１４、１５を用いて円筒
状の容器１６に収納した。スペーサ１４、１５、３２、
３３および容器１６の材質は非磁性材料のアルミニウム
である。
固定した磁石２６１-２６６をスペーサ３２、３３を用
いて固定し、さらに、スペーサ１４、１５を用いて円筒
状の容器１６に収納した。スペーサ１４、１５、３２、
３３および容器１６の材質は非磁性材料のアルミニウム
である。
【００４９】磁石２６１と磁石２６２で挟まれた空間と
磁石２６３と磁石２６４で挟まれた空間の境界、および
磁石２６１と磁石２６２で挟まれた空間と磁石２６５と
磁石２６６で挟まれた空間の境界では磁界が弱くなって
おり、また、その近傍の磁界分布は電子線を収束するよ
うになっているので、この領域に電子線が入射するとほ
とんど曲げられずに通過してしまう。これを避けるため
に、スペーサ３２、３３は、図３に示すように永久磁石
２６１と２６２で挟まれた空間に入るようにしてある。
磁石２６３と磁石２６４で挟まれた空間の境界、および
磁石２６１と磁石２６２で挟まれた空間と磁石２６５と
磁石２６６で挟まれた空間の境界では磁界が弱くなって
おり、また、その近傍の磁界分布は電子線を収束するよ
うになっているので、この領域に電子線が入射するとほ
とんど曲げられずに通過してしまう。これを避けるため
に、スペーサ３２、３３は、図３に示すように永久磁石
２６１と２６２で挟まれた空間に入るようにしてある。
【００５０】軸方向に漏れる磁場をさらに低減するため
に、孔１１を有する厚さ0.5mmのパーマロイ円板を５枚
重ねた遮蔽板２８を孔１１’を有する厚さ0.5mm のアル
ミニウム円板２９を介して磁石２６１−２６６の前面に
配置した。孔１１、１１’はX線を透過させるのに十分
な大きさを有し、形状は円形である。さらに、背面には
孔１１”を有する厚さ0.5mmのパーマロイ円板２８’を
配置した。
に、孔１１を有する厚さ0.5mmのパーマロイ円板を５枚
重ねた遮蔽板２８を孔１１’を有する厚さ0.5mm のアル
ミニウム円板２９を介して磁石２６１−２６６の前面に
配置した。孔１１、１１’はX線を透過させるのに十分
な大きさを有し、形状は円形である。さらに、背面には
孔１１”を有する厚さ0.5mmのパーマロイ円板２８’を
配置した。
【００５１】上記の電子捕獲器３を備えたX線検出装置
を電子顕微鏡に搭載した一例を図５に示す。図５で、符
号２０１は電子銃、５は電子線、２０３は収束レンズ、
２０４は対物レンズ、２０６は走査コイル、２１１は２
次電子検出器、２３５は試料台、２５０は電子顕微鏡制
御盤、２５１は電子顕微鏡入出力装置、２５４は真空排
気装置である。
を電子顕微鏡に搭載した一例を図５に示す。図５で、符
号２０１は電子銃、５は電子線、２０３は収束レンズ、
２０４は対物レンズ、２０６は走査コイル、２１１は２
次電子検出器、２３５は試料台、２５０は電子顕微鏡制
御盤、２５１は電子顕微鏡入出力装置、２５４は真空排
気装置である。
【００５２】X線検出装置は上記の電子捕獲器３、Ｘ線
検出素子を内蔵した円筒状の容器６、容器２３１、フラ
ンジ３６、移動機構３７、液体窒素槽２０８、前置増幅
回路部２0、Ｘ線検出器制御装置２４０、Ｘ線検出器入
出力装置２４２で構成されている。容器６、容器２３１
の内部は真空に封じ切られている。移動機構３７はＸ線
検出装置の先端部を出し入れするためのもので、これを
用いて測定時に先端部を試料９に近づけ、非測定時には
試料から離しておくことができる。
検出素子を内蔵した円筒状の容器６、容器２３１、フラ
ンジ３６、移動機構３７、液体窒素槽２０８、前置増幅
回路部２0、Ｘ線検出器制御装置２４０、Ｘ線検出器入
出力装置２４２で構成されている。容器６、容器２３１
の内部は真空に封じ切られている。移動機構３７はＸ線
検出装置の先端部を出し入れするためのもので、これを
用いて測定時に先端部を試料９に近づけ、非測定時には
試料から離しておくことができる。
【００５３】走査コイル２０６により電子線５で試料９
上を走査して、試料９から放出される２次電子を２次電
子検出器２１１で検出する。検出した信号を入出力装置
２５１のディスプレイに表示することにより、試料９の
形状を観察する。X線検出器は斜め上方に放射されるX線
を検出し、X線のエネルギーを解析することにより試料
９の元素分析を行う。電子線を走査させてＸ線分析をす
ることにより、試料９の２次元元素分布の分析が可能と
なっている。
上を走査して、試料９から放出される２次電子を２次電
子検出器２１１で検出する。検出した信号を入出力装置
２５１のディスプレイに表示することにより、試料９の
形状を観察する。X線検出器は斜め上方に放射されるX線
を検出し、X線のエネルギーを解析することにより試料
９の元素分析を行う。電子線を走査させてＸ線分析をす
ることにより、試料９の２次元元素分布の分析が可能と
なっている。
【００５４】図１は、図５において、円筒状の容器６の
軸を含み紙面に垂直な平面で切ったときの拡大概略断面
図である。円筒状容器６の先端部に本発明の特徴である
電子捕獲器３が取り付けられている。冷却棒６、X線検
出素子１０１、フランジ３６は円筒状容器６の軸に対し
て対称の位置に配置してある。既述の図２は図１の試料
およびX線検出器の先端部分をさらに拡大した図であ
る。
軸を含み紙面に垂直な平面で切ったときの拡大概略断面
図である。円筒状容器６の先端部に本発明の特徴である
電子捕獲器３が取り付けられている。冷却棒６、X線検
出素子１０１、フランジ３６は円筒状容器６の軸に対し
て対称の位置に配置してある。既述の図２は図１の試料
およびX線検出器の先端部分をさらに拡大した図であ
る。
【００５５】本発明の実施の形態では、磁石２６３−２
６６の大きさは磁石２６１、２６２の半分となってい
る、即ち、磁極の強さは半分となっている。このため、
磁石２６１と磁石２６２により試料台に形成される漏洩
磁場を磁石対２６３、２６４、および磁石対２６５，２
６６により各々半分ずつ相殺することにより、前記漏洩
磁場をほとんどゼロにすることが可能である。これが本
発明の特徴である。
６６の大きさは磁石２６１、２６２の半分となってい
る、即ち、磁極の強さは半分となっている。このため、
磁石２６１と磁石２６２により試料台に形成される漏洩
磁場を磁石対２６３、２６４、および磁石対２６５，２
６６により各々半分ずつ相殺することにより、前記漏洩
磁場をほとんどゼロにすることが可能である。これが本
発明の特徴である。
【００５６】磁石２６１−２６２として厚さ1ミリメー
トル，横5.5ミリメートル，縦5ミリメートル、磁石２６
３−２６６として厚さ1ミリメートル，横2.75ミリメー
トル，縦5ミリメートルの直方体形状の希土類強磁性材
料を用いた場合、Ｘ線貫通孔１１内中心の磁束密度は約
0.3テスラであった。このときの永久磁石２６１と２６
２の相対する面の間およびスペーサ３２、３３の相対す
る面の間の距離は両方とも約3.5ミリメートルであっ
た。これを加速電圧２５キロボルトの電子顕微鏡に適用
し、有効面積10平方ミリメートルのX線検出素子で測定
した結果、後方散乱電子の影響は測定限界以下であっ
た。
トル，横5.5ミリメートル，縦5ミリメートル、磁石２６
３−２６６として厚さ1ミリメートル，横2.75ミリメー
トル，縦5ミリメートルの直方体形状の希土類強磁性材
料を用いた場合、Ｘ線貫通孔１１内中心の磁束密度は約
0.3テスラであった。このときの永久磁石２６１と２６
２の相対する面の間およびスペーサ３２、３３の相対す
る面の間の距離は両方とも約3.5ミリメートルであっ
た。これを加速電圧２５キロボルトの電子顕微鏡に適用
し、有効面積10平方ミリメートルのX線検出素子で測定
した結果、後方散乱電子の影響は測定限界以下であっ
た。
【００５７】本実施の形態における電子捕獲器３からの
漏れ磁場分布を図７の黒丸付き実線で示した。横軸は電
子捕獲器の中心から軸方向に沿った距離で、縦軸はホー
ル素子を用いたガウスメータにより測定した磁束密度で
ある。比較のため、図７には、従来の技術の項で述べた
図１７，１８で示した構成からなる電子捕獲器において
測定した漏れ磁場を白丸付き実線で示した。黒丸及び白
丸は測定データを示す。
漏れ磁場分布を図７の黒丸付き実線で示した。横軸は電
子捕獲器の中心から軸方向に沿った距離で、縦軸はホー
ル素子を用いたガウスメータにより測定した磁束密度で
ある。比較のため、図７には、従来の技術の項で述べた
図１７，１８で示した構成からなる電子捕獲器において
測定した漏れ磁場を白丸付き実線で示した。黒丸及び白
丸は測定データを示す。
【００５８】本実施の形態におけるＸ線検出装置では、
磁石２６１、２６２の両側に、これと逆の極性の磁極
で、それぞれ磁石２６１、２６２の半分の磁極の強さを
持った２組の合計４個の磁石２６３、２６４、２６５、
２６６を配置しているので、試料の電子線照射点付近で
は各永久磁石の寄与がそれぞれ打ち消し合うようになっ
ている。このため、試料の電子線照射点付近では全永久
磁石による漏れ磁場が従来と比較して非常に小さくな
り、電子捕獲器の入口付近までほぼゼロになっている。
磁石２６１、２６２の両側に、これと逆の極性の磁極
で、それぞれ磁石２６１、２６２の半分の磁極の強さを
持った２組の合計４個の磁石２６３、２６４、２６５、
２６６を配置しているので、試料の電子線照射点付近で
は各永久磁石の寄与がそれぞれ打ち消し合うようになっ
ている。このため、試料の電子線照射点付近では全永久
磁石による漏れ磁場が従来と比較して非常に小さくな
り、電子捕獲器の入口付近までほぼゼロになっている。
【００５９】この効果により、従来の技術の項でのべた
Ｘ線検出器を試料に近接させた場合に起こる２次電子像
の移動、非点収差による２次電子像の歪み、焦点ずれを
著しく低減することが可能となった。本発明の特徴であ
る電子捕獲器を用いることにより従来非点収差による歪
みのために約25ミリメ−トル以上に制限されていた電子
捕獲器の先端から試料までの距離を5ミリメ−トルに短
縮することができた。この距離まで挿入したとき、２次
電子像の移動量および非点収差の補正は、従来の電子捕
獲器の先端から試料までの距離25ミリメ−トルの場合と
同程度であった。
Ｘ線検出器を試料に近接させた場合に起こる２次電子像
の移動、非点収差による２次電子像の歪み、焦点ずれを
著しく低減することが可能となった。本発明の特徴であ
る電子捕獲器を用いることにより従来非点収差による歪
みのために約25ミリメ−トル以上に制限されていた電子
捕獲器の先端から試料までの距離を5ミリメ−トルに短
縮することができた。この距離まで挿入したとき、２次
電子像の移動量および非点収差の補正は、従来の電子捕
獲器の先端から試料までの距離25ミリメ−トルの場合と
同程度であった。
【００６０】本発明者の実験によれば、漏洩磁場をほと
んどゼロにしたにもかかわらず、２次電子像の移動量お
よび非点収差がゼロにならなかった場合があった。これ
は、対物レンズと試料台の間に、磁界対物レンズから漏
洩した弱い磁場が形成されており、この磁場が電子捕獲
器内にある永久磁石および磁路という磁性体によって変
化を受けるためと考えられる。
んどゼロにしたにもかかわらず、２次電子像の移動量お
よび非点収差がゼロにならなかった場合があった。これ
は、対物レンズと試料台の間に、磁界対物レンズから漏
洩した弱い磁場が形成されており、この磁場が電子捕獲
器内にある永久磁石および磁路という磁性体によって変
化を受けるためと考えられる。
【００６１】磁場中への磁性体の挿入による磁場の変化
は、挿入される磁性体の体積よりもその外径の大きさに
依存する。すなわち、挿入される磁性体の内側が空洞で
あっても外側寸法が同じであれば磁場への影響は同じで
ある。従来の実施例で述べた電子捕獲器の磁路が円筒状
であるのに対して、本実施の形態における磁路は上記し
た６個の磁石の配置構成により、対向する３個の磁石の
組ごとに設置されている蒲鉾状の２枚の磁路から構成さ
れている。
は、挿入される磁性体の体積よりもその外径の大きさに
依存する。すなわち、挿入される磁性体の内側が空洞で
あっても外側寸法が同じであれば磁場への影響は同じで
ある。従来の実施例で述べた電子捕獲器の磁路が円筒状
であるのに対して、本実施の形態における磁路は上記し
た６個の磁石の配置構成により、対向する３個の磁石の
組ごとに設置されている蒲鉾状の２枚の磁路から構成さ
れている。
【００６２】一般に、ある磁場中に磁性体を挿入した場
合、磁場の変化の大きさは、挿入される磁性体の体積で
はなく、挿入される磁性体の外形寸法で決まり、外形寸
法が大きいほど磁場の変化が大きい。本実施の形態にお
ける磁路の外形寸法は従来の技術における磁路の外形寸
法より小さくなっているため、対物レンズからの磁場へ
の影響も低減することが可能となった。
合、磁場の変化の大きさは、挿入される磁性体の体積で
はなく、挿入される磁性体の外形寸法で決まり、外形寸
法が大きいほど磁場の変化が大きい。本実施の形態にお
ける磁路の外形寸法は従来の技術における磁路の外形寸
法より小さくなっているため、対物レンズからの磁場へ
の影響も低減することが可能となった。
【００６３】Ｘ線検出素子の受光面を、この距離で試料
の電子線照射点と検出素子の中心を結ぶ直線に対して垂
直になるように設置した。この結果、試料から検出素子
間の距離を従来の約40ミリメ−トルから16ミリメ−トル
にすることが可能になり、検出立体角を6倍にすること
が可能となった。これにより従来と同じ測定時間で検出
感度を２.5倍、または従来と同じ検出感度で計測時間を
1/6以下に短縮することが可能となった。
の電子線照射点と検出素子の中心を結ぶ直線に対して垂
直になるように設置した。この結果、試料から検出素子
間の距離を従来の約40ミリメ−トルから16ミリメ−トル
にすることが可能になり、検出立体角を6倍にすること
が可能となった。これにより従来と同じ測定時間で検出
感度を２.5倍、または従来と同じ検出感度で計測時間を
1/6以下に短縮することが可能となった。
【００６４】また、従来と同じ計測時間では、従来と同
じ検出感度を得るのに必要な電子線のビーム電流は1/6
以下となる。従来Ｘ線計測時に採用していた約2×10-10
アンペアのビーム電流を４×10-11アンペア以下にする
ことが可能となった。これにより、図２３に示した電子
線のビーム電流とビーム径の関係から明らかなように、
Ｘ線計測時でも高分解能の二次電子像観察が可能とな
る。
じ検出感度を得るのに必要な電子線のビーム電流は1/6
以下となる。従来Ｘ線計測時に採用していた約2×10-10
アンペアのビーム電流を４×10-11アンペア以下にする
ことが可能となった。これにより、図２３に示した電子
線のビーム電流とビーム径の関係から明らかなように、
Ｘ線計測時でも高分解能の二次電子像観察が可能とな
る。
【００６５】さらに、本発明による電子捕獲器（図２）
は、Ｘ線検出素子に対する位置関係を従来の電子捕獲器
（図２２）と同じにできるので、従来装置の改良も電子
捕獲器の部分のみを交換するだけでよい。
は、Ｘ線検出素子に対する位置関係を従来の電子捕獲器
（図２２）と同じにできるので、従来装置の改良も電子
捕獲器の部分のみを交換するだけでよい。
【００６６】上記において２種類の寸法の異なる磁石を
用いた例を示したが、同じ寸法の磁石によっても本発明
を適用できる。図２５は同じ寸法の磁石を用いた本発明
による電子捕獲器の構造を示す垂直断面図である。磁石
２６０，２６７，２６８，２６９は上記の説明に用いた
図３に示した磁石２６１、２６２と同じ極性であるが縦
の長さが半分である。すなわち磁石２６０と磁石２６７
で図３に示す磁石２６１を、磁石２６８，２６９で磁石
２６２を置き換えたものである。この構成においても上
記で述べたものと同じ効果が実現できた。
用いた例を示したが、同じ寸法の磁石によっても本発明
を適用できる。図２５は同じ寸法の磁石を用いた本発明
による電子捕獲器の構造を示す垂直断面図である。磁石
２６０，２６７，２６８，２６９は上記の説明に用いた
図３に示した磁石２６１、２６２と同じ極性であるが縦
の長さが半分である。すなわち磁石２６０と磁石２６７
で図３に示す磁石２６１を、磁石２６８，２６９で磁石
２６２を置き換えたものである。この構成においても上
記で述べたものと同じ効果が実現できた。
【００６７】（第２の実施の形態）次に本発明による第
２の実施の形態を図６を用いて説明する。
２の実施の形態を図６を用いて説明する。
【００６８】図６は本発明による電子捕獲器の構造を示
す断面図である。本実施の形態は第１の実施の形態で述
べたX線検出装置よりも大きな面積の検出素子を用いて
大きな立体角でＸ線を検出する場合に最適な電子捕獲器
を提供するものである。
す断面図である。本実施の形態は第１の実施の形態で述
べたX線検出装置よりも大きな面積の検出素子を用いて
大きな立体角でＸ線を検出する場合に最適な電子捕獲器
を提供するものである。
【００６９】本実施の形態でも、後方散乱電子を除去す
るための磁場は２個の磁石２６１、２６２で形成され
る。大きな立体角に対応するためには、Ｘ線を透過させ
るための領域１１の大きさを大きくする、すなわち、相
対する磁石２６１、２６２の間隔を大きくとる必要があ
る。実施の形態１で述べた磁石の配置のまま対向間隔を
大きくすると、相隣会う磁石間の磁場が強くなり、後方
散乱電子を除去するために利用できる磁場の強さが弱く
なるとともに、その領域も狭くなる。このため、本実施
の形態では隣接する永久磁石間を広げるための形状を持
つスペーサ３２、３３を設置してある。
るための磁場は２個の磁石２６１、２６２で形成され
る。大きな立体角に対応するためには、Ｘ線を透過させ
るための領域１１の大きさを大きくする、すなわち、相
対する磁石２６１、２６２の間隔を大きくとる必要があ
る。実施の形態１で述べた磁石の配置のまま対向間隔を
大きくすると、相隣会う磁石間の磁場が強くなり、後方
散乱電子を除去するために利用できる磁場の強さが弱く
なるとともに、その領域も狭くなる。このため、本実施
の形態では隣接する永久磁石間を広げるための形状を持
つスペーサ３２、３３を設置してある。
【００７０】磁石２６１−２６６として実施の形態１で
述べたものと同じ寸法の永久磁石を用い、幅１ミリメー
トルの間隔で相隣会う永久磁石を分離できるスペーサを
配置し、永久磁石間の距離は約5.5ミリメートルとし
た。Ｘ線貫通孔１１内中心の磁束密度は約0.2テスラで
あった。このときのこれを加速電圧２５キロボルトの電
子顕微鏡に適用し、有効面積30平方ミリメートルのＸ線
検出素子で測定した結果、後方散乱電子の影響は測定限
界以下であった。
述べたものと同じ寸法の永久磁石を用い、幅１ミリメー
トルの間隔で相隣会う永久磁石を分離できるスペーサを
配置し、永久磁石間の距離は約5.5ミリメートルとし
た。Ｘ線貫通孔１１内中心の磁束密度は約0.2テスラで
あった。このときのこれを加速電圧２５キロボルトの電
子顕微鏡に適用し、有効面積30平方ミリメートルのＸ線
検出素子で測定した結果、後方散乱電子の影響は測定限
界以下であった。
【００７１】本実施の形態においても電子線から見た場
合、４個の磁石２６３-２６６が貫通孔１１から漏れる
永久磁石２６１、２６２の形成する磁場を打ち消し合う
ようになっている。このため、電子線照射点近傍の位置
では永久磁石による漏れ磁場がほぼゼロになっている。
また、磁路の大きさも小さくできる。この効果により、
Ｘ線検出器を試料に近接させた場合におこる２次電子像
の移動、非点収差による２次電子像の歪み、焦点ずれを
著しく低減することが可能となった。
合、４個の磁石２６３-２６６が貫通孔１１から漏れる
永久磁石２６１、２６２の形成する磁場を打ち消し合う
ようになっている。このため、電子線照射点近傍の位置
では永久磁石による漏れ磁場がほぼゼロになっている。
また、磁路の大きさも小さくできる。この効果により、
Ｘ線検出器を試料に近接させた場合におこる２次電子像
の移動、非点収差による２次電子像の歪み、焦点ずれを
著しく低減することが可能となった。
【００７２】本発明の実施の形態１および２で記載した
数値や、電子捕獲器の外形形状については、これらに限
定されるものではなく、磁石２６１と２６２からの漏洩
磁場を打ち消すための磁石の配置が中央面に対して対称
であれば、本発明が適用されることは自明である。
数値や、電子捕獲器の外形形状については、これらに限
定されるものではなく、磁石２６１と２６２からの漏洩
磁場を打ち消すための磁石の配置が中央面に対して対称
であれば、本発明が適用されることは自明である。
【００７３】また、本発明の実施の形態１および２で
は、後方散乱電子を除去するための磁石２６１と磁石２
６２を配置している方向が電子線の軸を含む平面に平行
となっている例を示したが、磁石の配置の方向を９０
度、１８０度或いは２７０度回転した場合でも２次電子
像の移動方向と移動距離は変化しなかった。これは、電
子捕獲器から漏れる磁場がほとんどゼロになっているた
めに、電子線との相互作用がほとんどないためと考えら
れる。したがって、磁石の配置方向が、電子線の軸に対
してどの方向にあっても本発明が適用される。
は、後方散乱電子を除去するための磁石２６１と磁石２
６２を配置している方向が電子線の軸を含む平面に平行
となっている例を示したが、磁石の配置の方向を９０
度、１８０度或いは２７０度回転した場合でも２次電子
像の移動方向と移動距離は変化しなかった。これは、電
子捕獲器から漏れる磁場がほとんどゼロになっているた
めに、電子線との相互作用がほとんどないためと考えら
れる。したがって、磁石の配置方向が、電子線の軸に対
してどの方向にあっても本発明が適用される。
【００７４】（第３の実施の形態）本発明による第３の
実施の形態を、図８を用いて説明する。
実施の形態を、図８を用いて説明する。
【００７５】図８は、本発明による電子捕獲器を備えた
Ｘ線検出装置を電子顕微鏡に搭載した状態を示す概略図
である。Ｘ線検出装置は電子捕獲器３、Ｘ線検出素子を
内蔵した円筒状の容器６、容器２３１、フランジ３６、
移動機構３７、液体窒素槽２０８、前置増幅回路部２
0、Ｘ線検出器制御装置２４０、Ｘ線検出器入出力装置
２４２で構成されている。容器６、容器２３１の内部は
真空に封じ切られている。電子捕獲器３は第１の実施の
形態の項で述べたものと同じものを用いた。移動機構３
７は先端部を出し入れするためのもので、これにより測
定時にX線検出装置の先端部を試料９に近づけ、非測定
時には試料から離しておく。本実施の形態では前記移動
機構３７に位置センサ７０１を設置してあり、Ｘ線検出
器の先端部の位置（挿入位置）を検出できるようになっ
ている。挿入位置の情報はＸ線検出器制御装置２４０で
処理され、電子顕微鏡の走査コイル制御回路７０２に送
る制御信号に変換される。
Ｘ線検出装置を電子顕微鏡に搭載した状態を示す概略図
である。Ｘ線検出装置は電子捕獲器３、Ｘ線検出素子を
内蔵した円筒状の容器６、容器２３１、フランジ３６、
移動機構３７、液体窒素槽２０８、前置増幅回路部２
0、Ｘ線検出器制御装置２４０、Ｘ線検出器入出力装置
２４２で構成されている。容器６、容器２３１の内部は
真空に封じ切られている。電子捕獲器３は第１の実施の
形態の項で述べたものと同じものを用いた。移動機構３
７は先端部を出し入れするためのもので、これにより測
定時にX線検出装置の先端部を試料９に近づけ、非測定
時には試料から離しておく。本実施の形態では前記移動
機構３７に位置センサ７０１を設置してあり、Ｘ線検出
器の先端部の位置（挿入位置）を検出できるようになっ
ている。挿入位置の情報はＸ線検出器制御装置２４０で
処理され、電子顕微鏡の走査コイル制御回路７０２に送
る制御信号に変換される。
【００７６】Ｘ線検出器の挿入による２次電子像の移動
は、Ｘ線検出器が試料に近づくほど大きくなる。本実施
の形態ではあらかじめ挿入位置に対する２次電子像の移
動量を測定しておき、その関係をＸ線検出器制御装置２
４０に記憶させておき、これに基づいて位置センサ７０
１からの挿入位置情報を走査コイル制御回路に送る信号
に変換する。この信号により走査する位置が変更され、
Ｘ線検出器の挿入による２次電子像の移動を補正し見掛
け上像が移動しないようにできる。このため、使い勝手
向上が達成できる。
は、Ｘ線検出器が試料に近づくほど大きくなる。本実施
の形態ではあらかじめ挿入位置に対する２次電子像の移
動量を測定しておき、その関係をＸ線検出器制御装置２
４０に記憶させておき、これに基づいて位置センサ７０
１からの挿入位置情報を走査コイル制御回路に送る信号
に変換する。この信号により走査する位置が変更され、
Ｘ線検出器の挿入による２次電子像の移動を補正し見掛
け上像が移動しないようにできる。このため、使い勝手
向上が達成できる。
【００７７】第１、第２の実施の形態で述べた、Ｘ線検
出器を試料に近接させた場合におこる２次電子像の移
動、非点収差による２次電子像の歪み、焦点ずれを著し
く低減できる電子捕獲器により、従来移動量が大きくて
実現が困難だった本実施の形態による移動量の補正が実
現可能となった。
出器を試料に近接させた場合におこる２次電子像の移
動、非点収差による２次電子像の歪み、焦点ずれを著し
く低減できる電子捕獲器により、従来移動量が大きくて
実現が困難だった本実施の形態による移動量の補正が実
現可能となった。
【００７８】本発明の実施の形態では、Ｘ線検出器の挿
入位置と２次電子像の移動量との関係から補正を実施す
る構成を述べたが、２次電子像の移動量をＸ線検出器の
挿入ごと２次電子像の解析によりリアルタイムに検出し
て補正するようにしてもよい。
入位置と２次電子像の移動量との関係から補正を実施す
る構成を述べたが、２次電子像の移動量をＸ線検出器の
挿入ごと２次電子像の解析によりリアルタイムに検出し
て補正するようにしてもよい。
【００７９】（第４の実施の形態）本発明による第４の
実施の形態を図９、１０を用いて説明する。
実施の形態を図９、１０を用いて説明する。
【００８０】図９は本発明による電子捕獲器の構造を示
す斜視図である。図１０は電子線照射点と検出素子の中
心を含む平面で切ったときの断面図である。
す斜視図である。図１０は電子線照射点と検出素子の中
心を含む平面で切ったときの断面図である。
【００８１】本実施の形態は、４個の検出素子を用いて
Ｘ線を検出する場合に本発明を適用したものである。本
実施の形態のX線検出装置における電子捕獲器は、図１
０に示すように２個の扇型形状の永久磁石２６１、２６
２および各磁石の両側に配置した２組の磁石２６３、２
６４および、磁石２６５、２６６により形成される磁界
を利用している。
Ｘ線を検出する場合に本発明を適用したものである。本
実施の形態のX線検出装置における電子捕獲器は、図１
０に示すように２個の扇型形状の永久磁石２６１、２６
２および各磁石の両側に配置した２組の磁石２６３、２
６４および、磁石２６５、２６６により形成される磁界
を利用している。
【００８２】各磁石の磁極の向きは磁石２６１と磁石２
６２の相対する面がそれぞれＳ極、Ｎ極、磁石２６３と
磁石２６４の相対する面がそれぞれＮ極、Ｓ極、磁石２
６５と磁石２６６の相対する面がそれぞれＮ極、Ｓ極に
なるように配置した。磁石２６３−２６６の面積は磁石
２６１、２６２の半分である。磁石２６１、２６３、２
６５と磁石２６２、２６４、２６６はそれぞれ別々の磁
路（図示せず）に接着されている。
６２の相対する面がそれぞれＳ極、Ｎ極、磁石２６３と
磁石２６４の相対する面がそれぞれＮ極、Ｓ極、磁石２
６５と磁石２６６の相対する面がそれぞれＮ極、Ｓ極に
なるように配置した。磁石２６３−２６６の面積は磁石
２６１、２６２の半分である。磁石２６１、２６３、２
６５と磁石２６２、２６４、２６６はそれぞれ別々の磁
路（図示せず）に接着されている。
【００８３】磁石２６１と磁石２６２ではさまれた空間
の側面（磁石がない面）は第１の実施の形態の項で述べ
たように２個のアルミニウム製のスペーサ（図示せず）
で囲まれている。本実施の形態での前記スペーサは磁石
２６３と磁石２６４で挟まれた空間および磁石２６５と
磁石２６６で挟まれた空間の中心部に孔をあけてあり、
図１０に示した経路のＸ線１を通過させるようになって
いる。
の側面（磁石がない面）は第１の実施の形態の項で述べ
たように２個のアルミニウム製のスペーサ（図示せず）
で囲まれている。本実施の形態での前記スペーサは磁石
２６３と磁石２６４で挟まれた空間および磁石２６５と
磁石２６６で挟まれた空間の中心部に孔をあけてあり、
図１０に示した経路のＸ線１を通過させるようになって
いる。
【００８４】磁石２６１と磁石２６２ではさまれた空間
を通過したＸ線１は２個の検出素子１０１Cに入射し、
磁石２６３と磁石２６４で挟まれた空間および磁石２６
５と磁石２６６で挟まれた空間を通過したＸ線はそれぞ
れ１個の検出素子１０１Ｌ及び１０１Ｒに入射するよう
になっている。
を通過したＸ線１は２個の検出素子１０１Cに入射し、
磁石２６３と磁石２６４で挟まれた空間および磁石２６
５と磁石２６６で挟まれた空間を通過したＸ線はそれぞ
れ１個の検出素子１０１Ｌ及び１０１Ｒに入射するよう
になっている。
【００８５】本実施の形態においても電子線から見た場
合、４個の磁石２６３−２６６が貫通孔１１（図示せ
ず）から漏れる永久磁石２６１、２６２の形成する磁場
を打ち消し合うようになっている。このため、電子線照
射点近傍の位置では永久磁石による漏れ磁場がほぼゼロ
になっている。また、磁路の大きさも小さくできる。こ
の効果により、Ｘ線検出器を試料に近接させた場合にお
こる２次電子像の移動、非点収差による２次電子像の歪
み、焦点ずれを著しく低減することが可能となった。さ
らに、４個の検出素子を用いているので、検出効率を４
倍大きくすることが可能となった。
合、４個の磁石２６３−２６６が貫通孔１１（図示せ
ず）から漏れる永久磁石２６１、２６２の形成する磁場
を打ち消し合うようになっている。このため、電子線照
射点近傍の位置では永久磁石による漏れ磁場がほぼゼロ
になっている。また、磁路の大きさも小さくできる。こ
の効果により、Ｘ線検出器を試料に近接させた場合にお
こる２次電子像の移動、非点収差による２次電子像の歪
み、焦点ずれを著しく低減することが可能となった。さ
らに、４個の検出素子を用いているので、検出効率を４
倍大きくすることが可能となった。
【００８６】（第５の実施の形態）本発明による第５の
実施の形態を図１１を用いて説明する。図１１は本発明
の特徴である電子捕獲器を有するＸ線検出装置を備えた
電子顕微鏡を含んだ半導体検査システムと半導体加工装
置の一部を示した図である。
実施の形態を図１１を用いて説明する。図１１は本発明
の特徴である電子捕獲器を有するＸ線検出装置を備えた
電子顕微鏡を含んだ半導体検査システムと半導体加工装
置の一部を示した図である。
【００８７】ダイナミックランダムアクセス記憶素子等
の大規模集積回路の生産において、製作個数に対する良
品の個数の割合は歩留まりとよばれているが、歩留まり
を低下させる要因として、回路素子上に付着した異物に
よる不良がある。この異物はエッチングやイオン打ち込
みや成膜などの回路形成に必要な半導体加工装置３６１
−３６４の内壁に付着した物質であったり、回路が形成
される半導体ウエハーを搬送する搬送路３６０で付着し
た物質であったり、また、加工処理をしている過程で、
半導体ウエハー表面に形成したパターンがはがれるなど
して、発生したものであったりする。異物の発生源を特
定して、発生源の品質を管理することは歩留まりの短期
向上のために非常に重要なことである。
の大規模集積回路の生産において、製作個数に対する良
品の個数の割合は歩留まりとよばれているが、歩留まり
を低下させる要因として、回路素子上に付着した異物に
よる不良がある。この異物はエッチングやイオン打ち込
みや成膜などの回路形成に必要な半導体加工装置３６１
−３６４の内壁に付着した物質であったり、回路が形成
される半導体ウエハーを搬送する搬送路３６０で付着し
た物質であったり、また、加工処理をしている過程で、
半導体ウエハー表面に形成したパターンがはがれるなど
して、発生したものであったりする。異物の発生源を特
定して、発生源の品質を管理することは歩留まりの短期
向上のために非常に重要なことである。
【００８８】本発明の実施の形態では、図１１に示すよ
うに、半導体加工装置の３６１−３６４の各加工工程の
終了ごとに、半導体ウエハーを抜き出し、まず、半導体
ウエハを加工しないで観測できる光学顕微鏡、走査型電
子顕微鏡を用いたパーティクル・パターン検査装置３６
５により異物形状の種類とその座標を特定する。この検
査装置３６５は、異物の簡単な形状、位置を高速に検査
することに主眼が置かれている。
うに、半導体加工装置の３６１−３６４の各加工工程の
終了ごとに、半導体ウエハーを抜き出し、まず、半導体
ウエハを加工しないで観測できる光学顕微鏡、走査型電
子顕微鏡を用いたパーティクル・パターン検査装置３６
５により異物形状の種類とその座標を特定する。この検
査装置３６５は、異物の簡単な形状、位置を高速に検査
することに主眼が置かれている。
【００８９】次に、再検査用電子顕微鏡３６６で異物の
三次元的形状や組成等の詳細な情報を得るようになって
いる。さらにウエハからその一部を切り出し加工する試
料作製装置を備えた高分解能電子顕微鏡３６７により断
面形状等詳細な検査が可能になっている。
三次元的形状や組成等の詳細な情報を得るようになって
いる。さらにウエハからその一部を切り出し加工する試
料作製装置を備えた高分解能電子顕微鏡３６７により断
面形状等詳細な検査が可能になっている。
【００９０】異物形状、座標の情報はコンピュータ３６
８により集中管理され、パーティクル・パターン検査装
置３６５で求めた座標を用いることにより、再検査用電
子顕微鏡３６６では即座に指定した異物を観測できるよ
うになっている。すでに記述したように、高集積回路半
導体素子の歩留まりを改善するためには半導体ウェハ上
異物の同定が重要となっている。通常、ウェハ上の異物
の数は数百から数千個にのぼるケースも少なくない。異
物の組成は電子顕微鏡に搭載されたＸ線検出装置により
分析される。本実施の形態の再検査用電子顕微鏡３６６
および高分解能電子顕微鏡３６７は、本発明の特徴であ
る電子捕獲器を有するＸ線検出装置を搭載している。こ
のＸ線検出装置を用いれば、Ｘ線検出器を試料へ近づけ
ることができ、試料から検出器を見込む立体角が大きく
とれるので、試料からの特性Ｘ線の検出率が改善され、
Ｘ線分析時間を大幅に短縮することができる。
８により集中管理され、パーティクル・パターン検査装
置３６５で求めた座標を用いることにより、再検査用電
子顕微鏡３６６では即座に指定した異物を観測できるよ
うになっている。すでに記述したように、高集積回路半
導体素子の歩留まりを改善するためには半導体ウェハ上
異物の同定が重要となっている。通常、ウェハ上の異物
の数は数百から数千個にのぼるケースも少なくない。異
物の組成は電子顕微鏡に搭載されたＸ線検出装置により
分析される。本実施の形態の再検査用電子顕微鏡３６６
および高分解能電子顕微鏡３６７は、本発明の特徴であ
る電子捕獲器を有するＸ線検出装置を搭載している。こ
のＸ線検出装置を用いれば、Ｘ線検出器を試料へ近づけ
ることができ、試料から検出器を見込む立体角が大きく
とれるので、試料からの特性Ｘ線の検出率が改善され、
Ｘ線分析時間を大幅に短縮することができる。
【００９１】従来、この数百から数千個の異物のＸ線分
析には数時間を要し、測定できるウェハの数が限られて
いた。本発明によるＸ線検出装置を用いれば、試料から
検出器までの距離を40ｍｍから16ｍｍへ近づけることが
できる。すなわち、試料から検出器を見込む立体角を６
倍大きくとることができ、従来の1/6である、数十分で
分析を終了することができる。このように、分析のスル
ープットを向上できた結果、半導体素子製造の歩留まり
改善が大幅にスピードアップされる。さらに、半導体の
加工寸法の微細化に伴い、検出すべき異物の寸法も微細
になってきている。本発明を用いると、上記したよう
に、従来より数倍高い検出感度が得られるので、検出で
きる異物の寸法を小さくすることができた。
析には数時間を要し、測定できるウェハの数が限られて
いた。本発明によるＸ線検出装置を用いれば、試料から
検出器までの距離を40ｍｍから16ｍｍへ近づけることが
できる。すなわち、試料から検出器を見込む立体角を６
倍大きくとることができ、従来の1/6である、数十分で
分析を終了することができる。このように、分析のスル
ープットを向上できた結果、半導体素子製造の歩留まり
改善が大幅にスピードアップされる。さらに、半導体の
加工寸法の微細化に伴い、検出すべき異物の寸法も微細
になってきている。本発明を用いると、上記したよう
に、従来より数倍高い検出感度が得られるので、検出で
きる異物の寸法を小さくすることができた。
【００９２】（第６の実施の形態）本発明による第６の
実施の形態を図１２、図１３を用いて説明する。図１２
は本発明によるＸ線検出器を粒子励起Ｘ線放射分光装置
に組み込んだ構成図である。図１３はX線検出器の検出
部と試料の関係を示す断面図である。
実施の形態を図１２、図１３を用いて説明する。図１２
は本発明によるＸ線検出器を粒子励起Ｘ線放射分光装置
に組み込んだ構成図である。図１３はX線検出器の検出
部と試料の関係を示す断面図である。
【００９３】粒子励起Ｘ線放射分光はイオンビーム８８
の照射によって試料９から発生するX線を計測し試料の
元素分析を行うものである。イオンビームはイオン加速
器８１により生成した加速イオンのうち、弁別装置８２
により特定のエネルギーを持つイオンを取り出し、収束
レンズ８３により細く絞ることにより形成する。
の照射によって試料９から発生するX線を計測し試料の
元素分析を行うものである。イオンビームはイオン加速
器８１により生成した加速イオンのうち、弁別装置８２
により特定のエネルギーを持つイオンを取り出し、収束
レンズ８３により細く絞ることにより形成する。
【００９４】イオンエネルギーおよびイオン種として
は、１から３ＭｅＶの陽子やアルファ粒子が用いられ
る。イオンビーム電流はファラディカップ８５により測
定され、較正データとして用いられる。試料から発生す
るX線は、液体窒素により冷却される半導体検出器８６
により計測される。以下、図１３を用いて説明する。試
料９とＸ線検出器の間には液体窒素で冷却された金属板
７２が設置されており、試料から発生する中性粒子を吸
着し、X線検出器の先端部および、Ｘ線透過窓８が汚染
されるのを低減するようになっている。Ｘ線検出器の先
端部には永久磁石２６２，２６４，２６６（紙面の上側
にさらに３個で合計６個）で構成される電子捕獲器が第
一の実施の形態と同様に配置されている。試料から発生
する二次電子および二次イオンは該電子捕獲器により除
去されるようになっている。
は、１から３ＭｅＶの陽子やアルファ粒子が用いられ
る。イオンビーム電流はファラディカップ８５により測
定され、較正データとして用いられる。試料から発生す
るX線は、液体窒素により冷却される半導体検出器８６
により計測される。以下、図１３を用いて説明する。試
料９とＸ線検出器の間には液体窒素で冷却された金属板
７２が設置されており、試料から発生する中性粒子を吸
着し、X線検出器の先端部および、Ｘ線透過窓８が汚染
されるのを低減するようになっている。Ｘ線検出器の先
端部には永久磁石２６２，２６４，２６６（紙面の上側
にさらに３個で合計６個）で構成される電子捕獲器が第
一の実施の形態と同様に配置されている。試料から発生
する二次電子および二次イオンは該電子捕獲器により除
去されるようになっている。
【００９５】本実施の形態においてもイオンビームから
見た場合、４個の磁石２６３−２６６が貫通孔１１から
漏れる永久磁石２６１、２６２の形成する磁場を打ち消
し合うようになっている。このため、電子線照射点近傍
の位置では永久磁石による漏れ磁場がほぼゼロになって
いる。また、磁路の大きさも小さくできる。この効果に
よりＸ線検出器を試料に近接させた場合におこるイオン
ビームへの悪影響を低減することが可能となる。
見た場合、４個の磁石２６３−２６６が貫通孔１１から
漏れる永久磁石２６１、２６２の形成する磁場を打ち消
し合うようになっている。このため、電子線照射点近傍
の位置では永久磁石による漏れ磁場がほぼゼロになって
いる。また、磁路の大きさも小さくできる。この効果に
よりＸ線検出器を試料に近接させた場合におこるイオン
ビームへの悪影響を低減することが可能となる。
【００９６】この結果、Ｘ線検出器を従来と比較して大
幅に試料に近接させることが可能になり検出感度を上げ
ることが可能になった。このため、必要なイオンビーム
電流を低くすることができ、装置の小型化が可能となっ
た。
幅に試料に近接させることが可能になり検出感度を上げ
ることが可能になった。このため、必要なイオンビーム
電流を低くすることができ、装置の小型化が可能となっ
た。
【００９７】（第７の実施の形態）本発明による第７の
実施の形態を図１４を用いて説明する。図１４は本発明
の特徴である電子捕獲器を有するＸ線検出装置を備えた
電子顕微鏡を含んだ検査装置を示した図である。本実施
の形態は波長分散型Ｘ線分光と呼ばれる方式に本発明を
実施した例である。
実施の形態を図１４を用いて説明する。図１４は本発明
の特徴である電子捕獲器を有するＸ線検出装置を備えた
電子顕微鏡を含んだ検査装置を示した図である。本実施
の形態は波長分散型Ｘ線分光と呼ばれる方式に本発明を
実施した例である。
【００９８】試料９に一次電子線５を照射して試料９か
ら発生するＸ線１を回折格子５０１により分光し、分光
したＸ線を比例計数管５００で検出するようになってい
る。
ら発生するＸ線１を回折格子５０１により分光し、分光
したＸ線を比例計数管５００で検出するようになってい
る。
【００９９】回折格子５０１としては湾曲した単結晶や
人工積層膜が用いられる。回折格子５０１と比例計数管
５００は連動して移動することにより波長走査するよう
になっている。回折格子５０１と試料９の間には本発明
の特徴である電子捕獲器３とコリメータ５０２が配置し
てある。電子捕獲器３の内部構造は、実施の形態１で述
べたものと同じである。
人工積層膜が用いられる。回折格子５０１と比例計数管
５００は連動して移動することにより波長走査するよう
になっている。回折格子５０１と試料９の間には本発明
の特徴である電子捕獲器３とコリメータ５０２が配置し
てある。電子捕獲器３の内部構造は、実施の形態１で述
べたものと同じである。
【０１００】コリメータ５０２は試料からのＸ線を集光
し、回折格子５０１にＸ線を導入するものであり、放物
面の内面を持つガラスの筒の内面に金属を蒸着して鏡を
形成したものである。これにより試料からのＸ線を効率
よく集めることが可能となる。荷電粒子除去器により試
料からの後方散乱電子がコリメータ５０２、回折格子５
０１に入射することが防止される。これにより、コリメ
ータ５０２、回折格子５０１に電子が衝突して有害なＸ
線を出すことがない。このため、雑音の少ないＸ線検出
が可能になっている。さらに、本発明の特徴である漏洩
磁場の少ない荷電粒子除去器を用いているので、電子線
５に対する影響が小さい。特に試料への損傷を少なくす
るために１次電子線の加速電圧を数キロボルト以下に低
減した場合にも有効で、二次電子像の分解能を維持した
ままＸ線の検出が可能となる。
し、回折格子５０１にＸ線を導入するものであり、放物
面の内面を持つガラスの筒の内面に金属を蒸着して鏡を
形成したものである。これにより試料からのＸ線を効率
よく集めることが可能となる。荷電粒子除去器により試
料からの後方散乱電子がコリメータ５０２、回折格子５
０１に入射することが防止される。これにより、コリメ
ータ５０２、回折格子５０１に電子が衝突して有害なＸ
線を出すことがない。このため、雑音の少ないＸ線検出
が可能になっている。さらに、本発明の特徴である漏洩
磁場の少ない荷電粒子除去器を用いているので、電子線
５に対する影響が小さい。特に試料への損傷を少なくす
るために１次電子線の加速電圧を数キロボルト以下に低
減した場合にも有効で、二次電子像の分解能を維持した
ままＸ線の検出が可能となる。
【０１０１】このＸ線検出装置を用いれば、１次電子線
への悪影響を及ぼすことがなくＸ線検出器を試料へ近づ
けることができ、試料から検出器を見込む立体角が大き
くとれるので、試料からの特性Ｘ線の検出率が改善さ
れ、Ｘ線分析時間を大幅に短縮することができる。
への悪影響を及ぼすことがなくＸ線検出器を試料へ近づ
けることができ、試料から検出器を見込む立体角が大き
くとれるので、試料からの特性Ｘ線の検出率が改善さ
れ、Ｘ線分析時間を大幅に短縮することができる。
【０１０２】（第８の実施の形態）本発明による第８の
実施の形態を図１５を用いて説明する。図１５は本発明
の特徴である電子捕獲器と極低温Ｘ線検出器を設置した
電子顕微鏡を示した図である。極低温Ｘ線検出器は液体
窒素６０２と液体ヘリウム６０３により１００ミリケル
ビン以下の極低温に冷却したボロメーターと呼ばれる素
子６００を利用したもので、Ｘ線１がこの素子６００に
入射すると素子の温度が変化することを利用したもの
で、この温度変化量を検出して入射したＸ線のエネルギ
ーを計測するものである。これにより、半導体検出器の
５０分の１以下のエネルギー分解能でＸ線を検出するこ
とができる。本検出素子の有感面積は半導体検出器と比
較して小さいのが普通で、このため、検出素子６００と
試料９の間に挿入した集光レンズ６０１により、試料９
から発生するＸ線を検出素子６００に集光して検出立体
角を改善することができる。
実施の形態を図１５を用いて説明する。図１５は本発明
の特徴である電子捕獲器と極低温Ｘ線検出器を設置した
電子顕微鏡を示した図である。極低温Ｘ線検出器は液体
窒素６０２と液体ヘリウム６０３により１００ミリケル
ビン以下の極低温に冷却したボロメーターと呼ばれる素
子６００を利用したもので、Ｘ線１がこの素子６００に
入射すると素子の温度が変化することを利用したもの
で、この温度変化量を検出して入射したＸ線のエネルギ
ーを計測するものである。これにより、半導体検出器の
５０分の１以下のエネルギー分解能でＸ線を検出するこ
とができる。本検出素子の有感面積は半導体検出器と比
較して小さいのが普通で、このため、検出素子６００と
試料９の間に挿入した集光レンズ６０１により、試料９
から発生するＸ線を検出素子６００に集光して検出立体
角を改善することができる。
【０１０３】さらに、本発明の特徴である電子捕獲器３
を設置し、試料からの後方散乱電子が、検出素子６００
および、集光レンズ６０１に入射することがないように
なっており、雑音を低減している。電子捕獲器３の構成
は第１の実施の形態で用いたものと同じである。このＸ
線検出装置を用いれば、Ｘ線検出器を試料に近づけるこ
とができ、試料から検出器を見込む立体角が大きくとれ
るので、試料からの特性Ｘ線の検出率が改善され、Ｘ線
分析時間を大幅に短縮することができる。
を設置し、試料からの後方散乱電子が、検出素子６００
および、集光レンズ６０１に入射することがないように
なっており、雑音を低減している。電子捕獲器３の構成
は第１の実施の形態で用いたものと同じである。このＸ
線検出装置を用いれば、Ｘ線検出器を試料に近づけるこ
とができ、試料から検出器を見込む立体角が大きくとれ
るので、試料からの特性Ｘ線の検出率が改善され、Ｘ線
分析時間を大幅に短縮することができる。
【０１０４】試料損傷の低減のために１次電子線の加速
電圧を数キロボルト程度にした場合には、発生するX線
のエネルギーも制約されて、通常のＸ線分析に用いられ
るＫ線と呼ばれるＸ線が発生しないような元素の場合に
はＬ線、Ｍ線という低いエネルギーのＸ線を用いて分析
することになる。
電圧を数キロボルト程度にした場合には、発生するX線
のエネルギーも制約されて、通常のＸ線分析に用いられ
るＫ線と呼ばれるＸ線が発生しないような元素の場合に
はＬ線、Ｍ線という低いエネルギーのＸ線を用いて分析
することになる。
【０１０５】第５および第６の実施の形態で用いたＸ線
検出器では、非常に高いエネルギー分解能でＸ線を検出
することができるので、半導体検出器ではＸ線ピークの
重なりが生じて解析が困難になる場合にも有効である。
本発明によれば、低い加速電圧の一次電子線を用いた場
合においても、一次電子線のビーム形状や軌道が変化す
ることがないので、良好な試料観察が可能となる。
検出器では、非常に高いエネルギー分解能でＸ線を検出
することができるので、半導体検出器ではＸ線ピークの
重なりが生じて解析が困難になる場合にも有効である。
本発明によれば、低い加速電圧の一次電子線を用いた場
合においても、一次電子線のビーム形状や軌道が変化す
ることがないので、良好な試料観察が可能となる。
【０１０６】
【発明の効果】本発明によれば、Ｘ線検出器を試料に近
接させても、Ｘ線検出器の先端にある電子捕獲器から漏
洩する磁場が、電子線照射点及びその近傍で小さく出来
るので、また、磁路の大きさを小さくできるので、２次
電子像の移動や、非点収差による焦点ずれが大きくなら
ず、また、２次電子像の移動の補正も容易にでき、良好
な２次電子像が得られる。また、Ｘ線検出素子を試料に
近接できるので、Ｘ線検出感度を大きくすることが可能
となる。また、従来装置の改良も電子捕獲器の部分のみ
を交換するだけでよい。
接させても、Ｘ線検出器の先端にある電子捕獲器から漏
洩する磁場が、電子線照射点及びその近傍で小さく出来
るので、また、磁路の大きさを小さくできるので、２次
電子像の移動や、非点収差による焦点ずれが大きくなら
ず、また、２次電子像の移動の補正も容易にでき、良好
な２次電子像が得られる。また、Ｘ線検出素子を試料に
近接できるので、Ｘ線検出感度を大きくすることが可能
となる。また、従来装置の改良も電子捕獲器の部分のみ
を交換するだけでよい。
【図１】本発明の第１の実施の形態における電子顕微鏡
とＸ線検出装置の位置関係を示す上面図である。
とＸ線検出装置の位置関係を示す上面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における電子顕微鏡
内の試料との位置関係を示す上面図である。
内の試料との位置関係を示す上面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態を示す電子捕獲器の
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態を示す電子捕獲器の
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態におけるＸ線検出装
置を搭載した電子顕微鏡を示す概略図である。
置を搭載した電子顕微鏡を示す概略図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態における電子捕獲器
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】本発明による電子捕獲器と従来電子捕獲器の漏
洩電流分布を示す図である。
洩電流分布を示す図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態におけるＸ線検出装
置を搭載した電子顕微鏡を示す概略図である。
置を搭載した電子顕微鏡を示す概略図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態における電子捕獲器
を示す概略斜視図である。
を示す概略斜視図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態における電子捕獲
器を示す断面図である。
器を示す断面図である。
【図１１】本発明の第５の実施の形態を示す流れ図であ
る。
る。
【図１２】本発明の第６の実施の形態を示す全体図であ
る。
る。
【図１３】本発明の第６の実施の形態におけるＸ線検出
装置のＸ線検出部と試料を含む垂直断面図である。
装置のＸ線検出部と試料を含む垂直断面図である。
【図１４】本発明の第７の実施の形態の検査装置を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図１５】本発明の第８の実施の形態の検査装置を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図１６】従来のＸ線検出装置の原理と構成を示す構成
図である。
図である。
【図１７】従来の電子捕獲器を示す垂直断面図である。
【図１８】従来の電子捕獲器を示す垂直断面図である。
【図１９】従来の電子捕獲器を示す水平断面図である。
【図２０】従来の別の電子捕獲器を搭載した電子顕微鏡
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２１】従来の別の電子捕獲器を示す説明図である。
【図２２】従来の電子捕獲器を備えたＸ線検出装置と漏
洩磁場を示す断面図である。
洩磁場を示す断面図である。
【図２３】電子顕微鏡における電子線のビーム電流とビ
ーム径の関係を示す図である。
ーム径の関係を示す図である。
【図２４】本発明の第１の実施の形態を示す電子捕獲器
の別の断面図である。
の別の断面図である。
【図２５】本発明の第１の実施の形態を示す電子捕獲器
の断面図である。
の断面図である。
１…Ｘ線、２…電界効果トランジスタ、３…電子捕獲
器、４…反射電子、５…電子線、６…容器、７…冷却装
置、８…Ｘ線透過窓、９…試料、１０…電子線照射点、
１１、１１’…Ｘ線貫通孔、１２…冷却棒、１３…磁
路、１４、１５…スペーサ、１６…容器、１７…磁力
線、１８…Ｘ線、１９、１９’…スペーサ、２０…前置
増幅回路部、２１、２２、２３、２４…永久磁石、２５
…漏洩磁場、２７、２７’…磁路、２８、２８’…軟鉄
板、２９…アルミニウム板、３０…Ｘ線検出装置、３
２、３３…スペーサ、３４…永久磁石の対称中心軸、３
５…X線検出素子の中心軸、３６…フランジ、３７…Oリ
ング、３８…電子捕獲器の中心、５１…整形増幅回路、
５３…波高分析装置、６１…鏡体、６２…試料室、７２
…ベリリウム板、７４…Ｘ線通過孔、７５、７６、７７
…タンタル製ホルダー、７８…ベリリウム箔、７９…特
性Ｘ線、８０…冷却板、８１−１０１…Ｘ線検出素子、
１０６…冷却板、１０６’…冷却棒、１０７…コリーメ
ータ、１０８…容器、１０９…Ｘ線遮蔽カバー、２０１
…電子銃、２０２…電子線、２０３…収束レンズ、２０
４…対物レンズ、２０６…走査コイル、２０８…液体窒
素槽、２０９…電子線照射光学系、２１１…２次電子検
出器、２２０…前置増幅回路出力信号、２３１…真空容
器、２３５…試料台、２４０…X線検出器処理装置、２
４２…X線検出器入出力装置、２５０…電子顕微鏡制御
盤、２５１…電子顕微鏡入出力装置、２５４…真空排気
装置、２６０、２６１、２６２、２６３、２６４、２６
５、２６６、２６７，２６８，２６９…永久磁石、２７
０，２７１…磁路、３００…電子捕獲器、３１０…整形
回路出力信号、３６０…搬送路、３６１、３６２、３６
３、３６４…半導体加工装置、３６５…パーティクル・
パターン検査装置、３６６…再検査用電子顕微鏡、３６
７…高分解能電子顕微鏡、３６８…コンピュータ、４０
０…Ｘ線スペクトル、４０１…ボルト、４０２…押さえ
フランジ、４０３…押さえネジ、４０４…Ｏリング、５
００…比例計数管、５０１…回折格子、５０２…コリメ
ータ、６００…検出素子、６０１…集光レンズ、６０２
…液体窒素、６０３…液体ヘリウム、６０４…冷却遮蔽
板。
器、４…反射電子、５…電子線、６…容器、７…冷却装
置、８…Ｘ線透過窓、９…試料、１０…電子線照射点、
１１、１１’…Ｘ線貫通孔、１２…冷却棒、１３…磁
路、１４、１５…スペーサ、１６…容器、１７…磁力
線、１８…Ｘ線、１９、１９’…スペーサ、２０…前置
増幅回路部、２１、２２、２３、２４…永久磁石、２５
…漏洩磁場、２７、２７’…磁路、２８、２８’…軟鉄
板、２９…アルミニウム板、３０…Ｘ線検出装置、３
２、３３…スペーサ、３４…永久磁石の対称中心軸、３
５…X線検出素子の中心軸、３６…フランジ、３７…Oリ
ング、３８…電子捕獲器の中心、５１…整形増幅回路、
５３…波高分析装置、６１…鏡体、６２…試料室、７２
…ベリリウム板、７４…Ｘ線通過孔、７５、７６、７７
…タンタル製ホルダー、７８…ベリリウム箔、７９…特
性Ｘ線、８０…冷却板、８１−１０１…Ｘ線検出素子、
１０６…冷却板、１０６’…冷却棒、１０７…コリーメ
ータ、１０８…容器、１０９…Ｘ線遮蔽カバー、２０１
…電子銃、２０２…電子線、２０３…収束レンズ、２０
４…対物レンズ、２０６…走査コイル、２０８…液体窒
素槽、２０９…電子線照射光学系、２１１…２次電子検
出器、２２０…前置増幅回路出力信号、２３１…真空容
器、２３５…試料台、２４０…X線検出器処理装置、２
４２…X線検出器入出力装置、２５０…電子顕微鏡制御
盤、２５１…電子顕微鏡入出力装置、２５４…真空排気
装置、２６０、２６１、２６２、２６３、２６４、２６
５、２６６、２６７，２６８，２６９…永久磁石、２７
０，２７１…磁路、３００…電子捕獲器、３１０…整形
回路出力信号、３６０…搬送路、３６１、３６２、３６
３、３６４…半導体加工装置、３６５…パーティクル・
パターン検査装置、３６６…再検査用電子顕微鏡、３６
７…高分解能電子顕微鏡、３６８…コンピュータ、４０
０…Ｘ線スペクトル、４０１…ボルト、４０２…押さえ
フランジ、４０３…押さえネジ、４０４…Ｏリング、５
００…比例計数管、５０１…回折格子、５０２…コリメ
ータ、６００…検出素子、６０１…集光レンズ、６０２
…液体窒素、６０３…液体ヘリウム、６０４…冷却遮蔽
板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神田 公生 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会 社日立製作所計測器グループ内 Ｆターム(参考） 2G001 AA03 AA05 AA09 BA05 BA07 CA01 CA03 DA01 DA02 DA06 EA02 EA03 GA06 GA10 GA11 GA16 HA13 KA01 KA03 LA11 PA07 SA02 SA10 5C033 NN04
Claims (7)
- 【請求項１】試料を載置する試料台と、 前記試料台上の試料に第1の荷電粒子線を照射する第1の
荷電粒子線照射装置と、 前記第1の荷電粒子線照射装置により、前記試料に前記
第1の荷電粒子線を照射した際発生するX線を検出するX
線検出素子と、 前記第1の荷電粒子線による前記試料上の照射点と前記X
線検出素子とを結んだ直線を挟んで配列される一対の永
久磁石と、 前記一対の永久磁石の配列方向と垂直方向の，前記一対
の永久磁石の両側に、前記直線を含み前記配列方向に垂
直な第１の平面を挟んで対向する対を一対ずつ配設され
る二対の永久磁石とを備え、 該二対の永久磁石は、前記一対の永久磁石によって前記
照射点に形成される漏洩磁界を相殺する方向の磁界を前
記照射点に発生するX線検出装置。 - 【請求項２】前記一対の永久磁石は互いに対向する面が
異なる極性となる様配列され、前記二対の永久磁石は互
いに対向する面が異なる極性となる様配列され，且その
極性配列順序は前記一対の永久磁石の極性配列順序とは
逆である請求項１記載のX線検出装置。 - 【請求項３】前記一対の永久磁石の磁極の強さが、前記
二対の永久磁石の磁極の強さの和にほぼ等しい請求項１
又は２記載のX線検出装置。 - 【請求項４】前記一対の永久磁石の各々の，前記第１の
平面に平行な断面積が、前記二対の永久磁石の各々の，
前記第１の平面に平行な断面積のほぼ２倍である請求項
１−３の何れかに記載のX線検出装置。 - 【請求項５】前記一対の永久磁石と前記二対の永久磁石
とは、非磁性体材料からなるスペーサを介して配列され
ている請求項１−４の何れかに記載のX線検出装置。 - 【請求項６】前記一対の永久磁石の各々は、同じ大きさ
の二つの磁石片を隣接させたものからなり、前記二対の
永久磁石の各々は、前記磁石片の一つからなる請求項１
−５の何れかに記載のX線検出装置。 - 【請求項７】試料を載置する試料台と、 電子源と、 前記試料台上の前記試料を、前記電子源からの一次電子
線で走査及び照射のそれぞれを行う走査コイルおよび対
物レンズと、 前記試料から発生する２次電子を検出する，前記対物レ
ンズと前記試料台の間に配置された２次電子検出器と、 前記２次電子検出器の信号を、前記走査コイルに入力す
る走査信号と同期させて２次電子像を表示する表示装置
と、 前記試料から発生するＸ線を検出するＸ線検出器と、 前記Ｘ線検出器の前記試料台側に前記Ｘ線検出器の軸を
挟んで配列される一対の永久磁石と、 前記一対の永久磁石の配列方向と垂直方向の，前記一対
の永久磁石の両側に、前記軌道を含み前記配列方向に垂
直な平面を挟んで対向する対を一対ずつ配設される二対
の永久磁石とを備え、 該二対の永久磁石は、前記一対の永久磁石によって前記
試料の位置に形成される漏洩磁界を相殺する方向の磁界
を前記試料の位置に発生する荷電粒子捕獲器と、 前記荷電粒子捕獲器との位置に対応させて前記２次電子
像の位置を移動する機構を有することを特徴とする荷電
粒子線装置。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP2001018427A JP2002221504A (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | Ｘ線検出装置および荷電粒子線装置 |
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| US10/020,905 US6653637B2 (en) | 2001-01-26 | 2001-12-19 | X-ray detector and charged-particle apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001018427A JP2002221504A (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | Ｘ線検出装置および荷電粒子線装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002221504A true JP2002221504A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18884456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001018427A Pending JP2002221504A (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | Ｘ線検出装置および荷電粒子線装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1227315A3 (ja) |
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| JP2020057514A (ja) * | 2018-10-02 | 2020-04-09 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡 |
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| WO2021202562A1 (en) * | 2020-04-01 | 2021-10-07 | Thermo Electron Scientific Instruments Llc | Wide field-of-view charged particle filter |
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- 2001-12-19 US US10/020,905 patent/US6653637B2/en not_active Expired - Fee Related
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