JP2010284616A - 電子機器の回復方法および装置 - Google Patents

Abstract

【課題】安定的にしかも安価に、浸水事故にあった電子機器が電気的に動作する正常状態に回復させることを目的とする。
【解決手段】電子機器の回復装置１は、筐体２の上面部に矢印θ方向に開閉される開閉蓋６を備え、開閉蓋６を開けた筐体２の上面部内が電子機器を収容するためのチャンバ８を備える。このチャンバ８内には開閉蓋６の下面部に吊着状態で配設する籠状の収容部９に、例えば携帯電話機１０を収容可能としている。こうして収容部９に携帯電話機１０を収容した状態において、開閉蓋６を閉操作し、電子機器（携帯電話機１０）をチャンバ８内に密閉状態で収容し、チャンバ８内において真空状態で加熱乾燥することが可能となる。これにより、例えば浸水事故にあった携帯電話機１０を、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させることが可能となる。
【選択図】図２

Description

本発明は、携帯電話機、デジタルカメラ、携帯音楽プレーヤーなど、半導体基板や液晶表示装置が装備された電子機器において、これらの電子機器が水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水が付着する浸水事故にあった状態から、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させるための浸水事故にあった電子機器の回復方法および装置に関する。

一般に携帯電話機などの電子機器をトイレや浴槽内や海に落とし、当該電子機器を水に浸漬したり、あるいは電子機器に水または海水を付着させた場合、内部の半導体基板や液晶表示装置の回路に様々な不純物が付着するため、たとえ乾燥させたとしても回路に短絡等が発生し、元どおり電気的に動作する正常状態に回復できないものとされている。

こうした電子機器の浸水事故は、電子機器に記憶された重要なメモリデータが失われることを意味し、再び同様な電子機器を購入し、再度データを当該電子機器に入力しなければならないため、経済的にも大きな損失をもたらすものとされている。液晶表示装置が装備された電子機器においては、液晶画面において動作不良が生じ、使用できない不具合も指摘されていた。

このような浸水事故にあった電子機器を電気的に元どおり動作する正常状態に回復させるため、従来下記特許文献１に示す洗浄装置が提案されている。

特許第３９６２８０４号公報

この洗浄装置は、浸水事故にあった電子機器を高純度の純水が貯溜された処理槽で洗浄するものとされ、しかも処理槽内の水の純度を常に高純度に保つ制御手段を備えることを内容としている。

このため、装置が複雑かつ高価なものとされ、中々普及されていないのが現状とされている。

本願の発明者は、こうした状態のなかで真空チャンバを利用して浸水事故にあった電子機器を、元どおり電気的に動作する正常状態に回復させる様々な実験を繰り返したところ、ほぼ完全に回復することを可能とした電子機器の回復方法および装置を開発するに至った。

本発明は、安定的にしかも安価に、浸水事故にあった電子機器が電気的に動作する正常状態に回復させることを目的とするものである。

本発明の請求項１は、半導体基板や液晶表示装置が装備された電子機器において、当該電子機器が水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水が付着する浸水事故にあった状態から、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させるための浸水事故にあった電子機器の回復方法にあって、浸水事故にあった電子機器を真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を１０分以上乾燥する乾燥工程を備えることとしたものである。

また本発明の請求項２は、半導体基板や液晶表示装置が装備された電子機器において、当該電子機器が水または海水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水または海水が付着する浸水事故にあった状態から、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させるための浸水事故にあった電子機器の回復方法にあって、浸水事故にあった電子機器を真水が貯溜された水槽内に浸漬させる状態で真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態とし、水槽内の電子機器を真水で２０秒から８０秒の間、沸騰洗浄する真空洗浄工程と、真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽の真水を排水し、電子機器を水槽内から取り出して再び真空チャンバ内に収容し、あるいは真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽内の真水を排水した状態で電子機器を真空チャンバ内に収容したままの状態とし、この状態で該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を２５分以上乾燥する加熱乾燥工程と、を備えることとしたものである。

また本発明の請求項３は、半導体基板や液晶表示装置が装備された電子機器において、当該電子機器が水または海水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水または海水が付着する浸水事故にあった状態から、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させるための浸水事故にあった電子機器の回復方法にあって、浸水事故にあった電子機器を真水が貯溜された水槽内に浸漬させる状態で真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態とし、水槽内の電子機器を真水で２０秒から８０秒の間、沸騰洗浄する第１次真空洗浄工程と、第１次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽の真水を排水し、電子機器を水槽内から取り出して再び真空チャンバ内に収容し、あるいは第１次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽内の真水を排水した状態で電子機器を真空チャンバ内に収容したままの状態とし、この状態で該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を１８０秒以上乾燥する第１次加熱乾燥工程と、第１次加熱乾燥工程で加熱乾燥された電子機器を再び真水が貯溜された真空チャンバ内の水槽に浸漬させる状態で真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態とし、水槽内の電子機器を真水で２０秒から８０秒の間、沸騰洗浄する第２次真空洗浄工程と、第２次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽の真水を排水し、電子機器を水槽内から取り出して再び真空チャンバ内に収容し、あるいは第２次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽内の真水を排水した状態で電子機器を真空チャンバ内に収容したままの状態とし、この状態で該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を４５分以上乾燥する第２次加熱乾燥工程と、を備えることとしたものである。

また本発明の請求項４は、半導体基板や液晶表示装置が装備された電子機器において、当該電子機器が水または海水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水または海水が付着する浸水事故にあった状態から、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させるための浸水事故にあった電子機器の回復方法にあって、浸水事故にあった電子機器を真水が貯溜された水槽内に浸漬させる状態で真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態とし、水槽内の電子機器を真水で２０秒から８０秒の間、沸騰洗浄する第１次真空洗浄工程と、第１次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽の真水を排水し、電子機器を水槽内から取り出して再び真空チャンバ内に収容し、あるいは第１次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽内の真水を排水した状態で電子機器を真空チャンバ内に収容したままの状態とし、この状態で該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を１８０秒以上乾燥する第１次加熱乾燥工程と、第１次加熱乾燥工程で加熱乾燥された電子機器を再び真水が貯溜された真空チャンバ内の水槽に浸漬させる状態で真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態とし、水槽内の電子機器を真水で２０秒から８０秒の間、沸騰洗浄する第２次真空洗浄工程と、第２次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽の真水を排水し、電子機器を水槽内から取り出して再び真空チャンバ内に収容し、あるいは第２次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽内の真水を排水した状態で電子機器を真空チャンバ内に収容したままの状態とし、この状態で該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を１８０秒以上乾燥する第２次加熱乾燥工程と、第２次加熱乾燥工程で加熱乾燥された電子機器を再び真水が貯溜された真空チャンバ内の水槽に浸漬させる状態で真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態とし、水槽内の電子機器を真水で２０秒から８０秒の間、沸騰洗浄する第３次真空洗浄工程と、第３次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽の真水を排水し、電子機器を水槽内から取り出して再び真空チャンバ内に収容し、あるいは第３次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽内の真水を排水した状態で電子機器を真空チャンバ内に収容したままの状態とし、この状態で該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を６０分以上乾燥する第３次加熱乾燥工程と、を備えることとしたものである。

また本発明の請求項５は、半導体基板や液晶表示装置が装備された電子機器にあって、当該電子機器が水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水が付着する浸水事故にあった状態から、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させるための浸水事故にあった電子機器の回復装置であって、浸水事故にあった電子機器を収容可能とし、内部に真水を貯溜し、あるいは排水可能とし、電子機器を真水に浸漬自在としてなる水槽を、その内部に備えた真空チャンバと、真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度帯域で加熱調整可能とする加熱装置と、真空チャンバ内の真空状態を大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上に設定調整可能とする真空度調整手段と、を備えることとしたものである。

本発明によれば、電子機器が水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水が付着する浸水事故にあった状態から、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に、安定的に回復させることが可能となる。しかも回復には、大がかりな装置も必要とせず、真空チャンバ、水槽、加熱装置を利用し、行うことが可能となる。これにより、安定的にしかも安価に、浸水事故にあった電子機器が電気的に動作する正常状態に回復させることができるという効果がある。

本発明の実施形態に係る電子機器の回復装置を示す全体斜視図である。 図１の回復装置の開閉蓋をあけ、内部のチャンバ内に電子部品としての携帯電話を収容する状態を示す斜視図である。 回復装置の側面図である。 回復装置の側断面図である。 回復装置の制御系統を示す断面図である。 回復装置の表示パネルを示す正面図である。 回復装置の操作メニューのうち、レベル１のメニューに係る各回復プロセスを示すフローチャートである。 回復装置の操作メニューのうち、レベル２のメニューに係る各回復プロセスを示すフローチャートである。 回復装置の操作メニューのうち、レベル３のメニューに係る各回復プロセスを示すフローチャートである。 回復装置の操作メニューのうち、真空状態での加熱乾燥の結果を示す図である。 回復装置の操作メニューのうち、レベル１のメニューで加熱乾燥した結果を示す図である。 回復装置の操作メニューのうち、レベル２のメニューで加熱乾燥した結果を示す図である。 回復装置の操作メニューのうち、レベル３のメニューで加熱乾燥した結果を示す図である。 本発明の実施例に係る電子機器の回復装置の開閉蓋をあけ、内部のチャンバ内に電子部品としての携帯電話を収容する状態を示す斜視図である。 実施例に係る回復装置の側断面図である。

以下、本発明の実施するための形態を図面に基づいて説明する。図１ないし図６は、本発明の実施形態に係る電子機器の回復装置に係り、例えば携帯電話機、電子手帳など比較的小型で、半導体基板を内蔵し、かつ液晶表示装置を装備した電子機器を正常に動作させるためのものである。すなわち、この電子機器の回復装置は、電子機器が水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水が付着する浸水事故にあった状態から、内蔵される半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させるためのものとされる。

この電子機器の回復装置１は、図１に示すように全体立方体形状の箱形からなる筐体２を備え、その前面部に液晶表示装置からなる表示操作パネル３を備えてなる。筐体２は全体金属製からなり、回復装置１の筐体２の側面部には、主電源スイッチ４が備えられ、この主電源スイッチ４をＯＮ操作すると表示操作パネル３上に図６に示す操作画面が電光表示されることとなる。

表示操作パネル３上の操作画面に電光表示された開／閉スイッチ５を開操作（押圧操作）すると（図６参照）、図２に示すように回復装置１の筐体２の上面部に備えられる開閉蓋６がヒンジ７の部分を中心に矢印θ方向に開作動される。すなわち、この開閉蓋６を開けた筐体２の上面部内が電子機器を収容するためのチャンバ８とされ、チャンバ８は開閉蓋６を開作動することで内部に電子機器を収容可能とし、該収容状態で開閉蓋６を再び閉操作（開／閉スイッチ５を閉操作）することで電子機器をチャンバ８内に密閉状態で収容することが可能とされる。

ここで電子機器は、開閉蓋６の下面部に吊着状態で配設される籠状の収容部９に対し、図２の矢印に示すように収容可能とされ、実施形態では電子機器として半導体基板を内蔵し、液晶表示部を備えた携帯電話機１０を収容部９に収容することとしている。もちろん回復装置１としては、この他電子手帳、携帯型音楽プレーヤー、電子辞書、デジタルカメラなど半導体基板を内蔵し、かつ液晶表示装置を装備した電子機器で、この収容部９に収容可能な大きさのものであれば、その使用が可能である。

図４および図５に示すように、開閉蓋６を閉めた状態においてチャンバ８内は密閉された空間を画成可能とされ、開閉蓋６を閉めた状態においてチャンバ８を構成するシンク部材１１（水槽）の上方開口の周部には、開閉蓋６と接するＯリング１２が配設される（図５参照）。すなわち、チャンバ８は開閉蓋６を閉めた状態において、このＯリング１２の部分でその内部の気密状態、水密状態を保持され、外部と隔絶可能とされる。

また回復装置１の内部には、図４に示すように加熱装置としての遠赤外線ヒータ１３が配設される。ヒータ１３は、開閉蓋６の閉塞状態において、開閉蓋６の下面に配設される収容部９と対向する状態でシンク部材１１（水槽）の内部に固定配置され、チャンバ８の内部全体を加熱状態にすることを可能としている。このヒータ１３は、回復装置１の外部から供給される電源（不図示）により駆動可能とされ、該ヒータ１３の駆動は図５に示すコントローラ３０により制御される。

また回復装置１の内部には、図４に示すようにシンク部材１１（水槽）の内部に洗浄水（真水）を供給し、貯溜するための給水口１４が備えられる。すなわち、回復装置１の内部には、装置１の外部より洗浄水（真水）を装置１内に導水するための導水管路１５が接続され、装置１の内部には導水弁１６を介して外部から給水される洗浄水を、装置１内に一時貯留するための貯留タンク１７が備えられる。さらに回復装置１の内部には、貯留タンク１７に貯留された洗浄水（真水）を、給水管路１８を介して給水口１４に向けて供給するための洗浄水圧送ポンプＰ２と、給水弁２０が備えられる。洗浄水圧送ポンプＰ２の駆動、並びに給水弁２０の開閉操作は図５に示すコントローラ３０により制御される。

また回復装置１の内部には、給水口１４よりシンク部材１１（水槽）の内部に供給され、貯溜された洗浄水（真水）を、装置１の外部に排水するための排水管路２１が備えられ、シンク部材１１（水槽）の底部には排水管路２１に向けてシンク部材１１（水槽）の内部に貯溜された洗浄水（真水）を排水するための排水口２２が備えられる。また排水管路２１中にはシンク部材１１（水槽）の内部に貯溜された洗浄水（真水）を排水操作するための排水弁２３が備えられ、該排水弁２３の開閉操作についても図５に示すコントローラ３０により制御される。

また回復装置１の内部には、図４に示すようにシンク部材１１（水槽）上方の開閉蓋６を閉められ、チャンバ８内は密閉された状態において、該チャンバ８内を真空とし、内部を真空チャンバとしての空間とするための排気管路２４が備えられる。すなわち、回復装置１の内部には、図４に示すように真空ポンプＰ１が配設され、該真空ポンプＰ１は排気管路２４を介してチャンバ８内の空気を吸引してポンプ排気口２６より排気可能とし、排気管路２４には排気弁２７が備えられる。また排気管路２４のシンク部材１１（水槽）側には、チャンバ８に臨む状態で排気口２８が備えられる。すなわち、排気弁２７が開操作され、真空ポンプＰ１が駆動すると、排気口２８より密閉状態とされたチャンバ８より空気が排気されることとなる。するとシンク部材１１の内部が真空状態となり、真空チャンバとして大気圧より減圧していくこととなる。ここで真空ポンプＰ１の駆動、並びに排気弁２７の開閉操作についても図５に示すコントローラ３０により制御される。また、洗浄水圧送ポンプＰ２や真空ポンプＰ１の駆動は、前記ヒータ１３と同様に、回復装置１の外部から供給される電源（不図示）により駆動可能とされる。さらに導水弁１６、給水弁２０、排水弁２３、排気弁２７のそれぞれは電磁開閉弁とされ、その開閉駆動についても外部から供給される電源（不図示）により行われる。

さらに、回復装置１の内部のチャンバ８内には、図５に示すように上部水位センサ３１，下部水位センサ３２が配設されるとともに、チャンバ８内の真空度を計測する圧力センサ３３と、チャンバ８内の温度を計測する温度センサ３４が配設される。各センサ３１，３２，３３，３４の計測値についても、図５に示すコントローラ３０に入力される。

コントローラ３０にはタイマー３５が接続され、該タイマー３５はヒータ１３によるチャンバ８内の加熱時間、真空ポンプＰ１の駆動により真空状態とされるチャンバ８内の減圧時間、水槽としてのシンク部材１１の内部に洗浄水（真水）を供給して貯溜し、籠状の収容部９に収容される電子機器（携帯電話機１０）を洗浄水（真水）に浸漬する時間、のそれぞれを計測するものとされる。

コントローラ３０には、前記ヒータ１３の駆動をＯＮとし、上記チャンバ８内の温度を６０℃から１２０℃の温度帯域で加熱調整可能とする加熱調製手段３０Ａが備えられる。この加熱調製手段３０Ａは、温度センサ３４から入力され、チャンバ８内のヒータ１３の近部の雰囲気温度を計測して、その温度をフィードバックしながらチャンバ８内の温度を６０℃から１２０℃の温度帯域で加熱調整可能としている。また、コントローラ３０には、チャンバ８内の真空状態を大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上に設定調整可能とする真空度調整手段３０Ｂが備えられる。この真空度調整手段３０Ｂも、圧力センサ３３から入力され、チャンバ８内の真空度を計測して、その真空度をフィードバックしながらチャンバ８内の真空状態を大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上に調整可能としている。さらにコントローラ３０には、加熱調製手段３０Ａによるチャンバ８内の加熱時間、真空度調整手段３０Ｂによるチャンバ８内の減圧時間を設定調整可能とするためのタイマー設定手段３０Ｃが備えられる。タイマー設定手段３０Ｃは、タイマー３６に対して上記加熱時間あるいは減圧時間を設定入力し、チャンバ８内の加熱あるいはチャンバ８内の減圧を実行する場合に、タイマー３６から予め設定された時間の経過時間を入力し、コントローラ３０はこれに基づき加熱時間と減圧時間の計測し、カウントするものとされる。

さらにコントローラ３０には、チャンバ８のシンク部材１１に洗浄水を供給して貯溜し、あるいはシンク部材１１内に貯溜された洗浄水を排水するための給・排水調整手段３０Ｄが備えられる。すなわち、この給・排水調整手段３０Ｄは、給水モードの状態において給水弁２０を開操作し、貯溜タンク１７内の洗浄水を給水口１４よりシンク部材１１内に供給し、上部水位センサ３１がその水位を感知するまでの間、洗浄水をシンク部材１１に供給し続ける。その結果、閉塞状態にある開閉蓋６の下面に配設される収容部９において、収容される携帯電話機１０を図４に示すようにシンク部材１１の内部に浸漬することが可能となる。なお、この給水モードの状態において排水弁２３は閉状態に操作される。

給・排水調整手段３０Ｄは、排水モードの状態において給水弁２３を開操作し、チャンバ８のシンク部材１１に貯溜された洗浄水を排水口２２から排水管路２１へと排水し、回復装置１外へと排水することを可能にしている。すなわち、この給・排水調整手段３０Ｄは、排水モードの状態において、下部水位センサ３１がその水位を感知しなくなった後、しばらくの間（３０〜６０秒間）、排水弁３３を開操作し続けることとし、その後排水弁３３を閉操作することとしている。

なお、給・排水手段３０Ｄは貯溜タンク１７内の洗浄水の水位レベルについても不図示の水位センサにて感知することを可能とし、常時タンク１７内が一定の水位を保持できるように導水弁１６を開閉操作し、導水管路１５を介して外部より洗浄水を装置１内に給水可能にしている。

次に、この電子機器の回復装置１を用い、電子機器としての携帯電話機１０にあって、当該携帯電話機１０に水に浸漬され、あるいは当該携帯電話機１０に水が付着する浸水事故にあった状態から、携帯電話機１０の半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させる方法を説明する。

回復装置１による電子機器（携帯電話機１０）の回復は、図６に示す表示操作パネル３上の各タッチスイッチを押圧操作して実行され、回復方法としては各タッチスイッチをマニュアル設定して実行する方法と、予めコントローラ３０内において設定されたオートメニューを各メニュースイッチを押圧操作して実行する方法とがある。

マニュアル設定は、上記コントローラ３０における加熱調整手段３０Ａ、真空調整手段３０Ｂ、タイマー設定手段３０Ｃ、給・排水設定手段３０Ｄの設定とその実行をマニュアル操作で行うものである。

マニュアル操作に際しては、予め主電源スイッチ４をＯＮとして開閉蓋６を開操作し（開／閉スイッチ５の開操作）、収容部９内に携帯電話機１０を収容させて開閉蓋６を開操作（開閉スイッチ５の閉操作）しておく。こうしてチャンバ８内に携帯電話機１０を密閉状態で収容させた状態で、先ず真空調整手段３０Ｂをマニュアル設定する場合、表示操作パネル３の上部右側に配設されるＵＰまたはＤＯＷＮするスイッチ３６Ａを操作し、目標とするチャンバ８内真空状態を設定調整する。スイッチ３６Ａの操作により調整される圧力は、表示操作パネル３の略中央上部の圧力表示部３７に表示される。該表示された圧力をコントローラ３０内の真空調整手段３０Ｂにおいて設定する場合、スイッチ３６Ａの右側に表示されるＳＥＴスイッチ３６Ｂを押圧操作して行うことが可能となる。

こうして各スイッチ３６Ａ、３６Ｂの押圧操作（例えば圧力を１０ｋｐａとする場合、スイッチ３６ＡをＵＰまたはＤＯＷＮに押圧し、圧力表示部３７に１０ｋｐａの表示を行った後、ＳＥＴスイッチ３６Ｂを押圧操作）した状態において、チャンバ８内を該設定される真空状態（真空圧状態：１０ｋｐａ）とする減圧時間を設定するため、表示操作パネル３の下部右側に配設されるＵＰまたはＤＯＷＮするスイッチ３８Ａを操作する。これにより目標とするチャンバ８内の減圧時間（例えば３５秒）をＵＰまたはＤＯＷＮするスイッチ３８Ａの押圧操作により調整することが可能となる。スイッチ３８Ａの操作により調整される減圧時間は、表示操作パネル３の略中央下部の時間表示部３９に表示される。該表示された圧力をコントローラ３０内のタイマー設定手段３０Ｃにおいて設定する場合、スイッチ３８Ａの右側に表示されるＳＥＴスイッチ３８Ｂを押圧操作して行うことが可能となる。

このようにして、チャンバ８内の目標真空度とその減圧時間をマニュアル設定させた状態において、その設定を実行操作させる場合、表示操作パネル３の略中央の下部における実行スイッチ４０を押圧操作する。するとコントローラ３０が真空度調整手段３０Ｂでマニュアル設定された圧力（１０ｋｐａ）、並びにタイマー設定手段３０Ｃでマニュアル設定された減圧時間（３５秒）において、チャンバ８内を真空状態に減圧させることが可能となり、チャンバ８内の収容部９に収容される携帯電話機１０を、大気圧より減圧して真空状態で乾燥することが可能となる。

次に、チャンバ８内に携帯電話機１０を密閉状態で収容し、加熱調整手段３０Ａをマニュアル設定する場合を説明する。先ず設定のための調整は、表示操作パネル３のスイッチ３６Ａと３８Ａの間に配設されるＵＰまたはＤＯＷＮするスイッチ４１Ａを押圧操作し、目標とするチャンバ８内の温度状態（加熱状態）を設定調整する。スイッチ４１Ａの操作により調整される温度は、表示操作パネル３の略中央で、圧力表示部３７と時間表示部３９の間において温度表示部４２として表示される。該温度表示部４２に表示された圧力をコントローラ３０内の加熱調整手段３０Ａにおいて設定する場合、スイッチ４１Ａの右側に表示されるＳＥＴスイッチ４１Ｂを押圧操作して行うことが可能となる。

こうして各スイッチ４１Ａ、４１Ｂの押圧操作（例えば温度を１２０℃とする場合、スイッチ４１ＡをＵＰまたはＤＯＷＮに押圧し、温度表示部４２に１２０℃の表示を行った後、ＳＥＴスイッチ４１Ｂを押圧操作）した状態において、チャンバ８内を該設定する温度状態（温度状態：１２０℃）とする加熱時間を設定するため、上記ＵＰまたはＤＯＷＮするスイッチ３８Ａを押圧操作する。これにより目標とするチャンバ８内の加熱時間（例えば２分）をＵＰまたはＤＯＷＮするスイッチ３８Ａの押圧操作により調整することが可能となる。スイッチ３８Ａの操作により調整される加熱時間は、時間表示部３９において表示され、該表示された加熱時間をコントローラ３０内のタイマー設定手段３０Ｃにおいて設定する場合、ＳＥＴスイッチ３８Ｂを押圧操作して行うことが可能となる。

このようにして、チャンバ８内の目標温度状態とその加熱時間をマニュアル設定させた状態において、その設定を実行させる場合、上記実行スイッチ４０を押圧操作する。するとコントローラ３０が、加熱調整手段３０Ａでマニュアル設定された温度（１２０℃）、並びにタイマー設定手段３０Ｃでマニュアル設定された加熱時間（例えば２分）において、チャンバ８内をヒータ１３による加熱温度状態に調整することが可能となり、チャンバ８内の収容部９に収容される携帯電話機１０を加熱状態で乾燥することが可能となる。

なお、チャンバ８内に携帯電話機１０を密閉状態で収容させ、チャンバ８内をコントローラ３０の真空度調整手段３０Ｂで目標とする真空度を設定し、かつ加熱調整手段３０Ａで目標とするチャンバ８内の温度状態を設定し、これら目標とする真空度と温度状態において、減圧時間と加熱時間を設定する場合は、先ず上記スイッチ３６ＡとＳＥＴスイッチ３６Ｂの押圧操作で真空度を設定し、次いで上記スイッチ４１ＡとＳＥＴスイッチ４１Ｂの押圧操作で加熱温度状態を設定する。その後、スイッチ３８ＡとＳＥＴスイッチ３８Ｂを押圧操作し、チャンバ８内における真空状態での加熱乾燥時間を設定することが可能となる。こうしてコントローラ３０の加熱調整手段３０Ａ、真空度調整手段３０Ｂ、タイマー設定手段３０Ｃで、それぞれ目標真空度、目標温度状態、減圧時間、加熱時間がそれぞれ設定されることとなる。こうして設定された状態を実行させる場合、実行スイッチ４０を押圧操作する。この結果、コントローラ３０が加熱調整手段３０Ａでマニュアル設定された温度（例えば１２０℃）、真空度調整手段３０Ｂでマニュアル設定された圧力（例えば１０ｋｐａ）、並びにタイマー設定手段３０Ｃでマニュアル設定された減圧および加熱時間（例えば２分３０秒）においてチャンバ８内を真空状態に減圧し、かつヒータ１３で加熱することが可能となり、チャンバ８内の収容部９に収容される携帯電話機１０を真空状態で加熱乾燥することが可能となる。

さらにチャンバ８内に携帯電話機１０を密閉状態で収容させ、コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄをマニュアル設定する場合について説明する。チャンバ８内のシンク部材１１に洗浄水を供給し、該シンク部材１１内に洗浄水を貯溜させて、収容部９内の携帯電話機１０を洗浄水に浸漬させる場合、表示操作パネル３上の水注入スイッチ４３を押圧操作する。するとコントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが給水モードとなり、給水弁２０が開操作されて給水口１４より洗浄水がシンク部材１１内に供給される。ここで洗浄水は、携帯電話機１０が浸漬されるまでの水位レベルまで供給されることになる。一方、シンク部材１１に貯溜された洗浄水を排水する場合においては、表示操作パネル３上のドレインスイッチ４４を押圧操作する。するとコントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄ排水モードとなり、排水弁３３が開操作されてシンク部材１１に貯溜された洗浄水を排水口２２から排水することが可能となる。

チャンバ８内において、上記のように携帯電話機１０を密閉状態で収容させ、上記給・排水調整手段３０Ｄによりシンク部材１１に洗浄水を供給して携帯電話機１０をシンク部材１１内で洗浄水に浸漬させた後において、上記のようにコントローラ３０の加熱調整手段３０Ａ、真空調整手段３０Ｂ、タイマー設定手段３０Ｃをそれぞれマニュアル操作で設定し、チャンバ８内で洗浄水に浸漬される携帯電話機１０を、加熱状態、あるいは真空状態、さらに一定の加熱真空状態で収容し、この状態で設定される加熱時間あるいは減圧時間の間、収容される携帯電話機１０を加熱あるいは減圧させることも可能となる。

特に、チャンバ８内において携帯電話機１０を密閉状態で収容させ、しかもシンク部材１１の内部において洗浄水を貯溜して、携帯電話機１０を洗浄水に浸漬させた状態で真空ポンプＰ１を駆動させると、シンク部材１１の内部において貯溜される洗浄水が沸騰状態となり、携帯電話機１０は収容部９内で沸騰洗浄されることとなる。しかもチャンバ８内に貯溜される洗浄水は、真空ポンプＰ１の駆動によって排気口２２から排気管路２４を介して外部へ蒸発（真空蒸発）されて排気あるいは排水されることとなり、シンク部材１１に貯溜されていた洗浄水は短時間でシンク部材１１からなくなることとなる。こうした洗浄水による沸騰洗浄は、ヒータ１３により携帯電話機１０を加熱することでより効率的に行われることとなる。すなわち、この状態において携帯電話機１０の内部の半導体基板や液晶表示装置の基板に付着されたナトリウム分や微細なゴミに関しても、上記のような加熱による沸騰洗浄により、速やかに除去することが可能になるものと推測され、洗浄を行った水は上記のように蒸発（真空蒸発）する状態で、取り除かれたナトリウム分、ミネラル、微細なゴミとともに排気口２２より排気あるいは排水されることとなる。これにより、ヒータ１３による加熱と相俟って、収容部９内に収容される携帯電話機１０を加熱状態で乾燥させることが可能となる。

上記のように、チャンバ８内に収容される携帯電話機１０は、表示操作パネル３上の各スイッチ３６Ａ、３６Ｂ、３８Ａ、３８Ｂ、４１Ａ、４１Ｂ、４０、４３、４４をマニュアル操作することで回復可能とされる他、同じ表示操作パネル３上の左側に配置されるオートメニューに係る各スイッチを選択状態で押圧操作することによっても回復可能とされ、先ずオートメニューのうち、加熱乾燥スイッチ４５を押圧操作し、チャンバ８内に収容される携帯電話機１０を加熱乾燥するプロセスを次に説明する。

この加熱乾燥プロセスは、例えば携帯電話機１０等の電子機器に水道水（真水）が付着したり、手洗場の水道水に携帯電話機１０を僅かな時間（例えば１０秒程度）、落下させた場合など、比較的軽度な浸水事故にあった携帯電話機１０の半導体基板や液晶装置等を、電気的に動作する正常状態に回復させるための回復装置１の駆動制御メニュー（請求項１に対応する方法）とされる。

すなわち、この程度の浸水事故であればチャンバ１８のシンク部材１１内に洗浄水を供給させる必要がなく、給・排水調整手段３０Ｄを駆動させずに電子機器を動作回復することが可能とされる。この加熱乾燥プロセスにおいては、浸水事故にあった携帯電話機１０を上記のようにチャンバ８の収容部９に密閉収容し、この状態で加熱乾燥スイッチ４５が押圧操作すると、次の各状態でコントローラ３０が動作され、電子機器としての携帯電話機１０の乾燥工程が実行されて、その機能回復が可能となる。
（１）動作１
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（２）動作２
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧から減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（３）動作３
上記動作１の温度状態、上記動作２の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を１０分以上に設定する。
（４）動作４
上記動作１ないし動作３の設定状態を実行し、チャンバ８を所定時間、加熱し、減圧してチャンバ８内に収容される携帯電話機１０を加熱乾燥する。

こうした前記実施形態に係る回復装置１乾燥工程を経て加熱乾燥された電子機器（携帯電話機１０）の回復状態については、図１０に示されるところである。この実験結果は、携帯電話機１０を水道水からなる水質の水に２０秒間落下させ、これを取り出し上記乾燥工程でその機能回復を行ったもののデータである。実験は庫内温度（チャンバ内温度：加熱状態）を６０℃から８０℃の間で変化させるとともに、真空乾燥の時間（加熱および減圧時間）を４５℃から１０分の間で変化させて行った。また真空状態についても５ｋｐａと１０ｋｐａの２通りで変化させ、１８のサンプルデータについて、上記乾燥工程で真空加熱乾燥させた状態の携帯電話機１０の動作を確認して行った。なお、真空ポンプＰ１の排気速度は６０ｌ／ｍｉｎ（５０ＨＺ）とした。その結果、いずれの携帯電話機１０のサンプルについても図１０の「結果」が示すように、電気的に正常に動作される結果が示されたところである。すなわち、この実験結果から、携帯電話機１０に水が付着されたり、また僅かな時間、水道水や井戸水等に浸漬された程度の電子機器であれば、上記加熱乾燥スイッチ４５の操作による上記各動作（動作１〜動作４の実行）で、十分その機能が回復できることが証明された。ちなみにチャンバ８内を例えば１２０℃以上に加熱した場合、電子機器としての携帯電話機１０の合成樹脂部分やゴムシール部分に変形等が生じることとなり、電子機器としての動作の回復が可能となったものの、その後の操作状態や防水性に不都合が生じることとなったため加熱状態の温度は１２０℃以下とするのが望ましい。

次に表示操作パネル３上のオートメニューのうち、レベル１スイッチ４６を押圧操作し、チャンバ８内に収容される携帯電話機１０を図７に示す真空洗浄工程（ステップ１）と加熱乾燥工程（ステップ２）、を経て加熱乾燥するプロセスのメニュー（レベル１のメニュー）を説明する。

この加熱乾燥プロセスは、例えば携帯電話機１０等の電子機器の液晶表示装置に水道水（真水）が付着したり、手洗場の水道水（真水）に携帯電話機１０が相当な時間（例えば２〜３分）浸漬されたり、さらに携帯電話機１０が海水（塩水）の中に僅かな時間（１０〜３０秒程度）落下させた程度の浸水事故があった場合、その機能を回復させるためのものとされる。すなわち、この回復装置１の駆動制御メニュー（請求項２に対応する方法）は、こうした浸水事故があった場合の電子機器において、内蔵する半導体基板や液晶表示装置等が電気的に動作する正常状態に回復するためのものとされる。

先ず図７に示すステップ１の真空洗浄工程においては、上記浸水事故にあった携帯電話機１０を上記のようにチャンバ８の収容部９に密閉収容し、この状態でレベル１スイッチ４６が押圧されると次の各状態でコントローラ３０が動作され、電子機器としての携帯電話機１０を真空洗浄する真空洗浄工程が実行される（ステップ１：図７参照）。
（１）動作１
コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが給水モードとなり、給水弁２０が開操作されて給水口１４より洗浄水が、シンク部材１１内に供給される。ここで洗浄水は携帯電話機１０が浸漬されるまでの水位レベルまで供給される。
（２）動作２
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（３）動作３
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧より減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（４）動作４
上記動作２の温度状態、上記動作３の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を２０秒から８０秒間に設定する。
（５）動作５
上記動作２ないし動作４の設定状態を実行し、チャンバ８内を所定時間、加熱し、減圧する。この結果、チャンバ８内において動作１で洗浄水によって浸漬された携帯電話機１０が、上記設定時間（２０秒〜８０秒）の間、沸騰洗浄されることとなる。

こうしたステップ１の真空洗浄工程においては、携帯電話機１０の内部の半導体基板や液晶表示装置の基板に付着されたナトリウム分や微細なゴミに関しても、上記のようなヒータ１３の加熱と、真空ポンプＰ１の駆動によるチャンバ８内の減圧によって生じる沸騰洗浄によって速やかに除去されるものと推測される。洗浄を行った水は、沸騰による蒸発（真空蒸発）によって、取り除かれたナトリウム分、ミネラル、微細なゴミとともに排気口２２より排気あるいは排水することが可能となる。

上記ステップ１の真空洗浄工程において真空洗浄された携帯電話機１０は、次に図７のステップ２に示す加熱乾燥工程で加熱乾燥されることとなり、この工程では次の各状態でコントローラ３０が動作され、電子機器としての携帯電話機１０の加熱乾燥が実行されて、その機能が回復可能となる。
（１）動作１
コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが排水モードとなり、排水弁２３が開操作されて排水口２２よりシンク部材１１内に残溜された洗浄水をシンク部材１１から排水させる。なお、ここで上記ステップ１で沸騰洗浄させた携帯電話機１０に関しては、一度開閉蓋６を開けて収容部９から取り出し、ある程度自然乾燥させたものを再び収容部９に収容して開閉蓋６を閉め、チャンバ８内に収容させることとしてもよいが、実施形態では開閉蓋６を開けることなく、収容部９内にそのままの状態にして、チャンバ８に収容している。
（２）動作２
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（３）動作３
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧より減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（４）動作４
上記動作２の温度状態、上記３の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を２５分以上に設定する。
（５）動作５
上記動作２ないし動作４の設定状態を実行し、チャンバ８内を所定時間加熱し、減圧する。

こうしたステップ２の加熱乾燥工程においては、携帯電話機１０の内部の半導体基板や液晶表示装置の基板等に付着された水分が加熱蒸発や真空蒸発によって除去されるものと推測され、このステップ２を経ることによって加熱乾燥された携帯電話機１０は、電気的に動作する正常状態に回復されることとなる。

こうした各ステップ１、２を経て加熱乾燥された電子機器（携帯電話機１０）の回復状態については、図１１に示されるところである。この実験結果は、携帯電話機１０を水道水からなる水質の水に２〜３分程度浸漬させたものと、携帯電話機１０塩水の中に２０秒程度浸漬させものを使用し、上記ステップ１の真空洗浄工程および上記ステップ２の加熱乾燥工程を経てその機能回復を行ったもののデータである。実験は庫内温度（チャンバ内温度：加熱状態）を８０℃とし、ステップ１の真空洗浄工程での沸騰洗浄の時間を１分間とし、その後シンク部材１１に残溜された洗浄水をシンク部材１１から排水させ（水抜）、ステップ２の真空状態での加熱乾燥時間（加熱および減圧時間）を２５分、３０分、３５分と変化させて行った。また真空状態についても５ｋｐａと１０ｋｐａの２通りで変化させ、水道水に浸漬したものについて９サンプル、塩水に浸漬したものについて６サンプルについて、ステップ１（真空洗浄工程）およびステップ２（加熱乾燥工程）を経て、真空加熱乾燥させた後の携帯電話機１０の動作を確認して行った。なお、真空ポンプＰ１の排気速度は６０ｌ／ｍｉｎ（５０ＨＺ）とした。その結果、いずれの携帯電話機１０のサンプルについても図１１の「結果」が示すように、電気的に正常に動作される結果が示されたところである。すなわち、この実験結果から、携帯電話機１０が２〜３分、水道水や井戸水等に浸漬された程度、携帯電話機１０が２０〜３０秒、海水等に浸漬された程度、の電子機器であれば、上記レベル１スイッチ４６の操作による上記ステップ１，２の各動作（ステップ１における動作１〜動作５、ステップ２の動作１〜動作５、に示す各動作の実行）で、十分その機能が回復できることが証明された。ちなみにチャンバ８内を例えば１２０℃以上に加熱した場合、電子機器としての携帯電話機１０の合成樹脂部分やゴムシール部分に変形等が生じることとなり、電子機器としての動作の回復が可能となったものの、その後の操作状態や防水性に不都合が生じることとなったため加熱状態の温度は１２０℃以下とするのが望ましい。

次に表示操作パネル３上のオートメニューのうち、レベル２スイッチ４７を押圧操作し、チャンバ８内に収容される携帯電話機１０を図８に示す第１次真空洗浄工程（ステップ１）、第１次加熱乾燥工程（ステップ２）、第２次真空洗浄工程（ステップ３）、第２次加熱乾燥工程（ステップ４）、を経て加熱乾燥するプロセスのメニュー（レベル２のメニュー）を説明する。

この加熱乾燥プロセスは、例えば携帯電話機１０等の電子機器を水道水（真水）に相当長い時間（例えば１５〜２０分程度）浸漬されたり、さらに携帯電話機１０が海水（塩水）の中に２〜３分程度落下させた程度の浸水事故があった場合、その機能を回復させるためのものとされる。すなわち、この回復装置１の駆動制御メニュー（請求項３に対応する方法）は、こうした浸水事故があった場合の電子機器において、内蔵する半導体基板や液晶表示装置等が電気的に動作する正常状態に回復するためのものとされる。

先ず図８に示すステップ１の第１次真空洗浄工程においては、上記浸水事故にあった携帯電話機１０を上記のようにチャンバ８の収容部９に密閉収容し、この状態でレベル２スイッチ４７が押圧されると次の各状態でコントローラ３０が動作され、電子機器としての携帯電話機１０を真空洗浄する第１真空洗浄工程が実行される（ステップ１：図８参照）。
（１）動作１
コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが給水モードとなり、給水弁２０が開操作されて給水口１４より洗浄水が、シンク部材１１内に供給される。ここで洗浄水は携帯電話機１０が浸漬されるまでの水位レベルまで供給される。
（２）動作２
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（３）動作３
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧より減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（４）動作４
上記動作２の温度状態、上記動作３の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を２０秒から８０秒の範囲に設定する。
（５）動作５
上記動作２ないし動作４の設定状態を実行し、チャンバ８内を所定時間、加熱し、減圧する。この結果、チャンバ８内において動作１で洗浄水によって浸漬された携帯電話機１０が、上記設定時間（２０秒〜８０秒）の間、沸騰洗浄されることとなる。

こうしたステップ１の第１次真空洗浄工程においては、携帯電話機１０の内部の半導体基板や液晶表示装置の基板に付着されたナトリウム分や微細なゴミに関しても、上記のようなヒータ１３の加熱と、真空ポンプＰ１の駆動によるチャンバ８内の減圧によって生じる沸騰洗浄によって概ね除去されるものと推測される。洗浄を行った水は、沸騰による蒸発（真空蒸発）によって、取り除かれたナトリウム分、ミネラル、微細なゴミとともに排気口２２より排気あるいは排水することが可能となる。

上記ステップ１の第１次真空洗浄工程において真空洗浄された携帯電話機１０は、次に図８のステップ２に示す第１次加熱乾燥工程で加熱乾燥されることとなり、この工程では次の各状態でコントローラ３０が動作され、電子機器としての携帯電話機１０の加熱乾燥が実行されることとなる。
（１）動作１
コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが排水モードとなり、排水弁２３が開操作されて排水口２２よりシンク部材１１内に残溜された洗浄水をシンク部材１１から排水させる。なお、ここで上記ステップ１において沸騰洗浄させた携帯電話機１０に関しては、一度開閉蓋６を開けて収容部９から取り出し、ある程度自然乾燥させたものを再び収容部９に収容して開閉蓋６を閉め、チャンバ８内に収容させることとしてもよいが、実施形態では開閉蓋６を開けることなく、収容部９内にそのままの状態にして、チャンバ８に収容している。
（２）動作２
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（３）動作３
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧より減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（４）動作４
上記動作２の温度状態、上記３の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を１８０秒以上（１８０〜５分程度）に設定する。
（５）動作５
上記動作２ないし動作４の設定状態を実行し、チャンバ８内を所定時間加熱し、減圧する。

こうしたステップ１の第１次真空洗浄工程、ステップ２の第１次加熱乾燥工程を経て洗浄され、乾燥された携帯電話機１０は、その内部の半導体基板や液晶表示装置の基板等において付着されたナトリウム、微細なゴミなどが概ね除去されたものと推測されるが、これら各ステップを経ただけの洗浄では不十分とされるため、続いて図８のステップ３で示す第２次真空洗浄工程、ステップ４で示す第２次加熱乾燥工程を経た洗浄・乾燥が繰り返される。実施形態において、携帯電話機１０はチャンバ８に収容したままの状態で第１次加熱乾燥工程から第２次真空洗浄工程に移行されることとなる。

図８に示すステップ３の第２次真空洗浄工程においては、上記第１次加熱乾燥工程で乾燥された携帯電話機１０について、第１次真空洗浄工程と同様の順序で下記に示す動作が実行される。
（１）動作１
コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが給水モードとなり、給水弁２０が開操作されて給水口１４より洗浄水が、シンク部材１１内に供給される。ここで洗浄水は携帯電話機１０が浸漬されるまでの水位レベルまで供給される。
（２）動作２
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（３）動作３
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧より減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（４）動作４
上記動作２の温度状態、上記動作３の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を２０秒から８０秒の範囲に設定する。
（５）動作５
上記動作２ないし動作４の設定状態を実行し、チャンバ８内を所定時間、加熱し、減圧する。この結果、チャンバ８内において動作１で洗浄水によって浸漬された携帯電話機１０が、上記設定時間（２０秒〜８０秒）の間、沸騰洗浄されることとなる。

こうしたステップ３の第２次真空洗浄工程においては、携帯電話機１０の内部の半導体基板や液晶表示装置の基板に付着されたナトリウム分や微細なゴミに関し、上記のようなヒータ１３の加熱と、真空ポンプＰ１の駆動によるチャンバ８内の減圧によって生じる沸騰洗浄によって、第１次真空洗浄工程と相俟って、より念入りに除去することができるものと推測される。洗浄を行った水は、沸騰による蒸発（真空蒸発）によって、取り除かれたナトリウム分、ミネラル、微細なゴミとともに排気口２２より排気あるいは排水することが可能となる。

上記ステップ３の第２次真空洗浄工程において真空洗浄された携帯電話機１０は、続いて図８のステップ４に示す第２次加熱乾燥工程で加熱乾燥されることとなり、この工程では次の各状態でコントローラ３０が動作され、電子機器としての携帯電話機１０の加熱乾燥が実行されることとなる。
（１）動作１
コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが排水モードとなり、排水弁２３が開操作されて排水口２２よりシンク部材１１内に残溜された洗浄水をシンク部材１１から排水させる。なお、ここで上記ステップ３において沸騰洗浄させた携帯電話機１０に関しては、一度開閉蓋６を開けて収容部９から取り出し、ある程度自然乾燥させたものを再び収容部９に収容して開閉蓋６を閉め、チャンバ８内に収容させることとしてもよいが、実施形態では開閉蓋６を開けることなく、収容部９内にそのままの状態にして、チャンバ８に収容している。
（２）動作２
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（３）動作３
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧より減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（４）動作４
上記動作２の温度状態、上記３の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を４５分以上（４５〜６０分程度）に設定する。
（５）動作５
上記動作２ないし動作４の設定状態を実行し、チャンバ８内を所定時間加熱し、減圧する。

こうして第２次加熱乾燥工程を経て加熱乾燥された携帯電話機１０においては、内部の半導体基板や液晶表示装置の基板等に付着された水分が加熱蒸発や真空蒸発によって除去されるものと推測され、このステップ１〜４を経て洗浄し、加熱乾燥された携帯電話機１０については、電気的に動作する正常状態に回復させることが可能となる。

こうした各ステップ１〜４を経て加熱乾燥された電子機器（携帯電話機１０）の回復状態については、図１２に示されるところである。この実験結果は、

携帯電話機１０を水道水（真水）に相当長い時間（１５〜２０分程度）浸漬させたものと、携帯電話機１０を海水（塩水）に２〜３分程度浸漬させたものを使用し、上記ステップ１〜ステップ４を経てその機能回復を行ったもののデータである。実験は庫内温度（チャンバ内温度：加熱状態）を８０℃とし、ステップ１の第１次真空洗浄工程での沸騰洗浄の時間を１分間とし、その後シンク部材１１に残溜された洗浄水をシンク部材１１から排水させ（水抜）、ステップ２の真空状態での加熱乾燥時間（加熱および減圧時間）を３分として真空乾燥（真空加熱乾燥）を行った。またステップ３ではシンク部材１１に給水した上、第２次真空洗浄工程での沸騰洗浄の時間を１分間とし、その後シンク部材１１に残溜された洗浄水をシンク部材１１から排水させ（水抜）、ステップ４の真空状態での加熱乾燥時間（加熱および減圧時間）を４５分として携帯電話機１０の真空乾燥（真空加熱乾燥）を行った。また真空状態についても５ｋｐａと１０ｋｐａの２通りで変化させ、水道水に浸漬したものについての７サンプル、塩水に浸漬したものについて７サンプルについて、それぞれ真空加熱乾燥させた後の携帯電話機１０の動作確認を行った。なお、真空ポンプＰ１の排気速度は６０ｌ／ｍｉｎ（５０ＨＺ）とした。その結果、いずれの携帯電話機１０のサンプルについても図１２の「結果」が示すように、電気的に正常に動作される結果が示されたところである。すなわち、この実験結果から、携帯電話機１０が１５〜２０分、水道水や井戸水等に浸漬された程度、携帯電話機１０が２〜３分、海水等に浸漬された程度、の電子機器であれば、上記レベル２スイッチ４７の操作による上記ステップ１〜４の各動作（ステップ１における動作１〜動作５、ステップ２の動作１〜動作５、ステップ３における動作１〜動作５、ステップ４の動作１〜動作５に示す各動作の実行）で、十分その機能が回復できることが証明された。ちなみにチャンバ８内を例えば１２０℃以上に加熱した場合、電子機器としての携帯電話機１０の合成樹脂部分やゴムシール部分に変形等が生じることとなり、電子機器としての動作の回復が可能となったものの、その後の操作状態や防水性に不都合が生じることとなったため加熱状態の温度は１２０℃以下とするのが望ましい。

次に表示操作パネル３上のオートメニューのうち、レベル３スイッチ４８を押圧操作し、チャンバ８内に収容される携帯電話機１０を図９に示す第１次真空洗浄工程（ステップ１）、第１次加熱乾燥工程（ステップ２）、第２次真空洗浄工程（ステップ３）、第２次加熱乾燥工程（ステップ４）、第３次真空洗浄工程（ステップ５）、第３次加熱乾燥工程（ステップ６）、を経て加熱乾燥するプロセスのメニュー（レベル３のメニュー）を説明する。

この加熱乾燥プロセスは、例えば携帯電話機１０等の電子機器を水道水（真水）に相当長い時間（例えば４０〜６０分程度）浸漬されたり、さらに携帯電話機１０が海水（塩水）の中に１０〜３０分程度落下させた程度の浸水事故があった場合、その機能を回復させるためのものとされる。すなわち、この回復装置１の駆動制御メニュー（請求項４に対応する方法）は、こうした浸水事故があった場合の電子機器において、内蔵する半導体基板や液晶表示装置等が電気的に動作する正常状態に回復するためのものとされる。

先ず図９に示すステップ１の第１次真空洗浄工程においては、上記浸水事故にあった携帯電話機１０を上記のようにチャンバ８の収容部９に密閉収容し、この状態でレベル２スイッチ４８が押圧されると次の各状態でコントローラ３０が動作され、電子機器としての携帯電話機１０を真空洗浄する第１真空洗浄工程が実行される（ステップ１：図９参照）。
（１）動作１
コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが給水モードとなり、給水弁２０が開操作されて給水口１４より洗浄水が、シンク部材１１内に供給される。ここで洗浄水は携帯電話機１０が浸漬されるまでの水位レベルまで供給される。
（２）動作２
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（３）動作３
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧より減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（４）動作４
上記動作２の温度状態、上記動作３の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を２０秒から８０秒の範囲に設定する。
（５）動作５
上記動作２ないし動作４の設定状態を実行し、チャンバ８内を所定時間、加熱し、減圧する。この結果、チャンバ８内において動作１で洗浄水によって浸漬された携帯電話機１０が、上記設定時間（２０秒〜８０秒）の間、沸騰洗浄されることとなる。

こうしたステップ１の第１次真空洗浄工程においては、携帯電話機１０の内部の半導体基板や液晶表示装置の基板に付着されたナトリウム分や微細なゴミに関しても、上記のようなヒータ１３の加熱と、真空ポンプＰ１の駆動によるチャンバ８内の減圧によって生じる沸騰洗浄によって大まかに除去されるものと推測される。洗浄を行った水は、沸騰による蒸発（真空蒸発）によって、取り除かれたナトリウム分、ミネラル、微細なゴミとともに排気口２２より排気あるいは排水することが可能となる。

上記ステップ１の第１次真空洗浄工程において真空洗浄された携帯電話機１０は、次に図９のステップ２に示す第１次加熱乾燥工程で加熱乾燥されることとなり、この工程では次の各状態でコントローラ３０が動作され、電子機器としての携帯電話機１０の加熱乾燥が実行されることとなる。
（１）動作１
コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが排水モードとなり、排水弁２３が開操作されて排水口２２よりシンク部材１１内に残溜された洗浄水をシンク部材１１から排水させる。なお、ここで上記ステップ１において沸騰洗浄させた携帯電話機１０に関しては、一度開閉蓋６を開けて収容部９から取り出し、ある程度自然乾燥させたものを再び収容部９に収容して開閉蓋６を閉め、チャンバ８内に収容させることとしてもよいが、実施形態では開閉蓋６を開けることなく、収容部９内にそのままの状態にして、チャンバ８に収容している。
（２）動作２
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（３）動作３
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧より減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（４）動作４
上記動作２の温度状態、上記３の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を１８０秒以上（１８０〜５分程度）に設定する。
（５）動作５
上記動作２ないし動作４の設定状態を実行し、チャンバ８内を所定時間加熱し、減圧する。

こうしたステップ１の第１次真空洗浄工程、ステップ２の第１次加熱乾燥工程を経て洗浄され、乾燥された携帯電話機１０は、その内部の半導体基板や液晶表示装置の基板等において付着されたナトリウム、微細なゴミなどが大まかに除去されたものと推測されるが、これら各ステップを経ただけの洗浄では不十分とされるため、続いて図９のステップ３で示す第２次真空洗浄工程、ステップ４で示す第２次加熱乾燥工程を経た洗浄・乾燥が繰り返される。実施形態において、携帯電話機１０はチャンバ８に収容したままの状態で第１次加熱乾燥工程から第２次真空洗浄工程に移行されることとなる。

図９に示すステップ３の第２次真空洗浄工程においては、上記第１次加熱乾燥工程で乾燥された携帯電話機１０について、第１次真空洗浄工程と同様の順序で下記に示す動作が実行される。
（１）動作１
コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが給水モードとなり、給水弁２０が開操作されて給水口１４より洗浄水が、シンク部材１１内に供給される。ここで洗浄水は携帯電話機１０が浸漬されるまでの水位レベルまで供給される。
（２）動作２
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（３）動作３
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧より減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（４）動作４
上記動作２の温度状態、上記動作３の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を２０秒から８０秒の範囲に設定する。
（５）動作５
上記動作２ないし動作４の設定状態を実行し、チャンバ８内を所定時間、加熱し、減圧する。この結果、チャンバ８内において動作１で洗浄水によって浸漬された携帯電話機１０が、上記設定時間（２０秒〜８０秒）の間、沸騰洗浄されることとなる。

こうしたステップ３の第２次真空洗浄工程においては、携帯電話機１０の内部の半導体基板や液晶表示装置の基板に付着されたナトリウム分や微細なゴミに関し、上記のようなヒータ１３の加熱と、真空ポンプＰ１の駆動によるチャンバ８内の減圧によって生じる沸騰洗浄によって、第１次真空洗浄工程と相俟って、概ね除去することができるものと推測される。洗浄を行った水は、沸騰による蒸発（真空蒸発）によって、取り除かれたナトリウム分、ミネラル、微細なゴミとともに排気口２２より排気あるいは排水することが可能となる。

上記ステップ３の第２次真空洗浄工程において真空洗浄された携帯電話機１０は、続いて図９のステップ４に示す第２次加熱乾燥工程で加熱乾燥されることとなり、この工程では次の各状態でコントローラ３０が動作され、電子機器としての携帯電話機１０の加熱乾燥が実行されることとなる。
（１）動作１
コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが排水モードとなり、排水弁２３が開操作されて排水口２２よりシンク部材１１内に残溜された洗浄水をシンク部材１１から排水させる。なお、ここで上記ステップ３において沸騰洗浄させた携帯電話機１０に関しては、一度開閉蓋６を開けて収容部９から取り出し、ある程度自然乾燥させたものを再び収容部９に収容して開閉蓋６を閉め、チャンバ８内に収容させることとしてもよいが、実施形態では開閉蓋６を開けることなく、収容部９内にそのままの状態にして、チャンバ８に収容している。
（２）動作２
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（３）動作３
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧より減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（４）動作４
上記動作２の温度状態、上記３の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を４５分以上（４５〜６０分程度）に設定する。
（５）動作５
上記動作２ないし動作４の設定状態を実行し、チャンバ８内を所定時間加熱し、減圧する。

こうしたステップ１の第１次真空洗浄工程、ステップ２の第１次加熱乾燥工程、ステップ３の第２次真空洗浄工程、ステップ４の第２次加熱乾燥工程を経て洗浄され、乾燥された携帯電話機１０は、その内部の半導体基板や液晶表示装置の基板等において付着されたナトリウム、微細なゴミなどが概ね除去されたものと推測されるが、これら各ステップを経ただけの洗浄では不十分とされるため、続いて図９のステップ５で示す第３次真空洗浄工程、ステップ６で示す第３次加熱乾燥工程を経た洗浄・乾燥が繰り返される。実施形態において、携帯電話機１０はチャンバ８に収容したままの状態で第２次加熱乾燥工程から第３次真空洗浄工程に移行されることとなる。

図９に示すステップ５の第３次真空洗浄工程においては、上記第２次加熱乾燥工程で乾燥された携帯電話機１０について、第１次真空洗浄工程や第２次真空洗浄工程と同様の順序で下記に示す動作が実行される。
（１）動作１
コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが給水モードとなり、給水弁２０が開操作されて給水口１４より洗浄水が、シンク部材１１内に供給される。ここで洗浄水は携帯電話機１０が浸漬されるまでの水位レベルまで供給される。
（２）動作２
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（３）動作３
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧より減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（４）動作４
上記動作２の温度状態、上記動作３の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を２０秒から８０秒の範囲に設定する。
（５）動作５
上記動作２ないし動作４の設定状態を実行し、チャンバ８内を所定時間、加熱し、減圧する。この結果、チャンバ８内において動作１で洗浄水によって浸漬された携帯電話機１０が、上記設定時間（２０秒〜８０秒）の間、沸騰洗浄されることとなる。

こうしたステップ５の第３次真空洗浄工程においては、携帯電話機１０の内部の半導体基板や液晶表示装置の基板に付着されたナトリウム分や微細なゴミに関し、上記のようなヒータ１３の加熱と、真空ポンプＰ１の駆動によるチャンバ８内の減圧によって生じる沸騰洗浄によって、第１次真空洗浄工程、第２次真空洗浄工程と相俟って、念入りに除去することができるものと推測される。洗浄を行った水は、沸騰による蒸発（真空蒸発）によって、取り除かれたナトリウム分、ミネラル、微細なゴミとともに排気口２２より排気あるいは排水することが可能となる。

上記ステップ５の第３次真空洗浄工程において真空洗浄された携帯電話機１０は、続いて図９のステップ６に示す第３次加熱乾燥工程で加熱乾燥されることとなり、この工程では次の各状態でコントローラ３０が動作され、電子機器としての携帯電話機１０の加熱乾燥が実行されることとなる。
（１）動作１
コントローラ３０の給・排水調整手段３０Ｄが排水モードとなり、排水弁２３が開操作されて排水口２２よりシンク部材１１内に残溜された洗浄水をシンク部材１１から排水させる。なお、ここで上記ステップ３において沸騰洗浄させた携帯電話機１０に関しては、一度開閉蓋６を開けて収容部９から取り出し、ある程度自然乾燥させたものを再び収容部９に収容して開閉蓋６を閉め、チャンバ８内に収容させることとしてもよいが、実施形態では開閉蓋６を開けることなく、収容部９内にそのままの状態にして、チャンバ８に収容している。
（２）動作２
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（３）動作３
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧より減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（４）動作４
上記動作２の温度状態、上記３の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を６０分以上（６０〜９０分程度）に設定する。
（５）動作５
上記動作２ないし動作４の設定状態を実行し、チャンバ８内を所定時間加熱し、減圧する。

こうして第３次加熱乾燥工程を経て加熱乾燥された携帯電話機１０においては、内部の半導体基板や液晶表示装置の基板等に付着された水分が加熱蒸発や真空蒸発によってほぼ完全に除去されるものと推測され、このステップ１〜６を経て洗浄し、加熱乾燥された携帯電話機１０については、電気的に動作する正常状態に回復させることが可能となる。

こうした各ステップ１〜６を経て加熱乾燥された電子機器（携帯電話機１０）の回復状態については、図１３に示されるところである。この実験結果は、
携帯電話機１０を水道水（真水）に相当長い時間（４０〜６０分程度）浸漬させたものと、携帯電話機１０を海水（塩水）に１０〜３０分程度浸漬させたものを使用し、上記ステップ１〜ステップ６を経てその機能回復を行ったもののデータである。実験は庫内温度（チャンバ内温度：加熱状態）を８０℃とし、ステップ１の第１次真空洗浄工程での沸騰洗浄の時間を１分間とし、その後シンク部材１１に残溜された洗浄水をシンク部材１１から排水させ（水抜）、ステップ２の真空状態での第１次加熱乾燥工程での加熱乾燥時間（加熱および減圧時間）を３分として真空乾燥（真空加熱乾燥）を行った。またステップ３ではシンク部材１１に給水した上、第２次真空洗浄工程での沸騰洗浄の時間を１分間とし、その後シンク部材１１に残溜された洗浄水をシンク部材１１から排水させ（水抜）、ステップ４の真空状態での第２次加熱乾燥工程の加熱乾燥時間（加熱および減圧時間）を３分間として携帯電話機１０の真空乾燥（真空加熱乾燥）を行った。さらにステップ４ではシンク部材１１に給水した上、第３次真空洗浄工程での沸騰洗浄の時間を１分間とし、その後シンク部材１１に残溜された洗浄水をシンク部材１１から排水させ（水抜）、ステップ６の真空状態での第３次加熱乾燥工程の加熱乾燥時間（加熱および減圧時間）を６０分間として携帯電話機１０の真空乾燥（真空加熱乾燥）を行った。また真空状態についても５ｋｐａと１０ｋｐａの２通りで変化させ、水道水に浸漬したものについての５サンプル、塩水に浸漬したものについて５サンプルについて、それぞれ真空加熱乾燥させた後の携帯電話機１０の動作確認を行った。なお、真空ポンプＰ１の排気速度は６０ｌ／ｍｉｎ（５０ＨＺ）とした。その結果、いずれの携帯電話機１０のサンプルについても図１３の「結果」が示すように、電気的に正常に動作される結果が示されたところである。すなわち、この実験結果から、携帯電話機１０が４０〜６０分、水道水や井戸水等に浸漬された程度、携帯電話機１０が１０〜３０分、海水等に浸漬された程度、の電子機器であれば、上記レベル３スイッチ４８の操作による上記ステップ１〜６の各動作（ステップ１における動作１〜動作５、ステップ２の動作１〜動作５、ステップ３における動作１〜動作５、ステップ４の動作１〜動作５、ステップ５における動作１〜動作５、ステップ６の動作１〜動作５に示す各動作の実行）で、十分その機能が回復できることが証明された。ちなみにチャンバ８内を例えば１２０℃以上に加熱した場合、電子機器としての携帯電話機１０の合成樹脂部分やゴムシール部分に変形等が生じることとなり、電子機器としての動作の回復が可能となったものの、その後の操作状態や防水性に不都合が生じることとなったため加熱状態の温度は１２０℃以下とするのが望ましい。

上記のように、上記実施形態に係る電子機器の回復装置１によれば、表示操作パネル３のＵＰ／ＤＯＷＮスイッチ３６Ａ，３８Ａ，４１ＡやＳＥＴスイッチ３６Ｂ，３８Ｂ，４１Ｂの選択的にマニュアル操作し、浸水事故にあった電子機器の回復を行うばかりでなく、電子機器における浸水事故の度合い（浸漬時間、水濡れ状態等）に応じ、加熱乾燥スイッチ４５、レベル１スイッチ４６、レベル２スイッチ４７、レベル３スイッチ４８を選択的に操作することで、各メニューに沿って、電子機器を洗浄・乾燥させ、最適な回復を自動的に行うことが可能となる。

図１４および図１５は、本発明の実施例に係る電子機器の回復装置を示す。この回復装置５１は、前記実施形態に係る回復装置１のように、チャンバ８を構成するシンク部材１１の内部に対し、洗浄水の給水や排水を行うことはなく、比較的軽度な浸水事故にあった電子機器の回復に用いるためのものである。すなわち、この回復装置５１は、前記実施形態に係る回復装置１と同様にコントローラ３０Ｘがチャンバ８内のヒータ１３を駆動させ、かつ真空ポンプＰ１駆動によりチャンバ８内を真空とすることで、浸水事故にあった携帯電話機１０を上記のようにチャンバ８の収容部９に密閉収容して回復することとするものである。具体的には、コントローラ３０Ｘは、収容部９に収容される電子機器としての携帯電話機１０を、下記動作に基づく真空状態、加熱状態において、加熱乾燥工程で、その機能回復が行えることとなる（請求項１に対応する方法）。
（１）動作１
チャンバ８内が加熱調整手段３０Ａにより、６０℃から１２０℃の温度状態に設定される。
（２）動作２
チャンバ８内を真空度調整手段３０Ｂにより、大気圧から減圧して１０ｋｐａ以上の真空状態に設定される。
（３）動作３
上記動作１の温度状態、上記動作２の真空状態でチャンバ８内を加熱し、かつ減圧し、タイマー設定手段３０Ｃにおいて加熱および減圧時間を１０分以上に設定する。
（４）動作４
上記動作１ないし動作３の設定状態を実行し、チャンバ８を所定時間、加熱し、減圧してチャンバ８内に収容される携帯電話機１０を加熱乾燥する。

よって、この回復装置５１は、前記実施形態に係る回復装置１のように洗浄水圧送ポンプＰ２，貯溜タンク１７，上部水位センサ３１，下部水位センサ３２などの水回りの構成要素を用いておらず、チャンバ８内に収容される電子機器を前記実施形態で示すオートメニューのうち、加熱乾燥スイッチ４５の押圧操作で実行されるプロセスと同様のプロセスで真空加熱乾燥し、回復することができるものである。

なお、この装置５１においては、前記実施形態に係る回復装置１のように、表示操作パネルの大きさは、比較的小さなもので足りるため、図１４の３Ｘに示すように小さなものとしている。その他の構成および作用については前記実施例と同様であるため、図中同一符号を付すものとし、その説明を省略する。

本発明は、浸水事故にあった携帯電話機、デジタルカメラ、携帯音楽プレーヤー等を安定的にしかも安価に回復させることができ、例えば電器店やカメラ店に装置を設置し、浸水事故に遭遇した人達へのサービスの提供が可能となる。

１， ５１ 回復装置
２ 筺体
３，３Ｘ 表示操作パネル
４ 主電源スイッチ
５ 開／閉スイッチ
６ 開閉蓋
７ ヒンジ
８ チャンバ（真空チャンバ）
９ 収容部
１０ 携帯電話機（電子機器）
１１ シンク部材（水槽）
１２ Ｏリング
１３ 遠赤外線ヒータ
１４ 給水口
１５ 導水管路
１６ 導水弁
１７ 貯溜タンク
１８ 給水管路
２０ 給水弁
Ｐ１ 真空ポンプ
Ｐ２ 洗浄水圧送ポンプ
２１ 排水管路
２２ 排水口
２３ 排水弁
２４ 排気管路
２６ ポンプ排気口
２７ 排気弁
２８ 排気口
３０，３０Ｘ コントローラ
３０Ａ 加熱調整手段
３０Ｂ 真空度調整手段
３０Ｃ タイマー設定手段
３０Ｄ 給・排水調整手段
３１ 上部水位センサ
３２ 下部水位センサ
３３ 圧力センサ
３４ 温度センサ
３５ タイマー
３６Ａ，３８Ａ，４１Ａ ＵＰ／ＤＯＷＮスイッチ
３６Ｂ，３８Ｂ，４１Ｂ ＳＥＴスイッチ
３７ 圧力表示部
３９ 時間表示部
４０ 実行スイッチ
４２ 温度表示部
４３ 水注入スイッチ
４４ ドレインスイッチ
４５ 加熱乾燥スイッチ
４６ レベル１スイッチ
４７ レベル２スイッチ
４８ レベル３スイッチ

Claims (5)

1. 半導体基板や液晶表示装置が装備された電子機器において、当該電子機器が水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水が付着する浸水事故にあった状態から、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させるための浸水事故にあった電子機器の回復方法にあって、
   浸水事故にあった電子機器を真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を１０分以上乾燥する乾燥工程を備える電子機器の回復方法。
2. 半導体基板や液晶表示装置が装備された電子機器において、当該電子機器が水または海水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水または海水が付着する浸水事故にあった状態から、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させるための浸水事故にあった電子機器の回復方法にあって、
   浸水事故にあった電子機器を真水が貯溜された水槽内に浸漬させる状態で真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態とし、水槽内の電子機器を真水で２０秒から８０秒の間、沸騰洗浄する真空洗浄工程と、
   真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽の真水を排水し、電子機器を水槽内から取り出して再び真空チャンバ内に収容し、あるいは真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽内の真水を排水した状態で電子機器を真空チャンバ内に収容したままの状態とし、この状態で該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を２５分以上乾燥する加熱乾燥工程と、
   を備える電子機器の回復方法。
3. 半導体基板や液晶表示装置が装備された電子機器において、当該電子機器が水または海水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水または海水が付着する浸水事故にあった状態から、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させるための浸水事故にあった電子機器の回復方法にあって、
   浸水事故にあった電子機器を真水が貯溜された水槽内に浸漬させる状態で真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態とし、水槽内の電子機器を真水で２０秒から８０秒の間、沸騰洗浄する第１次真空洗浄工程と、
   第１次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽の真水を排水し、電子機器を水槽内から取り出して再び真空チャンバ内に収容し、あるいは第１次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽内の真水を排水した状態で電子機器を真空チャンバ内に収容したままの状態とし、この状態で該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を１８０秒以上乾燥する第１次加熱乾燥工程と、
   第１次加熱乾燥工程で加熱乾燥された電子機器を再び真水が貯溜された真空チャンバ内の水槽に浸漬させる状態で真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態とし、水槽内の電子機器を真水で２０秒から８０秒の間、沸騰洗浄する第２次真空洗浄工程と、
   第２次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽の真水を排水し、電子機器を水槽内から取り出して再び真空チャンバ内に収容し、あるいは第２次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽内の真水を排水した状態で電子機器を真空チャンバ内に収容したままの状態とし、この状態で該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を４５分以上乾燥する第２次加熱乾燥工程と、
   を備える電子機器の回復方法。
4. 半導体基板や液晶表示装置が装備された電子機器において、当該電子機器が水または海水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水または海水が付着する浸水事故にあった状態から、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させるための浸水事故にあった電子機器の回復方法にあって、
   浸水事故にあった電子機器を真水が貯溜された水槽内に浸漬させる状態で真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態とし、水槽内の電子機器を真水で２０秒から８０秒の間、沸騰洗浄する第１次真空洗浄工程と、
   第１次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽の真水を排水し、電子機器を水槽内から取り出して再び真空チャンバ内に収容し、あるいは第１次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽内の真水を排水した状態で電子機器を真空チャンバ内に収容したままの状態とし、この状態で該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を１８０秒以上乾燥する第１次加熱乾燥工程と、
   第１次加熱乾燥工程で加熱乾燥された電子機器を再び真水が貯溜された真空チャンバ内の水槽に浸漬させる状態で真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態とし、水槽内の電子機器を真水で２０秒から８０秒の間、沸騰洗浄する第２次真空洗浄工程と、
   第２次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽の真水を排水し、電子機器を水槽内から取り出して再び真空チャンバ内に収容し、あるいは第２次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽内の真水を排水した状態で電子機器を真空チャンバ内に収容したままの状態とし、この状態で該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を１８０秒以上乾燥する第２次加熱乾燥工程と、
   第２次加熱乾燥工程で加熱乾燥された電子機器を再び真水が貯溜された真空チャンバ内の水槽に浸漬させる状態で真空チャンバ内に収容し、該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態とし、水槽内の電子機器を真水で２０秒から８０秒の間、沸騰洗浄する第３次真空洗浄工程と、
   第３次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽の真水を排水し、電子機器を水槽内から取り出して再び真空チャンバ内に収容し、あるいは第３次真空洗浄工程において沸騰洗浄させた水槽内の真水を排水した状態で電子機器を真空チャンバ内に収容したままの状態とし、この状態で該真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度状態、大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上の真空状態として電子機器を６０分以上乾燥する第３次加熱乾燥工程と、
   を備える電子機器の回復方法。
5. 半導体基板や液晶表示装置が装備された電子機器にあって、当該電子機器が水に浸漬され、あるいは当該電子機器に水が付着する浸水事故にあった状態から、半導体基板や液晶表示装置が電気的に動作する正常状態に回復させるための浸水事故にあった電子機器の回復装置であって、
   浸水事故にあった電子機器を収容可能とし、内部に真水を貯溜し、あるいは排水可能とし、電子機器を真水に浸漬自在としてなる水槽を、その内部に備えた真空チャンバと、
   真空チャンバ内を６０℃から１２０℃の温度帯域で加熱調整可能とする加熱装置と、
   真空チャンバ内の真空状態を大気圧より減圧して１０Ｋｐａ以上に設定調整可能とする真空度調整手段と、
   を備える電子機器の回復装置。

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