JP2010278181A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板10と、それに形成された素子ZDと、半導体基板10を貫通するスルーホールTHと、半導体基板10の両面側及びスルーホールTHの内面に形成されて、素子ZDを被覆する絶縁層12とを備えた構造体を用意する工程と、スルーホールTH内に貫通電極20を形成する工程と、貫通電極20を被覆する第1バリア金属層30aを形成する工程と、素子ZDの接続部に到達するコンタクトホールCH1を形成する工程と、コンタクトホールCH1内の素子ZDの接続部の自然酸化膜を除去する工程と、第1バリア金属層30aを利用して、貫通電極20に接続される第1配線層40と、コンタクトホールCH1を通して素子ZDの接続部に接続される第2配線層40aとを形成する工程とを含む。
【選択図】図6
Description
本発明の実施形態を説明する前に、本発明に関連する関連技術の問題点について説明する。図1及び図2は関連技術の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図3〜図6は本発明の第1実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
さらに、図4(d)に示すように、シリコン基板10の両面側において、第1バリア金属層30aの開口部を通して絶縁層12をそれぞれエッチングする。その後に、レジスト17,19が除去される。
図7〜図10は本発明の第2実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。第2実施形態では、ツェナーダイオードの代わりにトランジスタがシリコン基板に形成される。
第1、2実施形態では、シリコン基板10に素子としてツェナーダイオードZDやMOSトランジスタT1,T2を形成する例を説明したが、シリコン基板10に絶縁層を介してキャパシタを形成してもよい。キャパシタは、上部電極と下部電極によって誘電体層が挟まれ構造を有し、薄膜プロセスによって形成される。そして、上部電極の上面と下部電極の延在部の上面とが接続部となる。
Claims (10)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された素子と、
前記半導体基板を貫通して形成されたスルーホールと、
前記半導体基板の両面側及び前記スルーホールの内面に形成された絶縁層と、
前記スルーホール内に形成された貫通電極と、
前記絶縁層に形成され、前記素子の接続部に到達するコンタクトホールと、
前記貫通電極に接続された第1バリア金属パターン層を含む第1配線層と、
前記第1配線層と同一層から形成され、前記コンタクトホールを除く部分に配置された前記第1バリア金属パターン層を含み、前記コンタクトホールを通して前記素子の接続部に接続された第2配線層とを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記素子は、ツェナーダイオード、トランジスタ又はキャパシタであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1配線層及び前記第2配線層は、前記第1バリア金属パターン層の上に形成された第2バリア金属パターン層を含み、前記第2配線層では、前記第2バリア金属パターン層が前記素子の接続部に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記素子は、前記半導体基板の表層部に前記半導体基板と反対導電型の不純物拡散領域が形成されて構成されるツェナーダイオードであり、前記不純物拡散領域及び前記半導体基板の下面が前記接続部となっており、
前記コンタクトホールは前記半導体基板の両面側の前記絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記貫通電極は銅から形成され、
前記第1バリア金属パターン層は、チタン層、下から順にチタン層/窒化チタン層、アルミニウム層、及びアルミニウム合金層のいずれかよりなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 半導体基板と、前記半導体基板に形成された素子と、前記半導体基板を貫通するスルーホールと、前記半導体基板の両面側及び前記スルーホールの内面に形成されて、前記素子を被覆する絶縁層とを備えた構造体を用意する工程と、
前記スルーホール内に貫通電極を形成する工程と、
前記半導体基板の両面側に、前記絶縁層及び前記貫通電極を被覆する第1バリア金属層をそれぞれ形成する工程と、
第1バリア金属層及び前記絶縁層を加工することにより、前記素子の接続部に到達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内の前記素子の接続部の自然酸化膜を除去する工程と、
前記第1バリア金属層を利用して、前記貫通電極に接続される第1配線層と、前記コンタクトホールを通して前記素子の接続部に接続される第2配線層とを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1配線層及び前記第2配線層を形成する工程は、
前記第1バリア金属層上及び前記コンタクトホール内に第2バリア金属層を形成する工程と、
前記第2バリア金属層の上に、前記第1、第2配線層が配置される部分に開口部が設けられためっきレジストを形成する工程と、
前記第2バリア金属層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記めっきレジストの開口部に導電パターン層を形成する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記導電パターン層をマスクにして前記第2バリア金属層及び前記第1バリア金属層をエッチングする工程とを含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記素子は、ツェナーダイオード、トランジスタ又はキャパシタであることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記素子は、前記半導体基板の表層部に前記半導体基板と反対導電型の不純物拡散領域が形成されて構成されるツェナーダイオードであって、前記不純物拡散領域及び前記半導体基板の下面が前記接続部となっており、
前記コンタクトホールを形成する工程において、
前記コンタクトホールは前記半導体基板の両面側の前記絶縁層に形成されることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記貫通電極は銅から形成され、
前記第1バリア金属パターン層は、チタン層、下から順にチタン層/窒化チタン層、アルミニウム層、及びアルミニウム合金層のいずれかよりなることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
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