JP2010278120A5 - - Google Patents
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2009127576A JP5436046B2 (ja) | 2009-05-27 | 2009-05-27 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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| JP2010278120A JP2010278120A (ja) | 2010-12-09 |
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| JP2009127576A Expired - Fee Related JP5436046B2 (ja) | 2009-05-27 | 2009-05-27 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5436046B2 (enExample) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021025084A1 (ja) * | 2019-08-06 | 2021-02-11 | 学校法人関西学院 | SiC種結晶及びその製造方法、当該SiC種結晶を成長させたSiCインゴット及びその製造方法、並びに、当該SiCインゴットより製造されるSiCウェハ、エピタキシャル膜付きSiCウェハ及びこれらの製造方法 |
| EP4012079B1 (en) | 2019-08-06 | 2025-10-15 | Kwansei Gakuin Educational Foundation | Method for producing a sic substrate |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11162850A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子 |
| JP2007269627A (ja) * | 2002-03-19 | 2007-10-18 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 基板から継続するマイクロパイプを低減させるSiC結晶の製造方法およびSiC結晶、SiC単結晶膜、SiC半導体素子、SiC単結晶基板および電子デバイス、ならびにSiCバルク結晶の製造方法 |
| JP4100070B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2008-06-11 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4732025B2 (ja) * | 2004-08-19 | 2011-07-27 | 東北電力株式会社 | 炭化珪素薄膜の製造方法 |
| JP4954654B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2012-06-20 | 新日本製鐵株式会社 | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 |
| JP2008112834A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化ケイ素半導体装置の製造方法 |
| JP4853364B2 (ja) * | 2007-04-11 | 2012-01-11 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法 |
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