JP2010270139A - 微粒子の製造方法および有機カルボン酸インジウムの製造方法 - Google Patents
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Abstract
InP微粒子などの製造におけるIn源として有用な有機カルボン酸インジウムを、簡易にかつ工業的に有利に製造する方法を提供する。
【解決手段】
インジウムアルコキシドと有機カルボン酸無水物とを反応させる有機カルボン酸インジウムの製造方法である。
【選択図】なし
Description
なかでもCdSe微結晶は、製造が容易であり、CdSe粒径の制御も比較的容易であることから、利用性が高く、研究が進んでいるが、Cd由来の毒性を有するという欠点がある。
一方InP微結晶は、Cdのような毒性の問題が無いため、新たな発光中心として注目されてきている。
さらに、従来の方法で得られるInP粒子は、溶液中での分散性が悪く、反応中に沈降しやすいという欠点を有している。
このように、ウェットプロセスによるInP微粒子の製造に関しては、種々の方法が知られているが、これまで、反応温度と生成するInP微粒子の粒径との関係については、なんら言及されていない。ましてや反応温度によって、生成するInP微粒子の粒径を制御することは、これまで行われていなかった。
しかしながら、前記(1)の方法においては、系中に未反応の脂肪酸が残留する可能性と副生する酢酸が系中に残留する可能性があることが欠点である。これらは系中に活性プロトンを供与するため、P(TMS)3を分解して有毒ガスであるホスフィンを発生させる原因となる。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
(1) P、AsおよびSbの中から選ばれる少なくとも1種の元素Xと、Ga、In、Zn、Cd、Si、GeおよびSnの中から選ばれる少なくとも1種の元素Yとを、分子内に有する微粒子の製造方法であって、
(a)前記元素Xの原料と前記元素Yの原料とを、溶媒中で混合し、混合原料溶液を調製する工程、および
(b)前記混合原料溶液を、予め求めておいた反応温度と生成する微粒子の平均粒径との相関関係に基づき、所定の反応温度まで上昇させる工程、
を有することを特徴とする微粒子の製造方法、
(2) 元素Xの原料が、一般式(I)
Xn(SiR1 3)m …(I)
および/または一般式(II)
XHp(SiR2 3)q …(II)
(式中、n、m、pおよびqは、それぞれ1以上の整数、R1およびR2は、それぞれアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示す。)
で表される化合物を含む上記(1)項に記載の方法、
(3) 元素Yの原料が、有機オキソ酸塩またはアルコキシドを含む上記(1)または(2)項に記載の方法、
(4) 反応温度が80〜350℃である上記(1)〜(3)項のいずれか1項に記載の方法、
(5) 微粒子が、InP微粒子である上記(1)〜(4)項のいずれか1項に記載の方法、
(6) InP微粒子の製造に用いられるIn原料が、インジウムアルコキシドと有機カルボン酸無水物とから調製された有機カルボン酸インジウムである上記(5)項に記載の方法、
(7) 微粒子の平均粒径が、1〜10nmである上記(1)〜(6)項のいずれか1項に記載の方法、
(8) (a)工程および(b)工程は、いずれもバッチ式で実施する上記(1)〜(7)項のいずれか1項に記載の方法、
(9) インジウムアルコキシドと有機カルボン酸無水物とを反応させることを特徴とする有機カルボン酸インジウムの製造方法、および
(10) 有機カルボン酸無水物が、炭素数4〜30の長鎖脂肪酸の無水物である上記(9)項に記載の方法、
を提供するものである。
(a)前記元素Xの原料と前記元素Yの原料とを、溶媒中で混合し、混合原料溶液を調製する工程、および
(b)前記混合原料溶液を、予め求めておいた反応温度と生成する微粒子の平均粒径との相関関係に基づき、所定の反応温度まで上昇させる工程、
を有する。
Xn(SiR1 3)m …(I)
および/または一般式(II)
XHp(SiR2 3)q …(II)
(式中、n、m、pおよびqは、それぞれ1以上の整数、R1およびR2は、それぞれアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示す。)
で表される化合物を含む原料を用いることができる。
3つのR1および3つのR2は、それぞれにおいて、たがいに同一であっても異なっていてもよい。
なお、前記Aはアルキル基またはアルケニル基を示す。
このような方法により得られる脂肪酸インジウムは、例えばエタノールなどの洗浄により、副生する脂肪酸アルキルエステルを除去することができ、精製脂肪酸インジウムを得ることができる。
窒素を満たしたグローブボックス中において、インジウムトリイソプロポキシド(株式会社高純度化学研究所製)879mgを、減圧蒸留によって精製したトリオクチルホスフィン(TOP:東京化成工業株式会社製)50gに溶解し、0.05mol/L溶液を調製した。
(1)InP微粒子の合成
窒素を満たしたグローブボックス中において、実施例1で調製したミリスチン酸インジウム溶液1.6g(1.93mL)に、あらかじめ調製しておいたトリス(トリメチルシリル)ホスフィン[P(TMS)3](Acros Organics社製)の0.05mol/L TOP溶液1.2g(1.44mL)を加えた。オイルバスでこの反応溶液を10分間加熱することによってInP微粒子を合成した。加熱温度は100℃から300℃の間で選択した。生成するInP微粒子の平均粒径は加熱温度によって制御可能であった。その後反応溶液を室温まで自然冷却させると、TOP溶媒に分散したInP微粒子の分散液が得られた。図1に、反応温度とInP微粒子の平均粒径との関係をグラフで示す。図1から、反応温度と生成するInP微粒子の平均粒径との間に相関関係を有し、反応温度が100℃から300℃と高くなるに伴い、InP微粒子の平均粒径が2nmから3.5nmへと大きくなることが分った。
上記(1)で得られた分散液に、エタノール[和光純薬工業株式会社製]を約50mL加えて、InP微粒子の沈殿を生成させた。生成させた沈殿を遠心分離により分取し、これに約1mLのトルエン[和光純薬工業株式会社製]を加えることにより、InP微粒子のトルエン分散液を作製した。さらにエタノール添加−遠心分離−トルエンへの分散を数回繰り返し、分散液中に残留している遊離TOPを除去した。粒子サイズによる分級操作は行わなかった。
上記のように、加熱温度によって平均粒径を制御しつつInP微粒子を作製することが可能である。
実施例2で得られたInP微粒子およびZnSe微粒子はその表面に長鎖アルキル基を有する分子が配位しているため、トルエン等の無極性有機溶媒に対して高い分散性を示した。この表面配位分子を水と親和性の高い分子に交換することで、水に対して高い分散性を示すInP微粒子を調製することが可能である。この配位分子置換反応中にZnSeシェルは溶解してしまうが、化学的により安定なZnSシェルを最外層に導入することで、水への高い分散性と高い発光効率の両方を有するInP微粒子を作製可能である。
ZnSシェルの構築は、実施例2で作製したInP微粒子TOP分散液に対しても、ZnSe被覆InP微粒子に対しても行うことが可能である。ここでは、InP微粒子へのZnSシェルの導入手法について記述する。ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛(東京化成工業株式会社製)218mgを25gのTOPに溶解し、ZnS前駆体溶液を調製した。窒素を満たしたグローブボックス中において、実施例2にて作製したInP微粒子のTOP分散液(加熱温度180℃)に、ZnS前駆体溶液15gを加え、200℃で15時間加熱することで、ZnS被覆InP微粒子を作製した。微粒子の反応溶媒からの分離手法はZnSe被覆InP微粒子のそれと同様である。
上記(1)で作製したZnS被覆InP微粒子の最表面にはミリスチン酸およびTOPが配位していると考えられる。これをメルカプト酢酸に変換することにより、高極性溶媒への高い分散性を有するInP微粒子への変換が可能である。
また、本発明の脂肪酸インジウムの製造方法によれば、InP微粒子などの製造におけるIn源として有用な有機カルボン酸インジウムを、簡易にかつ工業的に有利に製造することができる。
Claims (2)
- インジウムアルコキシドと有機カルボン酸無水物とを反応させることを特徴とする有機カルボン酸インジウムの製造方法。
- 有機カルボン酸無水物が、炭素数4〜30の長鎖脂肪酸の無水物である請求項1に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010166264A JP5127890B2 (ja) | 2006-07-31 | 2010-07-23 | 微粒子の製造方法および有機カルボン酸インジウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006207960 | 2006-07-31 | ||
JP2006207960 | 2006-07-31 | ||
JP2010166264A JP5127890B2 (ja) | 2006-07-31 | 2010-07-23 | 微粒子の製造方法および有機カルボン酸インジウムの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008527814A Division JPWO2008016154A1 (ja) | 2006-07-31 | 2007-07-30 | 微粒子の製造方法および有機カルボン酸インジウムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010270139A true JP2010270139A (ja) | 2010-12-02 |
JP5127890B2 JP5127890B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=38997326
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008527814A Pending JPWO2008016154A1 (ja) | 2006-07-31 | 2007-07-30 | 微粒子の製造方法および有機カルボン酸インジウムの製造方法 |
JP2010166264A Expired - Fee Related JP5127890B2 (ja) | 2006-07-31 | 2010-07-23 | 微粒子の製造方法および有機カルボン酸インジウムの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008527814A Pending JPWO2008016154A1 (ja) | 2006-07-31 | 2007-07-30 | 微粒子の製造方法および有機カルボン酸インジウムの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090264668A1 (ja) |
JP (2) | JPWO2008016154A1 (ja) |
WO (1) | WO2008016154A1 (ja) |
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-
2007
- 2007-07-30 WO PCT/JP2007/065309 patent/WO2008016154A1/ja active Application Filing
- 2007-07-30 JP JP2008527814A patent/JPWO2008016154A1/ja active Pending
- 2007-07-30 US US12/375,456 patent/US20090264668A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-07-23 JP JP2010166264A patent/JP5127890B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US10465111B2 (en) | 2016-11-15 | 2019-11-05 | Fujifilm Corporation | Core shell particle, method of producing core shell particle, and film |
US10519369B2 (en) | 2016-11-15 | 2019-12-31 | Fujifilm Corporation | Core shell particles, method for producing core shell particles, and film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008016154A1 (en) | 2008-02-07 |
JP5127890B2 (ja) | 2013-01-23 |
US20090264668A1 (en) | 2009-10-22 |
JPWO2008016154A1 (ja) | 2009-12-24 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121030 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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