JP2010264414A - 水切り装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】装置の大型化が不要で、かつ安価なランニングコストで溶剤中の水分量を効率よく除去することができる水切り装置を提供する。
【解決手段】ワークW表面の水を、溶剤100を用いて置換する水切り装置1は、溶剤100が充填されてワークWが浸漬される水切り槽10と、水切り槽10内の溶剤100が流入可能に水切り槽10と接続された第1水分離槽20と、第1水分離槽20内の溶剤100を加熱可能なヒーター23と、第1水分離槽20内で加熱された溶剤100の蒸気が流入可能に第1水分離槽20に取り付けられた蒸留部30とを備えることを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、溶剤を用いてワーク表面の水分を除去する水切り装置、より詳しくは、溶剤中の水分を効率よく除去することができる水切り装置に関する。
従来、ワーク等の被洗浄物を純水等で洗浄後、表面の水分を除去するために疎水性の溶剤に浸漬し、当該溶剤で水分の置換を行う水切り装置が知られている。
このような水切り装置は、連続して使用し続けることによって溶剤中の水分量が増加し、やがて水分が十分置換されなくなる結果として乾燥不良が発生する。これを防ぐために、油水分離フィルター(コアレッサー)や吸着剤等を用いて水分除去を行うことが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2008−244086号公報
しかしながら、コアレッサーの分離性能は十分とは言えず、劣化した際には交換が必要になる。また、吸着剤においては、水分を許容限界まで吸収し脱水能力を失った際に、加熱等の再生作業が必要になる。いずれにしても水切り装置の設備は大型かつ高額となりやすく、水分除去性能を維持するために、高額なランニングコストが発生するという問題がある。
かといってこのような対策を何も施さない場合は、溶剤中の水分を減少させるために、装置を間欠運転させる等の対応が必要となり、ワーク等の製造効率向上を妨げるという問題がある。
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、装置の大型化が不要で、かつ安価なランニングコストで溶剤中の水分量を効率よく除去することができる水切り装置を提供することを目的とする。
本発明は、ワーク表面の水を、溶剤を用いて置換する水切り装置であって、前記溶剤が充填されて前記ワークが浸漬される水切り槽と、前記水切り槽内の前記溶剤が流入可能に前記水切り槽と接続された水分離槽と、前記水分離槽内の前記溶剤を加熱可能な加熱部と、前記水分離槽内で加熱された前記溶剤の蒸気が流入可能に前記水分離槽に取り付けられた蒸留部とを備えたことを特徴とする。
なお、本発明において「ワーク」とは、単独の部品、及び複数の部品が組み合わされた製品又は半製品を含む。
前記水切り槽は、前記蒸気が前記水切り槽に流入することを抑制する遮蔽部を有してもよい。
また、前記蒸留部は、前記蒸気を冷却する冷却部を有してもよい。
本発明の水切り装置は、前記蒸留部で捕集された液体が流入可能に前記水分離槽と接続され、自身に充填された前記溶剤を前記水切り槽に供給可能に前記水切り槽と接続された第2水分離槽をさらに備えてもよい。
本発明の水切り装置は、前記水分離槽及び第2水分離槽の少なくとも一方に接続され、前記溶剤の上部に分離する水を排出するための配管をさらに備え、前記配管は、液体が貯留されて管路を封止するためのトラップを有してもよい。
さらに、本発明の水切り装置は、前記水切り槽の上部に設けられた第2冷却部を備えてもよいし、前記水切り槽と前記第2水分離槽との間に設けられ、前記水切り槽から取り出された前記ワークを、自身に充填された前記溶剤に浸漬させてすすぎを行うすすぎ槽を備えてもよい。
本発明の水切り装置によれば、装置の大型化が不要で、かつ安価なランニングコストで溶剤中の水分量を効率よく除去することができる。
本発明の第1実施形態の水切り装置の構成を示す図である。 本発明の第2実施形態の水切り装置の構成を示す図である。 本発明の第3実施形態の水切り装置の構成を示す図である。
本発明の第1実施形態の水切り装置について、図1を参照して説明する。図1は、本実施形態の水切り装置1の構成を示す図である。
水切り装置1は、各種のワークWの表面に付着した水分を除去する装置であり、溶剤が充填されてワークWが浸漬される水切り槽10と、水切り槽10と接続された第1水分離槽(水分離槽)20と、第1分離槽に設けられた蒸留部30と、水切り槽10及び蒸留部30と接続された第2水分離槽40とを備えている。
水切り槽10には、溶剤100が充填されている。溶剤100は、水をほとんど溶解しない疎水性の溶剤が用いられ、フッ素系や臭素系、塩素系等の溶剤を使用することができる。溶剤100には、ワークW表面の水分を置換可能にするために、エタノールやイソプロピルアルコール(IPA)等の水溶性溶剤が添加される。水溶性溶剤は経時的に蒸発して減少していくため、図示しない供給機構によって適宜補充される。
水切り槽10の上部には、ワークWに対して蒸気洗浄を行うための冷却管(第2冷却部)11が取り付けられているが、これは必須ではなく、冷却管11を備えない構成としてもよい。水切り槽10には、水切り性を向上させるためにヒーターを設置して液温を上昇させても良く、その場合には、水切り槽10の上部に冷却管11を備える構成が望ましい。
第1水分離槽20は、隔壁21を挟んで水切り槽10と隣接して設けられている。第1水分離槽20にも溶剤100が充填されているが、水切り槽10の溶剤の方が高い水位に設定されているため、溶剤100は水切り槽10から第1水分離槽20にオーバーフローする。
隔壁21の上方には流路壁22が設けられ、流路壁22の水切り槽10側の端部には、水切り槽10の上部の周壁から延設されて溶剤100内まで延びる仕切り(遮蔽部)12が設けられている。したがって、流路壁22及び仕切り12によって、第1水分離槽20内の空気が水切り槽10内に進入することが抑制されている。仕切り12は、水切り装置1の運転中、常に溶剤100内に位置するように、仕切り12の長さ及び溶剤100の量が設定される。
第1水分離槽20の底面付近には、溶剤100を加熱可能なヒーター(加熱部)23が取り付けられている。ヒーター23は、溶剤100を加熱可能であれば、底面付近以外の位置に設置されてもよい。
蒸留部30は、第1水分離槽20の上方に接続された蒸気流路31と、蒸気流路の上方に設けられた蒸留室32とを備えており、第1水分離槽20及び蒸留部30によって閉じた空間が形成されている。流路壁22の第1水分離槽20側の端部には、蒸気流路31の周壁から延設されて第1水分離槽20内の溶剤100内まで延びる仕切り24が設けられている。仕切り24も仕切り12同様、常に溶剤100内に位置するように設定される。
蒸留室32内には、沸騰した溶剤100を液化して捕集するための冷却管(冷却部)33が取り付けられている。蒸留室32は、配管34によって第2水分離槽40と接続されている。
第2水分離槽40は、配管34が接続されて蒸留部30で捕集された液体が流入する供給口41と、第2水分離槽40から水切り槽10に溶剤を供給するための排出口42とを備えている。配管34には、水切り槽10から延びる配管13が合流しており、水切り槽10内で冷却管11によって冷却された液体も併せて第2水分離槽40内に流入する。
排出口42は、配管43によって水切り槽10と接続されている。第2水分離槽40内に充填された溶剤100の水位は水切り槽10よりも高く設定されており、第2水分離槽40内の溶剤100は、自重によって配管43を通って水切り槽10内に流れ込む。
第2水分離槽40内上部の空間は、天井40Aから延設されて溶剤100内まで延びる仕切り44によって供給口41側の第1空間S1と排出口42側の第2空間S2とに分けられている。仕切り44は、供給口41から流入する液体のうち、溶剤100と分離された水分を除去しやすくする。
以上のように構成された水切り装置1の使用時の動作について説明する。ここでは、ワークWとして光学素子101が使用される例を説明する。
まず、表面に純水等の水分が付着した光学素子101が、搬送治具102によって搬送され、水切り槽10の溶剤100に浸漬される。光学素子101は、純水で洗浄されたものでも、洗浄液等で洗浄された後に純水でリンスされたものでもいずれでも構わない。
光学素子101が溶剤100に浸漬されると、溶剤100に添加された水溶性溶剤によって光学素子101の表面の水が溶剤100に置換されて光学素子101の水切りが行われる。
水切り装置1の使用開始後、光学素子101を溶剤100に浸漬するごとに、溶剤100の含水率が漸次上昇していく。含水率が一定比率を超えると、水切りが十分に行えなくなり、光学素子101の表面に水分によるしみが残留してしまうことがある。
これを防ぐために、本実施形態の水切り装置1では、運転当初から第1水分離槽20に設置されたヒーター23が稼動され、溶剤100が加熱される。第1水分離槽20内の溶剤100は、ヒーター23によって加熱され、蒸気となって蒸気流路31を通り蒸留室32に流入する。このとき、溶剤100に溶け込んだ水溶性溶剤及び水も、共沸によって溶剤100とともに蒸気となり、同様に蒸留室32に流入する。なお、溶剤100は沸点以上の温度になるまで加熱されるのが好ましい。
蒸留室32では、溶剤100、水溶性溶剤、及び水の各成分の蒸気が冷却管33によって冷却され、液体となって捕集される。このとき、温度が低下するため、液化した蒸気においては、溶剤100と水溶性溶剤及び水とが分離される。分離された各液体は、配管34を通って第2水分離槽40に送られる。
第2水分離槽40には仕切り44が設けられているため、溶剤100と分離した水103は、もっぱら第1空間S1に貯留される。そのため、第2空間S2の溶剤は含水率が低くなった状態で水切り槽10に再度供給される。第1空間S1に貯留した水103は、図示しないポンプ等によって適宜排出される。
水切り槽10内でも、溶解しきれなかった水は溶剤100の上部に分離してくる(不図示)が、この水は、第2水分離槽40から溶剤100が供給されると、オーバーフローによって順次第1水分離槽20に移動し、仕切り24よりも水切り槽10側に位置する溶剤100の上部に貯留する。この水も図示しないポンプ等によって適宜排出される。
水切りの終わった光学素子101は、適宜搬送治具102によって水切り槽10の上方に引き上げられる。ヒーター23の熱は、水切り槽10にも伝わっており、また、沸点まで液温が上昇していない状態でも溶剤100の蒸気は発生しているため、水切り槽10内にも溶剤100の蒸気が存在する。このため、光学素子101が搬送治具102によって引き上げられる際に公知の蒸気乾燥が行われる。蒸気乾燥終了後、光学素子101は水切り装置1の外に搬出される。
水切り槽10内の蒸気の一部は、蒸気乾燥用の冷却管11によって冷却され、溶剤100と水とが分離した状態で、配管13を通って第2水分離槽40へ送られる。
本実施形態の水切り装置1によれば、水切り槽10内で含水率の高まった溶剤100が第1水分離槽20に送られ、ヒーター23によって加熱される。加熱により溶剤100が蒸気となり、蒸留部30に送られて冷却される。この冷却によって溶剤100に含まれる水が分離され、第2水分離槽40に送られる。分離された水103は溶剤100との比重の違いによって第2水分離槽40内で容易に除去することができる。
したがって、含水率の高まった溶剤100から効率よく水分を除去することができ、長時間の連続運転においても、光学素子101の乾燥不良の発生を防いで好適に水切りを行うことができる。
また、第2水分離槽40に、溶剤100の液面を区切って第1空間S1と第2空間S2とを規定する仕切り44が設けられているので、蒸留部30で溶剤100と分離されて第2水分離槽40に流れ込む水103が、供給口41側の第1空間S1に好適に貯留される。その結果、水103の除去がより容易になるとともに、排出口42から水切り槽10に戻される溶剤100の含水率を低く抑えることができる。また、第2水分離槽40の内部に冷却管を入れ、積極的に液温を低下させることで水分離性を促進させても良い。
さらに、水切り槽10には、第1水分離槽20との空気の連通を遮断する仕切り12が設けられているので、第1水分離槽20で発生した水分を含む溶剤の蒸気が直接水切り槽10内に流入することが抑制される。したがって、光学素子101が水切り槽10内で引き上げられる際の水蒸気によるしみの発生等の不具合を防止することができる。
加えて、第1水分離槽20には、仕切り24が設けられているので、上述の仕切り44同様、溶剤100の上部に分離した水を好適に貯留させて容易に除去することができる。
また、従来の多くの水切り装置においては、コアレッサー等によって水分除去を行うために、水切り槽10に隣接して第1水分離槽20に相当する槽が併設されているので、当該槽にヒーター及び蒸留部を取り付けるだけで、本実施形態の水切り装置1の基本的な構成を整えることができる。したがって、既存の水切り装置にも低コストかつ容易に適用可能な構成で、溶剤100の含水率の上昇を好適に抑制することができる。
さらに、コアレッサーや吸着剤等を使用することなく溶剤から水分を除去することができるので、ランニングコストを著しく低減して安価にすることができる。
本実施形態では、水切り槽10の上部に冷却管11が配置され、溶剤100を用いた水切り後に、続けて水切り槽10内で蒸気乾燥が行われる例を説明したが、本発明の水切り装置においては、このような構成は必須ではない。したがって、水切り後、光学素子101等のワークが搬送治具102等によって別個準備された蒸気乾燥装置等に運ばれて、蒸気乾燥等が行われてもよい。この場合は、必ずしもヒーター23が水切り槽10内の溶剤を加熱できるように構成する必要はなく、水切り槽10と第2水分離槽40とを接続する配管13も必要ない。
水切り槽10には、前工程からの汚れが持ち込まれるため、水切り槽10内の溶剤100には、研磨材などの異物が含まれることがある。このような異物の量が増えると、光学素子101に異物が再付着する様になり、それを防止するために、溶剤100の濾過循環が必要となる場合がある。その場合には、第1水分離槽20から溶剤100をポンプで吸引し、濾過フィルターを通過させた後に、水切り槽10の上部に設置したシャワーノズルに濾過後の溶剤100を供給することができる。その後シャワーノズルから出る溶剤100により、水切り槽10の上部に浮遊する水を、効率良く第1水分離槽20へ押し流すことが可能である。
次に、本発明の第2実施形態について、図2を参照して説明する。本実施形態の水切り装置51と上述の第1実施形態の水切り装置1との異なるところは、トラップを有する配管をさらに備える点である。なお、以降の説明において、既出の各実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
図2は、水切り装置51の構成を示す図である。第1水分離槽20のうち、流路壁22及び仕切り24で規定された空間(以下、「仕切り空間S3」と称する。)には、トラップ53を有する配管52が取り付けられている。トラップ53は、U字状の公知の構成を有する。配管52の流入口52Aは、水切り装置51の運転中、常に溶剤100の液面より上に位置するように設定され、排出口52Bは、流入口52Aよりも低い位置にあるように設定される。
上記のように構成された水切り装置51では、第1実施形態同様、運転中にヒーター23が第1水分離槽20内の溶剤100を加熱することにより、溶剤100から水分が除去されて含水率の上昇が抑制される。
溶剤100と分離した水103が仕切り空間S3に貯留し、水103の液面が配管52の流入口52Aよりも高くなると、水103は配管52に流れ込み、自重で水切り装置51の外へ排出される。トラップ53には、常に一定の量の水が残留して配管52内の管路が封止されるため、第1水分離槽20で発生した溶剤100の蒸気は配管52を通って水切り装置51の外部に逃げることが抑制される。
また、仕切り空間S3には、一定量の水103が貯留する様になり、貯留した水103が蓋の役割を果たすことで溶剤100の蒸発を抑えることができる。その結果、仕切り12を設置しなくても、第1水分離槽20で発生する水蒸気を含む蒸気が、水切り槽10へ進入することを抑えることができる。
第1実施形態の水切り装置1では、仕切り空間S3に貯留した水は、図示しないポンプ等によって排出されると説明したが、本実施形態の水切り装置51においては、配管52が取り付けられていることにより、仕切り空間S3に貯留した水103は、ポンプ等を必要とせずに自重で装置外部に排出されるため、より簡素な構成とすることができる。また、配管52は、トラップ53を有するので、電磁弁等を用いることなく簡素な構造で気化した溶剤100の逃げを抑制し、溶剤100を効率よく循環させることができる。
なお、本実施形態においては、仕切り空間S3にのみ配管52が取り付けられた例を説明したが、これに加えて、第2水分離槽40の第1空間S1に同様の配管52が取り付けられてもよい。
次に、本発明の第3実施形態について、図3を参照して説明する。本実施形態の水切り装置61と上述の第1実施形態の水切り装置1との異なるところは、すすぎ槽をさらに備える点である。
図3は、水切り装置61の構成を示す図である。水切り槽10には、隔壁62を隔ててすすぎ槽63が設けられている。
すすぎ槽63には、水切り槽10と同一の溶剤100が入っている。第2水分離槽40の排出口42と接続された配管43は、すすぎ槽63に溶剤100を供給する。すすぎ槽63の液面は、水切り槽10よりも高く、第2水分離槽40よりも低く設定されている。
また、水切り槽10及びすすぎ槽63には、光学素子101の水切り置換性能を向上させるために、超音波装置64が取り付けられている。超音波装置64は、公知のものから適宜選択して採用することができる。
上記のように構成された水切り装置61を使用する際は、まず光学素子101を水切り槽10内の溶剤100に浸漬し、水切り置換を行う。その後、搬送治具102によって光学素子101を水切り槽10から引き上げ、すすぎ槽63内の溶剤100に浸漬させてすすぎを行う。光学素子101は、水切り槽10で水切りされてからすすぎ槽63に入れられるため、すすぎ槽63内の溶剤100は含水率が上昇しにくく、好適に光学素子101の水切りを行うことができる。すすぎ槽63におけるすすぎ終了後は、第1実施形態と同様、蒸気乾燥が行われたり、次工程に搬送されたりしてよい。なお、本実施形態の水切り装置61の場合には、エタノールやIPA等の水溶性溶剤は、水切り槽10にのみ適宜補充されれば良い。
また、蒸留部30で捕集されて第2水分離槽40で水が分離された溶剤100は、まずすすぎ槽63に流れ込み、その後オーバーフローによって水切り槽10に流れ込むため、すすぎ槽63内の溶剤を常に含水率が低い状態に維持することができる。
さらに、水切り槽10及びすすぎ槽63に超音波装置64が取り付けられているので、水切り置換をより好適に行うことができる。なお、超音波装置64は、水切り槽10及びすすぎ槽63のいずれか一方にのみ設けられてもよい。
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述の各実施形態においては、蒸留部が冷却部を備える例を説明したが、これに代えて、公知の蒸留塔を蒸留部として採用し、冷却部を備えない構成としてもよい。この場合、蒸留部は密閉空間とする必要はなく、上部が開放されていてもよい。
ただし、上部が開放された蒸留塔で上記を確実に捕集するためには、一定の大きさが必要となるため、冷却部を備えた構成とした場合、水切り装置1の小型化がより容易であるというメリットがある。
また、上述の各実施形態においては、第2水分離槽40を備えて蒸留部30で捕集した溶剤100が再び水切り槽10に循環される例を説明したが、これに代えて、第2水分離槽40で捕集した液体を循環させずに、水切り槽10に新しい溶剤100が供給されるように装置を構成してもよい。
ただし、第2水分離槽40を備えた構成で溶剤100を循環させれば、溶剤100を効率的に使用してその使用量を節減することができるというメリットがある。
さらに、蒸留部30と第2水分離槽40とを接続する配管34に吸着剤等を取り付けて、溶剤100から分離された水分の一次除去を行ってもよい。このようにすると、第2水分離槽40に流れ込む水103の量を減少させて、水切り槽10に供給される溶剤の含水率をさらに低減することができる。または、配管34に設置された吸着剤等により、第2水分離槽40を不要にすることもできる。
1、51、61 水切り装置
10 水切り槽
11 冷却管(第2冷却部)
12 仕切り(遮蔽部)
20 第1水分離槽(水分離槽)
23 ヒーター(加熱部)
30 蒸留部
33 冷却管(冷却部)
40 第2水分離槽
52 配管
53 トラップ
63 すすぎ槽
100 溶剤
101 光学素子(ワーク)
W ワーク

Claims (7)

  1. ワーク表面の水を、溶剤を用いて置換する水切り装置であって、
    前記溶剤が充填されて前記ワークが浸漬される水切り槽と、
    前記水切り槽内の前記溶剤が流入可能に前記水切り槽と接続された水分離槽と、
    前記水分離槽内の前記溶剤を加熱可能な加熱部と、
    前記水分離槽内で加熱された前記溶剤の蒸気が流入可能に前記水分離槽に取り付けられた蒸留部と、
    を備えることを特徴とする水切り装置。
  2. 請求項1に記載の水切り装置において、
    前記水切り槽は、前記蒸気が前記水切り槽に流入することを抑制する遮蔽部を有することを特徴とする水切り装置。
  3. 請求項1又は2に記載の水切り装置において、
    前記蒸留部が、前記蒸気を冷却する冷却部を有することを特徴とする水切り装置。
  4. 請求項1から3のいずれか1項に記載の水切り装置において、
    前記蒸留部で捕集された液体が流入可能に前記水分離槽と接続され、自身に充填された前記溶剤を前記水切り槽に供給可能に前記水切り槽と接続された第2水分離槽をさらに備えることを特徴とする水切り装置。
  5. 請求項1から4のいずれか1項に記載の水切り装置において、
    前記水分離槽及び前記第2水分離槽の少なくとも一方に接続され、前記溶剤の上部に分離する水を排出するための配管をさらに備え、
    前記配管は、液体が貯留されて管路を封止するためのトラップを有することを特徴とする水切り装置。
  6. 請求項1から5のいずれか1項に記載の水切り装置において、
    前記水切り槽の上部に設けられた第2冷却部をさらに備えることを特徴とする水切り装置。
  7. 請求項1から6のいずれか1項に記載の水切り装置において、
    前記水切り槽と前記第2水分離槽との間に設けられ、前記水切り槽から取り出された前記ワークを、自身に充填された前記溶剤に浸漬させてすすぎを行うすすぎ槽をさらに備えることを特徴とする水切り装置。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6227003A (ja) * 1985-07-30 1987-02-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 水切り洗浄方法及び装置
JPS62286583A (ja) * 1986-06-06 1987-12-12 古河電気工業株式会社 アルミデイスク洗浄装置
JPS63133390U (ja) * 1987-02-25 1988-08-31
JPH0293657U (ja) * 1988-12-28 1990-07-25

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6227003A (ja) * 1985-07-30 1987-02-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 水切り洗浄方法及び装置
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