JP2010260206A - 積層体およびそれを用いた配線回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属製支持基板1上に、剥離層2を介して樹脂層3を積層し、積層体とする。ここで、剥離層2と金属製支持基板1との密着力が、剥離層2と樹脂層3との密着力よりも大きいように、かつ、樹脂層3が剥離層2から剥離可能であるように、該剥離層2の材料を選択し、それによって、樹脂層だけを当該積層体から剥離可能とする。この積層体の樹脂層3が配線回路基板のベース絶縁層となるように、当該積層体の上に配線回路を形成すれば、エッチングを用いることなく、金属製支持基板1を容易に剥がすことができる。
【選択図】図1
Description
以下の説明では、ウェハ基板上に半導体素子が形成された段階(ダイシング前の段階)のものを「半導体ウェハ」と呼ぶ。また、半導体チップを、単に「チップ」とも呼んで説明する。
配線回路基板としては、チップと共に封止されるパッケージ用回路基板や、他の素子が多数実装される一般的な回路基板などが挙げられる。また、チップとパッケージ用回路基板との接続には、インターポーザと称される接点付きのフレキシブル配線回路基板を間に介在させる場合もある(特許文献1、2)。
いずれの配線回路基板も、基本的には、ベース絶縁層(絶縁性のフィルム基材)上に回路層が積層された構造を持っており、該ベース絶縁層は、薄い樹脂製の基板である。
よって、従来では、特許文献1、2などに示されているとおり、先ず、ステンレスなどからなる金属製支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成して適当な剛性を与え、取り扱い性を改善した状態でチップ実装を行ない、そして、チップを実装して剛性が向上した後に金属製支持基板をエッチングにより除去するといった方法が用いられている。
即ち、従来では、上記説明のとおり、金属製支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成し、半導体素子を実装した後に金属製支持基板を除去している。ここで、金属製支持基板と配線回路基板とは、一体不可分な積層体として形成され、素子実装の後、該金属製支持基板を除去する際には、エッチングが用いられている。
本発明者等が見出した問題点は、エッチングによって金属製支持基板を除去すると、該金属製支持基板が消失するので、該金属製支持基板を再利用することができないという点である。また、従来では特に問題とはされていなかったが、エッチングによって金属製支持基板を除去する工程があるために、レジストの付与と除去など、製造工程が煩雑になっており、
製造コストが高くなっていることも問題である。またさらに、逐一エッチングによって金属製支持基板を除去していたのでは、エッチングの廃液処理の環境負荷も大きいという問題もある。
(1)金属製支持基板上に、剥離層を介して樹脂層が積層された構造を有する積層体であって、
剥離層と金属製支持基板との密着力が、剥離層と樹脂層との密着力よりも大きいように、かつ、樹脂層が剥離層から剥離可能であるように、剥離層の材料が選択されており、それによって、樹脂層だけが当該積層体から剥離可能となっている、前記積層体。
(2)剥離層が、無機物または無機酸化物からなる層であるか、または、前記無機物からなる層として形成されているが該層の表層部分が無機酸化物へと変化している層である、上記(1)に記載の積層体。
(3)前記無機物が、銀、チタン、タングステン、ニッケル、モリブデンおよびケイ素から選ばれる1つの材料である、上記(2)記載の積層体。
(4)当該積層体が、樹脂層上に他の層を形成してなる積層構造を有する物品を製造するための素材として用いられるものであって、
樹脂層が、前記積層構造を有する物品の樹脂層として利用可能となるように、その材料と厚さとが選択されている、上記(1)〜(3)のいずれかに記載の積層体。
(5)前記積層構造を有する物品が、半導体素子を実装するための配線回路基板であって、該配線回路基板は、樹脂層をベース絶縁層とし、その上に導体層を回路パターンとして形成してなる積層構造を少なくとも有するものであり、
当該積層体の樹脂層が、前記配線回路基板のベース絶縁層として利用可能となるように、その材料と厚さとが選択されている、上記(4)に記載の積層体。
(6)上記(5)に記載の積層体が用いられ、
該積層体の樹脂層の上に少なくとも導体層が回路パターンとして形成され、それによって、該樹脂層をベース絶縁層とし、その上に導体層を回路パターンとして形成してなる積層構造を少なくとも有する配線回路基板が、前記積層体中の剥離層上に存在していることを特徴とする、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板。
よって、煩雑なエッチング工程が不要になり、かつ、金属製支持基板を再利用することも可能になり、製造コストを低減することができる。
また、エッチングが不要となるために、その廃液処理の問題も根本的に無くなる。
図1は、本発明の積層体の構造とその作用を模式的に示した図である。同図(a)に示すように、当該積層体は、金属製支持基板1の上に、剥離層2を介して樹脂層3が積層された構造を少なくとも有する。そして、剥離層の材料が、次の(A)、(B)の条件を満たすように選択されている。
(A)剥離層2と金属製支持基板1との密着力が、剥離層2と樹脂層3との密着力よりも大きいこと。
(B)樹脂層3が剥離層2から剥離可能であること。
上記構成によって、図1(b)に示すように、樹脂層3だけが当該積層体から剥離可能となっており、金属製支持基板1をエッチングによらず、損傷無く、容易に回収することが可能となっている。
剥離層と樹脂層との密着力の下限は特に定める必要はないが、取り扱い可能な程度に樹脂層を剥離層に密着させる点からは、2N/m程度が好ましい下限である。
一方、金属製支持基板と剥離層との密着力は、樹脂層に対する剥離層の密着力を上回っていればよいが、実使用上において、両者の密着力が接近していると、剥離させる操作によっては、剥離層が金属製支持基板から剥がれて樹脂層側に付いてくる可能性がある。よって、金属製支持基板に対する剥離層の密着力は、樹脂層の剥離操作に支障がない程度に充分に大きい方が好ましく、200N/m以上、特に500N/m以上が好ましい値である。金属製支持基板と剥離層との密着力の上限は特に定める必要はないが、2000N/m程度が一般的な密着力の限界である。
上記条件を満たすように剥離層の材料を選択し介在させることによって、図1(b)に示すように、樹脂層だけを当該積層体から容易に剥がすことができ、かつ、金属製支持基板を損傷なく回収できるようになる。また、樹脂層の上に回路等を形成すれば、金属製支持基板を剥離可能に有する配線回路基板が得られる。
金属製支持基板と剥離層との密着力の測定方法も、前記と同様である。
当該積層体の用途が、半導体素子を実装するための配線回路基板である場合、半導体素子と金属製支持基板との線膨張係数の差を小さくするために、ニッケルと鉄を主な成分とする合金(例えば、42アロイ)を用いることが好ましい。
金属製支持基板の厚さが5μmを下回ると、取り扱い性が悪い場合があり、70μmより厚いと、ロール・トゥ・ロールによる生産が困難になる場合がある。
特に、当該積層体を用いて配線回路基板を製造する場合、即ち、樹脂層が配線回路基板のベース絶縁層となる場合、金属製支持基板を剥離した後の樹脂層が、より薄く、より大きな機械的強度を有し、より好ましい電気的特性(絶縁特性など)を有するフレキシブルなベース絶縁層となる点からは、ポリイミド、ポリアミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガラス布複合エポキシ樹脂などが樹脂層の好ましい材料として挙げられる。
上記した金属製支持基板と樹脂層の各材料に対する剥離層の材料としては、例えば、次に挙げる有機物や無機物が挙げられ、それによって、上記(A)、(B)の条件を満たすことができる。
有機物としては、フッ素系樹脂やシリコーン系樹脂などが例示される。無機物としては、銀、チタン、タングステン、ニッケル、モリブデンなどの金属や、シリコン(ケイ素)などの非金属、またはこれら無機物が酸化した無機酸化物が挙げられる。また、剥離層が無機物で形成されている場合、該剥離層の表層部分が、例えば空気中の酸素と反応することなどによって無機酸化物となっていてもよい。例えば、ニッケルなどで剥離層を形成する場合、その表層は、空気中の酸素による自然酸化によって酸化ニッケルとなっている。
剥離層が、上記無機物またはその酸化物からなる場合は、樹脂層の形成プロセスにおいて、300℃以上の加熱を行なっても、該剥離層と金属製支持基板との密着力が損なわれることがない。
上記の材料の中でも、チタン、酸化チタン、シリコン、シリコン酸化物は、樹脂層を剥離する際に、該樹脂層に起因する有機物残渣が、剥離層の表面に付着しにくいので、金属製支持基板を再利用する上で有利である。
また、該剥離層が上記無機物または無機酸化物である場合には、該層の形成方法としては、電解めっき法、真空蒸着法、スパッタリング法などの堆積法が挙げられる。
これらの方法によって、上記材料からなる剥離層を金属製支持基板に対して好ましく密着させることができる。
樹脂層の材料がポリイミドの場合は、ポリアミック酸の溶液を塗布、乾燥して、ポリアミック酸からなる層を積層した後、300℃以上の温度で加熱しイミド化し、目的の樹脂層とする。上記したように、このような高温の加熱を行う場合でも、剥離層が上記の無機物または無機酸化物であれば、金属製支持基板との密着力が劣化することはない。
いずれの場合にも、当該積層体の樹脂層が製造目的とする物品の樹脂層となるように(例えば、物品が配線回路基板の場合には、樹脂層が配線回路基板のベース絶縁層として機能し得るように)、その樹脂の材料、厚さを選択すればよい。
製造目的の配線回路基板は、樹脂製のベース絶縁層と、その上に回路パターンとして形成された導体層が形成された積層構造を少なくとも有するものである。
先ず、図2(a)に示すように、製造目的の配線回路基板のベース絶縁層を樹脂層3として有する当該積層体Aを用意する。該積層体Aは、図1(a)と同様、金属製支持基板1上に、剥離層2を介して樹脂層3が積層された構造を有するものである。
次に、図2(b)に示すように、樹脂層3の上に導体層4を回路パターンの態様にて形成する。この時点で、該樹脂層3と導体層4とを有する配線回路基板Bが、当該積層体A中の剥離層2の上に剥離可能に形成されたとみなすことができる。
導体層4の上には、図2(c)に断面を示すように、導体パターンを適宜覆うカバー絶縁層5、該カバー絶縁層5上に形成された接点6(該接点は導通路を通じて導体パターン5と接続されている)などを、必要に応じてさらに形成してもよい。
配線回路基板Bの構造は、樹脂層3をベース絶縁層として、その上に、導体層をさらに多重に形成してもよく、目的に応じて、従来公知のあらゆる配線回路基板の構造を採用してよい。
接点の表面には、接触信頼性を向上させるための貴金属被膜を形成してもよい。
半導体素子を実装するための配線回路基板では、導体パターンの厚さは、3〜20μmが好ましい。カバー絶縁層の厚さは、2〜10μmが好ましい。
また、カバー絶縁層は、接着剤からなる層であってもよい。
当該配線回路基板の好ましい用途としては、図2(d)に例示するように、導体層4に半導体素子Cをボンディングした後、金属製支持基板1と剥離層2とを、樹脂層3から剥離して、半導体装置を得るといった、半導体装置の製造への用途が挙げられる。図2(d)は、図2(b)の積層体に半導体素子Cをボンディングした例であるが、該積層体は、図2(c)の積層体など、本願発明に含まれる積層体を用いればよい。
実施例1
本実施例では、図1(a)に示すように、金属製支持基板1としてステンレス箔(SUS304、厚さ20μm)を用い、その上に、剥離層2として厚さ25nmの銀薄膜を真空蒸着法によって形成し、さらにその上に、樹脂層3として厚さ10μmのポリイミド層を形成して、当該積層体を得た。
尚、剥離層2である銀薄膜の表層は、銀と空気中の酸素との反応によって酸化銀となっていた。
上記で得られた積層体の樹脂層(ポリイミド層)をベース絶縁層として用い、該ベース絶縁層上にセミアディティブ法により、電解めっき銅からなる所定の導体パターン(厚さ5μm)を形成し、さらに、その導体パターンの上に、上記ポリアミック酸溶液を用いて、ポリイミドからなる所定形状のカバー絶縁層(厚さ3μm)を形成し、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板(配線回路基板部分の総厚さは18μm)を得た。
本実施例では、剥離層として、チタンをターゲットとするDCスパッタリング法によって厚さ18nmのチタン薄膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
尚、剥離層であるチタン薄膜の表層は、チタンと空気中の酸素との反応によって酸化チタンとなっていた。
実施例1と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、21N/mであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例1と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
本実施例では、剥離層として、タングステンをターゲットとするDCスパッタリング法によって厚さ30nmのタングステン薄膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
尚、剥離層であるタングステン薄膜の表層は、タングステンと空気中の酸素との反応によって酸化タングステンとなっていた。
実施例1と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、7N/mであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例1と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
本実施例では、剥離層として、ニッケルをターゲットとするRFスパッタリング法によって厚さ9nmのニッケル薄膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
尚、剥離層であるニッケル薄膜の表層は、ニッケルと空気中の酸素との反応によって酸化ニッケルとなっていた。
実施例1と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、15N/mであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例1と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
本実施例では、剥離層として、モリブデンをターゲットとするDCスパッタリング法によって厚さ37nmのモリブデン薄膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
尚、剥離層であるモリブデン薄膜の表層は、モリブデンと空気中の酸素との反応によって酸化モリブデンとなっていた。
実施例1と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、5N/mであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例1と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
本実施例では、剥離層として、シリコン酸化物(二酸化ケイ素)をターゲットとするRFスパッタリング法によって厚さ7nmの二酸化ケイ素薄膜を剥離層として形成したこと以外は、実施例1と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
実施例1と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、4N/mであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例1と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
本実施例では、樹脂層を形成するに際し、ポリアミック酸として、ピロメリット酸二無水物および2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニルを反応させて得たものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
実施例1と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、13N/mであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例1と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
本実施例では、金属製支持基板として、鉄−ニッケル合金(ニッケル含有率36w%、36アロイ)からなる箔(厚さ50μm)を用い、剥離層として、チタンをターゲットとするDCスパッタリング法によって厚さ30nmのチタン薄膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、本発明による積層体、および、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板を形成した。
尚、剥離層であるチタン薄膜の表層は、チタンと空気中の酸素との反応によって酸化チタンとなっていた。
実施例1と同様にして、剥離層と樹脂層との密着力を測定したところ、5N/mであった。この密着力に対して、剥離層と金属製支持基板との密着力は、実施例1と同様、測定するまでもなく充分に大きく、樹脂層と剥離層との界面での剥離を容易に生じさせ得るものであった。
本比較例は、本発明で推奨する剥離層の材料が優れた剥離性を示すものであることを明らかにするための実験例であって、剥離層として、真空蒸着法によって厚さ27nmのアルミニウム薄膜を形成したこと以外は、実施例1と同様の手順にて積層体を形成した。
アルミニウム薄膜の表層は、空気中の酸素との反応によって酸化アルミニウムとなっていた。
実施例1と同様にして、剥離層と樹脂層とを剥離しようとしたところ、剥離層と樹脂層との密着力は強固であり、樹脂層の機械的強度を上回っているために、剥離することができなかった。
本比較例は、比較例1と同様の実験例であって、剥離層として、クロムをターゲットとするDCスパッタリング法によって厚さ23nmのクロム薄膜を剥離層として形成したこと以外は、実施例1と同様にして積層体を形成した。
クロム薄膜の表層は、空気中の酸素との反応によって酸化クロムとなっていた。
実施例1と同様にして、剥離層と樹脂層とを剥離しようとしたところ、剥離層と樹脂層との密着力は強固であり、樹脂層の機械的強度を上回っているために、剥離することができなかった。
本比較例は、比較例1、2と同様の実験例であって、剥離層として、ニッケル−クロム合金をターゲットとするDCスパッタリング法によって、厚さ62nmのニッケル・クロム合金薄膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、積層体を形成した。
ニッケル・クロム合金薄膜の表層は、空気中の酸素との反応によってニッケル・クロム合金の酸化物が形成されていた。
実施例1と同様にして、剥離層と樹脂層とを剥離しようとしたところ、剥離層と樹脂層との密着力は強固であり、樹脂層の機械的強度を上回っているために、剥離することができなかった。
本比較例は、従来技術の積層体の剥離性を確認するための実験例であって、剥離層を介在させず、金属製支持基板上に直接的に樹脂層を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、積層体を形成した。
実施例1と同様にして、樹脂層と金属製支持基板とを剥離しようとしたところ、両者の間の密着力は強固であり、樹脂層の機械的強度を上回っているために、剥離することができなかった。
2 剥離層
3 樹脂層
Claims (6)
- 金属製支持基板上に、剥離層を介して樹脂層が積層された構造を有する積層体であって、
剥離層と金属製支持基板との密着力が、剥離層と樹脂層との密着力よりも大きいように、かつ、樹脂層が剥離層から剥離可能であるように、剥離層の材料が選択されており、それによって、樹脂層だけが当該積層体から剥離可能となっている、前記積層体。 - 剥離層が、無機物または無機酸化物からなる層であるか、または、前記無機物からなる層として形成されているが該層の表層部分が無機酸化物へと変化している層である、請求項1に記載の積層体。
- 前記無機物が、銀、チタン、タングステン、ニッケル、モリブデンおよびケイ素から選ばれる1つの材料である、請求項2に記載の積層体。
- 当該積層体が、樹脂層上に他の層を形成してなる積層構造を有する物品を製造するための素材として用いられるものであって、
樹脂層が、前記積層構造を有する物品の樹脂層として利用可能となるように、その材料と厚さとが選択されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の積層体。 - 前記積層構造を有する物品が、半導体素子を実装するための配線回路基板であって、該配線回路基板は、樹脂層をベース絶縁層とし、その上に導体層を回路パターンとして形成してなる積層構造を少なくとも有するものであり、
当該積層体の樹脂層が、前記配線回路基板のベース絶縁層として利用可能となるように、その材料と厚さとが選択されている、請求項4に記載の積層体。 - 請求項5に記載の積層体が用いられ、
該積層体の樹脂層の上に少なくとも導体層が回路パターンとして形成され、それによって、該樹脂層をベース絶縁層とし、その上に導体層を回路パターンとして形成してなる積層構造を少なくとも有する配線回路基板が、前記積層体中の剥離層上に存在していることを特徴とする、剥離可能な金属製支持基板付きの配線回路基板。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016005901A (ja) * | 2014-05-29 | 2016-01-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 支持基板付き樹脂基板、及び、その製造方法、並びに、その樹脂基板を用いた電子デバイス |
JP2016005899A (ja) * | 2014-05-29 | 2016-01-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 支持基板付き樹脂基板、及び、その製造方法、並びに、その樹脂基板を用いた電子デバイス |
CN114867665A (zh) * | 2019-12-24 | 2022-08-05 | 花王株式会社 | 包装容器及其制造方法和再利用方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164467A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-06-07 | Sony Corp | 回路ブロック体及びその製造方法、配線回路装置及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法 |
JP2005012089A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップ内蔵モジュールおよびその製造方法 |
JP2006093575A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007073921A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-03-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体用フィルム付複合金属層、半導体用フィルム、これを用いた配線回路付フィルム及び半導体用フィルム付半導体装置、半導体装置並びに半導体装置の製造方法 |
JP2007098904A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toyobo Co Ltd | ポリイミドフィルムの製造方法 |
JP2008238517A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 多層積層体及びそれを用いた金属張積層体の製造方法 |
JP2009510216A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-03-12 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 金属基材からの高温用フィルムおよび/またはデバイスの剥離方法 |
JP2010201890A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Nippon Steel Chem Co Ltd | ポリイミドフィルムの製造方法 |
-
2009
- 2009-04-30 JP JP2009111107A patent/JP5337572B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164467A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-06-07 | Sony Corp | 回路ブロック体及びその製造方法、配線回路装置及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法 |
JP2005012089A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップ内蔵モジュールおよびその製造方法 |
JP2006093575A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007073921A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-03-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体用フィルム付複合金属層、半導体用フィルム、これを用いた配線回路付フィルム及び半導体用フィルム付半導体装置、半導体装置並びに半導体装置の製造方法 |
JP2009510216A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-03-12 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 金属基材からの高温用フィルムおよび/またはデバイスの剥離方法 |
JP2007098904A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toyobo Co Ltd | ポリイミドフィルムの製造方法 |
JP2008238517A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 多層積層体及びそれを用いた金属張積層体の製造方法 |
JP2010201890A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Nippon Steel Chem Co Ltd | ポリイミドフィルムの製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016005901A (ja) * | 2014-05-29 | 2016-01-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 支持基板付き樹脂基板、及び、その製造方法、並びに、その樹脂基板を用いた電子デバイス |
JP2016005899A (ja) * | 2014-05-29 | 2016-01-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 支持基板付き樹脂基板、及び、その製造方法、並びに、その樹脂基板を用いた電子デバイス |
US9676662B2 (en) | 2014-05-29 | 2017-06-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Supported resin substrate and method for producing the same and electronic device in which the supported resin substrate is used |
CN114867665A (zh) * | 2019-12-24 | 2022-08-05 | 花王株式会社 | 包装容器及其制造方法和再利用方法 |
CN114867665B (zh) * | 2019-12-24 | 2023-08-18 | 花王株式会社 | 包装容器及其制造方法和再利用方法 |
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