KR101867913B1 - 연성회로 동장 적층판과 이를 이용한 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판은, 수지 층; 전처리 작업에 의해 상기 수지 층의 적어도 일 면에 형성되는 것으로서 실란을 함유하는 접착력 강화 층; 상기 실란을 함유하는 접착력 강화 층 상에 형성되는 타이코트 층; 및 상기 타이코트 층 상에 형성되는 구리 층을 포함한다.

Description

연성회로 동장 적층판과 이를 이용한 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법{Flexible circuit clad laminate, printed circuit board using it, and method of manufacturing the same}

본 발명은, 연성회로 동장 적층판과 이를 이용한 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 좀 더 구체적으로는 기판과 금속 사이의 접착력을 향상시키기 위해 수지 층 상에 습식 전처리에 의한 접착력 강화 층이 형성된 연성회로 동장 적층판과 이를 이용한 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

인쇄 회로기판(PCB; Printed circuit board)은 각종 부품을 접속할 전기 배선을 회로 설계에 따라 배선 도형으로 표현한 것으로 각종 부품을 연결하거나 지지해주는 역할을 한다. 특히, 노트북 컴퓨터, 휴대폰, PDA, 소형 비디오 카메라 및 전자수첩 등의 전자기기의 발달에 따라 인쇄 회로기판의 수요가 증대되었다. 나아가 상기의 전자기기들은 휴대성이 강조되면서 점점 소형화 및 경량화 되어가는 추세이다. 따라서 인쇄 회로기판은 더욱 집적화, 소형화, 경량화 되고 있다.

상기 인쇄 회로기판은 그 물리적 특성에 따라 리지드(rigid) 인쇄 회로기판, 연성(flexible) 인쇄 회로기판, 이 두 가지가 결합된 리지드-플렉서블 인쇄 회로기판 및 리지드-플렉서블 인쇄 회로기판과 유사한 멀티-플렉서블 인쇄 회로기판으로 나뉜다. 특히, 연성 인쇄 회로기판의 원자재인 연성회로 동장 적층판(FCCL; flexible circuit clad laminate)은 휴대폰, 디지털캠코더, 노트북, LCD 모니터 등 디지털 가전제품에 사용되는 것으로서 굴곡성이 크고 경박단소화에 유리한 특성 때문에 최근 수요가 급속히 증가하고 있다.

연성회로 동장 적층판은 폴리머 필름층과 금속 전도층을 적층한 것으로 가요성을 갖는 것이 특징이다. 연성회로 동장 적측판은 특히 유연성이나 굴곡성이 요구되는 전자기기 또는 전자기기의 소재 부분에 이용되며, 전자기기의 소형화, 경량화에 공헌하고 있다.

이와 같은 기술과 관련된 종래의 연성회로 동장 적층판은 크게 동박에 폴리이미드계 수지를 도포하는 방식과 폴리머 필름 위에 구리를 증착하는 방식으로 나뉘어진다. 특히 구리 증착 방식은 매우 얇은 두께의 구리막 형성이 가능하다.

증착 방식의 연성회로 동장 적층판은 폴리머 필름 위에 스퍼터링(sputtering) 방식으로 타이코트(tiecoat) 층을 형성한 후, 이를 구리 전해 도금조를 통해 연속적으로 통과시키면서 구리를 전해 도금하여 제조한다.

상기 제작된 연성회로 동장 적층판은 회로 형성 후 회로상에 반도체 칩이나 전기 소자 등이 실장되어 사용되며, 드라이버 IC(Driver IC)의 소형화, 다핀화, 협 피치(pitch)화가 급속히 진행되고 있는 상황이다. 따라서, 에칭성, 박리강도, 박막 밀도 특성 등의 물성이 우수한 연성회로 동장 적층판이 요구되는 실정이다.

이러한 물성들 중에서도 박리강도, 특히 폴리머 필름으로 이루어진 수지 층과 타이코트 층 사이의 박리강도를 향상시키기 위해 수지 층의 표면에 대해 플라즈마 전처리와 같은 건식 전처리를 행하는 방식이 사용되어 왔는데, 이러한 방식에 의하더라도 만족할 만한 박리강도(특히, 고온에서의 박리강도)를 얻기가 어려운 문제가 있다.

따라서, 이러한 기존의 전처리 방식 이외의 다른 방식의 전처리를 적용함으로써 수지 층과 타이코트 층 사이의 고온 박리강도를 현저히 향상시킬 수 있는 기술 개발에 대한 필요성이 있다.

본 발명은 상술한 문제점을 고려하여 창안된 것으로서, 수지 층과 타이코트 층 사이의 고온 박리강도를 현저히 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

다만, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 과제에 제한되지 않으며, 위에서 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래에 기재된 발명의 설명으로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명자들은, 수지 층과 타이코트 층 사이의 고온박리 강도를 현저히 향상시킬 수 있는 기술을 개발하기 위해 연구를 거듭하였으며, 그 결과 실란(Silane)을 이용한 습식 전처리에 의해 수지 층 상에 실란을 함유하는 접착력 강화 층을 형성함으로써 현저히 향상된 고온 박리강도(수지 층과 타이코트 층 사이의 박리강도)를 갖는 연성회로 동장 적층판을 제조하기에 이르렀다.

또한, 본 발명자들은 계속된 연구를 통해, 이러한 실란을 함유하는 접착력 강화 층을 형성함에 있어서, 실란을 함유하는 접착력 강화 층의 두께 및 실란의 농도를 일정 범위 내로 제어함으로써 더욱 향상된 고온 박리강도를 갖는 연성회로 동장 적층판을 제조하기에 이르렀다.

이와 같은 연구에 따라 개발된 본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판은, 수지 층; 전처리 작업에 의해 상기 수지 층의 적어도 일 면에 형성되는 것으로서 실란을 함유하는 접착력 강화 층; 상기 실란을 함유하는 접착력 강화 층 상에 형성되는 타이코트 층; 및 상기 타이코트 층 상에 형성되는 구리 층을 포함한다.

상기 실란은, 25% 이하의 Si, 30% 이상의 C, 5% 이상의 O 및 7.5% 이하의 N를 함유하는 조성(%는 Atomic%를 의미함)을 가질 수 있다.

상기 실란에 대한 용매로는 이소프로필 알코올이 이용될 수 있다.

상기 접착력 강화 층의 두께는 3nm 내지 25nm 이고, 상기 접착력 강화 층의 제조에 이용된 물질에 함유된 실란의 농도는 0.95mol% 내지 1.2mol% 일 수 있다.

상기 수지 층은 폴리이미드 수지로 이루어질 수 있다.

상기 타이코트 층은 7nm 내지 50nm 범위의 두께로 형성될 수 있다.

상기 구리 층은, 상기 타이코트 층 상에 성형되는 구리 시드 층; 및 상기 구리 시드 층 상에 형성되는 구리 피막 층을 포함할 수 있다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄 회로기판은, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판의 구리 층에 형성된 배선 패턴을 구비한다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판의 제조방법은, (S1) 수지 층을 형성하는 단계; (S2) 상기 수지 층의 적어도 일 면에 습식 전처리를 함으로써 실란을 함유하는 접착력 강화 층을 형성하는 단계; (S3) 상기 접착력 강화 층 상에 타이코트 층을 형성하는 단계; 및 (S4) 상기 타이코트 층 상에 구리 층을 형성하는 단계;를 포함한다.

상기 실란은, 25% 이하의 Si, 30% 이상의 C, 5% 이상의 O 및 7.5% 이하의 N을 함유하는 조성(%는 Atomic%를 의미함)을 가질 수 있다.

상기 실란에 대한 용매로는 이소프로필 알코올이 이용될 수 있다.

상기 (S2)단계는, 접착력 강화 층의 두께가 3nm 내지 25nm 이고, 접착력 강화 층의 제조에 이용된 물질에 함유된 실란의 농도가 0.95mol% 내지 1.2mol% 가 되도록 두께 및 농도를 제어하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 (S3)단계는, 스퍼터링 법을 이용하여 상기 수지 층 상에 타이코트 층을 증착하는 단계일 수 있다.

상기 (S3)단계는, 7nm 내지 50nm 범위의 두께로 상기 타이코트 층을 형성시키는 단계일 수 있다.

상기 (S4)단계는, (S41) 스퍼터링 법에 의해 상기 타이코트 층 상에 구리 시드 층을 증착시키는 단계; 및 (S42) 전해 도금법에 의해 상기 구리 시드 층 상에 구리 피막 층을 도금시키는 단계;를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로 기판의 제조방법은, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판의 제조 방법에 의해 제조된 연성회로 동장 적층판에 구비된 타이코트 층 및 구리 층을 에칭하여 배선패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 연성회로 동장 적층판을 이루는 수지 층과 타이코트 층 사이의 접착력이 강화되고, 이로써 고온에서의 박리강도가 향상됨으로써 제조된 연성회로 동장 적층판의 우수한 품질을 확보할 수 있다.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 연성회로 동장 적층판의 품질을 향상시킴으로써 연성회로 동장 적층판의 구리 층 상에 배선패턴을 형성하여 제조되는 인쇄 회로기판의 품질 또한 현저히 향상될 수 있다.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판을 나타내는 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판의 제조방법을 나타내는 공정도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정하여 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.

도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판 및 그 제조방법을 설명하기로 한다.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판을 나타내는 단면도이고, 도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판의 제조방법을 나타내는 공정도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판(10)은 수지 층(1), 접착력 강화 층(1a), 타이코트 층(2) 및 구리 층(3)이 순차적으로 적층되어 이루어진다.

상기 수지 층(1)은 열 경화성 수지, 열 가소성 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 축중합체 또는 이들로부터 선택된 적어도 2 이상의 혼합물 중 적어도 하나로 이루어진 단일 층 또는 복합 층의 필름에 해당한다.

상기 열 경화성 수지로는 페놀 수지, 페놀알데하이드 수지, 푸란 수지, 아미노플라스트 수지, 알키드 수지, 알릴 수지, 에폭시 수지, 에폭시 프리프레그(prepreg), 폴리우레탄 수지, 열 경화성 폴리에스테르 수지, 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다. 상기 열 가소성 수지로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌/비닐 공중합체, 에틸렌 아크릴산 공중합체 등이 사용될 수 있다. 상기 폴리에스테르 수지로는 2가 지방족과 방향족 카르복실산과 디올 또는 트리올로 제조된 것들이 사용될 수 있다. 상기 폴리이미드 수지는 특히 유용한데, 이것은 4가 산 2 무수물(tetrabasic acid dianhydride)을 방향족 디아민과 접촉시켜 폴리아믹산을 산출한 후 이것이 열 또는 촉매에 의해 고분자 중량 선형 폴리이미드로 변화하는 반응을 통해서 얻을 수 있다. 상기 축중합체로는 폴리아미드, 폴리에테르 이미드, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리벤즈아졸, 방향족 폴리술폰 등이 사용될 수 있다.

상기 접착력 강화 층(1a)은 수지 층(1)의 적어도 일 면 상에 형성되는 것으로서 수지 층(1)의 표면에 대한 습식 전처리 공정을 통해 형성되는 것이다. 즉, 상기 수지 층(1)을 이루는 폴리머 필름은 타이코트 층(2)과의 접착력 향상을 위해 타이코트 층(2)의 형성에 앞서 습식 전처리 공정을 거치게 되는데, 이러한 습식 전처리 공정에 따라 수지 층(1)과 타이코트 층(2) 사이에는 접착력 강화 층(1a)이 형성되는 것이다.

상기 접착력 강화 층(1a)은 실란(silane)을 함유하며, 이러한 접착력 강화 층(1a)이 갖는 접착력 강화 효과의 극대화를 위해 층의 형성 과정에서 일정 조성비를 갖는 실란 층의 두께 및 함유된 실란의 농도(mol%)가 일정 범위 이내로 제어될 수 있다.

즉, 접착력 강화 층(1a)의 두께는 대략 3nm 내지 25nm 범위로 제한되는 것이 바람직하며, 접착력 강화 층의 제조에 이용된 물질에 함유된 실란의 농도는 0.95mol% 내지 1.2mol% 범위로 제한되는 것이 바람직하다.

상기 실란의 두께가 너무 얇을 경우에는 전처리가 충분히 이루어지지 않는 문제점이 있고, 두께가 너무 두꺼울 경우에는 최외곽 층의 실란 결합이 불안정하여 충분한 결합 강도가 확보되지 않으므로 그 이후 적층되는 금속 층과의 결합이 약해지는 문제점이 발생할 수 있다.

또한, 상기 실란의 농도 값이 너무 작은 경우에는 전처리가 충분히 되지 않는 문제점이 있고, 농도 값이 너무 큰 경우에는 실란끼리의 응집이 발생하여 오히려 접착력에 악영향을 미쳐 박리강도가 떨어지는 문제점이 발생할 수 있다.

상기 타이코트 층(2)은 니켈(Ni)을 주성분으로 하는 합금으로 이루어질 수 있으며, 전처리가 완료된 수지 층(1)의 양 면 중 적어도 일 면 상에, 즉 접착력 강화 층(1a) 상에 형성된다.

상기 타이코트 층(2)은 수지 층(1)에 건식 도금법의 일종인 스퍼터링(sputtering)법에 의해 증착될 수 있으며, 대략 7nm 내지 50nm 범위의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 타이코트 층(2)의 두께가 7nm 미만인 경우에는 배선 패턴 형성을 위한 에칭 시에 박리강도 저하의 염려가 있으며, 50nm를 초과하는 경우에는 에칭 공정이 용이하지 않게 되는 문제점이 있다.

상기 타이코트 층(2)을 이루는 합금은 니켈 이외에도 몰리브덴(Mo) 및/또는 나이오븀(Nb) 및/또는 크롬(Cr) 등의 금속을 더 함유할 수도 있다.

상기 구리 층(3)은 타이코트 층(2) 상에 형성되며, 구리 시드 층(3a) 및 구리 피막 층(3b)을 포함할 수 있다. 상기 구리 시드 층(3a)은 타이코트 층(2) 상에 스퍼터링 법에 의해 증착되어 형성되는 층으로서, 대략 60nm 내지 1000nm 두께로 형성될 수 있다.

상기 피막 층(3b)은 구리 시드 층(3a) 상에 전해 도금법에 의해 형성되는 구리 층으로서, 대략 8㎛ 내지 16㎛ 두께로 형성되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 대략 10㎛ 내지 14㎛ 두께로 형성될 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판(10)은 폴리머 필름으로 이루어진 수지 층(1)을 마련하는 단계(S1), 수지 층의 적어도 일 면 상에 전처리를 통해 접착력 강화 층(1a)을 형성하는 단계(S2), 접착력 강화 층(1a) 상에 타이코트 층(2)을 형성하는 단계(S3) 및 타이코트 층 상에 구리 층(3)을 형성하는 단계를 거쳐 제조될 수 있다.

상기 연성회로 동장 적층판(10)은 접착력 강화 층(1a)의 두께 및 접착력 강화 층의 형성을 위해 이용되는 물질이 갖는 실란의 함량 범위를 일정 수준 이내로 제어함으로써 우수한 물성을 갖게 된다.

한편, 상기 공정을 통해 제조된 연성회로 동장 적층판의 구리 층(3) 및 타이코트 층(2)을 포토 에칭 등의 공지된 방법을 이용하여 에칭함으로써 원하는 배선 패턴을 형성할 수 있으며, 이로써 인쇄회로 기판(PCB)이 얻어지게 된다.

이하, 상기 연성회로 동장 적층판(10)의 제조를 위한 실험 조건 및 물성 평가 방법에 대해서 설명하고, 아울러 표 1 및 표 2를 참조하여 이처럼 제조된 연성회로 동장 적층판이 갖는 물성을 살펴보기로 한다.

적용 물질의 조건

전처리에 사용된 실란의 조성: Atomic %를 기준으로 할 때 25% 이하의 Si, 30% 이상의 C, 5% 이상의 O, 7.5% 이하의 N를 함유.

실란에 대한 용매: IPA(이소프로필 알코올)이 이용됨.

제조 조건

폴리이미드 필름 위에 실란+용매(IPA) 물질을 이용하여 습식 전처리를 진행한 후 스퍼터를 이용하여 타이코트와 구리 시드 층을 증착하였다. 그리고 전기 도금법을 통해 구리 시드 층 위에 도금을 진행하였다. 이 때, 전처리에 따라 형성된 실란 층의 두께는 3~25nm, 타이코트 층의 두께는 7~50nm, 구리 시드 층의 두께는 60nm 내지 1000nm, 구리 도금 층의 두께는 12㎛ 가 되도록 하였다.

한편, 실란 함유 물질을 이용한 전처리의 경우 와이어 바(wire bar(No.8))을 사용하여 코팅 후 오븐(대략 120℃)에서 약 5분간 건조시켰다.

물성의 평가 방법

반사율: 샘플 3cm×3cm 영역에서 330-750nm 대의 가시광 영역에서의 반사율을 측정하였다.

고온박리강도: 12㎛ 두께로 구리 피막층이 도금된 샘플을 패터닝 공정을 거쳐 폭 1mm, 길이 10cm가 되도록 패터닝 후 인스트론 장비를 활용하여 180도 측정법으로 박리강도 측정 후 최소, 최대 박리강도를 나타내는 경우를 제외한 6개의 샘플의 평균값을 측정하였다.

실란의 농도: 분광 분석법을 이용하여 특정 파장 400nm대 파장의 빛을 이용하여 물질에 흡수되는 빛의 양을 분석하여 농도를 측정하였다(K-MAC 사의 SV2100 모델 사용).

상기 표 1 및 표 2를 참조하면, 전처리에 사용되는 실란+용매 혼합물에 있어서 실란의 농도가 대략 0.95mol% 내지 1.2mol% 범위를 유지하고, 또한 실란 층의 두께는 대략 3nm 내지 25nm 범위를 유지하는 경우에 고온 박리강도가 현저히 높게 나타나는 것을 확인할 수 있다.

특히, 표 1에 있어서, 실시예 1과 비교예 2에 따른 결과를 비교해 보면, 실란 층(접착력 강화 층)의 두께가 3nm 내지 25nm 범위에 있는 경우라도 실란+용매의 혼합물 중의 실란의 농도가 0.95mol% 미만으로 떨어지는 경우 고온 박리강도가 현저히 떨어지는 현상이 발생됨을 알 수 있다.

마찬가지로, 실시예 4와 비교예 4에 따른 결과를 비교해 보면, 역시 실란 층의 두께가 3nm 내지 25nm 범위에 있는 경우라도 실란+용매의 혼합물 중의 실란의 농도가 1.2mol%를 초과하는 경우 고온 박리강도가 현저히 떨어지는 현상이 발생됨을 알 수 있다. 고온 박리강도의 경우 0.65kgf/cm 이상이 되어야 좋으며, 이는 제조된 연성회로 동장 적층판이 회로기판 제조에 사용될 때에 핫 프레스(hot press) 공정, 리플로우(reflow) 공정 등의 여러가지 열처리 공정단계를 거치게 되는데, 이 과정에서 고온박리강도가 낮으면 제품에 결함이 생길 수 있기 때문이다.

한편, 표 2에 있어서, 실시예 5와 비교예 7의 결과를 비교해 보면, 실란+용매의 혼합물 중의 실란의 농도가 0.95mol% 내지 1.2mol% 범위로 유지되는 경우라도 실란 층의 두께가 3nm 미만으로 얇아지는 경우 고온 박리강도가 현저히 떨어지는 현상이 발생됨을 알 수 있다. 마찬가지로, 실시예 11과 비교예 9의 결과를 비교해 보면, 실란+용매의 혼합물 중의 실란의 농도가 0.95mol% 내지 1.2mol% 범위로 유지되는 경우라도 실란 층의 두께가 25nm 를 초과하여 두꺼워지는 경우 고온 박리강도가 현저히 떨어지는 현상이 발생됨을 알 수 있다.

또한, 용매로서 water가 사용된 경우(비교예 3 및 비교예 8)와 IPA가 사용된 경우(예를 들어, 사용된 용매를 제외하고는 비교예 3 및 8과 각각 거의 동일한 조건을 나타내는 실시예 3 및 실시예 6)를 비교해 보면 용매로서 water가 사용된 경우보다는 IPA가 사용된 경우에 고온 박리강도가 훨씬 더 우수하게 나타난다는 것을 알 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성회로 동장 적층판(10)은 수지 층(1)에 대한 습식 전처리를 통해 수지 층(1)과 타이코트 층(2) 사이에 실란으로 이루어지는 접착력 강화 층(1a)을 형성하되, 전처리에 이용되는 실란+용매 혼합물 중 실란이 차지하는 농도 및 형성된 접착력 강화 층(1a)의 두께를 일정 범위 내로 제어함으로써 현저히 향상된 고온 박리강도 특성을 갖게 된다.

또한, 이처럼 연성회로 동장 적층판(10)의 물성이 우수해짐으로써 동장 적층판(10)의 구리 층 상에 배선패턴을 형성함으로써 제조된 인쇄회로 기판의 품질 또한 향상시킬 수 있게 된다.

이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.

1: 수지 층
1a: 접착력 강화 층
2: 타이코트 층
3: 구리 층
3a: 구리 시드 층
3b: 구리 피막 층
10: 연성회로 동장 적층판(FCCL)

Claims (10)

1. 수지 층;
   전처리 작업에 의해 상기 수지 층의 적어도 일 면에 형성되는 것으로서 실란을 함유하는 접착력 강화 층;
   상기 실란을 함유하는 접착력 강화 층 상에 형성되는 타이코트 층; 및
   상기 타이코트 층 상에 형성되는 구리 층을 포함하며,
   상기 실란은 25% 이하의 Si, 30% 이상의 C, 5% 이상의 O 및 7.5% 이하의 N을 함유하는 조성(%는 Atomic%를 의미함)을 가지며,
   상기 접착력 강화 층의 두께는 3nm 내지 25nm 이고,
   상기 실란의 농도는 0.95mol% 내지 1.2mol% 인 연성회로 동장 적층판.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,
   상기 구리 층은,
   상기 타이코트 층 상에 성형되는 구리 시드 층; 및
   상기 구리 시드 층 상에 형성되는 구리 피막 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 연성회로 동장 적층판.
4. 제1항에 있어서,
   상기 실란에 대한 용매로는 이소프로필 알코올이 이용되는 것을 특징으로 하는 연성회로 동장 적층판.
5. 제1항에 있어서,
   상기 수지 층은 폴리이미드 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연성회로 동장 적층판.
6. 제1항에 있어서,
   상기 타이코트 층은,
   7nm 내지 50nm 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 연성회로 동장 적층판.
7. 제1항에 따른 연성회로 동장 적층판의 구리 층에 형성된 배선 패턴을 구비하는 인쇄회로 기판.
8. (S1) 수지 층을 형성하는 단계;
   (S2) 상기 수지 층의 적어도 일 면에 습식 전처리를 함으로써 실란을 함유하는 접착력 강화 층을 형성하는 단계;
   (S3) 상기 접착력 강화 층 상에 타이코트 층을 형성하는 단계; 및
   (S4) 상기 타이코트 층 상에 구리 층을 형성하는 단계;
   를 포함하며,
   상기 실란은 25% 이하의 Si, 30% 이상의 C, 5% 이상의 O 및 7.5% 이하의 N을 함유하는 조성(%는 Atomic%를 의미함)을 가지며,
   상기 (S2)단계는,
   접착력 강화 층의 두께가 3nm 내지 25nm 이고, 실란의 농도가 0.95mol% 내지 1.2mol% 가 되도록 두께 및 농도를 제어하는 단계를 포함하는 연성회로 동장 적층판의 제조방법.
9. 삭제
10. 제8항에 따른 연성회로 동장 적층판의 제조 방법에 의해 제조된 연성회로 동장 적층판에 구비된 구리 층을 에칭하여 배선패턴을 형성하는 단계를 포함하는 인쇄회로 기판의 제조방법.

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