JP2010253637A5 - 研磨装置 - Google Patents
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Description
上記の各実施形態では、研磨装置としてCMP研磨装置1、30の説明を行ったが、本発明は、CMP研磨装置以外の研磨装置にも適用することができる。また、研磨対象物はウェハ9以外でも良い。更に、噴射機構として洗浄水ノズル6を例示し、液として洗浄水を噴射する例を説明したが、水以外の洗浄液、或いは湿潤液を噴射するようにしても良い。
なお、上記実施形態には以下の発明が開示されている。
(付記1)
上面に研磨パッドを有する研磨テーブルと、
被研磨物の研磨の際に前記被研磨物を保持して前記研磨パッドに当接させる保持部と、
前記研磨パッドのコンディショニングを行うコンディショニングディスクと、
前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの上方の待機位置へ移動させることが可能な移動機構と、
前記待機位置に位置する前記コンディショニングディスクに対して液を噴射して前記コンディショニングディスクを洗浄ないしは湿潤させる噴射機構と、
を備えることを特徴とする研磨装置。
(付記2)
前記待機位置は、前記研磨パッドの周縁部の上方であることを特徴とする付記1に記載の研磨装置。
(付記3)
前記待機位置では、前記コンディショニングディスクの一部が前記研磨パッドよりも外方に位置することを特徴とする付記2に記載の研磨装置。
(付記4)
前記待機位置に位置する前記コンディショニングディスクをその板面方向において回転させる回転機構を更に備え、
前記噴射機構は、前記コンディショニングディスクにおいて、前記研磨テーブルの中心からの距離が、該コンディショニングディスクの中心以上に遠い部分にのみ前記液を噴射することを特徴とする付記2又は3に記載の研磨装置。
(付記5)
前記移動機構は、前記待機位置では前記コンディショニングディスクの下面が前記研磨テーブルの側方を向くように、前記待機位置における前記コンディショニングディスクの姿勢を調節することを特徴とする付記1乃至4の何れか1つに記載の研磨装置。
(付記6)
前記噴射機構は、前記コンディショニングディスクが前記待機位置に位置するときにのみ前記液を噴射することを特徴とする付記1乃至5の何れか1つに記載の研磨装置。
(付記7)
前記噴射機構は前記研磨テーブルの側方に配置され、前記液を斜め上方に噴射することを特徴とする付記1乃至6の何れか1つに記載の研磨装置。
(付記8)
前記移動機構は、更に、前記研磨パッドに当接した状態の前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの中央部から周縁部に亘って移動させることが可能であることを特徴とする付記1乃至7の何れか1つに記載の研磨装置。
(付記9)
被研磨物を研磨テーブルの上面に備えられている研磨パッドに当接させて研磨する工程と、
コンディショニングディスクにより前記研磨パッドのコンディショニングを行う工程と、
前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの上方の待機位置へ移動させる工程と、
前記待機位置に位置する前記コンディショニングディスクに対して液を噴射して前記コンディショニングディスクを洗浄ないしは湿潤させる工程と、
を備えることを特徴とする研磨方法。
なお、上記実施形態には以下の発明が開示されている。
(付記1)
上面に研磨パッドを有する研磨テーブルと、
被研磨物の研磨の際に前記被研磨物を保持して前記研磨パッドに当接させる保持部と、
前記研磨パッドのコンディショニングを行うコンディショニングディスクと、
前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの上方の待機位置へ移動させることが可能な移動機構と、
前記待機位置に位置する前記コンディショニングディスクに対して液を噴射して前記コンディショニングディスクを洗浄ないしは湿潤させる噴射機構と、
を備えることを特徴とする研磨装置。
(付記2)
前記待機位置は、前記研磨パッドの周縁部の上方であることを特徴とする付記1に記載の研磨装置。
(付記3)
前記待機位置では、前記コンディショニングディスクの一部が前記研磨パッドよりも外方に位置することを特徴とする付記2に記載の研磨装置。
(付記4)
前記待機位置に位置する前記コンディショニングディスクをその板面方向において回転させる回転機構を更に備え、
前記噴射機構は、前記コンディショニングディスクにおいて、前記研磨テーブルの中心からの距離が、該コンディショニングディスクの中心以上に遠い部分にのみ前記液を噴射することを特徴とする付記2又は3に記載の研磨装置。
(付記5)
前記移動機構は、前記待機位置では前記コンディショニングディスクの下面が前記研磨テーブルの側方を向くように、前記待機位置における前記コンディショニングディスクの姿勢を調節することを特徴とする付記1乃至4の何れか1つに記載の研磨装置。
(付記6)
前記噴射機構は、前記コンディショニングディスクが前記待機位置に位置するときにのみ前記液を噴射することを特徴とする付記1乃至5の何れか1つに記載の研磨装置。
(付記7)
前記噴射機構は前記研磨テーブルの側方に配置され、前記液を斜め上方に噴射することを特徴とする付記1乃至6の何れか1つに記載の研磨装置。
(付記8)
前記移動機構は、更に、前記研磨パッドに当接した状態の前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの中央部から周縁部に亘って移動させることが可能であることを特徴とする付記1乃至7の何れか1つに記載の研磨装置。
(付記9)
被研磨物を研磨テーブルの上面に備えられている研磨パッドに当接させて研磨する工程と、
コンディショニングディスクにより前記研磨パッドのコンディショニングを行う工程と、
前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの上方の待機位置へ移動させる工程と、
前記待機位置に位置する前記コンディショニングディスクに対して液を噴射して前記コンディショニングディスクを洗浄ないしは湿潤させる工程と、
を備えることを特徴とする研磨方法。
Claims (1)
- 上面に研磨パッドを有する研磨テーブルと、
被研磨物の研磨の際に前記被研磨物を保持して前記研磨パッドに当接させる保持部と、
前記研磨パッドのコンディショニングを行うコンディショニングディスクと、
前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの上方の待機位置へ移動させることが可能な移動機構と、
前記待機位置に位置する前記コンディショニングディスクに対して液を噴射して前記コンディショニングディスクを洗浄ないしは湿潤させる噴射機構と、
を備えることを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009108192A JP5405887B2 (ja) | 2009-04-27 | 2009-04-27 | 研磨装置及び研磨方法 |
US12/662,340 US8562392B2 (en) | 2009-04-27 | 2010-04-12 | Polishing apparatus and polishing method |
CN201010170037.0A CN101898328B (zh) | 2009-04-27 | 2010-04-27 | 抛光设备及抛光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009108192A JP5405887B2 (ja) | 2009-04-27 | 2009-04-27 | 研磨装置及び研磨方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010253637A JP2010253637A (ja) | 2010-11-11 |
JP2010253637A5 true JP2010253637A5 (ja) | 2012-04-12 |
JP5405887B2 JP5405887B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=42992556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009108192A Expired - Fee Related JP5405887B2 (ja) | 2009-04-27 | 2009-04-27 | 研磨装置及び研磨方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8562392B2 (ja) |
JP (1) | JP5405887B2 (ja) |
CN (1) | CN101898328B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010179407A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Elpida Memory Inc | Cmp装置 |
CN102320026A (zh) * | 2011-09-07 | 2012-01-18 | 清华大学 | 化学机械抛光方法 |
CN102294649A (zh) * | 2011-09-07 | 2011-12-28 | 清华大学 | 化学机械抛光方法 |
CN102294647A (zh) * | 2011-09-07 | 2011-12-28 | 清华大学 | 化学机械抛光方法 |
CN103035504B (zh) * | 2011-10-09 | 2016-07-06 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 化学机械抛光方法和化学机械抛光设备 |
TWI577497B (zh) * | 2012-10-31 | 2017-04-11 | Ebara Corp | Grinding device |
CN104416466A (zh) * | 2013-08-26 | 2015-03-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种用于化学机械抛光工艺的抛光垫修整方法 |
TWI689378B (zh) * | 2013-10-04 | 2020-04-01 | 日商福吉米股份有限公司 | 研磨裝置,研磨構件的加工方法,研磨構件的修整方法,形狀加工用切削工具及表面修整用工具 |
CN104625941B (zh) * | 2013-11-14 | 2018-09-04 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 晶圆加工装置 |
JP6233326B2 (ja) * | 2015-02-04 | 2017-11-22 | 信越半導体株式会社 | 研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 |
US10096460B2 (en) | 2016-08-02 | 2018-10-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer and method of wafer thinning using grinding phase and separation phase |
CN107855900B (zh) * | 2017-12-27 | 2024-01-16 | 中原工学院 | 一种两工位聚晶金刚石复合片类抛光机 |
CN109202724A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-01-15 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 化学机械研磨装置及其操作方法 |
CN111993268A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-11-27 | 台州市老林装饰有限公司 | 一种晶圆研磨头装置 |
KR20220073192A (ko) * | 2020-11-26 | 2022-06-03 | 에스케이실트론 주식회사 | 연마 패드 세정 장치 및 연마 장치 |
CN114851057A (zh) * | 2021-02-04 | 2022-08-05 | 中国科学院微电子研究所 | 晶圆抛光装置及抛光方法 |
WO2023239421A1 (en) * | 2022-06-06 | 2023-12-14 | Applied Materials, Inc. | In-situ conditioner disk cleaning during cmp |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5839947A (en) * | 1996-02-05 | 1998-11-24 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
JP3720451B2 (ja) | 1996-03-19 | 2005-11-30 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置及びその運転方法 |
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US6358124B1 (en) * | 1998-11-02 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioner cleaning apparatus |
JP3708740B2 (ja) | 1999-03-15 | 2005-10-19 | 株式会社東芝 | 研磨装置および研磨方法 |
JP4030247B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2008-01-09 | 株式会社荏原製作所 | ドレッシング装置及びポリッシング装置 |
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EP1080840A3 (en) * | 1999-08-30 | 2004-01-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Polishing apparatus, polishing method and method of conditioning polishing pad |
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2009
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2010
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- 2010-04-27 CN CN201010170037.0A patent/CN101898328B/zh not_active Expired - Fee Related
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