JP6233326B2 - 研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 - Google Patents
研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6233326B2 JP6233326B2 JP2015020606A JP2015020606A JP6233326B2 JP 6233326 B2 JP6233326 B2 JP 6233326B2 JP 2015020606 A JP2015020606 A JP 2015020606A JP 2015020606 A JP2015020606 A JP 2015020606A JP 6233326 B2 JP6233326 B2 JP 6233326B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- cloth
- residue
- polishing cloth
- dummy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/18—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the presence of dressing tools
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
- G01N2223/6116—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices semiconductor wafer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/652—Specific applications or type of materials impurities, foreign matter, trace amounts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Immunology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Description
このような方法であれば、簡単に研磨残渣量を測定することができる。
このような方法であれば、簡単に研磨残渣の除去処理を行うことができる。
このように、本発明の研磨布立ち上げ方法は、両面研磨機を用いる場合にも適用することができる。
このような方法であれば、簡単に研磨残渣量を測定することができる。
このような方法であれば、簡単に研磨残渣の除去処理を行うことができる。
このように、本発明の研磨方法は、両面研磨機を用いる場合にも適用することができる。
また、本発明の研磨方法であれば、ドレッシングに加えてダミー研磨による研磨布の立ち上げを行い、更にダミー研磨によってキズの発生やパーティクル悪化が見られない程度まで十分に立ち上がった研磨布を選別して研磨に使用するため、研磨布ライフ初期のパーティクルレベルを改善することができる。
なお、本発明において、(現研磨布使用時間)/(設定研磨布使用時間)の値が1になったら研磨布を交換することを意味し、また(現研磨布使用時間)/(設定研磨布使用時間)の値が0.05の時点は、予め設定した研磨布の寿命に対して5%の使用時間の時点を意味する。
以下、本発明の研磨布立ち上げ方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本発明の研磨布立ち上げ方法の一例を示すフロー図である。本発明の研磨布立ち上げ方法では、まず研磨機に発泡ウレタン樹脂製の研磨布を貼りつけ(図1(1a))、ドレッシングを行った後(図1(1b))、ダミー研磨を行い(図1(1c))、次いでダミー研磨によって研磨布中に蓄積された研磨残渣の除去処理を行った後(図1(1d))、研磨布中の研磨残渣量を測定し(図1(1e))、測定した研磨残渣量に基づいてダミー研磨を行った研磨布の立ち上がりを判定する(図1(1f))。
まず、研磨機に発泡ウレタン樹脂製の研磨布を貼りつける(図1(1a))。このとき、研磨機としては、特に限定されないが、例えば両面研磨機等を好適に用いることができる。また、本発明の研磨布立ち上げ方法は、研磨機の大きさに関係なく適用することができる。
本発明者らが検討したところ、上述のように、従来法で立ち上げを行った研磨布で本研磨を行った場合、(現研磨布使用時間)/(設定研磨布使用時間)の値が0.05の時点までは、パーティクルレベルが悪くなっているが、(現研磨布使用時間)/(設定研磨布使用時間)の値が0.05以降では、パーティクルレベルの悪化が抑制されていることが分かった(図6参照)。このことから、上記の判定方法では、(現研磨布使用時間)/(設定研磨布使用時間)の値が0.05の時点の研磨布は十分に立ち上がっていると仮定し、この時点での研磨布中の研磨残渣量を基準として、立ち上がりの判定を行う。
また、本発明では、研磨布を用いてシリコンウェーハを研磨する方法であって、研磨機に発泡ウレタン樹脂製の研磨布を貼りつけ、ドレッシングを行った後、ダミー研磨を行い、次いで該ダミー研磨によって前記研磨布中に蓄積された研磨残渣の除去処理を行った後、前記研磨布中の研磨残渣量を測定し、該測定した研磨残渣量に基づいて前記シリコンウェーハの研磨に使用する研磨布を選別し、該選別された研磨布を用いて前記シリコンウェーハの研磨を行う研磨方法を提供する。
図2は、本発明の研磨方法の一例を示すフロー図である。本発明の研磨方法では、まず研磨機に発泡ウレタン樹脂製の研磨布を貼りつけ(図2(2a))、ドレッシングを行った後(図2(2b))、ダミー研磨を行い(図2(2c))、次いでダミー研磨によって研磨布中に蓄積された研磨残渣の除去処理を行った後(図2(2d))、研磨布中の研磨残渣量を測定し(図2(2e))、測定した研磨残渣量に基づいてシリコンウェーハの研磨に使用する研磨布を選別し(図2(2f))、選別された研磨布を用いてシリコンウェーハの研磨を行う(図2(2g))。
まず、研磨機に発泡ウレタン樹脂製の研磨布を貼りつける(図2(2a))。研磨機としては、上述の本発明の研磨布立ち上げ方法で挙げたものと同様のものを使用することができる。
なお、実施例及び比較例において、研磨残渣量の測定には、堀場製作所製のMESA−630を使用し、測定レシピは、Alloy LE FPで、X線照射時間は60秒とした。
発泡ウレタン樹脂製の研磨布を研磨機に貼り付け、表面にダイヤモンドを敷き詰めたドレッサーを用いて研磨布のドレッシングを行った後、ダミー研磨を行わずに下記の本研磨条件でウェーハの研磨(本研磨)を行い、各研磨布使用時間における研磨残渣量とパーティクルレベルを測定した。各研磨布使用時間における研磨残渣量を図4に示す。また、各研磨布使用時間におけるパーティクルレベルを図6に示す。またこのとき、(現研磨布使用時間)/(設定研磨布使用時間)の値が0.05の時点の研磨残渣量を基準値として求めた。
使用研磨機:30B両面研磨機
試料ウェーハ:CZ、P型、結晶方位<100>、直径300mm、シリコンウェーハ
研磨布:発泡ウレタン樹脂製
研磨剤:コロイダルシリカ研磨剤
研磨荷重:180g/cm2
研磨取代:15μm
発泡ウレタン樹脂製の研磨布を研磨機に貼り付け、表面にダイヤモンドを敷き詰めたドレッサーを用いて研磨布のドレッシングを行った後、研磨荷重200g/cm2、研磨取代15μmの条件(下記のダミー研磨条件)でダミー研磨を5回連続して行い、15μmのダミー研磨を行うごとに研磨残渣量を測定した。ダミー研磨と研磨残渣量の測定を5回繰り返した後に、研磨残渣の除去処理として、表面にダイヤモンドを敷き詰めたドレッサーを用いて研磨布のドレッシングを行い、更に研磨布に高圧ジェット水を当てて洗浄を行った。その後、除去処理後の研磨残渣量を測定した。ダミー研磨15μmごとの研磨残渣量と、除去処理後の研磨残渣量を図3に示す。
使用研磨機:30B両面研磨機
試料ウェーハ:CZ、P型、結晶方位<100>、直径300mm、シリコンウェーハ
研磨布:発泡ウレタン樹脂製
研磨剤:コロイダルシリカ研磨剤
研磨荷重:200g/cm2
研磨取代:15μm
Claims (10)
- シリコンウェーハを研磨するための研磨布を立ち上げる方法であって、
研磨機に発泡ウレタン樹脂製の研磨布を貼りつけ、ドレッシングを行った後、ダミー研磨を行い、次いで該ダミー研磨によって前記研磨布中に蓄積された研磨残渣の除去処理を行った後、前記研磨布中の研磨残渣量を測定し、該測定した研磨残渣量に基づいて前記ダミー研磨を行った研磨布の立ち上がりを判定することを特徴とする研磨布立ち上げ方法。 - 前記判定は、予め、別途ドレッシングのみを行った発泡ウレタン樹脂製の基準用研磨布を用いてシリコンウェーハの研磨、前記ダミー研磨後の除去処理と同じ手段による研磨残渣の除去処理、及び該除去処理後の研磨残渣量の測定を行って、(基準用研磨布の使用時間)/(予め設定した基準用研磨布の寿命)の値が0.05の時点の基準用研磨布中の研磨残渣量を基準値として求めておき、前記ダミー研磨及び除去処理後に測定した研磨残渣量が前記基準値以上であれば前記ダミー研磨を行った研磨布が立ち上がったと判定することを特徴とする請求項1に記載の研磨布立ち上げ方法。
- 前記研磨残渣量を、蛍光X線分析法によって得られる蛍光X線スペクトルからSi−Kα線を含む信号を検出して測定することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研磨布立ち上げ方法。
- 前記研磨残渣の除去処理を、ドレッシング及び高圧ジェット水洗浄によって行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の研磨布立ち上げ方法。
- 前記研磨機を、両面研磨機とすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の研磨布立ち上げ方法。
- 研磨布を用いてシリコンウェーハを研磨する方法であって、
研磨機に発泡ウレタン樹脂製の研磨布を貼りつけ、ドレッシングを行った後、ダミー研磨を行い、次いで該ダミー研磨によって前記研磨布中に蓄積された研磨残渣の除去処理を行った後、前記研磨布中の研磨残渣量を測定し、該測定した研磨残渣量に基づいて前記シリコンウェーハの研磨に使用する研磨布を選別し、該選別された研磨布を用いて前記シリコンウェーハの研磨を行うことを特徴とする研磨方法。 - 前記選別は、予め、別途ドレッシングのみを行った発泡ウレタン樹脂製の基準用研磨布を用いてシリコンウェーハの研磨、前記ダミー研磨後の除去処理と同じ手段による研磨残渣の除去処理、及び該除去処理後の研磨残渣量の測定を行って、(基準用研磨布の使用時間)/(予め設定した基準用研磨布の寿命)の値が0.05の時点の基準用研磨布中の研磨残渣量を基準値として求めておき、前記ダミー研磨及び除去処理後に測定した研磨残渣量が前記基準値以上である研磨布を前記シリコンウェーハの研磨に使用する研磨布として選別することを特徴とする請求項6に記載の研磨方法。
- 前記研磨残渣量を、蛍光X線分析法によって得られる蛍光X線スペクトルからSi−Kα線を含む信号を検出して測定することを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の研磨方法。
- 前記研磨残渣の除去処理を、ドレッシング及び高圧ジェット水洗浄によって行うことを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記研磨機を、両面研磨機とすることを特徴とする請求項6から請求項9のいずれか一項に記載の研磨方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015020606A JP6233326B2 (ja) | 2015-02-04 | 2015-02-04 | 研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 |
KR1020177020568A KR102294368B1 (ko) | 2015-02-04 | 2016-01-05 | 연마포 기동방법 및 연마방법 |
PCT/JP2016/000011 WO2016125423A1 (ja) | 2015-02-04 | 2016-01-05 | 研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 |
US15/541,562 US10307885B2 (en) | 2015-02-04 | 2016-01-05 | Method for raising polishing pad and polishing method |
DE112016000260.2T DE112016000260T5 (de) | 2015-02-04 | 2016-01-05 | Verfahren zum Verfeinern eines Polierpads und Polierverfahren |
SG11201705563QA SG11201705563QA (en) | 2015-02-04 | 2016-01-05 | Method for raising polishing pad and polishing method |
CN201680004879.4A CN107148666B (zh) | 2015-02-04 | 2016-01-05 | 抛光布整理方法以及抛光方法 |
TW105100464A TWI663022B (zh) | 2015-02-04 | 2016-01-08 | 拋光布備出方法以及拋光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015020606A JP6233326B2 (ja) | 2015-02-04 | 2015-02-04 | 研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016143837A JP2016143837A (ja) | 2016-08-08 |
JP6233326B2 true JP6233326B2 (ja) | 2017-11-22 |
Family
ID=56563780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015020606A Active JP6233326B2 (ja) | 2015-02-04 | 2015-02-04 | 研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10307885B2 (ja) |
JP (1) | JP6233326B2 (ja) |
KR (1) | KR102294368B1 (ja) |
CN (1) | CN107148666B (ja) |
DE (1) | DE112016000260T5 (ja) |
SG (1) | SG11201705563QA (ja) |
TW (1) | TWI663022B (ja) |
WO (1) | WO2016125423A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7070515B2 (ja) * | 2019-06-27 | 2022-05-18 | 信越半導体株式会社 | スエード研磨パッドの立ち上げ方法、及びウエーハの仕上げ研磨方法 |
JP7215412B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2023-01-31 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハ用研磨布の使用開始時期の判定方法及びそれを用いた半導体ウェーハの研磨方法、並びに半導体ウェーハ研磨システム |
CN114770286A (zh) * | 2022-06-01 | 2022-07-22 | 蓝宝精玺新材料技术(重庆)有限责任公司 | 一种光学产品加工方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3052896B2 (ja) | 1997-06-13 | 2000-06-19 | 日本電気株式会社 | 研磨布表面のドレス治具及びその製造方法 |
EP1270148A1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-01-02 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Arrangement and method for conditioning a polishing pad |
DE10131668B4 (de) | 2001-06-29 | 2006-05-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen, auf Halbleiter-Wafern |
JP2004006628A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004063482A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置並びに研磨パッドの処理方法 |
JP4369254B2 (ja) | 2004-01-22 | 2009-11-18 | Sumco Techxiv株式会社 | 研磨用クロス及び半導体ウェーハの研磨方法 |
EP1710048B1 (en) * | 2004-01-28 | 2013-06-12 | Nikon Corporation | Polishing pad surface shape measuring instrument, method of using polishing pad surface shape measuring instrument, method of measuring apex angle of cone of polishing pad, method of measuring depth of groove of polishing pad, cmp polisher, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2005288664A (ja) | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Ebara Corp | 研磨装置及び研磨パッド立上完了検知方法 |
JP2006332550A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Asahi Sunac Corp | 研磨パッドのドレッシング性評価方法及び研磨パッドのドレッシング方法 |
KR100879761B1 (ko) * | 2007-07-12 | 2009-01-21 | 주식회사 실트론 | 화학적 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 연마 패드 드레싱방법 |
KR20090038502A (ko) * | 2007-10-16 | 2009-04-21 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 연마 방법 |
US8221193B2 (en) * | 2008-08-07 | 2012-07-17 | Applied Materials, Inc. | Closed loop control of pad profile based on metrology feedback |
JP5405887B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2014-02-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2011071215A (ja) | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 研磨方法および半導体装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-02-04 JP JP2015020606A patent/JP6233326B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-05 WO PCT/JP2016/000011 patent/WO2016125423A1/ja active Application Filing
- 2016-01-05 DE DE112016000260.2T patent/DE112016000260T5/de active Pending
- 2016-01-05 SG SG11201705563QA patent/SG11201705563QA/en unknown
- 2016-01-05 CN CN201680004879.4A patent/CN107148666B/zh active Active
- 2016-01-05 KR KR1020177020568A patent/KR102294368B1/ko active IP Right Grant
- 2016-01-05 US US15/541,562 patent/US10307885B2/en active Active
- 2016-01-08 TW TW105100464A patent/TWI663022B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112016000260T5 (de) | 2017-09-28 |
SG11201705563QA (en) | 2017-08-30 |
TWI663022B (zh) | 2019-06-21 |
KR20170113554A (ko) | 2017-10-12 |
US20170341204A1 (en) | 2017-11-30 |
CN107148666A (zh) | 2017-09-08 |
WO2016125423A1 (ja) | 2016-08-11 |
KR102294368B1 (ko) | 2021-08-26 |
TW201636157A (zh) | 2016-10-16 |
JP2016143837A (ja) | 2016-08-08 |
CN107148666B (zh) | 2020-08-21 |
US10307885B2 (en) | 2019-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW514976B (en) | Method for processing semiconductor wafer and semiconductor wafer | |
JP6233326B2 (ja) | 研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 | |
JP6160579B2 (ja) | シリコンウェーハの仕上げ研磨方法 | |
JP7021632B2 (ja) | ウェーハの製造方法およびウェーハ | |
WO2015040795A1 (ja) | 研磨パッドの評価方法及びウェーハの研磨方法 | |
JP2011029355A (ja) | レーザマーク付き半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2009283650A (ja) | 半導体ウェーハの再生方法 | |
TWI553722B (zh) | Silicon wafer manufacturing method and silicon wafer | |
TW201240769A (en) | Chemical mechanical polishing method | |
WO2023026948A1 (ja) | GaN基板の表面加工方法およびGaN基板の製造方法 | |
WO2017073265A1 (ja) | 半導体ウェーハの両面研磨方法及びその両面研磨装置 | |
JP5074845B2 (ja) | 半導体ウェハの研削方法、及び半導体ウェハの加工方法 | |
JP6065802B2 (ja) | 研磨布の洗浄方法及びウェーハの研磨方法 | |
JP2006120819A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ | |
CN108290266B (zh) | 研磨方法 | |
JP3550644B2 (ja) | 高平坦度ウェーハの再加工方法 | |
JP6248857B2 (ja) | 研磨布の評価方法 | |
JP2002025950A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
US9919402B2 (en) | Method of polishing wafer and wafer polishing apparatus | |
JP2016000444A (ja) | 研磨パッドの洗浄方法及びウェーハの研磨方法 | |
KR100880108B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 연마방법 및 이를 위한 반도체 웨이퍼연마장치 | |
JP2001239452A (ja) | 半導体ウェーハの仕上げ研磨方法 | |
JP5385566B2 (ja) | 研磨クロスの金属汚染評価方法 | |
JP2005135936A (ja) | ウエーハの面取り加工方法及びウエーハ | |
CN115502886A (zh) | 一种改善表面平整度的抛光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170926 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171009 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6233326 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |