JP6248857B2 - 研磨布の評価方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 209
- 239000004744 fabric Substances 0.000 title claims description 145
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 24
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007518 final polishing process Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000004872 foam stabilizing agent Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
上記のように、研磨布の表面に滴下した純水は、時間の経過と共に研磨布に染み込むため、接触角が経時変化する。したがって、残留添加剤の影響を除外すれば、接触角の変化で、研磨布の研磨剤保持性を評価することができる。つまり、研磨剤の保持性が良い研磨布とは、接触角がある程度大きく、接触角の経時変化が少ない、即ち一定時間経過後の接触角が有る程度大きい研磨布と定義することができる。
例えば、研磨装置本体を用いてシーズニングを行う場合、この間研磨を一旦停止する必要が有るが、30分という比較的短時間のシーズニングであれば、生産性の低下を抑制することができる。また、研磨剤を用いたシーズニングを行う場合、実施時間を30分とすれば研磨剤コストを低減でき、かつ研磨布の目詰まりによる研磨布ライフの低下も抑制できる。また、特に、仕上げ研磨に一般的に使用されるスエードタイプの仕上げ研磨布であれば、30分間のシーズニングを行えば、研磨布表面の微小な凹凸を十分に平滑化できるため、安定した接触角の評価が可能である。また、接触角への影響が大きい親水系の添加剤は、比較的早く残留濃度が低下するため、30分間のシーズニングで、残留添加剤の影響をある程度除外した接触角が測定可能である。
滴下後100秒経過時の接触角であれば、ヘイズムラとの相関を十分に有するため、この時の接触角の測定値に基づいて研磨布の評価を行えば、精度の高い評価が可能となる。
この際、仕上げ研磨に用いる研磨布としての合否判定は、前工程(図1のS104)にて測定した一定時間経過後の接触角が60°以上であれば、研磨布が充分な研磨剤保持性能を有し合格であると判定し、半導体シリコンウェーハの仕上げ研磨用の研磨布として用いることが好ましい。
図1のフロー図に示す本発明の評価方法に従って研磨布を評価した。
評価に用いた研磨布は、図2に示した5種類の研磨布(研磨布A−1、B、C、D、E)と、シーズニング条件を変えた研磨布(研磨布A−2、研磨布A−3)を加え、7種類について評価を行った。
研磨布のシーズニングの条件は、本発明において特に限定しないが、今回は、セラミック定盤を用い、ウェーハ研磨時と同じ荷重、回転数でシーズニングを行った。また、仕上げ研磨で使用する研磨剤を、研磨時と同じ流量で用いた。
尚、仕上げ研磨前に行った二次研磨条件は全て同じとし、仕上げ研磨は取り代が同じになるように研磨時間を調整した。
実施例と同時に、7種類の研磨布(研磨布A−1、A−2、A−3、B、C、D、E)について、滴下した純水が完全に吸収されるまでの時間を測定し、該測定時間に基づいて研磨布を評価した。
滴下した純水が完全に吸収されるまでの時間と、仕上げ研磨後のシリコンウェーハのDefect%の関係を図7に示す。純水が完全に吸収されるまでの時間が長い方がDefect%が低い傾向はあるものの、研磨布DやEの特性の場合、純水が完全に吸収されるまでの時間とDefect%の相関は実施例に比べると低く、評価方法として実施例に劣ることが分かった。
Claims (4)
- 半導体シリコンウェーハの仕上げ研磨に用いられるスエードタイプの研磨布を評価する評価方法であって、
前記研磨布に、セラミックス又はダミーウェーハを用い研磨布の表面を平滑化するシーズニングを一定時間実施した後、前記研磨布を乾燥させ、その後、純水を前記乾燥後の研磨布上に滴下し、一定時間経過後の前記純水と前記研磨布との接触角を測定し、該接触角の測定値に基づいて前記研磨布を評価する研磨布の評価方法。 - 前記シーズニングの実施時間を30分間とすることを特徴とする請求項1に記載の研磨布の評価方法。
- 前記純水と前記研磨布との接触角の測定は、前記純水を前記乾燥後の研磨布上に滴下後100秒経過した後の前記純水と前記研磨布との接触角を測定することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研磨布の評価方法。
- 前記測定した接触角が60°以上であれば、研磨布が充分な研磨剤保持性能を有すると判定し、半導体シリコンウェーハの仕上げ研磨用の研磨布として用いることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の研磨布の評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014159740A JP6248857B2 (ja) | 2014-08-05 | 2014-08-05 | 研磨布の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014159740A JP6248857B2 (ja) | 2014-08-05 | 2014-08-05 | 研磨布の評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016039180A JP2016039180A (ja) | 2016-03-22 |
JP6248857B2 true JP6248857B2 (ja) | 2017-12-20 |
Family
ID=55530050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014159740A Active JP6248857B2 (ja) | 2014-08-05 | 2014-08-05 | 研磨布の評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6248857B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6940363B2 (ja) * | 2017-10-10 | 2021-09-29 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 保持パッド及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002059357A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-02-26 | Toray Ind Inc | 研磨パッドおよび研磨装置ならびに研磨方法 |
JP2003145414A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-20 | Toyobo Co Ltd | 研磨パッド及びその製造方法 |
JP4656650B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-03-23 | 花王株式会社 | 基板の研磨方法 |
US20130316621A1 (en) * | 2010-12-07 | 2013-11-28 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method using same |
JP6178191B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-08-09 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
-
2014
- 2014-08-05 JP JP2014159740A patent/JP6248857B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016039180A (ja) | 2016-03-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160826 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170412 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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