JP7070515B2 - スエード研磨パッドの立ち上げ方法、及びウエーハの仕上げ研磨方法 - Google Patents
スエード研磨パッドの立ち上げ方法、及びウエーハの仕上げ研磨方法 Download PDFInfo
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Description
(1)親水性成分が含まれている研磨パッドを純水でブラッシングする工程、(2)前記研磨パッドを用いて第一の研磨スラリーでダミーウエーハを研磨して前記研磨パッドの表面の前記親水性成分を低減させる工程、(3)前記研磨パッドを用いて第二の研磨スラリーで確認用ウエーハの仕上げ研磨を行い、研磨後の前記確認用ウエーハの表面状態を評価することで、前記研磨パッドの立ち上がりを確認する工程、を含み、かつ、前記工程(1)を5Mpa以下の高圧ジェット洗浄を用いて15分以上行うか、前記工程(2)と前記工程(3)の間に(2-2)前記研磨パッドの表面に純水を2時間以上かけ流す工程を行うか、もしくはその両方を行うスエード研磨パッドの立ち上げ方法を提供する。
本発明のスエード研磨パッドの立ち上げ方法は、立ち上げ研磨前の純水によるブラッシングを5Mpa以下の高圧ジェット洗浄を用いて15分以上行う方法(第一の態様)、立ち上げ研磨終了後、確認工程を行う前に、研磨パッドの表面に純水を2時間以上かけ流す工程を行う方法(第二の態様)、及び立ち上げ研磨前の純水によるブラッシングを5Mpa以下の高圧ジェット洗浄を用いて15分以上行い、かつ立ち上げ研磨終了後、確認工程を行う前に、研磨パッドの表面に純水を2時間以上かけ流す工程を行う方法(第三の態様)のうちのいずれかである。以下、本発明の具体的な態様について、さらに詳細に説明する。
図1に本発明の第一の態様のフロー図を示す。本態様は、工程(1)を5Mpa以下の高圧ジェット洗浄を用いて15分以上行うスエード研磨パッドの立ち上げ方法である。以下、本態様について説明する。
工程(1)は、親水性成分が含まれている研磨パッドを純水でブラッシングする工程であり、5Mpa以下の高圧ジェット洗浄を用いて15分以上行う。高圧ジェットを用いて15分以上ブラッシングすることで、研磨パッド中の親水性添加剤が早く抜けて研磨パッドが撥水になる。
工程(2)は、工程(1)でブラッシングした研磨パッドを用いて第一の研磨スラリーでダミーウエーハ(シリコンウエーハ)を研磨して研磨パッドの表面の親水性成分を低減させる工程(立ち上げ研磨工程)である。本工程は、従来法と同様にして行うことができ、例えば、研磨スラリ(シリカ入り溶液)とダミーウェーハを連続で1時間から6時間研磨加工を行うことができる。
工程(3)は、工程(2)で立ち上げ研磨した研磨パッドを用いて第二の研磨スラリーで確認用ウエーハの仕上げ研磨を行い、研磨後の確認用ウエーハの表面状態を評価することで、研磨パッドの立ち上がりを確認する工程である。
図2に本発明の第二の態様のフロー図を示す。本態様は、工程(2)と工程(3)の間に(2-2)研磨パッドの表面に純水を2時間以上かけ流す工程を行うスエード研磨パッドの立ち上げ方法である。以下、本態様について説明する。
工程(1)は、親水性成分が含まれている研磨パッドを純水でブラッシングする工程であり、従来法と同様に行うことができる。例えば、ナイロンブラシや高圧ジェット洗浄によるブラッシングを3~10分とすることができる。
工程(2)は、第一の態様で示した方法と同様の方法により行うことができる。
工程(2-2)は、研磨パッドの表面に純水を2時間以上かけ流す工程である。パッド立ち上げ研磨終了後、純水をかけ流すことによって、研磨パッド全面に純水が満たされている状態を保つことによって行われる。この工程を追加することによって、研磨パッド表面に残っている親水性成分を除去することができる。
<工程(3)>
工程(3)は、第一の態様で示した方法と同様の方法により行うことができる。
第三の態様は、本発明のスエード研磨パッドの立ち上げ方法であって、工程(1)を5Mpa以下の高圧ジェット洗浄を用いて15分以上行い、かつ、工程(2)と工程(3)の間に(2-2)研磨パッドの表面に純水を2時間以上かけ流す工程を行う方法である。具体的には、第一の態様に、第二の態様で説明した工程(2-2)を加えればよい。
また、本発明では、上記の方法によって立ち上げたスエード研磨パッドを用いてウエーハの仕上げ研磨を行うウエーハの仕上げ研磨方法を提供する。
立ち上げ研磨後に研磨パッドに残留する親水性成分を除去する為に、立ち上げ研磨前に行うブラッシングを高圧ジエット洗浄で通常より長く掛けることで確認用ウェーハの研磨後の表面濡れ性に違いが有るか確認をした。
装置 :片面研磨機
ナイロンブラシ :線径 0.2mmφ
供給液 :純水
装置 :片面研磨機
定盤回転 :40rpm
アームストローク :10回
流量 :600mL/s
装置 :片面研磨機
ダミーウェーハ :300mmφ P-品
研磨スラリ :コロイダルシリカ入り溶液
装置 :片面研磨機
二次研磨+仕上げ研磨
ウェーハ :300mmφ P-品
研磨パッド :二次研磨⇒不織布orスエード
仕上げ研磨⇒スエード
研磨スラリ :二次研磨⇒コロイダルシリカ入り溶液
仕上げ研磨⇒コロイダルシリカ入り溶液
立ち上げ研磨後に研磨パッドに残留する親水性成分を除去する為に、純水掛け流し状態で研磨パッド表面を維持する工程を追加し、どの程度純水漬けをすることでウェーハ研磨後の表面濡れ性に違いが出るかを確認をした。
装置 :片面研磨機
供給液 :純水
供給方法 :掛け流し方式
供給量 :0.5l/min
本発明の第一の態様(工程(1)を5Mpa以下の高圧ジェット洗浄を用いて15分以上行う方法)にて、研磨パッドの立ち上げを複数回行い、立ち上げ研磨が何回必要であったか(即ち、工程(2)~工程(3)を何回繰り返したか)調べた結果を表3に示す。
本発明の第二の態様(工程(2)と工程(3)の間に(2-2)研磨パッドの表面に純水を2時間以上かけ流す工程を行う方法)にて、研磨パッドの立ち上げを複数回行い、立ち上げ研磨が何回必要であったか調べた結果を表4に示す。
従来の立ち上げ方法にて、研磨パッドの立ち上げを複数回行い、立ち上げ研磨が何回必要であったか調べ、その結果を表3及び表4にあわせて示す。
4…スラリノズル、 5…純水。
Claims (5)
- スエード研磨パッドの立ち上げ方法であって、
(1)親水性成分が含まれている研磨パッドを純水でブラッシングする工程、
(2)前記研磨パッドを用いて第一の研磨スラリーでダミーウエーハを研磨して前記研磨パッドの表面の前記親水性成分を低減させる工程、
(3)前記研磨パッドを用いて第二の研磨スラリーで確認用ウエーハの仕上げ研磨を行い、研磨後の前記確認用ウエーハの表面状態を評価することで、前記研磨パッドの立ち上がりを確認する工程、を含み、かつ、
前記工程(1)を5Mpa以下の高圧ジェット洗浄を用いて15分以上行うか、前記工程(2)と前記工程(3)の間に(2-2)前記研磨パッドの表面に純水を2時間以上かけ流す工程を行うか、もしくはその両方を行うことを特徴とするスエード研磨パッドの立ち上げ方法。 - 前記工程(2)から前記工程(3)を一回以上繰り返すことを特徴とする請求項1に記載のスエード研磨パッドの立ち上げ方法。
- 前記工程(3)において、研磨後の前記確認用ウエーハの表面状態の評価を、親水性の評価、パーティクル個数の評価、及びヘイズの評価のうちの少なくとも一種類以上によって行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のスエード研磨パッドの立ち上げ方法。
- 前記第一の研磨スラリー、及び/又は前記第二の研磨スラリーを、コロイダルシリカを含むものとすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のスエード研磨パッドの立ち上げ方法。
- 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の方法によって立ち上げたスエード研磨パッドを用いてウエーハの仕上げ研磨を行うことを特徴とするウエーハの仕上げ研磨方法。
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JP2016143837A (ja) | 2015-02-04 | 2016-08-08 | 信越半導体株式会社 | 研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 |
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JP2003229391A (ja) | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体基板用研磨布のドレッシング方法 |
JP2016143837A (ja) | 2015-02-04 | 2016-08-08 | 信越半導体株式会社 | 研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 |
US20170341204A1 (en) | 2015-02-04 | 2017-11-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for raising polishing pad and polishing method |
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