JP2010251603A

JP2010251603A - 研削装置

Info

Publication number: JP2010251603A
Application number: JP2009100993A
Authority: JP
Inventors: Kichizo Sato; 吉三佐藤
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2009-04-17
Filing date: 2009-04-17
Publication date: 2010-11-04

Abstract

【課題】洗浄後のワークを、汚染されることなく清浄なまま回収カセットに収納する。
【解決手段】研削済みのウェーハ１を洗浄装置７０で洗浄する際には、可動カバー７６を退避位置に下降させ、回収手段６０により、ウェーハ１をチャックテーブル３０から洗浄装置７０のスピンナテーブル７１に搬送する。次に、可動カバー７６を作用位置に上昇させてから、洗浄水を供給しながらスピンナテーブル７１を回転させてウェーハ１を洗浄する。次に、シャッター８０を作用位置に上昇させて洗浄装置７０とターンテーブル１７上の空間とを該シャッター８０で遮断してから、可動カバー７６を開け、ロボット１５によりウェーハ１をスピンナテーブル７１から回収カセット１４Ｂに搬送して収納する。加工位置から飛散する研削水等がスピンナテーブル７１上のウェーハ１に飛散するのをシャッター８０で遮り、ウェーハ１の汚染を防ぐ。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体ウェーハ等の板状のワークを研削して薄化加工する際などに用いる研削装置に関する。

半導体デバイス製造工程においては、円板状の半導体ウェーハの表面に格子状の分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、これら矩形領域の表面にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成した後、全ての分割予定ラインを切断する、すなわちダイシングして、１枚のウェーハから多数の半導体チップを得ている。このような製造工程において、ウェーハは、多数の半導体チップにダイシングされるに先立ち、電子回路が形成された表面とは反対側の裏面が研削され、所定の厚さに薄化されている。ウェーハの薄化は、機器のさらなる小型化や軽量化の他、熱放散性を向上させることなどを目的としてなされており、例えば、当初厚さの７００μｍ前後から、５０〜１００μｍ程度の厚さまで薄化することが行われている。

薄化された後のウェーハは多数の半導体チップにダイシングされるが、通常、ウェーハの被研削面には研削の痕跡として機械的ダメージ層が形成されており、このままダイシングされると半導体チップの抗折強度が不十分となるといった問題が生じる。そこで、ウェーハを裏面研削してダイシングする前の段階で、被研削面を研磨して機械的ダメージ層を除去するといったことが行われており、これに応じて、研削と研磨の両方の加工を行うことを可能とした加工装置が提案されている（特許文献１）。

特開２００１−２５２８５３号公報

上記文献にも開示されているように、ウェーハ等の薄板状のワークを研削する研削装置は、加工前の多数のワークを収納する供給カセットからワークが１枚ずつ取り出されて研削、洗浄といった工程を経た後、ワークが回収カセットに順次収納されていく構成を有するものがある。研削後のワークを洗浄する洗浄手段は、一般に、スピンナテーブルに保持して回転させたワークに洗浄水を掛けて洗浄し、次いで乾燥処理するといった構成となっており、洗浄水の飛散を抑えるカバーが開閉可能に設けられている。該カバーは、ワークの洗浄中には洗浄水の飛散防止のために閉じた状態とされ、また、研削されたワークをスピンナテーブルに搬送する時、および洗浄後にワークをスピンナテーブルから回収カセットに搬送する時には、ワーク搬送動作を妨げないように開いた状態とされる。

ところで、洗浄後にワークをスピンナテーブルから回収カセットに搬送するためにカバーを開けた時においては、カバー内部と、後続のワークが研削されている加工位置との間に何も遮るものがないため、研削中の加工位置から飛散する研削水がスピンナテーブルに保持されている洗浄後のワークにかかってしまい、ワークが汚染するといった不具合が起こっていた。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その主な技術的課題は、洗浄後のワークを、汚染されることなく清浄なまま回収カセットに収納することができる研削装置を提供することを目的とする。

本発明の研削装置は、ワークを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたワークを研削する研削手段と、該研削手段で研削されたワークを洗浄する洗浄手段と、該洗浄手段で洗浄されたワークを収納するカセットが着脱可能に載置されるカセット載置部と、保持手段から洗浄手段にワークを搬送する第１の搬送手段と、洗浄手段からカセット載置部に載置されたカセットにワークを搬送する第２の搬送手段と備える研削装置であって、上記洗浄手段は、ワークを保持する水平な保持面を有し、かつ、鉛直方向を回転軸として回転可能に支持されたスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持されたワークに洗浄水を供給する洗浄水供給ノズルと、少なくともスピンナテーブルと洗浄水供給ノズルとを囲む可動カバーと、ワークを保持したスピンナテーブルが回転している間は、可動カバーを、該スピンナテーブルと洗浄水供給ノズルとを囲む作用位置に位置付け、かつ、上記第１の搬送手段が保持手段から該スピンナテーブルにワークを搬送する際と、上記第２の搬送手段が該スピンナテーブルからカセットにワークを搬送する際には、可動カバーを、該第１の搬送手段および該第２の搬送手段のワーク搬送動作の妨げにならない退避位置に位置付けるカバー駆動部とを含み、さらに該研削装置は、少なくとも、上記可動カバーが退避位置に位置付けられて第２の搬送手段がスピンナテーブルからカセットにワークを搬送する間は、上記保持手段と上記洗浄手段との間の空間を遮断する遮断手段を有することを特徴としている。

本発明によれば、洗浄後のワークを第２の搬送手段でスピンナテーブルからカセットに搬送する間においては、可動カバーが退避位置にあるものの、遮断手段により、保持手段と洗浄手段との間の空間が遮断されている。このため、研削中の加工位置から研削水が洗浄手段の方向に飛散しても、その研削水は遮断手段に遮られ、スピンナテーブルに保持されているワークには到達しない。したがって、スピンナテーブルに保持されている洗浄後のワークの汚染が防止される。そして、遮断手段を遮断状態に保持したまま、第２の搬送手段でワークをスピンナテーブルからカセットに搬送することにより清浄な状態のワークがカセットに収納される。

本発明では、次の形態を含む。すなわち、上記可動カバーは、上記第１の搬送手段側の第１の可動カバー部と、上記第２の搬送手段側の第２の可動カバー部とに分割されたものであって、該第１の可動カバー部と該第２の可動カバー部は、上記カバー駆動部により、ワークを保持した上記スピンナテーブルが回転している間は、該スピンナテーブルと上記洗浄水供給ノズルとを囲む作用位置に共に位置付けられ、第１の搬送手段が保持手段から該スピンナテーブルにワークを搬送する際には、少なくとも該第１の可動カバー部が、該第１の搬送手段のワーク搬送動作の妨げにならない退避位置に位置付けられ、上記第２の搬送手段がスピンナテーブルからカセットにワークを搬送する際には、該第２の可動カバー部が、該第２の搬送手段のワーク搬送動作の妨げにならない退避位置に位置付けられると共に、該第１の可動カバー部が上記作用位置に位置付けられて上記遮断手段を構成することを特徴とする。この形態では、本発明の遮断手段を、可動カバーを構成する第１の可動カバー部で兼用するものとなっており、したがって部品点数の増加を抑えることができるという利点がある。

なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えばシリコンやＧａＡｓ等からなる半導体ウェーハや、セラミック、ガラス、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）系の無機材料からなる基板、また、板状金属や樹脂の延性材料、さらにはミクロンオーダーからサブミクロンオーダーの平坦度（ＴＴＶ：total thickness variation−ワークの被研削面を基準面とした厚さ方向の高さの、被研削面の全面における最大値と最小値の差）が要求される各種加工材料等が挙げられる。

本発明によれば、洗浄手段で洗浄した後のワークを、研削中の加工位置から飛散する研削水等によって汚染されることなく清浄なままカセットに収納することができるといった効果を奏する。

本発明の一実施形態に係る研削装置で裏面研削されるウェーハを示す斜視図である。本発明の一実施形態に係る研削装置の全体を示す斜視図である。一実施形態の研削装置が備える洗浄装置の斜視図である（可動壁部が閉じている状態）。一実施形態の研削装置において、研削後のウェーハをチャックテーブルから洗浄装置を経てカセットに搬送するまでの動作を模式的に示す図である。洗浄装置のカバーの変更例を示す平面図である。変更例のカバーを示す側面図である。変更例のカバーを備えた研削装置において、研削後のウェーハをチャックテーブルから洗浄装置を経てカセットに搬送するまでの動作を模式的に示す図である。

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
［１］半導体ウェーハ（ワーク）
一実施形態では、図１に示す円板状の半導体ウェーハ（以下、ウェーハ）１を被研削物であるワークとしている。ウェーハ１はシリコンウェーハ等であって、研削前の厚さは例えば７００μｍ程度である。このウェーハ１の表面には、格子状の分割予定ライン２によって複数の矩形状のチップ３が区画されている。これらチップ３の表面には、ＩＣやＬＳＩ等の図示せぬ電子回路が形成されている。また、ウェーハ１の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すＶ字状の切欠き（ノッチ）４が形成されている。

ウェーハ１は、図２に示す研削装置１０によって裏面が研削されて、例えば５０〜１００μｍ程度の厚さに薄化される。研削装置１０に供されるウェーハ１の表面全面には、上記電子回路の保護のために保護テープ５が貼着される。保護テープ５は、例えば、厚さ７０〜２００μｍ程度のポリオレフィン等の樹脂製基材シートの片面に５〜２０μｍ程度の粘着剤を塗布した構成のものが用いられ、粘着剤をウェーハ１の表面に合わせて貼着される。

なお、ウェーハ１の表面には、保護テープ５に代えて、剛性を有するサブストレートが貼着される場合もある。該サブストレートは、研削によりきわめて薄く加工されて剛性が低下したウェーハ１を、撓むことなく平らな状態として確実に搬送可能とするもので、例えば半導体ウェーハの材料であるシリコン、あるいはガラス等によって円板状に形成されたものが用いられる。

［２］研削装置の構成および動作
図２に示す研削装置１０は、上記ウェーハ１を負圧吸着式のチャックテーブル（保持手段）３０に吸着して保持し、２台の研削ユニット（粗研削用と仕上げ研削用の研削手段）４０Ａ，４０Ｂによりウェーハ１に対し粗研削と仕上げ研削を順次行ってウェーハ１を薄化加工するものである。以下、該研削装置１０の構成ならびに動作を説明する。

図２の符号１１はウェーハ１に研削加工を施す加工ステージであり、この加工ステージ１１のＹ方向手前側には、加工ステージ１１に研削前のウェーハ１を供給し、かつ、研削後のウェーハ１を回収する供給／回収ステージ１２が併設されている。

供給／回収ステージ１２のＹ方向手前側の端部には、Ｘ方向に並ぶ２つのカセット載置台（カセット載置部）１３Ａ，１３Ｂが設置されている。これらカセット載置台１３Ａ，１３Ｂのうち、Ｘ方向手前側のカセット載置台１３Ａには、裏面研削前の複数のウェーハ１を収納する供給カセット１４Ａが着脱可能に載置される。また、Ｘ方向奥側のカセット載置台１３Ｂには、裏面研削後のウェーハ１を収納する回収カセット１４Ｂが着脱可能に載置される。これらカセット１４Ａ，１４Ｂは同一構成であって、ウェーハ１を１枚ずつ積層状態で収納するトレーを備えている。

供給カセット１４Ａに収納されたウェーハ１は、上下動する搬送ロボット（第２の搬送手段）１５が備えるロボットハンド１５ａによって供給カセット１４Ａから取り出され、ウェーハ１の裏面を上に向けた状態で供給／回収ステージ１２に設けられた仮置きテーブル１６上に一時的に載置される。仮置きテーブル１６に載置されたウェーハ１は、一定の搬送開始位置に位置決めされる。

加工ステージ１１上には、Ｒ方向に回転駆動されるターンテーブル１７が設けられている。そしてこのターンテーブル１７上の外周部には、複数（この場合、３つ）の円板状のチャックテーブル３０が、周方向に等間隔をおいて配設されている。チャックテーブル３０の上面は水平に設定されており、該上面は、負圧が発生することによりウェーハ１を吸着、保持するワーク保持面３０ａとなっている。各チャックテーブル３０は、鉛直方向に延びる中心軸線を回転軸として、図示せぬ回転駆動機構により所定回転速度で回転する。

仮置きテーブル１６上で位置決めがなされたウェーハ１は、供給手段２０によって仮置きテーブル１６から取り上げられ、ワーク着脱位置に位置付けられて負圧発生運転がなされている１つのチャックテーブル３０のワーク保持面３０ａに、被研削面である裏面を上に向けた状態で同心状に載置される。供給手段２０は、旋回アーム２１の先端に、ウェーハ１を負圧作用で吸着する吸着パッド２２が装着されたものである。ワーク着脱位置はチャックテーブル３０が最も供給／回収ステージ１２に近接した位置であり、ターンテーブル１７の回転によってチャックテーブル３０はワーク着脱位置に位置付けられる。

ウェーハ１は、ワーク保持面３０ａに吸着、保持され、次いで、ターンテーブル１７がＲ方向へ所定角度回転することにより、粗研削用研削ユニット４０Ａの下方の一次加工位置に送り込まれ、この位置で該研削ユニット４０Ａによりウェーハ１の裏面が粗研削される。次いでウェーハ１は、再度ターンテーブル１７がＲ方向へ所定角度回転することにより、仕上げ研削用研削ユニット４０Ｂの下方の二次加工位置に送られ、この位置で該研削ユニット４０Ｂによりウェーハ１の裏面が仕上げ研削される。

加工ステージ１１のＹ方向奥側の端部には、Ｘ方向に並ぶ２つのコラム５０Ａ，５０Ｂが立設されており、これらコラム５０Ａ，５０Ｂの前面に、各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂが、それぞれＺ方向（鉛直方向）に昇降自在に設置されている。各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂは、各コラム５０Ａ，５０Ｂの前面に設けられたＺ方向に延びるガイド５１にスライダ５２を介して摺動自在に装着されており、サーボモータ５３によって駆動されるボールねじ式の送り機構５４により、スライダ５２を介してＺ方向に昇降するようになっている。

各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂは同一構成であり、装着される砥石が粗研削用と仕上げ研削用と異なることで、区別される。研削ユニット４０Ａ，４０Ｂは、軸方向がＺ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング４１を有しており、このスピンドルハウジング４１内には、スピンドルモータ４２によって回転駆動される図示せぬスピンドルシャフトが支持されている。そしてこのスピンドルシャフトの下端に、フランジ４３を介して、ウェーハ１を研削する複数の砥石４４が環状に配列された砥石ホイール４５が取り付けられている。

砥石４４はウェーハ１に応じたものが選択され、例えば、ガラス質のボンド材中にダイヤモンド砥粒を混合して成形し、焼結したものなどが用いられる。各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂには、被研削面の冷却や潤滑あるいは研削屑の排出のための研削水を供給する研削水供給機構（図示略）が設けられている。砥石ホイール４５は上記スピンドルシャフトと一体に回転し、該砥石ホイール４５の、回転する砥石４４の最外径である研削外径は、ウェーハ１の直径と同等程度に設定されている。

ウェーハ１の裏面は、粗研削される一次加工位置および仕上げ研削される二次加工位置において、各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂにより研削される。裏面研削は、チャックテーブル３０を回転させてウェーハ１を自転させ、送り機構５４によって研削ユニット４０Ａ（４０Ｂ）を下降させる研削送りをしながら、回転する砥石ホイール４５の砥石４４をウェーハ１の露出している裏面に押し付けることによりなされる。

ウェーハ１は、粗研削から仕上げ研削を経て目標厚さまで薄化される。なお、粗研削では、仕上げ研削後の厚さの例えば３０〜４０μｍ手前まで研削され、残りが仕上げ研削で研削される。ウェーハ１の厚さは、一次加工位置および二次加工位置の近傍にそれぞれ設けられた厚さ測定器１８（図２では二次加工位置側のものしか図示していない）によって測定される。ウェーハ１の裏面研削は、それら厚さ測定器１８によってウェーハ１の厚さを測定しながら行われ、各厚さ測定器１８の測定値に基づいて、上記送り機構５４による研削送り量が制御部１９により制御される。

なお、ワーク着脱位置に位置付けられたチャックテーブル３０のワーク保持面３０ａは、適宜なタイミングで、テーブル洗浄手段３５により洗浄される。このテーブル洗浄手段３５は、下面にブラシ等の洗浄部材が設けられた回転する洗浄ディスク３６と、洗浄水を下方に供給する図示せぬノズルを備えている。テーブル洗浄手段３５は、図示せぬ移動手段によりターンテーブル１７よりも外側の待機位置から、ワーク着脱位置の上方まで移送され、次いで、洗浄水を供給しながら、回転する洗浄ディスク３６が下降して上記洗浄部材がワーク保持面３０ａを押圧して、該ワーク保持面３０ａを洗浄する。

二次加工位置でウェーハ１が目標仕上げまで薄化されたら、次のようにしてウェーハ１は上記回収カセット１４Ｂまで搬送され、該回収カセット１４Ｂに収納される。まず、仕上げ研削ユニット４０Ｂが上昇してウェーハ１から退避し、次いでターンテーブル１７がＲ方向へ所定角度回転することにより、上記ワーク着脱位置にウェーハ１が戻される。次いでチャックテーブル３０の負圧発生運転が停止し、この後、ウェーハ１は供給／回収ステージ１２に設けられた回収手段（第１の搬送手段）６０によってスピンナ式の洗浄装置（洗浄手段）７０に搬送される。回収手段６０は、上記供給手段２０と同様の構成のもので、旋回アーム６１の先端にウェーハ１を負圧作用で吸着する吸着パッド６２が装着されたものである。

ウェーハ１を洗浄する洗浄装置７０は、図３に示すように、負圧吸着式のスピンナテーブル７１と、スピンナテーブル７１に保持されたウェーハ１に洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル７２と、スピンナテーブル７１および洗浄水供給ノズル７２を囲むカバー７３とを備えている。

カバー７３は、スピンナテーブル７１の外側に配されて加工ステージ１１に固定された固定外壁カバー７４と、この固定外壁カバー７４の上端から内側に水平に延びてスピンナテーブル７１の上方を覆う天板部７５と、固定外壁カバー７４で閉塞されない内側の側方を覆う可動カバー７６とから構成されている。洗浄水供給ノズル７２は、天板部７５の、スピンナテーブル７１の回転中心の上方に当たる位置に、先端の洗浄水吐出口を下方に向けて配設されている。

可動カバー７６は加工ステージ１１に上下動可能に配設されており、上昇すると、図３および図４（ｃ）に示すように、固定外壁カバー７４と共にスピンナテーブル７１の周囲を覆ってスピンナテーブル７１からの洗浄水の飛散を防止する作用位置に位置付けられる。また、可動カバー７６が下降すると、図２および図４（ａ）に示すように、上端が僅かに加工ステージ１１から上方に突出するまで加工ステージ１１内に埋没し、固定外壁カバー７４で閉塞されない内側の側方が開放する退避位置に位置付けられる。可動カバー７６の上下動は、加工ステージ１１内に設けられた図示せぬカバー駆動部によってなされる。

上記回収手段６０は、吸着パッド６２にウェーハ１を吸着、保持し、旋回アーム６１が洗浄装置７０側に旋回することにより吸着パッド６２がカバー７３内（天板部７５の下方）に入り込んでウェーハ１をスピンナテーブル７１に移す。また、洗浄装置７０で洗浄されたウェーハ１は、上記搬送ロボット１５のロボットハンド１５ａによってスピンナテーブル７１から取り上げられ、上記回収カセット１４Ｂに搬送されるが、その時には、ロボットハンド１５ａがカバー７３内（天板部７５の下方）に入り込んでウェーハ１をスピンナテーブル７１から取り上げる。可動カバー７６が下降して退避位置に位置付けられている時には、回収手段６０の吸着パッド６２、および搬送ロボット１５のロボットハンド１５ａがカバー７３内に出入りするワーク搬送動作が、可動カバー７６によって妨げられず可能となる。

また、図２に示すように、洗浄装置７０とターンテーブル１７との間には、シャッター（遮断手段）８０が配設されている。このシャッター８０は、Ｙ方向に対し斜めに延在する状態に配設された壁状の部材であって、可動カバー７６と同様に上下動可能に配設されている。

シャッター８０が上昇して作用位置にある時、該シャッター８０は図４（ｃ）に示すようにカバー７３よりも十分に高く加工ステージ１１上に突出する。これにより、洗浄装置７０の内部、すなわちカバー７３の内部の空間と、チャックテーブル３０が配列されているターンテーブル１７上の空間とが、シャッター８０で遮断されるようになっている。また、シャッター８０が下降した退避位置にある時においては、回収手段６０のウェーハ搬送動作が該シャッター８０に妨げられないようになっている。シャッター８０の上下動は、加工ステージ１１内に設けられた図示せぬシャッター駆動部によってなされる。

さて、回収手段６０により着脱位置に位置付けられた研削済みのウェーハ１が洗浄装置７０に搬送される際には、図４（ａ）〜（ｂ）に示すように、シャッター８０および可動カバー７６はいずれも退避位置に下降している。そして、回収手段６０の旋回アーム６１が洗浄装置７０側に旋回して研削済みのウェーハ１を保持した吸着パッド６２がカバー７３内に入り込み、吸着パッド６２から、ウェーハ１が負圧発生運転されているスピンナテーブル７１にウェーハ１が移され、該スピンナテーブル７１にウェーハ１が吸着、保持される。

次いで、図４（ｃ）に示すように、シャッター８０および可動カバー７６が作用位置に上昇し、ウェーハ１を保持したスピンナテーブル７１および洗浄水供給ノズル７２が、カバー７３で完全に覆われる。この状態からスピンナテーブル７１が回転し、洗浄水供給ノズル７２から回転するウェーハ１に洗浄水が供給されて、ウェーハ１は洗浄され、この後、引き続きスピンナテーブル７１を回転させたまま洗浄水の供給が停止され、ウェーハ１が乾燥処理される。

洗浄装置７０で洗浄／乾燥処理が終了したら、図４（ｄ）に示すように可動カバー７６を退避位置に下降させる。そして、スピンナテーブル７１上のウェーハ１は、搬送ロボット１５のロボットハンド１５ａによって回収カセット１４Ｂまで搬送され、収納される。

以上の工程が、供給カセット１４Ａ内のウェーハ１に対して連続的に繰り返し行われ、ウェーハ１の被研削面が研削されて目標仕上げ厚さに薄化された複数のウェーハ１が回収カセット１４Ｂ内に収納される。この後、薄化されたウェーハ１は回収カセット１４Ｂごと次の工程に運搬される。

［３］シャッターの作用効果
上記一実施形態の研削装置１０においては、洗浄装置７０で洗浄したウェーハ１を搬送ロボット１５で回収カセット１４Ｂに搬送するために可動カバー７６を開けた時、シャッター８０が作用位置に上昇しており、該シャッター８０により、洗浄装置７０におけるカバー７３内の空間と、チャックテーブル３０が配列されているターンテーブル１７上の空間とが遮断されている。

このため、一次加工位置あるいは二次加工位置から研削水が洗浄装置７０の方向に飛散しても、その研削水はシャッター８０に当たってスピンナテーブル７１に保持されているウェーハ１には到達しない。したがって、スピンナテーブル７１に保持されている洗浄後のワーク７１の汚染が防止される。そして、シャッター８０を作用位置に上昇させた状態で搬送ロボット１５によりウェーハ１をスピンナテーブル７１から回収カセット１４Ｂに搬送するので、その搬送中においても研削水はウェーハ１にかからない。その結果、ウェーハ１は洗浄装置７０で洗浄された清浄なままの状態で回収カセット１４Ｂに収納される。

また、上記実施形態では、テーブル洗浄手段３５により着脱位置に位置付けられたチャックテーブル３０のワーク保持面３０ａを洗浄する時にも洗浄水が洗浄装置７０の方向に飛散する。したがって、テーブル洗浄手段３５が作動中において、可動カバー７６を退避位置に下降させて洗浄したウェーハ１を回収カセット１４Ｂに搬送する状況が生じる場合にも、シャッター８０を作用位置に上昇させておく。これにより、テーブル洗浄手段３５でチャックテーブル３０を洗浄している際に飛散する洗浄水はシャッター８０で遮られ、スピンナテーブル７１に保持されているウェーハ１や、回収カセット１４Ｂへ搬送中のウェーハ１に洗浄水がかからず、汚染が防止される。

［４］遮断手段の別形態
図５および図６は、上記可動カバー７６の変更例を示している。この場合の可動カバー７６は、図２でＹ方向に２分割されており、Ｙ方向奥側すなわち回収手段６０側が第１の可動カバー部７６Ａ、Ｙ方向手前側すなわち搬送ロボット１５側が第２の可動カバー部７６Ｂとされている。これら可動カバー部７６Ａ，７６Ｂの境界をなす先端の合わせ目は、洗浄水が外部に漏れないように、かつ、上下方向に相対的に摺動可能に接触している。そして各可動カバー部７６Ａ，７６Ｂは、それぞれ独自に上下動するようになされている。

図６（ａ）は、第１の可動カバー部７６Ａが退避位置に下降し、第２の可動カバー部７６Ｂが作用位置に上昇している状態を示している。また、これとは逆に、図６（ｂ）は、第１の可動カバー部７６Ａが作用位置に上昇し、第２の可動カバー部７６Ｂが退避位置に下降している状態を示している。

このように可動カバー７６が２分割されている場合においては、回収手段６０側の第１の可動カバー部７６Ａが上記実施形態のシャッター８０の機能も果たし、したがってシャッター８０は不要となる。

図７を参照して２分割された可動カバー７６の動作を説明すると、はじめに、着脱位置に位置付けられた研削済みのウェーハ１が回収手段６０により洗浄装置７０に搬送される際には、図７（ａ）〜（ｂ）に示すように、第１の可動カバー部７６Ａは退避位置に下降し、研削済みのウェーハ１を保持した吸着パッド６２がカバー７３内に入り込み、スピンナテーブル７１にウェーハ１が移される。この時、図７（ａ）〜（ｂ）では第２の可動カバー部７６Ｂは作用位置に上昇しているが、下降していてもよい。

次に、図７（ｃ）に示すように、第１の可動カバー部７６Ａが作用位置に上昇し、また、第２の可動カバー部７６Ｂも作用位置に上昇した状態とされ、ウェーハ１を保持したスピンナテーブル７１および洗浄水供給ノズル７２がカバー７３で完全に覆われる。続いて、洗浄水供給ノズル７２から洗浄水を供給しながらスピンナテーブル７１を回転させる洗浄工程と乾燥処理とが、続けて行われる。洗浄装置７０で洗浄／乾燥処理が終了したら、図７（ｄ）に示すように、第２の可動カバー７６Ｂのみを退避位置に下降させ、搬送ロボット１５によりウェーハ１が回収カセット１４Ｂに搬送されて収納される。

ウェーハ１を回収カセット１４Ｂに搬送するために第２の可動カバー部７６Ｂを開いた時、第１の可動カバー部７６Ａを作用位置に上昇したままにしておくことにより、一次加工位置あるいは二次加工位置から洗浄装置７０の方向に飛散する研削水は、第１の可動カバー部７６Ａに当たり、スピンナテーブル７１に保持されているウェーハ１には到達しない。これにより、ウェーハ１の汚染が防止される。また、テーブル洗浄手段３５が作動していて着脱位置にあるチャックテーブル３０が洗浄されている場合にも、可動カバー部７６Ａを上昇させておくことにより、テーブル洗浄手段３５から飛散する洗浄水が可動カバー部７６Ａで遮られ、ウェーハ１の汚染が防止される。

このようにカバー７３を２分割した形態では、可動カバー部７６Ａ，７６Ｂをウェーハ１の搬送状態に応じて適宜に開閉することにより、ワーク搬送動作を妨げることなく、スピンナテーブル７１上のウェーハ１、あるいは回収カセット１４Ｂに搬送中のウェーハ１に研削水や洗浄水が付着して汚染するといったことが防止される。この形態では、上記実施形態のシャッター８０の機能、すなわち本発明の遮断手段の機能を第１の可動カバー７３で賄っているため、部品点数の増加が抑えられるという利点がある。

１…ウェーハ（ワーク）
１０…研削装置
１３Ａ，１３Ｂ…カセット載置台（カセット載置部）
１４Ａ…供給カセット
１４Ｂ…回収カセット
１５…搬送ロボット（第２の搬送手段）
３０…チャックテーブル（保持手段）
３０ａ…ワーク保持面
４０Ａ，４０Ｂ…研削ユニット（研削手段）
６０…回収手段（第１の搬送手段）
７０…洗浄装置（洗浄手段）
７１…スピンナテーブル
７２…洗浄水供給ノズル
７３Ａ…第１の可動カバー部（遮断手段）
７３Ｂ…第２の可動カバー部
７６…可動カバー
８０…シャッター（遮断手段）

Claims

ワークを保持する保持手段と、
該保持手段に保持された前記ワークを研削する研削手段と、
該研削手段で研削された前記ワークを洗浄する洗浄手段と、
該洗浄手段で洗浄された前記ワークを収納するカセットが着脱可能に載置されるカセット載置部と、
前記保持手段から前記洗浄手段に前記ワークを搬送する第１の搬送手段と、
前記洗浄手段から前記カセット載置部に載置された前記カセットに前記ワークを搬送する第２の搬送手段と、
を備える研削装置であって、
前記洗浄手段は、
前記ワークを保持する水平な保持面を有し、かつ、鉛直方向を回転軸として回転可能に支持されたスピンナテーブルと、
該スピンナテーブルに保持された前記ワークに洗浄水を供給する洗浄水供給ノズルと、
少なくとも前記スピンナテーブルと前記洗浄水供給ノズルとを囲む可動カバーと、
前記ワークを保持した前記スピンナテーブルが回転している間は、前記可動カバーを、該スピンナテーブルと前記洗浄水供給ノズルとを囲む作用位置に位置付け、かつ、前記第１の搬送手段が前記保持手段から該スピンナテーブルに前記ワークを搬送する際と、前記第２の搬送手段が該スピンナテーブルから前記カセットに前記ワークを搬送する際には、前記可動カバーを、該第１の搬送手段および該第２の搬送手段のワーク搬送動作の妨げにならない退避位置に位置付けるカバー駆動部と、
を含み、
さらに該研削装置は、
少なくとも、前記可動カバーが前記退避位置に位置付けられて前記第２の搬送手段が前記スピンナテーブルから前記カセットに前記ワークを搬送する間は、前記保持手段と前記洗浄手段との間の空間を遮断する遮断手段を有すること
を特徴とする研削装置。
前記可動カバーは、前記第１の搬送手段側の第１の可動カバー部と、前記第２の搬送手段側の第２の可動カバー部とに分割されたものであって、
該第１の可動カバー部と該第２の可動カバー部は、
前記カバー駆動部により、
前記ワークを保持した前記スピンナテーブルが回転している間は、該スピンナテーブルと前記洗浄水供給ノズルとを囲む作用位置に共に位置付けられ、
前記第１の搬送手段が前記保持手段から該スピンナテーブルに前記ワークを搬送する際には、少なくとも該第１の可動カバー部が、該第１の搬送手段のワーク搬送動作の妨げにならない退避位置に位置付けられ、
前記第２の搬送手段が前記スピンナテーブルから前記カセットに前記ワークを搬送する際には、該第２の可動カバー部が、該第２の搬送手段のワーク搬送動作の妨げにならない退避位置に位置付けられると共に、該第１の可動カバー部が前記作用位置に位置付けられて前記遮断手段を構成すること
を特徴とする請求項１に記載の研削装置。