JP2010243629A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 画素領域に形成された複数の第１トランジスターと、
   前記画素領域の外側に設けられた第２トランジスターと、
   前記第１トランジスターと平面視で重なる領域に設けられ、第１容量電極層、前記第１容量電極層の前記第１トランジスターの反対側に設けられた第２容量電極層および前記第１容量電極層と前記第２容量電極層との間に設けられた第１誘電体層を備えた保持容量と、
   前記第２トランジスターと平面視で重なる領域に設けられ、互いに積層された前記第１容量電極層と同層の第１導電膜、前記第１誘電体層と同層の第２誘電体膜、および前記第２容量電極層と同層の第２導電膜と、
   を含むことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１導電膜、前記第２誘電体膜、および前記第２導電膜は、容量素子を構成していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１トランジスターと電気的に接続され、前記保持容量の一部と平面視で重なるデータ線と、
   第１定電位が供給され、前記データ線と同層に形成され、前記容量素子の一部と平面視で重なる第１定電位線と、
   前記第１定電位と異なる第２定電位が供給され、前記データ線と同層に形成され、前記容量素子の一部と平面視で重なる第２定電位線と、
   前記第２トランジスターと導電型が相違し、前記容量素子の一部と平面視で重なる領域に設けられた第３トランジスターと、
   を含み、
   前記第２トランジスターと前記第３トランジスターとは相補型トランジスター回路を構成し、
   前記第１導電膜は、前記第２トランジスターおよび前記第１定電位線と電気的に接続され、
   前記第２導電膜は、前記第３トランジスターおよび前記第２定電位線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。