JP2010237499A - フォトマスクブランク及びフォトマスク - Google Patents
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Abstract
【効果】本発明のフォトマスクブランクを用いることにより、エッチングマスク膜のエッチング除去前後で、表面形状の変化がわずかとなり、これによってフォトマスク加工が終了した後に得られるフォトマスクのパターン制御性を向上させることができる。
【選択図】図1
Description
請求項1:
四角形状の透明基板上に、遷移金属を含有してもよいケイ素系材料からなる遮光膜を有し、該遮光膜上に、クロム化合物系材料からなり、上記遮光膜を精密加工するために成膜されたエッチングマスク膜を有するフォトマスクブランクであって、
上記エッチングマスク膜が、フォトマスクブランクからフォトマスクに加工する間のいずれかの工程において全てが剥離されるものであり、
上記エッチングマスク膜が、反応性スパッタリングによって成膜され、互いに組成の異なる2以上の層で構成された多層からなり、該多層が、透明基板上に単一組成層として成膜した場合に圧縮応力を与える材料からなる層と、透明基板上に単一組成層として成膜した場合に引っ張り応力を与える材料からなる層とを組み合わせて構成されてなることを特徴とするフォトマスクブランク。
請求項2:
上記圧縮応力を与える材料が、酸素を含有するクロム化合物であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランク。
請求項3:
エッチングマスク膜を剥離する前のフォトマスクブランクの最表面と、フォトマスクブランクから上記エッチングマスク膜の全てを剥離した後の処理基板の最表面とについて、
(1)各々の最表面を表面形状測定装置で測定して、該最表面のXYZ三次元座標データを取得し、
(2)各々の最表面から得られた座標データより、各々の最表面の最小二乗平面を求め、
(3)フォトマスクブランクの最表面の座標とその最小二乗平面との間の相対位置、及び処理基板の最表面の座標とその最小二乗平面との間の相対位置を各々固定した状態で、
上記座標及び最小二乗平面を、
(i)2つの最小二乗平面の双方が、XYZ三次元仮想空間のXY平面上に位置し、
(ii)前者の最小二乗平面のフォトマスクブランクの最表面相当領域の中心と、後者の最小二乗平面の処理基板の最表面相当領域の中心との双方が原点に位置し、かつ
(iii)上記2つの最表面相当領域の4つの角の各々が、エッチングマスク膜の剥離前後で対応するように、2つの最表面相当領域の対角線方向を合わせて重ねて配置し、
(4)上記配置された座標データの範囲内において、フォトマスクブランクの最表面の座標及び処理基板の最表面の座標でX値及びY値が一致する座標対の各々について、フォトマスクブランクの最表面のZ値(Z1)から処理基板の最表面のZ値(Z2)の差(Z1−Z2)を求め、
(5)該Z値の差(Z1−Z2)の最大値の絶対値と最小値の絶対値との和をそり変化量としたとき、
該そり変化量の値が(50(nm)/L/152(mm))以下(但し、Lは透明基板の長辺の長さ(mm)を表わす)であることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク。
請求項4:
請求項1乃至3のいずれか1項記載のフォトマスクブランクを用いて製造されたフォトマスク。
パターンサイズが65nm以下、特に45nm以下である光リソグラフィーに使用するフォトマスク、特にダブルパターニング用マスクに使用するフォトマスクは、極めて高いマスク精度を要求される。このため、フォトマスクブランクの加工においても同様に極めて高い加工精度が要求されている。
(1)各々の最表面を表面形状測定装置で測定して、最表面のXYZ三次元座標データを取得し、
(2)各々の最表面から得られた座標データより、各々の最表面の最小二乗平面を求め、
(3)フォトマスクブランクの最表面の座標とその最小二乗平面との間の相対位置、及び処理基板の最表面の座標とその最小二乗平面との間の相対位置を各々固定した状態で、
上記座標及び最小二乗平面を、
(i)2つの最小二乗平面の双方が、XYZ三次元仮想空間のXY平面上に位置し、
(ii)前者の最小二乗平面のフォトマスクブランクの最表面相当領域の中心と、後者の最小二乗平面の処理基板の最表面相当領域の中心との双方が原点に位置し、かつ
(iii)上記2つの最表面相当領域の4つの角の各々が、エッチングマスク膜の剥離前後で対応するように、2つの最表面相当領域の対角線方向を合わせて重ねて配置し、
(4)上記配置された座標データの範囲内において、フォトマスクブランクの最表面の座標及び処理基板の最表面の座標でX値及びY値が一致する座標対の各々について、フォトマスクブランクの最表面のZ値(Z1)から処理基板の最表面のZ値(Z2)の差(Z1−Z2)を求め、
(5)該Z値の差(Z1−Z2)の最大値の絶対値と最小値の絶対値との和をそり変化量とする。
(i)2つの最小二乗平面の双方が、XYZ三次元仮想空間のXY平面上に位置するように配置する。
(ii)前者の最小二乗平面のフォトマスクブランクの最表面相当領域の中心と、後者の最小二乗平面の処理基板の最表面相当領域の中心との双方が原点に位置するように配置する。
(iii)2つの最表面相当領域の4つの角の各々が、エッチングマスク膜の剥離前後で対応するように、2つの最表面相当領域の対角線方向を合わせて重ねて配置する。
6インチ(152mm)正方形状の石英基板の上に、2つのターゲットを設けた直流スパッタ装置を用いて、モリブデンとケイ素と窒素とからなる遮光膜(膜厚41nm)を成膜した。スパッタガスとしてはArと窒素を用い、チャンバ内のガス圧が0.05Paになるように調整した。ターゲットとしては、遷移金属源としてMoターゲット、ケイ素源としてSi(単結晶)ターゲットの2種を用い成膜した。この遮光膜の組成をESCAで調べたところMo:Si:N=1:3:1.5(原子比)であった。
6インチ(152mm)正方形状の石英基板の上に、2つのターゲットを設けた直流スパッタ装置を用いて、モリブデンとケイ素と窒素とからなる遮光膜(膜厚41nm)を成膜した。スパッタガスとしてはArと窒素を用い、チャンバ内のガス圧が0.05Paになるように調整した。ターゲットとしては、遷移金属源としてMoターゲット、ケイ素源としてSi(単結晶)ターゲットの2種を用い成膜した。この遮光膜の組成をESCAで調べたところMo:Si:N=1:3:1.5(原子比)であった。
2 遮光膜
21 遮光機能層
22 反射防止機能層
3 エッチングマスク膜
31 第1層
32 第2層
101 フォトマスクブランクの最表面の座標群
102 フォトマスクブランクの最表面の最小二乗平面
201 処理基板の最表面の座標群
202 処理基板の最表面の最小二乗平面
102a,202a 最表面相当領域
Claims (4)
- 四角形状の透明基板上に、遷移金属を含有してもよいケイ素系材料からなる遮光膜を有し、該遮光膜上に、クロム化合物系材料からなり、上記遮光膜を精密加工するために成膜されたエッチングマスク膜を有するフォトマスクブランクであって、
上記エッチングマスク膜が、フォトマスクブランクからフォトマスクに加工する間のいずれかの工程において全てが剥離されるものであり、
上記エッチングマスク膜が、反応性スパッタリングによって成膜され、互いに組成の異なる2以上の層で構成された多層からなり、該多層が、透明基板上に単一組成層として成膜した場合に圧縮応力を与える材料からなる層と、透明基板上に単一組成層として成膜した場合に引っ張り応力を与える材料からなる層とを組み合わせて構成されてなることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 上記圧縮応力を与える材料が、酸素を含有するクロム化合物であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランク。
- エッチングマスク膜を剥離する前のフォトマスクブランクの最表面と、フォトマスクブランクから上記エッチングマスク膜の全てを剥離した後の処理基板の最表面とについて、
(1)各々の最表面を表面形状測定装置で測定して、該最表面のXYZ三次元座標データを取得し、
(2)各々の最表面から得られた座標データより、各々の最表面の最小二乗平面を求め、
(3)フォトマスクブランクの最表面の座標とその最小二乗平面との間の相対位置、及び処理基板の最表面の座標とその最小二乗平面との間の相対位置を各々固定した状態で、
上記座標及び最小二乗平面を、
(i)2つの最小二乗平面の双方が、XYZ三次元仮想空間のXY平面上に位置し、
(ii)前者の最小二乗平面のフォトマスクブランクの最表面相当領域の中心と、後者の最小二乗平面の処理基板の最表面相当領域の中心との双方が原点に位置し、かつ
(iii)上記2つの最表面相当領域の4つの角の各々が、エッチングマスク膜の剥離前後で対応するように、2つの最表面相当領域の対角線方向を合わせて重ねて配置し、
(4)上記配置された座標データの範囲内において、フォトマスクブランクの最表面の座標及び処理基板の最表面の座標でX値及びY値が一致する座標対の各々について、フォトマスクブランクの最表面のZ値(Z1)から処理基板の最表面のZ値(Z2)の差(Z1−Z2)を求め、
(5)該Z値の差(Z1−Z2)の最大値の絶対値と最小値の絶対値との和をそり変化量としたとき、
該そり変化量の値が(50(nm)/L/152(mm))以下(但し、Lは透明基板の長辺の長さ(mm)を表わす)であることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク。 - 請求項1乃至3のいずれか1項記載のフォトマスクブランクを用いて製造されたフォトマスク。
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