JP2006195202A - フォトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【効果】 基板上にクロム系材料膜を形成する場合に、スパッタリングにより膜応力の極めて低いクロム系材料膜を形成することができることから、クロム系材料膜を成膜してフォトマスクブランクを製造する前後、及びそのクロム系材料膜を加工して膜パターンを形成する前後における膜応力の変化により、反りが大きく変化することを避けることができ、精度の高い露光が可能なフォトマスクを与えるフォトマスクブランクを安定して製造することができる。
【選択図】 なし
Description
請求項1:
透明基板上にクロム系材料膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、上記クロム系材料膜をスパッタリングにより、スパッタリング時の被スパッタリング物の温度を100℃以下に制御して成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
請求項2:
透明基板上に半透過膜とクロム系材料膜とを順に設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、透明基板上に上記半透過膜をスパッタリングにより成膜し、次いで、上記クロム系材料膜をスパッタリングにより、スパッタリング時の被スパッタリング物の温度を100℃以下に制御して成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
請求項3:
上記半透過膜を成膜後、成膜された半透過膜に閃光ランプ光を照射することにより半透過膜の膜応力を低減させてから、上記クロム系材料膜を成膜することを特徴とする請求項2記載のフォトマスクブランクの製造方法。
請求項4:
上記半透過膜がハーフトーン位相シフト膜であることを特徴とする請求項2又は3記載のフォトマスクブランクの製造方法。
請求項5:
上記クロム系材料膜のスパッタリング時のターゲットに印加する単位スパッタリング面積当たりの電力を5W/cm2以上としてスパッタリングすることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの製造方法。
請求項6:
上記クロム系材料膜が、遮光膜、反射防止膜又はそれらの積層膜であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの製造方法。
請求項7:
上記クロム系材料膜の膜厚が60nm以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの製造方法。
本発明は、透明基板上にクロム系材料膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であり、このクロム系材料膜をスパッタリングにより、スパッタリング時の被スパッタリング物の温度を100℃以下に制御して成膜するものである。
一辺が6インチの角形石英基板上に、Crターゲットを用いた反応性DCスパッタリングにて、ターゲットに印加する単位スパッタリング面積当たりの電力を6.8W/cm2に設定し、スパッタ圧力を0.2Paとし、基板を予め加熱した後スパッタリング開始時の基板の温度を表1に示される温度とし、遮光膜(CrON膜)及び反射防止膜(CrON膜)からなるクロム系材料膜を、波長450nmに対する光学濃度が2.9となるように雰囲気ガス量及び反応性ガス量を下記のように調整することにより膜組成を調整しながら、基板側から遮光膜70.0nm、反射防止膜30.0nm、総膜厚100.0nmとなるように成膜してフォトマスクブランクを得た。なお、得られたフォトマスクブランクのスパッタリング終了時の温度は表1に示される温度であった。
遮光膜
雰囲気ガス Ar:20〜30SCCM
反応性ガス N2O:9〜15SCCM
反射防止膜
雰囲気ガス Ar:45〜60SCCM
反応性ガス N2:10〜45SCCM
N2O:12〜35SCCM
一辺が6インチの角型石英基板上に、MoSiターゲットを用いた反応性DCスパッタリングにて、ハーフトーン位相シフト膜(MoSiON膜)を、後述する閃光ランプ照射後に、露光光(ArFエキシマレーザ:193nm)に対する位相差が180°、ハーフトーン位相シフト膜を形成していない基板の露光光に対する透過率を100%としたときの透過率が6%となるように、定法に従い、アルゴン、窒素、酸素を用いて膜厚70.0nmに成膜した。このハーフトーン位相シフト膜の膜応力を測定したところ、1200MPaの圧縮応力であった。
遮光膜
雰囲気ガス Ar:20〜30SCCM
反応性ガス N2O:9〜15SCCM
反射防止膜
雰囲気ガス Ar:45〜60SCCM
反応性ガス N2:10〜45SCCM
N2O:12〜35SCCM
2 クロム系材料膜
3 半透過膜(ハーフトーン位相シフト膜)
Claims (7)
- 透明基板上にクロム系材料膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、上記クロム系材料膜をスパッタリングにより、スパッタリング時の被スパッタリング物の温度を100℃以下に制御して成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
- 透明基板上に半透過膜とクロム系材料膜とを順に設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、透明基板上に上記半透過膜をスパッタリングにより成膜し、次いで、上記クロム系材料膜をスパッタリングにより、スパッタリング時の被スパッタリング物の温度を100℃以下に制御して成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記半透過膜を成膜後、成膜された半透過膜に閃光ランプ光を照射することにより半透過膜の膜応力を低減させてから、上記クロム系材料膜を成膜することを特徴とする請求項2記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記半透過膜がハーフトーン位相シフト膜であることを特徴とする請求項2又は3記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記クロム系材料膜のスパッタリング時のターゲットに印加する単位スパッタリング面積当たりの電力を5W/cm2以上としてスパッタリングすることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記クロム系材料膜が、遮光膜、反射防止膜又はそれらの積層膜であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記クロム系材料膜の膜厚が60nm以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの製造方法。
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