JP2013231952A - 位相反転ブランクマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 2層以上の連続膜または複数層膜形態の位相反転膜が備えられ、位相反転膜のうち最上部に配されている位相反転膜を薄い厚さを持つように形成すると共に耐薬品性及び耐久性に優れるように酸素(O)を微量含んで形成する位相反転ブランクマスク。これによって、最上部に配されている耐薬品性及び耐久性に優れた位相反転膜によって、フォトマスク製造時に反復的な洗浄工程に使われる酸性及び塩基性物質を含む洗浄溶液、高温水及びオゾン水に対して耐薬品性及び耐久性に優れた位相反転膜を持つ位相反転ブランクマスクを提供する。また、最上部に配されている耐薬品性及び耐久性に優れた位相反転膜によって、反復的な洗浄工程で位相反転膜の屈折率及び位相反転量の変化が防止され、薄い厚さを持つ位相反転膜が備えられた位相反転ブランクマスクを提供する。
【選択図】 図2
Description
図1及び図2を参照すれば、本発明による位相反転ブランクマスク100は、ArF用及びKrF用位相反転ブランクマスク100であり、透明基板102上に位相反転膜104、遮光性膜106及びフォトレジスト膜108を含む。
(実施例)
位相反転膜の設計
本発明の実施例による位相反転膜104は、透明基板102上にMoSiNからなる第1位相反転膜110及びMoSiONからなる第2位相反転膜112の2層構造で形成した。
本発明の実施例及び比較例によって形成された位相反転膜に対してオゾン水評価を実施した。ブランクマスクを用いて形成されるフォトマスクは、製造過程でオゾン水を用いた繰り返し洗浄を経るようになり、この過程で位相反転膜の耐薬品性特性が重要である。評価に使われるオゾン水の濃度は80ppmであり、実施例及び比較例によって形成された位相反転膜に対して15回の洗浄工程を行い、洗浄工程前後の位相量及び透過率変化を測定した。
本発明の実施例及び比較例によって形成された位相反転膜に対してSPM評価を行った。SPM評価は、ブランクマスクを用いて形成されるフォトマスクの製造時にレジストレイヤーを除去するための洗浄工程であり、この過程で位相反転膜の耐薬品性特性が重要である。SPM評価は、H2SO4とH2O2とを混合した溶液を使い、H2SO4:H2O2=10:1の割合にし、約90℃の温度で10分間3回の洗浄工程を行い、洗浄工程前後の位相量及び透過率変化を測定した。
本発明の実施例及び比較例によって形成された位相反転膜に対してSC−1評価を行った。SC−1評価は、ブランクマスクを用いて形成されるフォトマスクの製造時にMoSi系化合物の洗浄工程に使われるアンモニア水に対する耐化学性を評価するために行った。SC−1評価は、NH4OH、H2O2及びH2Oを混合した溶液を使い、NH4OH:H2O2:H2O=1:1:3の体積の割合にして約23℃の常温で2時間厳しい条件で行い、洗浄工程前後の位相量及び透過率変化を測定した。
本発明の実施例及び比較例によって形成された位相反転膜に対してHOT−DIW(Deionized Water)洗浄評価を行った。HOT−DIW評価は、95℃のDIWに50分間浸漬させる条件で行い、洗浄工程前後の位相量及び透過率変化を測定した。
102 透明基板
104 位相反転膜
106 遮光性膜
108 フォトレジスト膜
110 第1位相反転膜
112 第2位相反転膜
Claims (20)
- 透明基板上に位相反転膜が備えられた位相反転ブランクマスクにおいて、
前記位相反転膜は、構成物質の異なる2層以上の膜からなり、最上部に配される位相反転膜は、少なくとも金属、シリコン(Si)、酸素(O)及び窒素(N)を含む位相反転ブランクマスク。 - 前記2層以上の位相反転膜は、連続膜または複数層膜の形態を持つことを特徴とする請求項1に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜のうち最上部に配されている位相反転膜は、MoSiONからなり、モリブデン(Mo)が1at%〜30at%、シリコン(Si)が30at%〜80at%、酸素(O)が0.1at%〜20at%、窒素(N)が10at%〜50at%の組成比を持つことを特徴とする請求項1に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜のうち最上部に配されている位相反転膜は、10Å〜200Åの厚さを持つことを特徴とする請求項1に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜のうち最上部の位相反転膜の下部に配されている位相反転膜は、少なくとも金属、シリコン(Si)及び窒素(N)を含むことを特徴とする請求項1に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜のうち最上部の位相反転膜の下部に配されている位相反転膜は、MoSiNからなり、モリブデン(Mo)が1at%〜30at%、シリコン(Si)が30at%〜80at%、窒素(N)が10at%〜50at%の組成比を持つことを特徴とする請求項5に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜のうち最上部の位相反転膜の下部に配されている位相反転膜は、300Å〜1,000Åの厚さを持つことを特徴とする請求項5に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜のうち最上部に配されている位相反転膜は、全体位相反転膜の1%〜40%の厚さを持つことを特徴とする請求項1に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜のうち最上部に配されている位相反転膜に対する下部位相反転膜の厚さの割合は、1:5〜30であることを特徴とする請求項1に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜の前記金属は、チタン(Ti)、バナジウム(V)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、パラジウム(Pd)、亜鉛(Zn)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、カドミウム(Cd)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、セレン(Se)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)及びタングステン(W)のうち選択される1種以上の物質を含むことを特徴とする請求項1及び5に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は1%〜30%の透過率を持ち、170゜〜190゜の位相反転量を持つことを特徴とする請求項1に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜の上部または下部に配されている遮光性膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記遮光性膜は、遮光膜及び反射防止膜を含み、200Å〜800Åの厚さを持つことを特徴とする請求項12に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記遮光性膜は、チタン(Ti)、バナジウム(V)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、パラジウム(Pd)、亜鉛(Zn)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、カドミウム(Cd)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、セレン(Se)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)及びタングステン(W)のうち一つ以上の金属を含むか、または前記金属にシリコン(Si)、酸素(O)、窒素(N)、炭素(C)のうち一つ以上の物質をさらに含んで形成されたことを特徴とする請求項12に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記遮光性膜は、遮光膜及び反射防止膜を含み、前記遮光膜及び反射防止膜は、CrO、CrN、CrC、CrON、CrCO、CrCN、CrCONのうち一つのクロム(Cr)化合物で形成することを特徴とする請求項12に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記遮光性膜及び位相反転膜の積層構造に対して、ArF用及びKrF用露光波長に対する光学密度は2.5以上であることを特徴とする請求項12に記載の位相反転ブランクマスク。
- 透明基板上に位相反転膜が備えられた位相反転ブランクマスクの製造方法において、
前記位相反転膜は、一つのターゲットを用いたスパッタリング方法で構成物質の異なる2層以上の膜で形成し、
前記位相反転膜のうち最上部に形成される位相反転膜は、少なくとも金属、シリコン(Si)、酸素(O)及び窒素(N)を含んで形成する位相反転ブランクマスクの製造方法。 - 前記最上部位相反転膜は、酸素(O)を含むガスを、全体ガスの1vol%〜60vol%の割合で注入して形成することを特徴とする請求項17に記載の位相反転ブランクマスクの製造方法。
- 前記位相反転膜の形成後、250℃〜400℃の温度範囲で10分〜60分間熱処理を行うことを特徴とする請求項17に記載の位相反転ブランクマスクの製造方法。
- 前記ターゲットは金属及びシリコン(Si)からなり、前記金属:シリコン(Si)の割合は、1at%〜40at%:99at%〜60at%であることを特徴とする請求項17に記載の位相反転ブランクマスクの製造方法。
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