JP2003005347A - 位相シフトマスクブランク及びその製造方法 - Google Patents

位相シフトマスクブランク及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 透明基板上に位相シフト膜が形成された
位相シフトマスクブランクにおいて、前記位相シフト膜
は、金属、珪素、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも
１種を含む互いに膜組成が異なる２種以上の膜が交互に
積層された互層膜よりなることを特徴とする位相シフト
マスクブランク。 【効果】 本発明によれば、金属、珪素、酸素及び窒素
から選ばれる少なくとも１種を含む互いに組成の異なる
２種以上の膜が交互に積層された互層膜を形成すること
によって、耐薬品性が改良された高品質の位相シフトマ
スクブランクを提供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
ＣＣＤ（電荷結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）用カ
ラーフィルター、及び磁気ヘッド等の微細加工を行うフ
ォトリソグラフィー工程に好適に用いられる位相シフト
マスクブランク及びその製造方法に関し、特に、位相シ
フト膜によって露光波長の光の強度を減衰させることが
できるハーフトーン型の位相シフトマスクブランク及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体集積回路の製
造をはじめとして、広範囲な用途に用いられているフォ
トマスクは、基本的には透光性基板上にクロムを主成分
とした遮光膜を所定のパターンで形成したものである。
近年では半導体集積回路の高集積化などの市場要求に伴
ってパターンの微細化が急速に進み、これに対して露光
波長の短波長化を図ることにより対応してきた。
【０００３】しかしながら、露光波長の短波長化は解像
度を改善する反面、焦点深度の減少を招き、プロセスの
安定性が低下し、製品の歩留まりに悪影響を及ぼすとい
う問題があった。
【０００４】このような問題に対して、有効なパターン
転写法の一つとして、位相シフト法があり、微細パター
ンを転写するためのマスクとして位相シフトマスクが使
用されている。
【０００５】この位相シフトマスク（ハーフトーン型位
相シフトマスク）は、例えば、図６（Ａ），（Ｂ）に示
したように、基板１上に位相シフト膜２をパターン形成
してなるもので、位相シフト膜の存在しない基板露出部
（第１の光透過部）１ａとマスク上のパターン部分を形
成している位相シフター部（第２光透過部）２ａとにお
いて、両者を透過してくる光の位相差を図６（Ｂ）に示
したように１８０°とすることで、パターン境界部分の
光の干渉により、干渉した部分で光強度はゼロとなり、
転写像のコントラストを向上させることができるもので
ある。また、位相シフト法を用いることにより、必要な
解像度を得る際の焦点深度を増大させることが可能とな
り、クロム膜等からなる一般的な露光パターンを持つ通
常のマスクを用いた場合に比べて、解像度の改善と露光
プロセスのマージンを向上させることが可能なものであ
る。
【０００６】上記位相シフトマスクは、位相シフター部
の光透過特性によって、完全透過型位相シフトマスク
と、ハーフトーン型位相シフトマスクとに、実用的は大
別することができる。完全透過型位相シフトマスクは、
位相シフター部の光透過率が基板と同等であり、露光波
長に対し透明なマスクである。一方、ハーフトーン型位
相シフトマスクは、位相シフター部の光透過率が基板露
出部の数％〜数十％程度のものである。
【０００７】図１にハーフトーン型位相シフトマスクブ
ランク、図２にハーフトーン型位相シフトマスクの基本
的な構造をそれぞれ示す。図１に示したハーフトーン型
位相シフトマスクブランクは、露光光に対して透明な基
板１上にハーフトーン型位相シフト膜２を形成したもの
である。また、図２に示したハーフトーン型位相シフト
マスクは、上記シフト膜２をパターニングして、マスク
上のパターン部分を形成するハーフトーン型位相シフタ
ー部２ａと、位相シフト膜が存在しない基板露出部１ａ
を形成したものである。
【０００８】ここで、位相シフター部２ａを透過した露
光光は基板露出部１ａを透過した露光光に対して位相が
シフトされる（図６（Ａ），（Ｂ）参照）。また、位相
シフター部２ａを透過した露光光が被転写基板上のレジ
ストに対しては感光しない程度の光強度になるように、
位相シフター部２ａの透過率は設定されている。従っ
て、位相シフター部２ａは露光光を実質的に遮光する機
能を有する。
【０００９】上記ハーフトーン型位相シフトマスクとし
ては、構造が簡単な単層型のハーフトーン型位相シフト
マスクが提案されており、このような単層型のハーフト
ーン型位相シフトマスクとして、モリブデンシリサイド
酸化物（ＭｏＳｉＯ）、モリブデンシリサイド酸化窒化
物（ＭｏＳｉＯＮ）からなる位相シフト膜を有するもの
などが提案されている（特開平７−１４０６３５号公報
等）。
【００１０】このような位相シフトマスクを作製する方
法としては、位相シフトマスクブランクをリソグラフィ
法によりパターン形成する方法が用いられる。このリソ
グラフィ法は、位相シフトマスクブランク上にレジスト
を塗布し、電子線又は紫外線により所望の部分のレジス
トを感光後に現像し、位相シフト膜表面を露出させた
後、パターニングされたレジスト膜をマスクとして所望
の部分の位相シフト膜をエッチングして基板を露出させ
る。その後、レジスト膜を剥離することにより位相シフ
トマスクが得られるものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】位相シフトマスクは、
透明基板上に形成されたレジストパターンをマスクとし
てドライエッチングで位相シフト膜をエッチングするこ
とによって位相シフトパターンを設けたものである。こ
の場合、位相シフト膜は、位相シフトマスク製造の工程
における洗浄等の前処理又は洗浄液として使用される硫
酸等の酸に弱く、この工程で位相シフト膜の光学定数が
変化してしまうという問題がある。
【００１２】本発明は上記問題点を改善するためになさ
れたもので、耐薬品性を有する位相シフトマスクブラン
ク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結
果、露光波長に対して透明な基板上に形成された位相シ
フトマスクブランクにおいて、上記位相シフト膜を金
属、珪素、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を
含む互いに膜組成が異なる２層以上の膜が交互に積層さ
れた互層膜とすることで薬品耐性が改善することを見出
し、本発明をなすに至った。
【００１４】即ち、本発明は、下記位相シフトマスクブ
ランク及びその製造方法を提供する。 請求項１：透明基板上に位相シフト膜が形成された位相
シフトマスクブランクにおいて、前記位相シフト膜は、
金属、珪素、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種
を含む互いに膜組成が異なる２種以上の膜が交互に積層
された互層膜よりなることを特徴とする位相シフトマス
クブランク。 請求項２：前記位相シフト膜は、モリブデンシリサイド
の窒化物とモリブデンシリサイドの酸化窒化物の互層膜
である請求項１記載の位相シフトマスクブランク。 請求項３：前記互層膜を透過する露光光の位相を１８０
±５度変換し、かつ、透過率が３〜４０％である請求項
１又は２記載の位相シフトマスクブランク。 請求項４：透明基板上に位相シフト膜が形成された位相
シフトマスクブランクの製造方法において、前記位相シ
フト膜として、金属シリサイドをターゲットに用い、１
つの成膜室で反応性ガス種又は流量を変えて反応性スパ
ッタリングを行うことにより、互いに膜組成が異なる２
種以上の膜が交互に積層された互層膜を形成することを
特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。 請求項５：前記互層膜を形成する際、放電を停止させず
にガス種をかえることで互層膜を形成する請求項４記載
の位相シフトマスクブランクの製造方法。 請求項６：前記金属シリサイドは、モリブデンシリサイ
ドである請求項４又は５記載の位相シフトマスクブラン
クの製造方法。
【００１５】本発明によれば、位相シフトマスクブラン
クを作製するに当たり、金属、珪素、酸素及び窒素から
選ばれる少なくとも１種を含む互いに組成の異なる２種
以上の膜が交互に積層されてなる互層膜を形成すること
によって、マスク製造工程における洗浄の前処理又は洗
浄液として使用される硫酸等に対する耐薬品性が改善さ
れ、製造プロセスの安定化が図られ、高品質な位相シフ
トマスクが得られ、更なる半導体集積回路の微細化、高
集積化に十分対応することができるものである。
【００１６】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の位相シフトマスクブランクは、図３に示したよ
うに、露光光が透過する基板１の上に金属と珪素と酸素
と窒素から選ばれた少なくとも１種を含む互いに組成の
異なる２種以上の膜が交互に積層されてなる互層膜（位
相シフト膜）２を形成することを特徴とし、これによ
り、耐薬品性が優れた高品質な位相シフトマスクブラン
クを得ることができるものである。
【００１７】具体的には、上記位相シフト膜は、Ｍｏ，
Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｖ，Ｃｏ，Ｃｒ又はＮ
ｉ等の金属とシリコンと酸素と窒素から選ばれる少なく
とも１種を含み、具体的にはモリブデンシリサイド酸化
物（ＭｏＳｉＯ）とモリブデンシリサイド窒化物（Ｍｏ
ＳｉＮ）の互層膜、モリブデンシリサイド窒化物（Ｍｏ
ＳｉＮ）とモリブデンシリサイド酸化窒化物（ＭｏＳｉ
ＯＮ）の互層膜、モリブデンシリサイド酸化物（ＭｏＳ
ｉＯ）とモリブデンシリサイド酸化窒化物（ＭｏＳｉＯ
Ｎ）とモリブデンシリサイド窒化物（ＭｏＳｉＮ）の互
層膜等が挙げられる。特に、モリブデンシリサイド窒化
物（ＭｏＳｉＮ）とモリブデンシリサイド酸化窒化物
（ＭｏＳｉＯＮ）の互層膜は、位相シフト膜の膜厚を薄
くできる点で好ましい。さらに、位相シフト膜の最表面
をモリブデンシリサイド窒化物（ＭｏＳｉＮ）とした方
が耐薬品性をさらに向上できる点から好ましい。
【００１８】互層膜の１層の膜厚は、１層の膜厚が厚す
ぎると各層のエッチング速度の差から段差ができること
もあるので、５０ｎｍ以下、特に３０ｎｍ以下であるこ
とが好ましい。
【００１９】なお、互層膜は、合計で３〜３０層、特に
５〜２０層程度の積層とすることが好ましく、また互層
膜の総厚さは５０〜２００ｎｍ、特に５０〜１５０ｎｍ
とすることが好ましい。
【００２０】また、上記位相シフト膜は、露光光の位相
を１８０±５度変換し、かつ、透過率が３〜４０％であ
ることが好ましい。なお、上記透明基板は石英又は二酸
化珪素を主成分とするものが好ましい。
【００２１】本発明の位相シフト膜の成膜方法として
は、反応性スパッタリング法が好ましく、この際スパッ
タリングターゲットとしては、金属シリサイドを用い
る。膜の組成を一定に保つために、酸素、窒素のいずれ
か、又はこれらを組合せて添加した金属シリサイドを用
いても良い。なお、金属としては、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｖ，Ｃｏ，Ｃｒ又はＮｉ等が挙げら
れるが、この中でモリブデン（Ｍｏ）が好ましい。
【００２２】また、具体的な位相シフト膜の成膜方法と
しては、位相シフト膜を構成している層の数だけ成膜室
を用意し、通過型成膜にしてもよいが、装置が大型化
し、コスト高になるため、バッチ型又は枚葉型の装置
で、スパッタリングガスを換えることによって互層膜を
形成する方法が好ましい。特に、放電を停止してガス種
又はスパッタリングガスの流量を変えると放電初期に発
塵するため、発塵量が多くなり膜質を低下させる要因と
なるため、放電を停止せずに放電中にガス種又はスパッ
タリングガスの流量比を変更するのが好ましい。
【００２３】スパッタリング方法としては、直流（Ｄ
Ｃ）電源を用いたものでも、高周波（ＲＦ）電源を用い
たものでもよく、またマグネトロンスパッタリング方式
であっても、コンベンショナル方式であってもよい。
【００２４】位相シフト膜を成膜する際のスパッタガス
の組成は、アルゴン等の不活性ガスに酸素ガス、窒素ガ
ス、各種酸化窒素ガス等を成膜される位相シフト膜が所
望の組成及び膜応力を持つように、適宜に添加すること
により成膜することができる。
【００２５】なお、成膜される位相シフト膜の透過率を
上げたい時には、膜中に酸素及び窒素が多く取り込まれ
るようにスパッタガスに添加する酸素や窒素を含むガス
の量を増やす方法、スパッタリングターゲットに予め酸
素や窒素を多く添加した金属シリサイドを用いる方法な
どにより調整することができる。
【００２６】また、本発明において、図４に示したよう
に、位相シフト膜２の上に、Ｃｒ系遮光膜３を設ける
か、又は図５に示したように、Ｃｒ系遮光膜から反射を
低減させるＣｒ系反射防止膜４をＣｒ系遮光膜３の上に
形成することもできる。この場合、遮光膜又は反射防止
膜としてはＣｒＯ，ＣｒＮ，ＣｒＯＮ，ＣｒＣＯＮ等の
Ｃｒ系膜を用いることが好ましい。
【００２７】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。
【００２８】［実施例１］６”の角形石英基板上に３”
のＭｏＳｉ2.3をターゲットに用いて、放電中のガス圧
０．３Ｐａ、２００Ｗ、成膜温度１２０℃で基板の上に １）ＡｒとＮ2を流量比１：７で流してＭｏＳｉＮ膜を
約１０ｎｍ形成する。 ２）ＡｒとＯ2とＮ2を流量比１：１：６で流してＭｏＳ
ｉＯＮ膜を約１０ｎｍ形成する。１）と２）の成膜操作
を放電を停止させずに交互に繰り返し行い、最後に１）
を形成し、１２層の位相差が１８０度となる位相シフト
マスクブランクを作成した。作製された位相シフトマス
クブランクを８０℃の硫酸と過酸化水素水の混合液（混
合比率１：４）に１時間加熱し、浸漬前後の透過率を測
定し、その変化量から耐薬品性の評価をした。その透過
率の変化量は０．０５％であった。結果を表１に示す。
なお、透過率の測定は、２４８ｎｍの波長でレーザテッ
ク社製、ＭＰＭ−２４８を用いた。
【００２９】［比較例１］６”の角形石英基板上に３”
のＭｏＳｉ2.3をターゲットに用いて、スパッタリング
ガスとしてアルゴンと窒素と酸素を流量比１：１：６の
混合ガスを用いて放電中のガス圧０．３Ｐａ、２００
Ｗ、成膜温度１２０℃でＭｏＳｉＯＮ膜を約１３０ｎｍ
成膜した。実施例１と同様に耐薬品性を調べた。その透
過率の変化量は０．１２％であった。結果を表１に示
す。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、金属、珪素、酸素及び
窒素から選ばれる少なくとも１種を含む互いに組成の異
なる２種以上の膜が交互に積層された互層膜を形成する
ことによって、耐薬品性が改良された高品質の位相シフ
トマスクブランクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る位相シフトマスクブラ
ンクの断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る位相シフトマスクの断
面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る位相シフトマスクブラ
ンクの断面図である。
【図４】本発明の他の実施例に係る位相シフトマスクブ
ランクの断面図である。
【図５】本発明の別の実施例に係る位相シフトマスクブ
ランクの断面図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）はハーフトーン型位相シフトマ
スクの原理を説明する図であり、（Ｂ）はＸ部の拡大図
である。
【符号の説明】
１ 基板 １ａ 基板露出部 ２ 位相シフト膜 ２ａ 位相シフター部 ３ 遮光膜 ４ 反射防止膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲月 判臣 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社新機能材料技術研究 所内 (72)発明者 塚本 哲史 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社新機能材料技術研究 所内 (72)発明者 岡崎 智 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社新機能材料技術研究 所内 Ｆターム(参考） 2H095 BB03

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板上に位相シフト膜が形成された
    位相シフトマスクブランクにおいて、前記位相シフト膜
    は、金属、珪素、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも
    １種を含む互いに膜組成が異なる２種以上の膜が交互に
    積層された互層膜よりなることを特徴とする位相シフト
    マスクブランク。
  2. 【請求項２】 前記位相シフト膜は、モリブデンシリサ
    イドの窒化物とモリブデンシリサイドの酸化窒化物の互
    層膜である請求項１記載の位相シフトマスクブランク。
  3. 【請求項３】 前記互層膜を透過する露光光の位相を１
    ８０±５度変換し、かつ、透過率が３〜４０％である請
    求項１又は２記載の位相シフトマスクブランク。
  4. 【請求項４】 透明基板上に位相シフト膜が形成された
    位相シフトマスクブランクの製造方法において、前記位
    相シフト膜として、金属シリサイドをターゲットに用
    い、１つの成膜室で反応性ガス種又は流量を変えて反応
    性スパッタリングを行うことにより、互いに膜組成が異
    なる２種以上の膜が交互に積層された互層膜を形成する
    ことを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方
    法。
  5. 【請求項５】 前記互層膜を形成する際、放電を停止さ
    せずにガス種をかえることで互層膜を形成する請求項４
    記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記金属シリサイドは、モリブデンシリ
    サイドである請求項４又は５記載の位相シフトマスクブ
    ランクの製造方法。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004318085A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク並びに位相シフトマスクブランクの製造方法および位相シフトマスクの製造方法
JP2005128278A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法
JP2006519420A (ja) * 2003-03-03 2006-08-24 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド ウェハ上のフォトレジストを減衰位相シフトマスクを使用してパターニングする方法
US7344806B2 (en) 2003-03-31 2008-03-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method of producing phase shift mask blank, method of producing phase shift mask, phase shift mask blank, and phase shift mask
US7736824B2 (en) 2003-03-31 2010-06-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank, photomask, and method of manufacture
JP2013231952A (ja) * 2012-04-30 2013-11-14 S&S Tech Corp 位相反転ブランクマスク及びその製造方法
JP2014026281A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Sandos Tech Co Ltd フラットパネルディスプレイ用の位相反転ブランクマスク及びフォトマスク
KR101439879B1 (ko) 2013-10-04 2014-09-12 주식회사 에스앤에스텍 위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조 방법
JP5940755B1 (ja) * 2014-12-26 2016-06-29 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
JPWO2018056033A1 (ja) * 2016-09-26 2018-09-27 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10310136B4 (de) * 2003-03-07 2007-05-03 Infineon Technologies Ag Maskensatz zur Projektion von jeweils auf den Masken des Satzes angeordneten und aufeinander abgestimmten Strukturmustern auf einen Halbleiterwafer
DE102004003341B4 (de) * 2004-01-22 2006-12-21 Infineon Technologies Ag Halbtonphasenmaske mit mehreren Transmissionen und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP2274163B1 (en) * 2008-04-29 2019-12-18 Agency for Science, Technology And Research Inorganic graded barrier film and methods for their manufacture
TWI409580B (zh) * 2008-06-27 2013-09-21 S&S Tech Co Ltd 空白光罩、光罩及其製造方法
JP5356784B2 (ja) * 2008-11-19 2013-12-04 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
JP6677139B2 (ja) * 2016-09-28 2020-04-08 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07134392A (ja) * 1993-05-25 1995-05-23 Toshiba Corp 露光用マスクとパターン形成方法
JPH07253655A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Fujitsu Ltd 露光マスク
JPH08262688A (ja) * 1995-03-24 1996-10-11 Ulvac Seimaku Kk 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク、及びそれらの製造方法。
US5939227A (en) * 1998-03-09 1999-08-17 Rochester Institute Of Technology Multi-layered attenuated phase shift mask and a method for making the mask
JP2000098582A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Ulvac Seimaku Kk 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク及びそれらの製造方法、並びに該ブランクスの製造装置
JP2001083687A (ja) * 1999-09-09 2001-03-30 Dainippon Printing Co Ltd ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びこれを作製するためのハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス
JP2001201842A (ja) * 1999-11-09 2001-07-27 Ulvac Seimaku Kk 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3064769B2 (ja) 1992-11-21 2000-07-12 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
US5514499A (en) * 1993-05-25 1996-05-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Phase shifting mask comprising a multilayer structure and method of forming a pattern using the same
KR100627210B1 (ko) * 1995-08-04 2006-12-01 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 위상시프트마스크
TW352421B (en) * 1998-04-27 1999-02-11 United Microelectronics Corp Method and process of phase shifting mask
US6355381B1 (en) * 1998-09-25 2002-03-12 Intel Corporation Method to fabricate extreme ultraviolet lithography masks
ATE257251T1 (de) 2000-01-12 2004-01-15 Shinetsu Chemical Co Rohling für phasenschiebermaske, phasenschiebermaske, und herstellungsverfahren
JP2002023342A (ja) * 2000-07-13 2002-01-23 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法
JP2002062632A (ja) * 2000-08-21 2002-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法
US6653027B2 (en) * 2001-02-26 2003-11-25 International Business Machines Corporation Attenuated embedded phase shift photomask blanks
TWI305865B (en) * 2003-03-31 2009-02-01 Shinetsu Chemical Co Photomask blank, photomask, and method of manufacture
US7344806B2 (en) * 2003-03-31 2008-03-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method of producing phase shift mask blank, method of producing phase shift mask, phase shift mask blank, and phase shift mask

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07134392A (ja) * 1993-05-25 1995-05-23 Toshiba Corp 露光用マスクとパターン形成方法
JPH07253655A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Fujitsu Ltd 露光マスク
JPH08262688A (ja) * 1995-03-24 1996-10-11 Ulvac Seimaku Kk 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク、及びそれらの製造方法。
US5939227A (en) * 1998-03-09 1999-08-17 Rochester Institute Of Technology Multi-layered attenuated phase shift mask and a method for making the mask
JP2000098582A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Ulvac Seimaku Kk 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク及びそれらの製造方法、並びに該ブランクスの製造装置
JP2001083687A (ja) * 1999-09-09 2001-03-30 Dainippon Printing Co Ltd ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びこれを作製するためのハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス
JP2001201842A (ja) * 1999-11-09 2001-07-27 Ulvac Seimaku Kk 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006519420A (ja) * 2003-03-03 2006-08-24 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド ウェハ上のフォトレジストを減衰位相シフトマスクを使用してパターニングする方法
US7344806B2 (en) 2003-03-31 2008-03-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method of producing phase shift mask blank, method of producing phase shift mask, phase shift mask blank, and phase shift mask
US7736824B2 (en) 2003-03-31 2010-06-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank, photomask, and method of manufacture
KR101042468B1 (ko) * 2003-03-31 2011-06-16 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포토마스크 블랭크, 포토마스크, 및 이들의 제조 방법
JP2004318085A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク並びに位相シフトマスクブランクの製造方法および位相シフトマスクの製造方法
JP2005128278A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法
JP4525893B2 (ja) * 2003-10-24 2010-08-18 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法
US9256119B2 (en) 2012-04-30 2016-02-09 S & S Tech Co., Ltd Phase-shift blankmask and method for fabricating the same
JP2013231952A (ja) * 2012-04-30 2013-11-14 S&S Tech Corp 位相反転ブランクマスク及びその製造方法
JP2014026281A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Sandos Tech Co Ltd フラットパネルディスプレイ用の位相反転ブランクマスク及びフォトマスク
TWI505019B (zh) * 2012-07-26 2015-10-21 S&S Tech Co Ltd 用於平面顯示器之相位移位空白光罩及光罩
KR101439879B1 (ko) 2013-10-04 2014-09-12 주식회사 에스앤에스텍 위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조 방법
JP5940755B1 (ja) * 2014-12-26 2016-06-29 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
WO2016103843A1 (ja) * 2014-12-26 2016-06-30 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
US10146123B2 (en) 2014-12-26 2018-12-04 Hoya Corporation Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
US10551734B2 (en) 2014-12-26 2020-02-04 Hoya Corporation Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
JPWO2018056033A1 (ja) * 2016-09-26 2018-09-27 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

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