JP2010232556A - 発光ダイオード素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光ダイオード素子100のSiC基板102に、B及びNが添加されたポーラス状の単結晶6H型SiCからなるポーラス層124を形成し、窒化物半導体層から発せられる紫外光によりポーラス層124が励起されると、青色から緑色の可視光が得られるようにした。
【選択図】図1
Description
図3に示すように、陽極酸化装置200は、SiC基板102が載置されるステンレス板202と、ステンレス板202の上方に配置されSiC基板102の直上に形成された開口204を有するテフロン(登録商標)容器206と、容器206の内部に配置される白金ワイヤ208と、SiC基板102及び白金ワイヤ208に電圧を印加する直流電源210と、を備えている。容器206は、耐フッ酸性シート212を介してステンレス板202の上に設けられ、内部が溶液214で満たされている。また、容器206は、内部へ紫外光218を入射可能な開口216が上部に形成されている。
図4に示すように、陽極酸化反応により、バルク層122の表面側からポーラス層124が形成されていく(陽極酸化工程)。尚、図4には、ポーラス層124を形成した後に、オーミック電極201を除去したSiC基板102を図示している。また、図5に示すように、実際に得られたポーラス層124においても、比較的規則性のある空洞が断面を横切っていることがわかる。ここで、SiC基板102の(0001)Si側面にて反応が進行する場合は、表面に対して54度傾いた方向に空洞が形成される。
昇華法によりB及びNがドーピングされた単結晶6H型SiCを作製し、陽極酸化によりポーラス化した試料体を複数作製した。ここで、SiC中のB及びNの濃度は、安定した発光が得られるように、Bの濃度については3×1018とし、Nの濃度については5×1018とした。陽極酸化にあたり、フッ化水素酸水溶液は質量濃度で5%とし、過硫酸カリウムの濃度を0〜0.03mol/lまで変化させて、発光波長及び発光強度のデータを取得した。ここで、陽極酸化は、電流密度を2mA/cm2、通電時間を120分、得られるポーラス状SiCの厚さが10μmの条件により行った。
図8は、試料体1の発光波長と発光強度を示すグラフである。ここで、発光波長及び発光強度の取得は、励起光として325nmのHe−Cdレーザを用い、8mW(ビーム径1mm)の条件で、室温にて行った。尚、図8中には、比較例としてポーラス化前のバルクSiCの発光波長及び発光強度を示している。
試料体1は、フッ化水素酸水溶液に過硫酸カリウムを加えず(すなわち0mol/l)に作製した。図8に示すように、試料体1のピーク波長は491nmであり、ポーラス化前のピーク波長である578nmよりも短波長の発光が観測された。発光強度は、ポーラス化により下がっている。
図9は、試料体2の発光波長と発光強度を示すグラフである。ここで、発光波長及び発光強度の取得は、励起光として325nmのHe−Cdレーザを用い、8mW(ビーム径1mm)の条件で、室温にて行った。尚、図9中には、比較例としてポーラス化前のバルクSiCの発光波長及び発光強度を示している。
試料体2は、フッ化水素酸水溶液に0.01mol/lの濃度の過硫酸カリウムを加えて作製した。図9に示すように、試料体2のピーク波長は449nmであり、ポーラス化前のピーク波長である580nmよりも短波長の発光が観測された。試料体2においても、僅かではあるが、発光強度がポーラス化により下がっている。
図10は、試料体3の発光波長と発光強度を示すグラフである。ここで、発光波長及び発光強度の取得は、励起光として325nmのHe−Cdレーザを用い、8mW(ビーム径1mm)の条件で、室温にて行った。尚、図10中には、比較例としてポーラス化前のバルクSiCの発光波長及び発光強度を示している。
試料体3は、フッ化水素酸水溶液に0.02mol/lの濃度の過硫酸カリウムを加えて作製した。図10に示すように、試料体3のピーク波長は407nmであり、ポーラス化前のピーク波長である583nmよりも短波長の発光が観測された。試料体3においては、発光強度は、ポーラス化により上がっている。
図11は、試料体4の発光波長と発光強度を示すグラフである。ここで、発光波長及び発光強度の取得は、励起光として325nmのHe−Cdレーザを用い、8mW(ビーム径1mm)の条件で、室温にて行った。尚、図11中には、比較例としてポーラス化前のバルクSiCの発光波長及び発光強度を示している。
試料体4は、フッ化水素酸水溶液に0.03mol/lの濃度の過硫酸カリウムを加えて作製した。図11に示すように、試料体4のピーク波長は394nmであり、ポーラス化前のピーク波長である582nmよりも短波長の発光が観測された。試料体4においては、発光強度は、ポーラス化により大幅に上がっている。
図12に示すように、過硫酸カリウムの濃度が増加すると、ピーク波長が短波長化するとともに、発光強度が増大することが理解される。また、電子顕微鏡による観察により、過硫酸カリウムの濃度が増加すると、ポーラス化したSiC結晶の平均サイズが小さくなることも確認されている。そうすると、過硫酸カリウムの濃度の増加による短波長化及び発光強度の増大は、量子サイズ効果によるものであると考えられる。
ドナー・アクセプタ・ペアの再結合による遷移エネルギーEDAは、一般に、
一方、ポーラス結晶では、図13(b)に示すように、結晶が部分的に消失するために、ドナーに捕獲された電子とアクセプタに捕獲された正孔が球状を維持できなくなり、不純物が重心からずれた楕円球状の軌道となる。その結果、両者の軌道の重なりが大きくなり、再結合確率が増加する。そして、ポーラス化前においては上式のRDAはR1DAであったところ、ポーラス化によりRDAは、実質的にはR1DAより小さなR2DAとなる。これにより、ポーラス化によって遷移エネルギーは一層大きくなる。試料体1〜4の実験結果は、このような理論的背景によって引き起こされていると思われる。
図14は、試料体5の発光波長と発光強度を示すグラフである。ここで、発光波長及び発光強度の取得は、励起光として325nmのHe−Cdレーザを用い、8mW(ビーム径1mm)の条件で、室温にて行った。尚、図14中には、比較例としてポーラス化前のバルクSiCの発光波長及び発光強度を示している。
試料体5は、試料体1に対して、水素雰囲気中にて1300℃で10分間熱処理を行った後、アンモニア雰囲気中にて1300℃で5分間熱処理を行い、ポーラスSiCの表面上にSi3N4の保護膜を形成した。これにより、図14に示すように、発光強度が大幅に増大した。
102 SiC基板
104 バッファ層
106 n型層
108 多重量子井戸活性層
110 電子ブロック層
112 p型クラッド層
114 p型コンタクト層
116 p側電極
118 n側電極
200 陽極酸化装置
202 ステンレス板
204 開口
206 容器
208 白金ワイヤ
210 直流電源
212 耐フッ酸性シート
214 溶液
216 開口
218 紫外光
300 発光ダイオード素子
Claims (9)
- 半導体発光部と、
N及びBが添加されたポーラス状の単結晶6H型SiCからなり、前記半導体発光部から発せられる光により励起されると可視光を発するポーラスSiC部と、を有する発光ダイオード素子。 - 前記ポーラスSiC部の表面を覆う保護膜を有する請求項1に記載の発光ダイオード素子。
- N及びBが添加されたバルク状の単結晶6H型SiCからなり、前記半導体発光層から発せられる光により励起されると前記ポーラスSiC部より波長の長い可視光を発するバルクSiC部を有する請求項2に記載の発光ダイオード素子。
- 前記ポーラスSiC部は、前記バルクSiC部の一部をポーラス化して形成される請求項3に記載の発光ダイオード素子。
- 前記半導体発光部は、一部がポーラス化された前記バルクSiC部上に形成される請求項4に記載の発光ダイオード素子。
- 請求項1から5のいずれか1項に記載の発光ダイオード素子の製造方法であって、
N及びBが添加されたバルク状の単結晶6H型SiCに電極を形成する電極形成工程と、
前記電極が形成された単結晶6H型SiCに対して、陽極酸化を行って前記ポーラスSiC部を形成する陽極酸化工程と、を含む発光ダイオード素子の製造方法。 - 前記ポーラスSiC部の熱処理を行う熱処理工程と、
熱処理が行われた前記ポーラスSiC部に保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含む請求項6に記載の発光ダイオード素子の製造方法。 - 前記陽極酸化工程にて、前記単結晶6H型SiCと反応させる溶液として、酸化補助剤が加えられたフッ化水素酸水溶液を用いる請求項7に記載の発光ダイオード素子の製造方法。
- 前記酸化補助剤は、過硫酸カリウムである請求項8に記載の発光ダイオード素子の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012234889A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Meijo University | 発光ダイオード素子及びその製造方法 |
JP2015076514A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | エルシード株式会社 | Led素子 |
JP2018022919A (ja) * | 2017-10-06 | 2018-02-08 | エルシード株式会社 | Led素子 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102022103128A1 (de) | 2022-02-10 | 2023-08-10 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement und optoelektronische anordnung |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06275866A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Fujitsu Ltd | ポーラス半導体発光装置と製造方法 |
JP2006303154A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2007214469A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Japan Carlit Co Ltd:The | 多孔質シリコン材料の製造方法 |
JP2007320790A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板 |
JP2008270669A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | El-Seed Corp | 発光素子 |
JP2009033203A (ja) * | 2003-11-28 | 2009-02-12 | Univ Meijo | 窒化物半導体発光ダイオード |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5027168A (en) * | 1988-12-14 | 1991-06-25 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
JPH04153455A (ja) | 1990-10-16 | 1992-05-26 | Misawa Homes Co Ltd | 手摺り |
US5285078A (en) * | 1992-01-24 | 1994-02-08 | Nippon Steel Corporation | Light emitting element with employment of porous silicon and optical device utilizing light emitting element |
US5331180A (en) | 1992-04-30 | 1994-07-19 | Fujitsu Limited | Porous semiconductor light emitting device |
US5272355A (en) * | 1992-05-20 | 1993-12-21 | Spire Corporation | Optoelectronic switching and display device with porous silicon |
US5454915A (en) * | 1992-10-06 | 1995-10-03 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Method of fabricating porous silicon carbide (SiC) |
US5739554A (en) * | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
US5939732A (en) * | 1997-05-22 | 1999-08-17 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Vertical cavity-emitting porous silicon carbide light-emitting diode device and preparation thereof |
US6225647B1 (en) | 1998-07-27 | 2001-05-01 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Passivation of porous semiconductors for improved optoelectronic device performance and light-emitting diode based on same |
US6972438B2 (en) * | 2003-09-30 | 2005-12-06 | Cree, Inc. | Light emitting diode with porous SiC substrate and method for fabricating |
JP4153455B2 (ja) | 2003-11-28 | 2008-09-24 | 学校法人 名城大学 | 蛍光体および発光ダイオード |
DE112005000637T5 (de) | 2004-03-24 | 2008-06-26 | Meijo University Educational Foundation, Nagoya | Leuchtstoff und Leuchtdiode |
US7276117B2 (en) * | 2005-02-09 | 2007-10-02 | Cree Dulles, Inc. | Method of forming semi-insulating silicon carbide single crystal |
US7521727B2 (en) * | 2006-04-26 | 2009-04-21 | Rohm And Haas Company | Light emitting device having improved light extraction efficiency and method of making same |
-
2009
- 2009-03-27 JP JP2009080543A patent/JP5330880B2/ja active Active
-
2010
- 2010-03-26 WO PCT/JP2010/055383 patent/WO2010110427A1/ja active Application Filing
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- 2010-03-26 US US13/259,705 patent/US9099597B2/en active Active
- 2010-03-26 CN CN201080013974.3A patent/CN102369605B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06275866A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Fujitsu Ltd | ポーラス半導体発光装置と製造方法 |
JP2009033203A (ja) * | 2003-11-28 | 2009-02-12 | Univ Meijo | 窒化物半導体発光ダイオード |
JP2006303154A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2007214469A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Japan Carlit Co Ltd:The | 多孔質シリコン材料の製造方法 |
JP2007320790A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板 |
JP2008270669A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | El-Seed Corp | 発光素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012234889A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Meijo University | 発光ダイオード素子及びその製造方法 |
JP2015076514A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | エルシード株式会社 | Led素子 |
JP2018022919A (ja) * | 2017-10-06 | 2018-02-08 | エルシード株式会社 | Led素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112010001379B4 (de) | 2021-07-22 |
US9099597B2 (en) | 2015-08-04 |
CN102369605A (zh) | 2012-03-07 |
DE112010001379T5 (de) | 2012-05-10 |
CN102369605B (zh) | 2014-07-02 |
WO2010110427A1 (ja) | 2010-09-30 |
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US20120037923A1 (en) | 2012-02-16 |
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