JP2010219829A - 磁気結合型アイソレータ - Google Patents

Abstract

【課題】 特に、磁気検出素子と平面コイル間の絶縁性の低下を抑制でき、また、１次側回路と２次側回路間の静電容量Ｃを従来よりも小さくすることで、より高速伝送できる磁気結合型アイソレータを提供することを目的としている。
【解決手段】 入力信号により外部磁界を発生させるための巻回された平面コイル２と、前記外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と、前記平面コイル２と前記磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の間に介在する絶縁層３０と、を有する。前記磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は、前記平面コイル２の側方に位置している。
【選択図】図３

Description

本発明は、平面コイルと磁気検出素子とを備えて構成される磁気結合型アイソレータに関する。

下記特許文献には磁気結合型アイソレータに関する発明が開示されている。磁気結合型アイソレータは、入力信号を、磁気に変換するための平面コイルと、前記平面コイルから生じた外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気検出素子とを有して構成される。そして、その電気信号を信号処理回路を介して出力側に伝送して出力を取り出す。

磁気検出素子としては、ホール素子、ＡＭＲ素子（異方性磁気検出素子）、あるいは、ＧＭＲ素子（巨大磁気検出素子）が使用される。

特表２００３−５２６０８３号公報 特表２０００−５１６７１４号公報

従来における磁気結合型アイソレータでは、平面コイルと、磁気検出素子とを高さ方向に絶縁層を介して対向配置していた。

絶縁層は、平面コイルと磁気検出素子間を電気的に絶縁するが、磁気的には結合させる厚さにしなければならない。したがって絶縁層の膜厚を極端に厚くできず、このとき、絶縁層に高さ方向へのピンホール等が発生すると、磁気検出素子と平面コイル間の絶縁性が低下しやすい問題があった。

また例えば磁気検出素子は素子抵抗を高めるためにミアンダ形状で形成されており、平面コイルと磁気検出素子との対向面積は大きくなる。この結果、上記した絶縁性の低下が顕著になり、さらに、平面コイルを有する１次側回路（入力側回路）と、磁気検出素子を有する２次側回路（出力側回路）間の静電容量Ｃが大きくなり、高速応答性が低下する問題が生じた。

そこで本発明は上記従来課題を解決するためのものであり、特に、磁気検出素子と平面コイル間の絶縁性の低下を抑制でき、また、１次側回路と２次側回路間の静電容量Ｃを従来よりも小さくすることで、より高速伝送できる磁気結合型アイソレータを提供することを目的としている。

本発明における磁気結合型アイソレータは、
入力信号により外部磁界を発生させるための平面コイルと、前記外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気検出素子と、前記平面コイルと前記磁気検出素子の間に介在する絶縁層と、を有し、
前記磁気検出素子は、前記平面コイルの側方に位置していることを特徴とするものである。これにより、磁気検出素子と平面コイル間の絶縁性の低下を抑制できる。また。磁気検出素子の平面コイルとの対向面積を小さくでき、１次側回路と２次側回路間の静電容量Ｃを小さくでき、高速応答性を向上させることができる。

本発明では、前記磁気検出素子は、ホール素子であり、前記磁気検出素子の側面と前記平面コイルの側面とが水平方向にて対向するように配置されていることが好ましい。ホール素子は垂直磁場成分により電気特性が変化するため、ホール素子で形成された磁気検出素子の側面と平面コイルの側面とを水平方向にて対向させることで、磁気検出素子に平面コイルからの垂直磁場成分を適切に作用させ、磁気検出素子により、平面コイルから生じた外部磁界を検出することが出来る。

あるいは本発明では、前記磁気検出素子は、磁気抵抗効果を利用したＭＲ素子であり、前記磁気検出素子は、前記平面コイルよりも上方あるいは下方に位置していることが好ましい。ＭＲ素子は水平磁場成分により電気特性が変化するため、ＭＲ素子で形成された磁気検出素子を平面コイルよりも上方あるいは下方に配置することで、磁気検出素子に平面コイルからの水平磁場成分を適切に作用させ、磁気検出素子により、平面コイルから生じた外部磁界を検出することが出来る。

また本発明では、前記磁気検出素子は、平面内にてミアンダ形状で形成されており、あるいは、前記磁気検出素子は、平面の面積よりも側面の面積のほうが小さい形状で形成される形態に好ましく適用できる。

また本発明では、前記平面コイルには、前記平面内の一方向に平行に延び、電流の流れる向きが逆向きとなる第１磁界発生部と第２磁界発生部とが設けられており、
前記第１磁界発生部及び前記第２磁界発生部の前記一方向に平面内にて直交する方向の幅寸法は、前記磁気検出素子の幅寸法よりも大きく形成される形態に好ましく適用できる。

また本発明では、前記平面コイルには、前記平面内の一方向に平行に延び、電流の流れる向きが逆向きとなる第１磁界発生部と第２磁界発生部とが設けられており、前記第１磁界発生部及び前記第２磁界発生部の外側に、夫々、前記磁気検出素子が配置されていることが好ましい。

第１磁界発生部からの外部磁界を検出する磁気検出素子と、第２磁界発生部からの外部磁界を検出する磁気検出素子とが互いに干渉しあうのを抑制できる。また配線パターンの形成を容易化できる。

本発明の磁気結合型アイソレータによれば、磁気検出素子と平面コイル間の絶縁性の低下を抑制でき、また１次側回路と２次側回路間の静電容量を小さくでき、高速応答性を向上させることができる。

本実施形態の磁気結合型アイソレータ（磁気カプラ）の全体の回路構成図、 磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４にて構成されるブリッジ回路図、 本実施形態における磁気結合型アイソレータの部分平面図、 図３に示すＡ−Ａ線に沿って厚さ方向に切断し矢印方向から見た部分断面図、 他の実施形態における磁気結合型アイソレータの部分平面図、 磁気検出素子の斜視図、

図１は、本実施形態の磁気結合型アイソレータ（磁気カプラ）の全体の回路構成図、図２は、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４にて構成されるブリッジ回路図、図３は本実施形態における磁気結合型アイソレータの部分平面図、図４は、図３に示すＡ−Ａ線に沿って厚さ方向に切断し矢印方向から見た部分拡大断面図、図５は、図４とは異なる形態の磁気結合型アイソレータの部分拡大断面図、図６は、磁気検出素子の斜視図、である。

図１に示すように磁気結合型アイソレータ１は、平面コイル２と、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と、平面コイル２と磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を電気的に絶縁する絶縁層３０とを有して構成される。平面コイル２と各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は磁気的結合が可能な間隔を空けて配置される。

平面コイル２は図３のように、Ｘ１−Ｘ２方向に帯状に延びる第１磁界発生部３と第２磁界発生部４を有する。第１磁界発生部３と第２磁界発生部４は図示Ｙ１−Ｙ２方向に間隔を空けて対向している。第１磁界発生部３と第２磁界発生部４は連結部１７，１８を介して連結されている。連結部１７，１８は、湾曲状となっているが形態を限定するものではない。第１磁界発生部３、第２磁界発生部４、及び連結部１７，１８に囲まれて空間部１９が形成されている。

図４に示すように平面コイル２は、幅寸法Ｔ１で形成されたコイル片６が所定の間隔Ｔ２を空けて、複数回、平面内にて巻回形成された形状である。よって、図３及び図４に示すように、第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４は、Ｘ１−Ｘ２方向に直線的に延びる複数本のコイル片６がＹ１−Ｙ２方向に並設された構成となっている。

平面コイル２に接続される２つの電極パッド５，６が設けられている。電極パッド５，６は円形状であるが特に形状を限定するものではない。さらに平面コイル２は電極パッド５，６を介して図１に示すように送信回路７に接続されている。送信回路７から入力信号に基づく電流が流れると、平面コイル２から外部磁界が発生する。

図４に示すように第１磁界発生部３を構成するコイル片６、及び第２磁界発生部４を構成するコイル片６では電流の流れる向きが反平行である。よって、第１磁界発生部３を構成するコイル片６により発生する外部磁界Ｈ１と、第２磁界発生部４を構成するコイル片６により発生する外部磁界Ｈ２は逆向きに発生する。

図４に示すように、平面コイル２は、基板２０上に形成された絶縁下地層２１上に形成される。絶縁下地層２１はＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂等で形成される。

図３，図４に示すように、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４が平面コイル２の側方に間隔を空けて配置されている。

磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は例えばホール素子である。図４に示すように、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は、平面コイル２と同じように絶縁下地層２１上に形成される。

そして、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４上から平面コイル２上にかけて絶縁層３０が形成され、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と平面コイル２間には前記絶縁層３０が介在する。磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と平面コイル２間の間隔Ｔ３（図４参照）は、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と平面コイル２間を電気的には絶縁するが磁気的に結合させる大きさで形成される。絶縁層３０の材質は問わない。絶縁層３０は無機絶縁材料でも有機絶縁材料でもどちらでもよい。例えば絶縁層３０はポリイミドで形成される。

図３，図４に示すように、磁気検出素子Ｒ１と磁気検出素子Ｒ４は、平面コイル２の第１磁界発生部３の外側であってＸ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配置されており、磁気検出素子Ｒ２と磁気検出素子Ｒ３は、平面コイル２の第２磁界発生部４の外側であってＸ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配置されている。したがって磁気検出素子Ｒ１及び磁気検出素子Ｒ４には、第１磁界発生部３より発生する外部磁界Ｈ１が作用し、一方、磁気検出素子Ｒ２及び磁気検出素子Ｒ３には、第２磁界発生部４より発生する外部磁界Ｈ２が作用する。

なお図４に示す実施形態では、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４（ホール素子）に全て垂直上方向（あるいは下方向）に磁界が作用する。そこで磁気検出素子Ｒ１，Ｒ４の組と、磁気検出素子Ｒ２，Ｒ３の組の一方をｎ型半導体、他方をｐ型半導体のホール素子で形成することで、磁界の向きが同一でも、極性を変えることが可能である。

図２に示すように磁気検出素子Ｒ１と磁気検出素子Ｒ２は直列接続され、磁気検出素子Ｒ３と磁気検出素子Ｒ４は直列接続されている。

図２に示すように磁気検出素子Ｒ１と磁気検出素子Ｒ３は入力端子（入力パッド）１０に接続されている。

また磁気検出素子Ｒ２と磁気検出素子Ｒ４は夫々、別々のグランド端子（グランドパッド）１１，１２に接続されている。

図２に示すように、磁気検出素子Ｒ１と磁気検出素子Ｒ２の間には第１出力端子（第１出力パッド，ＯＵＴ１）１３が接続されており、磁気検出素子Ｒ３と磁気検出素子Ｒ４の間には第２出力端子（第２出力パッド，ＯＵＴ２）１４が接続されている。

図１，図２に示すように、第１出力端子１３及び第２出力端子１４の出力側が差動増幅器１５に接続されている。

そして図１に示すように差動増幅器１５の出力側は、外部出力端子１６に接続されている。

図３に示す実施形態では、入力端子１０、グランド端子１１，１２及び出力端子１３，１４が、平面コイル２から見てＹ２側に離れた位置に設けられ、各端子１０〜１４がＸ１−Ｘ２方向に間隔を空けて一列に並んでいる。

そして各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と各端子１０〜１４間が図示しない配線パターンにより配線され図２に示すブリッジ回路が構成されている。

各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は、例えば図６に示すように平面内（Ｘ−Ｙ平面内）にてミアンダ形状で形成されている。すなわち各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は、Ｘ１−Ｘ２方向に長く延びる細長部２２がＹ１−Ｙ２方向に所定の間隔を空けて互い違いに連結された形状である。

図６に示す各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の平面の面積をＳ１、側面の面積をＳ２としたとき、側面の面積Ｓ２のほうが平面の面積Ｓ１より十分に小さい。側面の面積Ｓ２は平面の面積Ｓ１に比べて、１／１０００〜１／１００程度の大きさである。なお平面の面積Ｓ１にはＸ１−Ｘ２方向に延びる細長部２２間の空間２３は含まない。また側面の面積Ｓ２は、Ｘ１−Ｘ２方向に延びる最外側の細長部２２におけるＸ−Ｚ面（Ｘ−Ｚ面から傾斜している場合には、その傾斜面）の面積を指す。

一方、平面コイル２の第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４の平面の面積はＳ３、側面の面積はＳ４であり、側面の面積Ｓ４のほうが平面の面積Ｓ３より小さい。側面の面積Ｓ３は平面の面積Ｓ４に比べて、１／１０〜１／３程度の大きさである。なお、平面の面積Ｓ３には、コイル片６間に設けられた間隔Ｔ２の面積は含まない。

本実施形態では、図４に示すように、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を、平面コイル２の第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４の側方に位置させている。そして絶縁層３０が、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と平面コイル２間に介在する。このため絶縁層３０に厚さ方向のピンホール等が生じても、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と平面コイル２間の絶縁性の低下を抑制することが出来る。

また本実施形態では、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を、第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４の高さ方向に対向させる場合に比べて、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の平面コイル２との対向面積を小さくすることができる。

図３，図４に示すように、平面コイル２の第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４のＹ１−Ｙ２方向への幅寸法Ｔ４は、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４のＹ１−Ｙ２方向の幅寸法Ｔ５よりも大きい。よって、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を、平面コイル２の第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４と高さ方向にて対向配置した場合、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の平面コイル２との対向面積は、コイル片６間の間隔Ｔ２等にもよるが、ほぼ磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の平面の面積Ｓ１と同等である。一方、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を、平面コイル２の第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４の側方に配置した本実施形態では、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の平面コイル２との対向面積は、最大でも、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の側面の面積Ｓ２である。したがって、本実施形態のように、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を平面コイル２の側方に位置させることで従来に比べて十分に平面コイル２との対向面積を減らすことが出来る。

図４に示すように、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は平面コイル２の側方に間隔Ｔ３を空けて対向し、間隔Ｔ３内には絶縁層３０が介在する。本実施形態では、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の平面コイル２との対向面積を効果的に小さくできるため、絶縁層３０を介した平面コイル２を有する一次側回路８（図１）と、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を有する２次側回路９（図１）間の静電容量Ｃを小さくでき、高速応答性を向上させることが可能になる。

ここで、平面コイル２の平面の面積Ｓ１は、３０００〜３００００μｍ²程度であり、側面の面積Ｓ２は、３００〜３０００μｍ²程度であり、平面コイル２の第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４の平面の面積Ｓ３は、１０００〜１００００μｍ²程度であり、第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４の側面の面積Ｓ４は、２００〜２０００μｍ²程度である。また、平面コイル２のコイル片６の幅寸法Ｔ１は、２〜４μｍ程度、間隔Ｔ２は、１〜３μｍ程度、間隔Ｔ３は、５〜２０μｍ程度、第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４の幅寸法Ｔ４は、３０〜８０μｍ程度、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の幅寸法Ｔ５は、３〜５０μｍ程度である。

上記したように図４に示す磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４はホール素子である。ホール素子は、垂直磁場成分により電気特性が変化するため、図４に示すように、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を平面コイル２と同じように絶縁下地層２１上に形成し、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を平面コイル２と水平方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に対向させることで、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４に平面コイル２の第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４から垂直磁場成分（Ｚ方向成分）を作用させることが出来る。

なお、図４の実施形態では、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と平面コイル２とが水平方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に対向していればよいので、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を平面コイル２と同じ形成面上に形成しなくてもよいが、平面コイル２の形成面である絶縁下地層２１上に形成することが磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の形成を容易化できて好適である。

また磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の側面の一部が、平面コイル２の側面から上方あるいは下方に多少はみ出した形態を除外しないが、かかる場合、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４に作用する垂直磁場成分が弱くなるので、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の側面の全域が、平面コイル２の側面に対向配置されることが好適である。そして、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の側面の全域が、平面コイル２の側面に対向するように、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の高さ寸法Ｌ１より平面コイル２の高さ寸法Ｌ２を大きく形成したほうがよい。

また図３に示すように、磁気検出素子Ｒ１，Ｒ４は、Ｘ１−Ｘ２方向に平行に延びる第１磁界発生部３の外側に配置され、磁気検出素子Ｒ２，Ｒ３は、第１磁界発生部３と、Ｙ１−Ｙ２方向に空間部１９を介して対向し、Ｘ１−Ｘ２方向に平行に延びる第２磁界発生部４の外側に配置される。これにより、第１磁界発生部３からの外部磁界Ｈ１を検出する磁気検出素子Ｒ１，Ｒ４と、第２磁界発生部４からの外部磁界Ｈ２を検出する磁気検出素子Ｒ２，Ｒ３とが互いに干渉しあうのを抑制できる。また、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と各端子１０〜１４間を接続する一部の配線パターンを平面コイル２の外側に引き出して形成できる。

ただし本実施形態では、空間部１９の大きさが磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を形成できる程度に大きければ、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を空間部１９内に形成することも可能である。また、一部の磁気検出素子を平面コイル２の外側に、残りの磁気検出素子を平面コイルの内側に配置することも可能である。

図５に示す磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は、図４と異なって、磁気抵抗効果（ＭＲ効果）を利用したＭＲ素子である。

ＭＲ素子は、水平磁場成分により電気特性が変化するので、図５に示すように、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を平面コイル２よりも上方、あるいは下方に配置する。

図５に示すように基板２０上に形成された絶縁下地層２１上に平面コイル２が形成され、平面コイル２上が第１絶縁層２４により覆われている。第１絶縁層２４はポリイミド等の有機絶縁材料、あるいは無機絶縁材料で形成される。

各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は、第１絶縁層２４の平面化面２４ａ上であって、平面コイル２の第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４の側方に離れた位置に形成される。磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は例えば巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）であり、反強磁性層／固定磁性層／非磁性層／フリー磁性層の基本積層構造を備えている。固定磁性層は磁化方向が固定されており例えばＹ１方向に固定されている。フリー磁性層は磁化が固定されず外部磁界により変動する。

磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４上は第２絶縁層２５にて覆われている。第２絶縁層２５は第１絶縁層２４と同じ材質であっても異なる材質であってもどちらでも良い。

図５に示すように、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を、平面コイル２の側方であって、平面コイル２から見て上方に位置させることで、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４には、第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４からＹ１−Ｙ２方向の水平磁場成分が作用する。これにより、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の電気特性を変化させることが出来る。

図５の実施形態でも、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と平面コイル２間の絶縁性を向上させることができる。また、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の平面コイル２との対向面積を小さくできる。図５の実施形態では、例えば、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と平面コイル２間が最小距離となる仮想線Ｘ０を引く。そして仮想線Ｘ０を上下方向に移動させ、仮想線に各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と平面コイル２との双方が接する最大の領域（仮想線Ｘ１とＸ２との間にて対向する領域）を「対向面積」と規定する。また図５の実施形態では、平面コイル２と各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４との間の対向距離が一定でない。各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の平面コイル２側を向く側面２６と下面２７との間の角部２８が平面コイル２との距離が最も小さくなる位置であり、この角部２８から下面２７及び側面２６にて離れていくと、平面コイル２との対向距離が徐々に広がっていく。このため、図５の形態において上記のように「対向面積」を規定すると、対向面積は図４の形態に比べて大きくなると考えられるが、実際には各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と平面コイル２間の距離が離れるため、図４と同様、あるいは図４よりも、各磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の平面コイル２間に作用する静電容量Ｃを効果的に小さくできる。

図５では、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の下面２７が、平面コイル２の上面よりも上方に位置するが、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の下面２７と平面コイル２の上面との略同一面である形態も含まれる。ただし磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の下面２７（あるいは上面）が、平面コイル２の上面（あるいは下面）の上方（あるいは下方）に位置することが、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４に、より効果的に水平磁場成分を作用させることができ好適である。

図５に示す磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４はＧＭＲ素子以外にＡＭＲ素子、ＴＭＲ素子であってもよい。ただしＴＭＲ素子の場合は、そもそも素子抵抗が高いので図６に示すミアンダ形状にせず、例えば略円柱状で形成する。

本実施形態では磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の形状を限定するものでないが、ミアンダ形状等、平面の面積よりも側面の面積が小さくなる形態の磁気検出素子を用いる形態に本実施形態の構成を効果的に適用できる。

Ｒ１〜Ｒ４ 磁気検出素子
１ 磁気結合型アイソレータ
２ 平面コイル
３ 第１磁界発生部
４ 第２磁界発生部
８ 一次側回路
９ 二次側回路
１０〜１４ 端子
１９ 空間部
２４、２５、３０ 絶縁層

Claims (7)

1. 入力信号により外部磁界を発生させるための平面コイルと、前記外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気検出素子と、前記平面コイルと前記磁気検出素子の間に介在する絶縁層と、を有し、
   前記磁気検出素子は、前記平面コイルの側方に位置していることを特徴とする磁気結合型アイソレータ。
2. 前記磁気検出素子は、ホール素子であり、前記磁気検出素子の側面と前記平面コイルの側面とが水平方向にて対向するように配置されている請求項１記載の磁気結合型アイソレータ。
3. 前記磁気検出素子は、磁気抵抗効果を利用したＭＲ素子であり、前記磁気検出素子は、前記平面コイルよりも上方あるいは下方に位置している請求項１記載の磁気結合型アイソレータ。
4. 前記磁気検出素子は、平面内にてミアンダ形状で形成されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気結合型アイソレータ。
5. 前記磁気検出素子は、平面の面積よりも側面の面積のほうが小さい形状で形成されている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気結合型アイソレータ。
6. 前記平面コイルには、前記平面内の一方向に平行に延び、電流の流れる向きが逆向きとなる第１磁界発生部と第２磁界発生部とが設けられており、
   前記第１磁界発生部及び前記第２磁界発生部の前記一方向に平面内にて直交する方向の幅寸法は、前記磁気検出素子の幅寸法よりも大きく形成されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の磁気結合型アイソレータ。
7. 前記平面コイルには、前記平面内の一方向に平行に延び、電流の流れる向きが逆向きとなる第１磁界発生部と第２磁界発生部とが設けられており、前記第１磁界発生部及び前記第２磁界発生部の外側に、夫々、前記磁気検出素子が配置されている請求項１ないし６のいずれか１項に記載の磁気結合型アイソレータ。

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