JP2010219439A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010219439A JP2010219439A JP2009066877A JP2009066877A JP2010219439A JP 2010219439 A JP2010219439 A JP 2010219439A JP 2009066877 A JP2009066877 A JP 2009066877A JP 2009066877 A JP2009066877 A JP 2009066877A JP 2010219439 A JP2010219439 A JP 2010219439A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- silicon single
- crystal layer
- wafer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 123
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 58
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 232
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 232
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 232
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 211
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 111
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 34
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 26
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 239
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 165
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 22
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 14
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/977—Thinning or removal of substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】ＳＯＩ基板を用いる固体撮像装置において、基板の抵抗率のばらつきを抑え、撮像した画像の画質劣化を防止できるようにする。
【解決手段】エピタキシャル法により、主面上に形成したシリコン単結晶層２４を有する第１のウェハ２０を形成し、シリコン単結晶層２４の上に酸化シリコン層２２を形成し、イオン注入法により、シリコン単結晶層２４の内部に欠陥層２３を形成し、酸化シリコン層２２と第２のウェハ１７とを貼り合わせる。次に、それぞれシリコン単結晶層２４を含む第２のウェハ１７から第１のウェハ２０を欠陥層２３において剥離することにより、酸化シリコン層２２と酸化シリコン層２２の上に形成されたシリコン単結晶層２４とを有するＳＯＩウェハ１６を形成する。その後、シリコン単結晶層２４にフォトダイオード１９を形成し、シリコン単結晶層２４における酸化シリコン層２２と反対側の面に配線２７等を形成する。
【選択図】図３
【解決手段】エピタキシャル法により、主面上に形成したシリコン単結晶層２４を有する第１のウェハ２０を形成し、シリコン単結晶層２４の上に酸化シリコン層２２を形成し、イオン注入法により、シリコン単結晶層２４の内部に欠陥層２３を形成し、酸化シリコン層２２と第２のウェハ１７とを貼り合わせる。次に、それぞれシリコン単結晶層２４を含む第２のウェハ１７から第１のウェハ２０を欠陥層２３において剥離することにより、酸化シリコン層２２と酸化シリコン層２２の上に形成されたシリコン単結晶層２４とを有するＳＯＩウェハ１６を形成する。その後、シリコン単結晶層２４にフォトダイオード１９を形成し、シリコン単結晶層２４における酸化シリコン層２２と反対側の面に配線２７等を形成する。
【選択図】図３
Description
本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に関し、特に、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いる固体撮像装置及びその製造方法に関する。
デジタルカメラ及びビデオカメラ等には、電荷結合素子（Charge Coupled Device：ＣＣＤ）又はＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像装置を使用するのが一般的である。近年では固体撮像装置の改良が進み、高画素の固体撮像装置により高精細な画像を撮影することが可能である。
このような従来の固体撮像装置において、半導体基板の上に転送ゲート、光電変換素子、ＭＯＳトランジスタ及び各種配線等を設けたものが一般的である。しかし、光電変換素子の受光領域は転送ゲート、ＭＯＳトランジスタ及び配線等を避けるように設けられることが必要であるため、半導体基板の面積の縮小及び画素数の増加による画素の微細化に伴って受光領域の開口率が小さくなるという問題がある。
そこで、近年においては、半導体基板の片面に転送ゲート、ＭＯＳトランジスタ及び配線層を形成すると共に、その裏面に光電変換素子を配置して、裏面を受光領域とした裏面照射型の固定撮像装置が注目されている。
裏面照射型の固体撮像装置は、基板の膜厚を３μｍ〜１０μｍ程度に薄膜化する必要がある。その手段としては、従来のシリコン基板を裏面から研磨又はエッチングする方法も考えられるが、通常５００μｍ以上である初期基板の膜厚を１０μｍ以下にまで均一に薄膜化する点で制御性に乏しい。
そこで、酸化シリコン層の上にシリコン単結晶層を形成したＳＯＩウェハを用いた裏面照射型の固体撮像装置の製造方法が、例えば特許文献１に提示されている。
その製造方法は、ベースウェハの上に酸化シリコン層を形成し、さらにその上にシリコン単結晶層が形成されたＳＯＩウェハを用いて、シリコン単結晶層に酸化シリコン層側に受光部を向けて光電変換素子を形成する工程と、シリコン単結晶層の酸化シリコン層と反対側の面に配線層を形成する工程と、酸化シリコン層の下のベースウェハを選択的に除去する工程とを含む。
また、ＳＯＩウェハの代表的な製造方法は、大きく分けてＳＩＭＯＸ（Separation by Implanted Oxigen）法と貼り合わせ法とが知られている。
ＳＩＭＯＸ法は、高濃度の酸素をシリコン基板に高加速エネルギーでイオン注入して、熱処理することによって、シリコン基板の内部に酸化シリコン層を形成すると共にシリコン基板の表面近傍に再結晶化したシリコン層ができることを利用したＳＯＩウェハの製造方法である。この方法は、イオン注入の深さの制御は精度良くできるため、シリコン基板の表面近傍にできる再結晶シリコン層の膜厚の均一性は良いが、熱処理時に非単結晶の酸化シリコン層が生じて、その上に再結晶シリコン層が形成されるため、この再結晶シリコン層内には多数の結晶欠陥が発生する。この結晶欠陥の低減に多くの努力がなされてきたが、本質的ともいえる欠陥の発生の機構であるために、未だ克服できていない。今後もこの欠陥の低減は難しいと考えられる。
そこで提案されたのがウェハ貼り合わせ法であり、Ｕｎｉｂｏｎｄ法（Ｓｍａｒｔ Ｃｕｔ（登録商標））が実用的には現在の主流である。
Ｕｎｉｂｏｎｄ法は、シリコン基板の表面に酸化シリコン膜を形成し、形成した酸化シリコン膜を介して水素イオンの注入を行い、その後、これをベースウェハ（支持基板）と貼り合わせる。その後に、熱処理を行い、水素イオンの注入位置において剥離することによりＳＯＩウェハを形成する方法（水素イオン剥離法）であり、例えば特許文献２又は特許文献３に提示されている。
水素イオン剥離法は、２枚のシリコンウェハのうち少なくとも一方に酸化シリコン膜を形成すると共に、一方のシリコンウェハの上から水素イオン又は希ガスイオンを注入して、前記シリコンウェハの内部に欠陥層（封入層）を形成させる。その後に、酸化シリコン膜を介して他方のシリコンウェハと密着させて、熱処理（剥離熱処理）を行うことにより欠陥層を劈開面（剥離面）として一方のウェハを薄膜状に剥離して、さらに熱処理（結合熱処理）を行うことにより結合を強固にしてＳＯＩウェハとする技術である。
特表２００８−５１４０１１号公報
特許第２９５９７０４号公報
特許第３３８５９７２号公報
ＳＯＩウェハの製造に供されるシリコンウェハは、通常チョクラルスキ（Czochralski：ＣＺ）法により製造される。ＣＺ法は、塊状のシリコン多結晶を石英からなる坩堝に入れて、アルゴン雰囲気における抵抗加熱により溶融して、塊状のシリコン多結晶に接触させて徐々に回転させながら引き上げて製造する。シリコンの抵抗率はドーパントの濃度により制御するが、軸方向及び面内方向の抵抗率を一様にすることが困難である。ＣＺ法により製造されたシリコンウェハの引き上げによって発生する同心円状の抵抗率及び酸素濃度等の斑をスワールという。図９に抵抗率の大小を濃度で表したスワールの模式図を示す。このような問題はあるが、引き上げ機の大きさ次第では３００ｍｍ以上の大口径の単結晶を作ることが可能であるため、近年の半導体製造で使われる大口径ウェハはすべてＣＺ法により作られている。
ＣＺ法により製造されたシリコンウェハを用いて、水素イオン剥離法により製造されたＳＯＩウェハはすでに主としてロジックＬＳＩの製造において実用化されているが、通常製造されるＳＯＩウェハは、ＣＺ法に起因する抵抗率のばらつきはあまり問題とならない。
以下、ＣＺ法により製造されたシリコンウェハを材料として、水素イオン剥離法によるＳＯＩウェハを用いた裏面照射型の固体撮像装置の製造方法を説明する。
図１０及び図１１は、従来のＳＯＩウェハを用いた裏面照射型の固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。
図１０（ａ）に示すように、シリコン単結晶であるボンドウェハ５を用意する。ボンドウェハ５はＣＺ法により製造されたシリコン単結晶である。ここで、ボンドウェハ５は図１１（ｅ）に示す完成した固体撮像装置３のｐウェル６になるように、ｐ型に不純物が導入されている。また、ボンドウェハ５は主面が下側になるように示している。
次に、図１０（ｂ）に示すように、ボンドウェハ５を熱酸化することにより、酸化シリコン層７を形成する。ここで、主面側の酸化シリコン層７のみを示しているが、実際には裏面及び側面にもシリコン酸化膜が形成される。
次に、図１０（ｃ）に示すように、ボンドウェハ５の主面から水素イオンを注入する。ここで、水素イオンの注入の加速エネルギーを制御して、水素イオンの注入による欠陥層８のボンドウェハ５の主面からの深さを調整することにより、後に図１１（ａ）に示すＳＯＩウェハ１が完成した際の上層のシリコン単結晶層９の厚さを決めることができる。
次に、図１０（ｄ）に示すように、ＳＯＩウェハ１における強度を維持するためのベースウェハ２及びボンドウェハ５の表面を洗浄して表面同士を貼り合わせる。ここで、ベースウェハ２はＣＺ法により製造されたシリコン単結晶である。
この後、図１０（ｅ）に示すように、ベースウェハ２とボンドウェハ５とを裏面から引き離すことによって、欠陥層８において、ベースウェハ２からボンドウェハ５の一部が剥離する。ここでベースウェハ２から剥離されたボンドウェハ５の一部は、再び図１０（ｂ）の酸化工程にもどされ、別のＳＯＩウェハの製造に再利用されることもある。
その後、熱処理を行うことにより貼り合わせた面同士の接着を強固にする。通常では１０００℃前後の熱処理によって接着面の結合が強固になるといわれているが、プラズマによる前処理等により熱処理を低温化する方法も検討されている。
ここまでの工程により、図１１（ａ）に示すように、ＳＯＩウェハ１が完成する。
図１１（ｂ）は、ＳＯＩウェハ１の上層のシリコン単結晶層９にフォトダイオード４及びドレイン１１を形成し、シリコン単結晶層９の上に読み出しゲート１０及び配線１２を形成して、ＭＯＳ型固体撮像装置を形成する工程を示している。ＣＣＤ固体撮像装置の場合には、フォトダイオード、電荷転送部、ゲート電極及び配線がこれに代わる。フォトダイオード４はｐ型基板中にヒ素（Ａｓ）又はリン（Ｐ）等の不純物をイオン注入して形成する。
次に、図１１（ｃ）に示すように、ＳＯＩウェハ１からベースウェハ２を除去する。ベースウェハ２がシリコン単結晶であれば、アルカリ溶液によるエッチングにより容易に除去することができる。また、中間の酸化シリコン層７はアルカリ溶液によりエッチングされないため、ＳＯＩウェハ１を製造した膜厚精度での加工が可能であり、この点がＳＯＩウェハ１を用いる最大の利点である。このとき、ＳＯＩウェハ１の全面からベースウェハ２を除去する場合にはウェハの強度が不足するため、配線１２等を形成した表面側に、別途補強のための支持ウェハを貼り付ける必要があるがここでは省略している。
その後、図１１（ｄ）に示すように、酸化シリコン層７が形成されている面からボロン（Ｂ）イオンの注入を行い、シリコン単結晶層９におけるシリコン単結晶層９と酸化シリコン層７との界面近傍にｐ＋型の空乏化防止層１３を形成する。空乏化防止層１３がフォトダイオード４の空乏層が酸化シリコン膜との界面まで広がることを防ぐことにより、界面準位で発生するノイズ電子がフォトダイオード４に蓄積し、暗信号となるのを防ぐ。
最後に、図１１（ｅ）に示すように、ウェハ裏面の酸化シリコン層７の上に、カラーフィルタ１４及びオンチップマイクロレンズ１５を形成して、裏面照射型の固体撮像装置３が完成する。
しかしながら、前記従来のＳＯＩウェハを用いた裏面照射型の固体撮像装置の製造方法は、シリコンウェハを均一に制御性良く薄膜化するという点では優れているものの、基板の抵抗率のわずかなばらつきがフォトダイオードの個々の特性に影響し、感度及び飽和信号量のばらつきとなるため、撮像した画像に図１２に示すようなスワールに起因する固定パターンノイズが見えるという問題がある。
本発明は上記の問題に鑑み、ＳＯＩ基板を用いる固体撮像装置において、基板の抵抗率のばらつきを抑え、撮像した画像の画質劣化を防止できるようにすることを目的とする。
前記の目的を達成するために、本発明は、固体撮像装置の製造方法を、エピタキシャル法により形成したシリコン単結晶を有するＳＯＩウェハを用いる構成とする。
具体的に、本発明に係る第１の固体撮像装置の製造方法は、エピタキシャル法により、第１のウェハの主面上にシリコン単結晶層を形成する工程と、シリコン単結晶層の上に酸化シリコン層を形成する工程と、イオン注入法により、シリコン単結晶層の内部に欠陥層を形成する工程と、第１のウェハにおける酸化シリコン層に第２のウェハを貼り合わせる工程と、シリコン単結晶層を含む第２のウェハからシリコン単結晶層を含む第１のウェハを欠陥層において剥離することにより、第２のウェハの上に形成された酸化シリコン層と該酸化シリコン層の上に形成されたシリコン単結晶層とを有するＳＯＩウェハを形成する工程と、シリコン単結晶層にフォトダイオードを形成する工程と、シリコン単結晶層における酸化シリコン層と反対側の面にフォトダイオード電荷読み出し構造を含む配線層を形成する工程とを備えていることを特徴とする。
本発明の第１の固体撮像装置の製造方法によると、不純物濃度の同心円状の斑を避けられないＣＺ法により形成されたシリコン単結晶を含まないため、従来の製造方法により製造された固体撮像装置に発生する固定パターンノイズが発生しない。これにより撮像した画像の画質劣化を防止できる固体撮像装置を製造することができる。
また、本発明の第１の固体撮像装置の製造方法において、フォトダイオードを形成する工程において、フォトダイオードの受光部は、酸化シリコン層側に向けて形成され、配線層を形成した後に、第２のウェハの一部又は全部を酸化シリコン層に対して選択的にエッチングする工程をさらに備えていてもよい。
本発明に係る第２の固体撮像装置の製造方法は、エピタキシャル法により、第１のウェハの主面上に第１のシリコン単結晶層を形成する工程と、第１のシリコン単結晶層の上に酸化シリコン層を形成する工程と、イオン注入法により、第１のシリコン単結晶層の内部に欠陥層を形成する工程と、第１のウェハにおける酸化シリコン層に第２のウェハを貼り合わせる工程と、第１のシリコン単結晶層を含む第２のウェハから第１のシリコン単結晶層を含む第１のウェハを欠陥層において剥離することにより、第２のウェハの上に形成された酸化シリコン層と該酸化シリコン層の上に形成された第１のシリコン単結晶層とを有するＳＯＩウェハを形成する工程と、エピタキシャル法により、第１のシリコン単結晶層の上に第２のシリコン単結晶層を形成する工程と、第１のシリコン単結晶層又は第２のシリコン単結晶層にフォトダイオードを形成する工程と、第２のシリコン単結晶層における第１のシリコン単結晶層と反対側の面にフォトダイオード電荷読み出し構造を含む配線層を形成する工程とを備えていることを特徴とする。
本発明の第２の固体撮像装置の製造方法によると、不純物濃度の斑を避けられないＣＺ法により形成されたシリコン単結晶を含まないため、従来の製造方法により製造された固体撮像装置に発生する固定パターンノイズが発生しない。これにより撮像した画像の画質劣化を防止できる固体撮像装置を製造することができる。さらに固体撮像装置の読み出しゲート、ドレイン及び配線等は無欠陥の第２のシリコン単結晶層の表面に形成できるため固体撮像装置の画質をより改善することができる。
また、本発明の第２の固体撮像装置の製造方法において、フォトダイオードを形成する工程において、フォトダイオードの受光部は、酸化シリコン層側に向けて形成され、配線層を形成した後に、第２のウェハの一部又は全部を酸化シリコン層に対して選択的にエッチングする工程をさらに備えていてもよい。
本発明に係る第３の固体撮像装置の製造方法は、エピタキシャル法により、第１のウェハの主面上に不純物濃度が１×１０１７ｃｍ−３以上である第１のシリコン単結晶層を形成する工程と、第１のシリコン単結晶層の上に酸化シリコン層を形成する工程と、イオン注入法により、第１のシリコン単結晶層の内部に欠陥層を形成する工程と、第１のウェハにおける酸化シリコン層に第２のウェハを貼り合わせる工程と、第１のシリコン単結晶層を含む第２のウェハから第１のシリコン単結晶層を含む第１のウェハを欠陥層において剥離することにより、第２のウェハの上に形成された酸化シリコン層と該酸化シリコン層の上に形成された第１のシリコン単結晶層とを有するＳＯＩウェハを形成する工程と、エピタキシャル法により、第１のシリコン単結晶層の上に第１のシリコン単結晶層よりも不純物濃度が低い第２のシリコン単結晶層を形成する工程と、第２のシリコン単結晶層に、酸化シリコン層側に受光部を向けて、フォトダイオードを形成する工程と、第２のシリコン単結晶層における第１のシリコン単結晶層と反対側の面にフォトダイオード電荷読み出し構造を含む配線層を形成する工程と、第２のウェハの一部又は全部を酸化シリコン層に対して選択的にエッチングする工程とを備えていることを特徴とする。
本発明の第３の固体撮像装置の製造方法によると、不純物濃度の斑を避けられないＣＺ法により形成されたシリコン単結晶を含まないため、従来の製造方法により製造された固体撮像装置に発生する固定パターンノイズが発生しない。これにより撮像した画像の画質劣化を防止できる固体撮像装置を製造することができる。また、固体撮像装置の読み出しゲート、ドレイン及び配線等は無欠陥の第２のシリコン単結晶層の表面に形成できるため撮像装置の画質をより改善することができる。さらに、読み出しゲート及び配線等を形成した後にイオン注入によって空乏化防止層を形成して活性化アニールをする必要がなく、熱処理による配線等に対する悪影響を回避することができる。
本発明の第３の固体撮像装置の製造方法において、第１のシリコン単結晶層は、第１の電導型であり、第２のシリコン単結晶層は、第２の電導型であり、フォトダイオードは、第２の電導型であることが好ましい。
また、本発明の第３の固体撮像装置の製造方法において、第１のシリコン単結晶層は、第１の電導型であり、第２のシリコン単結晶層は、第２の電導型であり、フォトダイオードを形成する工程は、第２のシリコン単結晶層に第１の電導型のウェルを形成する工程を含み、フォトダイオードは、第２の電導型であり且つウェル内に形成されてもよい。
本発明の固体撮像装置は、エピタキシャル法により形成され、第１の面と該第１の面と対向する第２の面とを有する板状のシリコン単結晶層と、シリコン単結晶層の第１の面上に設けられ、フォトダイオード電荷読み出し構造を含む配線層と、シリコン単結晶層の内部に、第２の面に受光部を向けて形成された複数のフォトダイオードとを備えていることを特徴とする。
本発明の固体撮像装置によると、不純物濃度の斑を避けられないＣＺ法により形成されたシリコン単結晶を含まないため、従来の固体撮像装置において発生する固定パターンノイズの発生を防ぐことができるようになる。
本発明の固体撮像装置は、シリコン単結晶層の第２の面上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜の上にフォトダイオードと対応して設けられたカラーフィルタとをさらに備えていてもよい。
また、本発明の固体撮像装置は、シリコン単結晶層の第２の面上に前記フォトダイオードと対応して設けられたオンチップマイクロレンズをさらに備えていてもよい。
また、本発明の固体撮像装置は、シリコン単結晶層の第２の面上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜の上に設けられたカラーフィルタと、カラーフィルタの上にフォトダイオードと対応して設けられたオンチップマイクロレンズとをさらに備えていてもよい。
本発明に係る固体撮像装置及びその製造方法によると、不純物濃度の斑を避けられないＣＺ法により形成されたシリコン単結晶を含まない固体撮像装置が製造できるため、従来の製造方法により製造された固体撮像装置において発生する固定パターンノイズが発生しない固体撮像装置を得ることができる。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置について、図１を参照しながら説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の断面構造を示している。
本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置について、図１を参照しながら説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の断面構造を示している。
図１に示すように、第１の実施形態に係る固体撮像装置は、エピタキシャル法により形成されたシリコン単結晶層２４と、その表面を熱処理により形成された酸化シリコン層２２とを有している。ここでは、シリコン単結晶層２４は、ｐウェル２１となるように、不純物の導入により例えばｐ型としている。
シリコン単結晶層２４には、フォトダイオード１９及びドレイン２６が形成され、シリコン単結晶層２４の上には読み出しゲート２５及び配線２７が形成されている。シリコン単結晶層２４の上には、読み出しゲート２５及び配線２７を覆うように層間絶縁膜３４が形成されている。ここで、フォトダイオード１９の形成は、ヒ素、リン又はアンチモン等のイオン注入によってｎ型領域を形成することにより行われる。また、フォトダイオード１９の受光部は、酸化シリコン層２２側に向くように形成されている。
酸化シリコン層２２が形成されている面から、例えばボロン（Ｂ）イオンを注入することにより、シリコン単結晶層２４の下部にｐ＋型の空乏化防止層２８が形成されている。空乏化防止層２８の不純物濃度はフォトダイオード１９の不純物濃度によって異なるが、通常は１×１０１７ｃｍ−３以上且つ１×１０１９ｃｍ−３以下であることが好ましい。このようにすると、フォトダイオード１９の空乏層が酸化シリコン層２２との界面にまで広がらないので、界面準位で発生するノイズ電子がフォトダイオード１９に蓄積して発生する暗信号の抑制に有効である。
また、酸化シリコン層２２のシリコン単結晶層２４と反対側の面上にはカラーフィルタ２９が形成され、カラーフィルタ２９の上にはオンチップマイクロレンズ３０が形成されている。
本実施形態に係る固体撮像装置によると、不純物濃度の同心円状の斑を避けられないチョクラルスキ（ＣＺ）法により形成されたシリコン単結晶を含まないため、固定パターンノイズの発生を防ぎ、画質を改善することができる。
以下に、上記の構造を有する固体撮像装置の製造方法について図２及び図３を参照しながら説明する。図２（ａ）〜図２（ｅ）及び図３（ａ）〜図３（ｆ）は本発明に係る第１の実施形態の固体撮像装置の製造方法を工程順に示している。
まず、図２（ａ）に示すように、シリコン単結晶であるボンドウェハ２０を用意する。本実施形態において、ボンドウェハ２０の電導型及び不純物濃度は、図３（ｆ）に示す完成した固体撮像装置１８のｐウェル２１とは直接に関係しない。また、図２及び図３において、ボンドウェハ２０は主面が下側になるように示している。また、ボンドウェハ２０は、ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶を用いて構わない。
次に、図２（ｂ）に示すように、エピタキシャル法により、ボンドウェハ２０の主面上に、ｐ型の不純物が導入されたシリコン単結晶層２４を堆積させる。本実施形態において、シリコン単結晶層２４は、最後に固体撮像素子を形成する基板の膜厚以上でなければならない。可視光に感度を持つ固体撮像装置の場合、数μｍ〜１０μｍの基板の膜厚が必要であるため、エピタキシャル法によるシリコン単結晶層２４の堆積膜厚も数μｍ〜１０μｍが必要である。
次に、図２（ｃ）に示すように、ボンドウェハ２０を熱酸化することにより酸化シリコン層２２を形成する。形成された酸化シリコン層２２は、表面（下面）側のみを図示しているが、実際にはボンドウェハ２０の裏面及び側面にも酸化シリコン層２２が形成される。
次に、図２（ｄ）に示すように、酸化シリコン層２２側からシリコン単結晶層２４に、水素イオンを注入することにより、シリコン単結晶層２４の内部に欠陥層２３を形成する。ボンドウェハ２０とベースウェハ１７とを貼り合わせ後にボンドウェハ２０を欠陥層２３において剥離する。このため、水素イオンの注入時の加速エネルギーを制御してイオン注入の深さを調整することにより、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウェハにおけるシリコン単結晶層２４の厚さを決めることができる。従って、本実施形態ではこの欠陥層２３の深さが最後に固体撮像装置１８を形成するシリコン単結晶の膜厚となる。裏面照射型の固体撮像装置１８を形成する場合には、前述したように、その膜厚は数μｍ〜１０μｍ程度である。図２（ｂ）で示したエピタキシャル法によるシリコン単結晶層２４の堆積膜厚は固体撮像装置１８を形成するシリコン単結晶の膜厚よりも厚くしているため、水素イオン注入による欠陥層２３はエピタキシャル法によるシリコン単結晶層２４中に形成される。
次に、図２（ｅ）に示すように、図３（ｂ）において完成するＳＯＩウェハ１６の強度を維持するためのベースウェハ１７を用意し、用意したベースウェハ１７とシリコン単結晶層２４との表面を洗浄し、その後、ベースウェハ１７とシリコン単結晶層２４との表面同士を貼り合わせる。このとき、ベースウェハ１７とシリコン単結晶層２４を堆積したボンドウェハ２０とを軽く押さえるだけで、それぞれの平坦性が十分に高いため、表面の原子間力により接着が進む。洗浄工程は、汚染物質及びパーティクル等を除去するだけでなく、それぞれの表面を親水性にして接着効果を高める目的もある。ここで、ベースウェハ１７は、ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶を用いても構わない。また、ベースウェハ１７がボンドウェハ２０よりも薄いように示したが、これは便宜的なものであり、ベースウェハ１７はＳＯＩウェハ１６としての強度を維持できる膜厚でなければならない。従って、直径２００ｍｍ以上の場合は、通常５００μｍ以上の膜厚が必要である。ボンドウェハ２０もまた、ベースウェハ１７との貼り合わせまでの工程を経るためにベースウェハ１７と同程度の膜厚が必要である。
この後、図３（ａ）に示すように、ベースウェハ１７とボンドウェハ２０とを裏面から引き離すと、欠陥層２３においてシリコン単結晶層２４の剥離が起こる。ここでベースウェハ１７から剥離されたボンドウェハ２０及びシリコン単結晶層２４の一部は、再び図２（ｂ）のエピタキシャル成長工程にもどされ、別のＳＯＩウェハの製造に再利用されることもある。
その後、熱処理を行うことにより、貼り合わせた面同士の接着を強固にする。この熱処理の温度は接着強度を考慮して、４００℃以上であり、好ましくは１０００℃前後であることが望ましい。
上記の工程により図３（ｂ）に示すように、ベースウェハ１７、酸化シリコン層２２及びシリコン単結晶層２４からなるＳＯＩウェハ１６が完成する。本実施形態により形成されたＳＯＩウェハ１６は、シリコン単結晶層２４がすべてエピタキシャル法により形成されているため、ＣＺ法により形成された従来のシリコン単結晶層と比べて不純物の濃度斑がきわめて少ないのが特徴である。
次に、図３（ｃ）に示すように、シリコン単結晶層２４にフォトダイオード１９及びドレイン２６を形成し、シリコン単結晶層２４の上に、読み出しゲート２５及び配線２７を形成することにより、ＭＯＳ型固体撮像装置を形成する。電荷結合素子（Charge Coupled Device：ＣＣＤ）型固体撮像装置の場合は、フォトダイオード、電荷転送部、ゲート電極及び配線がこれに代わる。本実施形態ではフォトダイオード１９をｐ型のシリコン単結晶層２４中に形成するため、フォトダイオード１９の形成にヒ素、リン又はアンチモン等の不純物をイオン注入してｎ型領域を形成する。また、シリコン単結晶層２４の上に、読み出しゲート２５及び配線２７を覆うように層間絶縁膜３４を形成する。
なお、本実施形態では図２（ｂ）において、エピタキシャル法によりｐ型のシリコン単結晶層２４を形成しているが、これをｎ型とし、図３（ｃ）に示す工程においてイオン注入等によってｐウェル２１を形成し、ｐウェル２１中にフォトダイオード１９等を形成しても構わない。
次に、図３（ｄ）に示すように、ベースウェハ１７を除去する。研磨及びドライエッチング等によりその大部分を除去した後に、アルカリ溶液によるエッチングを行うのが効率的である。但し、アルカリ溶液によるエッチングのみでも構わない。ベースウェハ１７がシリコン単結晶であるため、アルカリ溶液によるエッチングにより容易に除去が可能であり、また、中間の酸化シリコン層２２はアルカリ溶液によってエッチングされないため、エッチングのストッパーとなり、ＳＯＩウェハ１６の膜厚が主に水素イオン注入の深さにより決まる高精度での薄膜化の加工が可能である。５００μｍ以上の膜厚を持つ単層のシリコン単結晶ウェハを研磨及びエッチングを組み合わせて１０μｍ前後の膜厚に加工する場合と比べて、膜厚精度が飛躍的に高いことがＳＯＩウェハ１６を用いる最大の利点である。また、ベースウェハ１７の除去は、マスク工程を利用して固体撮像装置１８の受光領域に限定して行っても構わない。ＳＯＩウェハ１６の全面からベースウェハ１７を除去する場合にはウェハ全体の強度が不足するため、配線２７等を形成した表面側に石英ウェハ等を支持ウェハとしてあらかじめ貼り付けることにより補強することが望ましい。但し、ここでは省略している。また、本実施形態ではベースウェハ１７のみを除去する場合を示しているが、アルカリ溶液等によるベースウェハ１７の除去後に、酸によるエッチングによって酸化シリコン層２２を選択的に除去しても膜厚の加工精度は変わらず、ＳＯＩウェハ１６を用いる効果が得られる。
その後、図３（ｅ）に示すように、酸化シリコン層２２が形成されている面からボロンイオンの注入を行い、シリコン単結晶層２４におけるシリコン単結晶層２４と酸化シリコン２２層との界面近傍にｐ＋型の空乏化防止層２８を形成する。空乏化防止層２８の濃度はフォトダイオード１９の不純物濃度によっても異なるが、通常は１×１０１７ｃｍ−３以上且つ１×１０１９ｃｍ−３以下であることが好ましい。これにより、フォトダイオード１９の空乏層が酸化シリコン層２２との界面にまで広がって界面準位で発生するノイズ電子がフォトダイオード１９に蓄積し、暗信号となるのを防ぐことが可能である。但し、この工程を省略しても画質は低下するが撮像装置としての基本的な機能を得ることができる。
次に、図３（ｆ）に示すように、酸化シリコン層２２の上に、必要に応じてカラーフィルタ２９及びオンチップマイクロレンズ３０を形成して、エピタキシャル法によるシリコン単結晶層２４のみにより形成された裏面照射型の固体撮像装置１８が完成する。
本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法は、不純物濃度の同心円状の斑を避けられないＣＺ法により形成されたシリコン単結晶を含まない固体撮像装置１８が形成できるために、図１２に示したような固定パターンノイズの発生しない固体撮像装置を製造することが可能である。
なお、本実施形態では裏面照射型の固体撮像装置について説明したが、従来の表面型の固体撮像装置もＳＯＩウェハを使って同様に製造できる。表面型の固体撮像装置で受光領域を薄膜化することは、例えば特定の短波長にのみ感度を持たせる場合や、固体撮像装置の透過光を何らかの目的に利用する場合等に有効である。この場合は図３（ｅ）で示した空乏化防止層２８はシリコン単結晶層２４の上記とは反対側の面にボロンイオンを注入して形成する必要があり、図３（ｄ）に示した工程中において行う。
また、ここでは、ＭＯＳ型固体撮像装置を例にその製造方法を示したが、ＣＣＤ型固体撮像装置でもＳＯＩウェハを使った同様の製造方法が適用可能である。
また、本実施形態ではｐウェル２１中にフォトダイオード１９を形成する場合を説明したが、他の電導型であっても本発明の固体撮像装置の製造方法が適用できる。
さらに、本実施形態では水素イオン剥離法を用いる場合について説明したが、ＵｎｉＢｏｎｄ法において用いられる他の剥離方法、例えば水素イオン以外のアルゴンイオン等を用いるイオン剥離法等を用いても同様の効果が得られる。
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について、図４及び図５を参照しながら説明する。
以下、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について、図４及び図５を参照しながら説明する。
図４（ａ）〜図４（ｅ）及び図５（ａ）〜図５（ｇ）は、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を工程順に示している。
図４（ａ）〜図５（ｂ）の工程は第１の実施形態で示した図２（ａ）〜図３（ｂ）の工程と同様であるため説明を省略する。但し、第１の実施形態におけるシリコン単結晶層２４を本実施形態では第１のシリコン単結晶層３２としている。
図５（ｃ）に示すように、エピタキシャル法により、第１のシリコン単結晶層３２の上に、第２のシリコン単結晶層３１を堆積させる。ここで第２のシリコン単結晶層３１にはｐ型の不純物が導入されている。これにより、剥離された第１のシリコン単結晶層３２と第２のシリコン単結晶層３１との膜厚の合計が図５（ｇ）に示す固体撮像装置１８の基板膜厚となる。裏面照射型の固体撮像装置において、基板の膜厚は数μｍ〜１０μｍ程度とする必要がある。従って、欠陥層２３の第１のシリコン単結晶層３２中の深さをｄ１とし、図５（ｃ）において堆積する第２のシリコン単結晶層３１の膜厚をｄ２とするとき、ｄ１＋ｄ２と目標とする固体撮像装置１８の基板の膜厚とが等しくなるようにする必要がある。
次に、図５（ｄ）に示すように、第２のシリコン単結晶層３１にフォトダイオード１９及びドレイン２６を形成し、第２のシリコン単結晶層３１の上に読み出しゲート２５及び配線２７を形成することにより、ＭＯＳ型固体撮像装置を形成する。ＣＣＤ固体撮像装置の場合は、フォトダイオード、電荷転送部、ゲート電極及び配線がこれに代わる。本実施形態ではフォトダイオード１９が第２のシリコン単結晶層３１中に形成するため、フォトダイオード１９の形成にヒ素、リン又はアンチモン等の不純物をイオン注入してｎ型領域を形成する。さらに、シリコン単結晶層２４の上に、読み出しゲート２５及び配線２７を覆うように層間絶縁膜３４を形成する。
なお、本実施形態では、エピタキシャル法によりｎ型の第２のシリコン単結晶層３１を形成して、形成した第２のシリコン単結晶層３１においてイオン注入等によってｐウェル２１を形成し、ｐウェル２１中にフォトダイオード１９等を形成しても構わない。
次に、図５（ｅ）に示すように、ベースウェハ１７を除去する。研磨及びドライエッチング等によりその大部分を除去した後に、アルカリ溶液によるエッチングを行うのが効率的である。但し、アルカリ溶液によるエッチングのみでも構わない。ベースウェハ１７がシリコン単結晶であるため、アルカリ溶液によるエッチングにより容易に除去が可能であり、また、中間の酸化シリコン層２２はアルカリ溶液によってエッチングされないためエッチングのストッパーとなり、ＳＯＩウェハ１６の膜厚が主に水素イオン注入の深さにより決まる高精度での薄膜化の加工が可能である。５００μｍ以上の膜厚を持つ単層のシリコン単結晶ウェハを研磨及びエッチングを組み合わせて１０μｍ前後の膜厚に加工する場合と比べて、膜厚精度が飛躍的に高いことがＳＯＩウェハ１６を用いる最大の利点である。また、ベースウェハ１７の除去は、マスク工程を利用して固体撮像装置１８の受光領域に限定して行っても構わない。ＳＯＩウェハ１６の全面からベースウェハ１７を除去する場合にはウェハ全体の強度が不足するため、配線２７等を形成した表面側に石英ウェハ等を支持ウェハとしてあらかじめ貼り付けることにより補強することが望ましい。但し、ここでは省略している。また、本実施形態ではベースウェハ１７のみを除去する場合を示しているが、アルカリ溶液等によるベースウェハ１７の除去後に、酸によるエッチングによって酸化シリコン層２２を選択的に除去しても膜厚の加工精度は変わらず、ＳＯＩウェハ１６を用いる効果が得られる。
次に、図５（ｆ）に示すように、酸化シリコン層２２が形成されている面からボロンイオンの注入を行い、第１のシリコン単結晶層３２における第１のシリコン単結晶層３２と酸化シリコン層２２との界面近傍にｐ＋型の空乏化防止層２８を形成する。空乏化防止層２８の濃度はフォトダイオード１９の不純物濃度によっても異なるが、通常は１×１０１７ｃｍ−３以上且つ１×１０１９ｃｍ−３以下であることが好ましい。これにより、フォトダイオード１９の空乏層が酸化シリコン層２２との界面にまで広がって界面準位で発生するノイズ電子がフォトダイオード１９に蓄積することによる暗信号の抑制が可能である。但し、この工程を省略しても画質は低下するが撮像装置としての基本的な機能を得ることができる。
次に、図５（ｇ）に示すように、酸化シリコン層２２の上に、必要に応じてカラーフィルタ２９及びオンチップマイクロレンズ３０を形成して、エピタキシャル法による第１のシリコン単結晶層３２及び第２のシリコン単結晶層３１のみにより形成された裏面照射型の固体撮像装置１８が完成する。
本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法は、不純物濃度の同心円状の斑を避けられないＣＺ法により形成されたシリコン単結晶を含まない固体撮像装置１８が形成できるために、図１２に示したような固定パターンノイズの発生しない固体撮像装置を製造することが可能である。
本実施形態において、水素イオン剥離法によりＳＯＩウェハ１６を形成しているが、水素イオン注入による剥離面はイオン注入による欠陥層２３が多数残存している。そのため、水素イオン注入による剥離面に、読み出しゲート２５、ドレイン２６及び配線２７等を形成する場合、読み出しゲート２５においては界面準位増加による閾値電圧のばらつき、ドレイン２６においては暗出力増加、配線２７のコンタクト抵抗の高抵抗化及び抵抗ばらつき等を引き起こし、固体撮像装置としてはノイズの増加等による画質劣化の原因となるおそれがある。本実施形態においては、欠陥層２３が表面に多数残存する第１のシリコン単結晶３２の上に第２のシリコン単結晶層３１を形成するため、固体撮像装置１８の読み出しゲート２５、ドレイン２６及び配線２７等は無欠陥である第２のシリコン単結晶層３１の表面上に形成できる。従って、撮像装置の画質を改善することができる。また、通常、単結晶シリコンのエピタキシャル成長はシラン系の原料ガスを用いて１０００℃以上の高温で行うため、酸化シリコン層２２側から第１のシリコン単結晶層３２にイオン注入された水素原子が脱離し、イオン注入による欠陥を回復させる作用がある。
好ましくは、第１のシリコン単結晶層３２と第２のシリコン単結晶層３１との境界面がフォトダイオード１９の空乏層には存在しないことが望ましい。フォトダイオード１９の内部に残留した結晶欠陥は暗電流の発生源となり、白きずと呼ばれる固定パターンノイズの原因となるからである。本実施形態において、剥離後の第１のシリコン単結晶層３２の膜厚ｄ１を、空乏化防止層２８の厚さ以下に設定することにより、第１のシリコン単結晶層３２と第２のシリコン単結晶層３１との境界面を空乏化防止層２８の内部に位置させることができ、第１のシリコン単結晶層３２と第２のシリコン単結晶層３１との境界面がフォトダイオード１９の空乏層には存在しない構造とすることができる。このような構成にすることにより、さらに固体撮像装置の画質を改善することができる。
なお、本実施形態では水素イオン剥離法を用いる場合について説明したが、ＵｎｉＢｏｎｄ法で用いられる他の剥離方法、例えば、水素イオン以外のアルゴンイオンなどを用いるイオン剥離法等を用いても同様の効果が得られる。
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について、図６及び図７を参照しながら説明する。
以下、本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について、図６及び図７を参照しながら説明する。
図６（ａ）〜図６（ｅ）及び図７（ａ）〜図７（ｆ）は、本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を工程順に示している。また、図８はレーザアニールの活性化斑による固定パターンノイズを示す模式図である。
図６（ａ）〜図７（ｅ）の工程は第２の実施形態で示した図４（ａ）〜図５（ｅ）と同様であるため説明を省略する。但し、第２の実施形態におけるシリコン単結晶層３２は、本実施形態では第１の空乏化防止シリコン単結晶層３３であり、電動型及び不純物濃度を図５（ｆ）における空乏化防止層２８とほぼ等しくしたシリコン単結晶である。また、図６（ｄ）に示す水素イオンの注入工程において、水素イオンの注入により形成する欠陥層２３の深さを第１の実施形態及び第２の実施形態における空乏化防止層２８の厚さとほぼ等しくすることにより、第１の空乏化防止シリコン単結晶層３３を第１の実施形態及び第２の実施形態における空乏化防止層２８として機能させるため、Ｂイオンの注入工程を不要とする点が異なる。
すなわち、本実施形態において、図７（ｅ）に示すエッチングによるベースウェハ１７の除去工程の後に、図７（ｆ）に示すように、酸化シリコン層２２の上に、必要に応じてカラーフィルタ２９及びオンチップマイクロレンズ３０等を形成して、エピタキシャル成長によるシリコン単結晶のみによって形成された裏面照射型の固体撮像装置１８が完成する。
ボロン等の不純物イオンの注入によりシリコン単結晶が所望の電導型の電気特性を示すためには、一般に活性化アニールと呼ばれる熱処理により不純物原子をシリコン単結晶中で安定な位置に配置させる必要がある。この活性化アニールは通常８００℃以上の熱処理を行う必要がある。しかし、すでに読み出しゲート２５及び配線２７等が形成されている場合、特に配線２７は、アルミニウム又は銅等の金属により形成されている場合もあるため、ウェハ全体に加える温度は配線２７の融点を考慮せねばならず、５００℃以上に加熱することは難しい。その結果、イオン注入した不純物の一部しか活性化させることができない。
これを解決する一つの方法として、レーザアニールという加熱方法を用いることができる。これは、ウェハを強力なレーザ光により走査し、ウェハ全面を加熱する方法であり、ウェハの片面を局所的に加熱させることが可能である。しかしながらこの方法にも二つの問題点がある。第１の問題点は、レーザ光の走査に起因する加熱斑である。レーザ光の直径は最大数百μｍ〜数ｍｍであり、固体撮像装置に比べて小さく且つその画素サイズに比べると大きい。一方、レーザ光の走査に起因する加熱斑は不純物の活性化の斑になり、電導特性の斑を引き起こす。その結果、固体撮像装置の個々の画素の特性に斑が生じ、図８に示すようなレーザの走査斑に起因する固定パターンノイズが撮像画像に生じることにより画質劣化を招くこととなる。第２の問題点は、フォトダイオード１９を形成する領域の厚さが数μｍ〜１０μｍであるため、ウェハの裏面からレーザ光を照射した場合であっても、ウェハの表面（上面）側も高温になることである。特に、裏面照射型の固体撮像装置の利点として、表面側の配線２７のレイアウトが画素配列に制約されないことが挙げられる。ところが、裏面からのレーザ光の一部がウェハを透過して配線２７により反射すれば、反射光に照射された部分の温度は他の部分よりも上昇するため、配線２７のレイアウトを反映する不純物の活性化斑が起こる可能性があり、走査斑とは別の固定パターンノイズの発生が懸念される。上記の問題は、短波長のレーザアニール技術が開発されれば改善される可能性もあるが、裏面加工時の熱処理は裏面照射型の固体撮像装置の本質的な問題である。
本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法によると、読み出しゲート２５及び配線２７を形成した後にイオン注入によって空乏化防止層２８を形成して活性化アニールを行う必要がなく、活性化アニールに起因する固定パターンノイズの発生を回避することができる。
また、第１の空乏化防止シリコン単結晶層３３の不純物濃度が十分であれば、第１の空乏化防止シリコン単結晶層３３と第２のシリコン単結晶層３１との境界面において空乏化が起こらず、且つ、該境界面がフォトダイオード１９の内部に含まれないため、白きずが生じないため良好な画質を得ることができる。
なお、本実施形態では水素イオン剥離法を用いる場合について説明したが、ＵｎｉＢｏｎｄ法において用いられる他の剥離方法、例えば水素イオン以外のアルゴンイオン等を用いるイオン剥離法等を用いても同様の効果が得られることは、第１の実施形態と同様である。
また、本実施形態では第２のシリコン単結晶層３１はｐ型であり、フォトダイオード１９はｎ型であるが、第２のシリコン単結晶層３１をｎ型としても構わない。この場合、第２のシリコン単結晶層３１にイオン注入等によりｐウェルを形成し、ｐウェル中にｎ型のフォトダイオード１９を形成しても構わない。
本発明に係る固体撮像装置及びその製造方法は、不純物濃度の同心円状の斑を避けられないＣＺ法により形成されたシリコン単結晶を含まない固体撮像装置が形成できるため、固定パターンノイズを防ぐことができ、特に、ＳＯＩ基板を用いる固体撮像装置及びその製造方法等に有用である。
１６ ＳＯＩウェハ
１７ ベースウェハ（第２のウェハ）
１８ 固体撮像装置
１９ フォトダイオード
２０ ボンドウェハ（第１のウェハ）
２１ ｐウェル
２２ 酸化シリコン層
２３ 欠陥層
２４ シリコン単結晶層
２５ 読み出しゲート
２６ ドレイン
２７ 配線
２８ 空乏化防止層
２９ カラーフィルタ
３０ オンチップマイクロレンズ
３１ 第２のシリコン単結晶層
３２ 第１のシリコン単結晶層
３３ 第１の空乏化防止シリコン単結晶層
３４ 層間絶縁膜
１７ ベースウェハ（第２のウェハ）
１８ 固体撮像装置
１９ フォトダイオード
２０ ボンドウェハ（第１のウェハ）
２１ ｐウェル
２２ 酸化シリコン層
２３ 欠陥層
２４ シリコン単結晶層
２５ 読み出しゲート
２６ ドレイン
２７ 配線
２８ 空乏化防止層
２９ カラーフィルタ
３０ オンチップマイクロレンズ
３１ 第２のシリコン単結晶層
３２ 第１のシリコン単結晶層
３３ 第１の空乏化防止シリコン単結晶層
３４ 層間絶縁膜
Claims (11)
- エピタキシャル法により、第１のウェハの主面上にシリコン単結晶層を形成する工程と、
前記シリコン単結晶層の上に酸化シリコン層を形成する工程と、
イオン注入法により、前記シリコン単結晶層の内部に欠陥層を形成する工程と、
前記第１のウェハにおける前記酸化シリコン層に第２のウェハを貼り合わせる工程と、
前記シリコン単結晶層を含む前記第２のウェハから前記シリコン単結晶層を含む前記第１のウェハを前記欠陥層において剥離することにより、前記第２のウェハの上に形成された前記酸化シリコン層と該酸化シリコン層の上に形成された前記シリコン単結晶層とを有するＳＯＩウェハを形成する工程と、
前記シリコン単結晶層にフォトダイオードを形成する工程と、
前記シリコン単結晶層における前記酸化シリコン層と反対側の面にフォトダイオード電荷読み出し構造を含む配線層を形成する工程とを備えていることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記フォトダイオードを形成する工程において、前記フォトダイオードの受光部は、前記酸化シリコン層側に向けて形成され、
前記配線層を形成した後に、前記第２のウェハの一部又は全部を前記酸化シリコン層に対して選択的にエッチングする工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。 - エピタキシャル法により、第１のウェハの主面上に第１のシリコン単結晶層を形成する工程と、
前記第１のシリコン単結晶層の上に酸化シリコン層を形成する工程と、
イオン注入法により、前記第１のシリコン単結晶層の内部に欠陥層を形成する工程と、
前記第１のウェハにおける前記酸化シリコン層に第２のウェハを貼り合わせる工程と、
前記第１のシリコン単結晶層を含む前記第２のウェハから前記第１のシリコン単結晶層を含む前記第１のウェハを前記欠陥層において剥離することにより、前記第２のウェハの上に形成された前記酸化シリコン層と該酸化シリコン層の上に形成された前記第１のシリコン単結晶層とを有するＳＯＩウェハを形成する工程と、
エピタキシャル法により、前記第１のシリコン単結晶層の上に第２のシリコン単結晶層を形成する工程と、
前記第１のシリコン単結晶層又は第２のシリコン単結晶層にフォトダイオードを形成する工程と、
前記第２のシリコン単結晶層における前記第１のシリコン単結晶層と反対側の面にフォトダイオード電荷読み出し構造を含む配線層を形成する工程とを備えていることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記フォトダイオードを形成する工程において、前記フォトダイオードの受光部は、前記酸化シリコン層側に向けて形成され、
前記配線層を形成した後に、前記第２のウェハの一部又は全部を前記酸化シリコン層に対して選択的にエッチングする工程をさらに備えていることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。 - エピタキシャル法により、第１のウェハの主面上に不純物濃度が１×１０１７ｃｍ−３以上である第１のシリコン単結晶層を形成する工程と、
前記第１のシリコン単結晶層の上に酸化シリコン層を形成する工程と、
イオン注入法により、前記第１のシリコン単結晶層の内部に欠陥層を形成する工程と、
前記第１のウェハにおける前記酸化シリコン層に第２のウェハを貼り合わせる工程と、
前記第１のシリコン単結晶層を含む前記第２のウェハから前記第１のシリコン単結晶層を含む前記第１のウェハを前記欠陥層において剥離することにより、前記第２のウェハの上に形成された前記酸化シリコン層と該酸化シリコン層の上に形成された前記第１のシリコン単結晶層とを有するＳＯＩウェハを形成する工程と、
エピタキシャル法により、前記第１のシリコン単結晶層の上に第１のシリコン単結晶層よりも不純物濃度が低い第２のシリコン単結晶層を形成する工程と、
前記第２のシリコン単結晶層に、前記酸化シリコン層側に受光部を向けて、フォトダイオードを形成する工程と、
前記第２のシリコン単結晶層における前記第１のシリコン単結晶層と反対側の面にフォトダイオード電荷読み出し構造を含む配線層を形成する工程と、
前記第２のウェハの一部又は全部を前記酸化シリコン層に対して選択的にエッチングする工程とを備えていることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記第１のシリコン単結晶層は、第１の電導型であり、
前記第２のシリコン単結晶層は、第２の電導型であり、
前記フォトダイオードは、第２の電導型であることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第１のシリコン単結晶層は、第１の電導型であり、
前記第２のシリコン単結晶層は、第２の電導型であり、
前記フォトダイオードを形成する工程は、前記第２のシリコン単結晶層に第１の電導型のウェルを形成する工程を含み、
前記フォトダイオードは、第２の電導型であり且つ前記ウェル内に形成されることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。 - エピタキシャル法により形成され、第１の面と該第１の面と対向する第２の面とを有する板状のシリコン単結晶層と、
前記シリコン単結晶層の前記第１の面上に設けられ、フォトダイオード電荷読み出し構造を含む配線層と、
前記シリコン単結晶層の内部に、前記第２の面に受光部を向けて形成された複数のフォトダイオードとを備えていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記シリコン単結晶層の前記第２の面上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に前記フォトダイオードと対応して設けられたカラーフィルタとをさらに備えていることを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置。 - 前記シリコン単結晶層の前記第２の面上に前記フォトダイオードと対応して設けられたオンチップマイクロレンズをさらに備えていることを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置。
- 前記シリコン単結晶層の前記第２の面上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの上にフォトダイオードと対応して設けられたオンチップマイクロレンズとをさらに備えていることを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009066877A JP5356872B2 (ja) | 2009-03-18 | 2009-03-18 | 個体撮像装置の製造方法 |
| PCT/JP2009/005509 WO2010106591A1 (ja) | 2009-03-18 | 2009-10-21 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US13/220,079 US20110316107A1 (en) | 2009-03-18 | 2011-08-29 | Solid-state image sensor and manufacturing method of the sensor |
| US14/061,750 US9018031B2 (en) | 2009-03-18 | 2013-10-23 | Manufacturing method of solid-state image sensor |
| US15/582,014 USRE47208E1 (en) | 2009-03-18 | 2017-04-28 | Manufacturing method of solid-state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009066877A JP5356872B2 (ja) | 2009-03-18 | 2009-03-18 | 個体撮像装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010219439A true JP2010219439A (ja) | 2010-09-30 |
| JP2010219439A5 JP2010219439A5 (ja) | 2012-04-26 |
| JP5356872B2 JP5356872B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=42739265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009066877A Active JP5356872B2 (ja) | 2009-03-18 | 2009-03-18 | 個体撮像装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US20110316107A1 (ja) |
| JP (1) | JP5356872B2 (ja) |
| WO (1) | WO2010106591A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8629482B2 (en) | 2012-01-18 | 2014-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2014027123A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2014045186A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Ultratech Inc | 不融解性薄膜ウェハのレーザアニール方法 |
| JP2015508233A (ja) * | 2012-02-08 | 2015-03-16 | ジーティーエイティー・コーポレーション | 裏面照射型センサを作製するための方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6032963B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-11-30 | キヤノン株式会社 | Ｓｏｉ基板、ｓｏｉ基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2014086553A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Toshiba Corp | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
| JP6118757B2 (ja) * | 2014-04-24 | 2017-04-19 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| JP6100200B2 (ja) * | 2014-04-24 | 2017-03-22 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| JP6598436B2 (ja) * | 2014-08-08 | 2019-10-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法 |
| US10083843B2 (en) | 2014-12-17 | 2018-09-25 | Ultratech, Inc. | Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times |
| FR3083000A1 (fr) * | 2018-06-21 | 2019-12-27 | Soitec | Substrat pour capteur d'image de type face avant et procede de fabrication d'un tel substrat |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10308355A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-17 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
| JPH10321548A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
| JP2008103668A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-05-01 | Fujifilm Corp | 裏面照射型撮像素子及びこれを備えた撮像装置 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0387753A1 (de) | 1989-03-17 | 1990-09-19 | Schott Glaswerke | Verfahren und Vorrichtung zum Schutz der proximalen Einkoppelseiten von Laserkathetern |
| FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
| JP3438369B2 (ja) * | 1995-01-17 | 2003-08-18 | ソニー株式会社 | 部材の製造方法 |
| JP2959704B2 (ja) | 1995-03-27 | 1999-10-06 | 信越半導体株式会社 | 結合ウェーハの製造方法及びこの方法により製造された結合ウェーハ |
| US6251754B1 (en) | 1997-05-09 | 2001-06-26 | Denso Corporation | Semiconductor substrate manufacturing method |
| JPH11307747A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Nec Corp | Ｓｏｉ基板およびその製造方法 |
| JP3385972B2 (ja) | 1998-07-10 | 2003-03-10 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ |
| FR2781929B1 (fr) * | 1998-07-28 | 2002-08-30 | St Microelectronics Sa | Capteur d'image a reseau de photodiodes |
| JP4228419B2 (ja) | 1998-07-29 | 2009-02-25 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウエーハの製造方法およびｓｏｉウエーハ |
| US6979588B2 (en) * | 2003-01-29 | 2005-12-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing CMOS image sensor having microlens therein with high photosensitivity |
| JP4046069B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2008-02-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
| JP4181487B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2008-11-12 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
| JP2005259828A (ja) | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| US7335963B2 (en) * | 2004-08-25 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Light block for pixel arrays |
| US7615808B2 (en) | 2004-09-17 | 2009-11-10 | California Institute Of Technology | Structure for implementation of back-illuminated CMOS or CCD imagers |
| US7202543B2 (en) * | 2005-03-07 | 2007-04-10 | Micron Technology, Inc. | Method and structure to reduce optical crosstalk in a solid state imager |
| US7919827B2 (en) * | 2005-03-11 | 2011-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and structure for reducing noise in CMOS image sensors |
| KR100710204B1 (ko) * | 2005-09-08 | 2007-04-20 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7777287B2 (en) * | 2006-07-12 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | System and apparatus providing analytical device based on solid state image sensor |
| US7781715B2 (en) * | 2006-09-20 | 2010-08-24 | Fujifilm Corporation | Backside illuminated imaging device, semiconductor substrate, imaging apparatus and method for manufacturing backside illuminated imaging device |
| KR100829378B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-05-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
| US20090200631A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Backside illuminated imaging sensor with light attenuating layer |
| JP5288823B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-09-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
| US7968923B2 (en) * | 2008-03-12 | 2011-06-28 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor array with conformal color filters |
| JP5269454B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-08-21 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子 |
| US8211732B2 (en) * | 2008-09-11 | 2012-07-03 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with raised photosensitive elements |
-
2009
- 2009-03-18 JP JP2009066877A patent/JP5356872B2/ja active Active
- 2009-10-21 WO PCT/JP2009/005509 patent/WO2010106591A1/ja active Application Filing
-
2011
- 2011-08-29 US US13/220,079 patent/US20110316107A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-10-23 US US14/061,750 patent/US9018031B2/en not_active Ceased
-
2017
- 2017-04-28 US US15/582,014 patent/USRE47208E1/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10308355A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-17 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
| JPH10321548A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
| JP2008103668A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-05-01 | Fujifilm Corp | 裏面照射型撮像素子及びこれを備えた撮像装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8629482B2 (en) | 2012-01-18 | 2014-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2015508233A (ja) * | 2012-02-08 | 2015-03-16 | ジーティーエイティー・コーポレーション | 裏面照射型センサを作製するための方法 |
| JP2014027123A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2014045186A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Ultratech Inc | 不融解性薄膜ウェハのレーザアニール方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9018031B2 (en) | 2015-04-28 |
| WO2010106591A1 (ja) | 2010-09-23 |
| JP5356872B2 (ja) | 2013-12-04 |
| US20140051203A1 (en) | 2014-02-20 |
| US20110316107A1 (en) | 2011-12-29 |
| USRE47208E1 (en) | 2019-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5356872B2 (ja) | 個体撮像装置の製造方法 | |
| EP2209140B1 (en) | Method for manufacturing solid-state image device | |
| CN100481474C (zh) | 固态成像装置、相机及制造固态成像装置的方法 | |
| TWI375320B (en) | Image sensor and manufacturing method thereof | |
| JP4997879B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに固体撮像装置及びその製造方法並びに撮像装置 | |
| JP2010503991A (ja) | 薄膜ｓｏｉを用いるイメージセンサ | |
| TW201027737A (en) | Technique for fabrication of backside illuminated image sensor | |
| TWI431765B (zh) | 固態影像拾取裝置及其製造方法、影像拾取裝置、半導體裝置及其製造方法、及半導體基板 | |
| JP5481419B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7884391B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| TW201238041A (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method of solid-state imaging device | |
| TW200929531A (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| JP2009065166A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
| JP2005268238A (ja) | 裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH09331052A (ja) | 裏面照射型固体撮像素子およびその製造方法 | |
| US20090179242A1 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| JP2008294479A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US8222587B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| JP2010157713A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
| JP2010098312A (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| JPH0613387A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2010067735A (ja) | 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置の基板の製造方法 | |
| KR20100050725A (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120306 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120306 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120306 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130702 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130829 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5356872 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |