JP2010210527A - 異物検査除去装置及び異物検査除去プログラム - Google Patents

異物検査除去装置及び異物検査除去プログラム Download PDF

Info

Publication number
JP2010210527A
JP2010210527A JP2009058765A JP2009058765A JP2010210527A JP 2010210527 A JP2010210527 A JP 2010210527A JP 2009058765 A JP2009058765 A JP 2009058765A JP 2009058765 A JP2009058765 A JP 2009058765A JP 2010210527 A JP2010210527 A JP 2010210527A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
foreign matter
unit
foreign
removal
substrate surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009058765A
Other languages
English (en)
Inventor
Toyoki Kanzaki
豊樹 神崎
Kunio Otsuki
久仁夫 大槻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Horiba Ltd
Original Assignee
Horiba Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Horiba Ltd filed Critical Horiba Ltd
Priority to JP2009058765A priority Critical patent/JP2010210527A/ja
Priority to TW099105970A priority patent/TW201034100A/zh
Priority to CN201010125541A priority patent/CN101832949A/zh
Priority to DE102010010106A priority patent/DE102010010106A1/de
Priority to KR1020100019967A priority patent/KR20100102538A/ko
Priority to US12/721,865 priority patent/US8279432B2/en
Publication of JP2010210527A publication Critical patent/JP2010210527A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N2021/1748—Comparative step being essential in the method
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
    • G01N2021/945—Liquid or solid deposits of macroscopic size on surfaces, e.g. drops, films, or clustered contaminants
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

【課題】自動的に異物除去の有無を判断することによるユーザの作業負担の軽減及び判断誤差の排除、基板Ｗの破損防止並びに作業時間の長期化を防ぐ。
【解決手段】基板表面の付着異物の異物情報を取得する異物情報取得部３と、付着異物を除去する異物除去部４と、基板表面Ｗ１の各領域毎に設定された閾値と、異物情報取得部３により得られた各領域毎の異物情報とを比較する比較部５４と、比較部５４の比較結果に基づいて異物除去部４により前記基板表面Ｗ１の異物を除去させる異物除去制御部５５と、を具備する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハ上に回路パターンを転写するためのレチクル等の基板表面上に付着した異物を検査して除去する異物検査除去装置及び異物検査除去プログラムに関するものである。
基板表面の異物を検査する異物検査装置としては、特許文献１に示すように、基板表面上に検査光を照射する照射光学系と、前記基板表面からの反射散乱光を検出する検出光学系と、当該検出光学系により得られた光強度信号に基づいて基板表面上の異物を有無を判断する情報処理装置と、を備えたものがある。
そして従来、この異物検査装置の検査結果により基板表面上に異物があった場合には、一旦異物検査装置内から取り出し、エアガンなどを用いたユーザの手作業により異物を除去している。
しかしながら、ユーザの手作業により基板表面に付着した異物を除去する際に、基板を破損してしまう恐れがあり、除去作業には熟練したスキルが必要になる。特に、基板がペリクル付きレチクルの場合には、ペリクルが破損しやすく、手作業による異物除去には細心の注意が必要となる。また、除去するか否かの判断をユーザが行うので、異物除去作業の要否確認が煩雑になるだけでなく、ユーザによって判断誤差があり、除去すべき異物を見落としてしまう可能性もある。
一方で、異物検査装置側において、異物の有無を判断して異物を除去するものも考えられているが、基板内の各領域の種類に関わらず画一的に判断するものがある。
しかしながら、精密な回路パターンが形成されている領域においては、小さい異物であっても除去する必要がある。一方、粗い回路パターンが形成されている領域又は回路パターンが形成されていない領域においては必ずしも小さい異物まで除去する必要がない。このように、基板表面の各領域毎に、除去すべき異物とそうでない異物とが決まることから、画一的に所定サイズの異物を検出した場合に異物除去を行うと、必ずしも除去する必要のない異物によって除去作業が進行してしまい、作業時間の長期化を招いてしまう。
特開２００６−１０５４４号公報 特開２００６−３００７０５号公報
そこで本発明は、上記問題点を一挙に解決するためになされたものであり、自動的に異物除去の有無を判断することによるユーザの作業負担の軽減及び判断誤差の排除並びに作業時間の長期化を防ぐことをその主たる所期課題とするものである。
すなわち本発明に係る異物検査除去装置は、以下の（１）〜（４）を具備することを特徴とする。
（１）基板表面に付着した異物の異物情報を取得する異物情報取得部。
（２）前記付着した異物を除去する異物除去部。
（３）前記基板表面の各領域毎に設定された異物除去を行うための条件と、前記異物情報取得部により得られた各領域毎の異物情報とを比較する比較部。
（４）前記比較部の比較結果により前記異物情報が前記条件を満たす場合に、前記異物除去部により前記基板表面の異物を除去させる異物除去制御部。
このようなものであれば、基板表面の各領域毎に条件を設けて、当該条件を満たす場合にのみ異物除去を行うというように、基板表面の各領域毎に異物除去を行うか否かを判断するので、不必要な異物除去作業を省略することができる。したがって、異物除去作業を含む基板の洗浄回数を減らすことができ、作業時間の長期化を防ぎ、ランニングコストを削減することができる。また、ユーザに異物の大きさ又は数等の異物情報を判断させることなく自動的に行うので、ユーザ毎の判断誤差を排除することができる。また、ユーザによる除去作業ではなく、機械により除去作業を行うので、ユーザの負担を軽減するとともに、基板の破損などの危険性を低減することができ、除去スキルを不要とすることができる。
前記基板が半導体ウエハ上に回路パターンを転写するためのレチクル又はペリクルが装着されたレチクルであり、前記各領域が当該レチクルに形成された異なる回路パターン毎に設定されていることが望ましい。これならば、レチクルに形成された回路パターンのサイズによって許容される付着異物の大きさが異なるところ、上記発明による効果を一層顕著にすることができる。また、ペリクルが装着されたレチクルでは、ユーザによる洗浄によって、特に破損しやすいという問題があるが、装置側に異物除去作業を行わせることにより、ペリクルの破損を防止することができ、ペリクルの交換回数を減らすことができ、ランニングコストを大幅に削減することができる。さらに、回路パターン毎に付着異物が許容されるか否かを判断することにより、洗浄回数を削減することができ、レチクルに形成された回路パターンそのものの延命化に繋がり、これによってレチクルにかかるコストを低減することができる。
また、本発明に係る異物検査除去プログラムは、基板表面に付着した異物の異物情報を取得する異物情報取得部と、前記付着した異物を除去する異物除去部と、を用いて基板表面上に付着した異物を検査して除去する異物検査除去プログラムであって、前記基板表面の各領域毎に設定された異物除去を行うための条件と、前記異物情報取得部により得られた各領域毎の異物情報とを比較する比較部と、前記比較部の比較結果により前記異物情報が前記条件を満たす場合に、前記異物除去部により前記基板表面の異物を除去させる異物除去制御部と、としての機能をコンピュータに発揮させることを特徴とする。
このように構成した本発明によれば、自動的に異物除去の有無を判断することによるユーザの作業負担の軽減及び判断誤差の排除、基板の破損防止並びに作業時間の長期化を防ぐことができる。
本発明の一実施形態に係る異物検査除去装置の全体構成図である。 同実施形態の異物情報取得部の構成を示す模式図である。 同実施形態の異物除去部の構成を示す模式図である。 同実施形態の情報処理装置の機能構成を示す図である。 レチクルの各領域を示す模式図である。
以下に本発明に係る異物検査除去装置の一実施形態について図面を参照して説明する。
＜装置構成＞
本実施形態に係る異物検査除去装置１００は、例えば半導体ウエハ上に回路パターンを転写するためのレチクルに保護膜であるペリクルを装着してなる基板Ｗの表面Ｗ１に付着した異物の検査及び除去を行うものであり、図１に示すように、架台２と、基板表面Ｗ１の異物情報を取得する異物情報取得部３と、基板表面Ｗ１に付着した異物を除去する異物除去部４と、異物情報取得部３からの出力信号を取得して、基板表面Ｗ１の異物情報を算出するとともに、当該異物情報に基づいて異物除去部４を制御する情報処理装置５と、を備えている。そして、この異物検査除去装置は、１つの架台２内に異物情報取得部３及び異物除去部４を収容してミニエンバイロメント構造としている。
異物情報取得部３は、基板表面Ｗ１上に付着した異物の有無、大きさ及びその位置等の異物情報を取得するための光散乱式のものであり、図２に示すように、移動ステージ６に載せた基板Ｗの表面Ｗ１に検査光を走査しながら照射する光照射部３１と、検査光が照射された基板表面からの反射散乱光を検出する光検出部３２と、を備えている。
移動ステージ６は、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動可能なものであり、検査中はＹ方向に一定速度で移動するように、後述する情報処理装置５の異物検査制御部５１によって制御される。そして、その上面に基板であるペリクル付きレチクルＷなどが水平に載置されるものである。なお、移動ステージ６は、異物除去中においてはＸ方向及びＹ方向に一定速度で移動するように、後述する情報処理装置５の異物除去制御部５５によって制御される。
光照射部３１は、移動ステージ６に載置されたレチクルＷに検査光を走査しながら照射するものであり、レーザ光を発する光源３１ａと、レーザ光をＸ方向にスキャニングする走査ミラ３１ｂと、集光光学系３１ｃとを備え、光源３１ａからのレーザ光を検査対象物の所定角度斜め上方から、Ｘ方向（図２中紙面に垂直な方向）に直線的に往復走査しながら照射するように構成されている。本実施形態では、光源３１ａとしてＨｅＮｅレーザなどのレーザ管を用いている。また、走査ミラ３１ｂは後述する情報処理装置５の異物検査制御部５１によって制御されている。
光検出部３２は、基板表面Ｗ１からの反射散乱光を検出するものであり、本実施形態では２つの光検出部３２が、検査対象物Ｗの斜め上方に図示しない保持部材によって配置されており、それぞれ集光レンズ、反射散乱光に対する入射光制限用スリットを有する固定スリット板（いずれも不図示）及び光検出器３２ａ（例えば光電子増倍管）などからなる。また、光検出部３２は、信号処理器３２ｂを備えている。
異物除去部４は、基板表面Ｗ１に付着した異物をガス（空気、不活性ガス、液滴（ミスト）混じりのガス等）を吹き付けることにより除去するものであり、図３に示すように、送風機４１からの空気を外部に吐き出す吹出口と、外部からの空気を吸引機４３によって吸い込む吸込口とが形成されたノズル４２を備えている。ノズル４２及び送風機４１並びにノズル４２及び吸引機４３は、それぞれ可撓性を有する配管４４により接続され、送風機４１及び吸引機４３は架台２外に設けられている。また、ノズル４２は、移動機構７により基板表面Ｗ１に対向して移動可能に設けられている。
移動機構７は、前記ノズル４２をノズル４２から吹き出されるガスが基板表面Ｗ１に対して垂直に当たるように保持するとともに、異物検査された基板Ｗの種類又は領域（回路パターン等毎に設定される。）に応じて、ノズル４２の吹出口と基板表面Ｗ１との距離を一定にするものである。より詳細には、移動機構７は、基板Ｗのサイズ等の規格毎及び／又はペリクルの有無に対応した高さ位置に段階的にノズル４２を移動させて、ノズル４２の吹出口と基板表面Ｗ１との距離を一定になるようにしている。具体的な構成は、基板表面Ｗ１に対して垂直（つまりＺ方向）に延設されたレール部材７１と、当該レール部材７１をスライド移動するとともに、ノズル４２が固定される固定部材７２と、レール部材７１に対して固定部材７２を移動させるステッピングモータ又はサーボモータ等のアクチュエータを有する駆動部（不図示）とを備えている。そして、駆動部は、後述する情報処理装置５の異物除去制御部５５によって制御されている。
情報処理装置５は、移動ステージ６及び光照射部３１を制御し、光検出部３２からの光強度信号を受信して基板表面Ｗ１内の異物情報を算出するとともに、これによって得られた異物情報に基づいて移動ステージ６、送風機４１及び移動機構７を制御する。その機器構成はＣＰＵ、内部メモリ、外部メモリ、入出力インタフェース、ＡＤ変換器等からなる汎用又は専用のコンピュータであり、前記内部メモリ又は外部メモリの所定領域に格納してあるプログラムに基づいてＣＰＵやその周辺機器等が作動することにより、図４に示すように、異物検査制御部５１、照射位置算出部５２、異物算出部５３、条件データ格納部Ｄ１、比較部５４、異物除去制御部５５、画面表示部５６等として機能する。
異物検査制御部５１は、移動ステージ６をＹ方向に一定速度で移動するように制御し、走査ミラ３１ｂの振り角を制御するものであり、それらの制御信号を移動ステージ６及び走査ミラ３１ｂに出力するとともに照射位置算出部５２に出力するものである。
照射位置算出部５２は、異物検査制御部５１から取得した制御信号から、移動ステージ６のＹ方向位置、走査ミラ３１ｂの振り角から基板表面内での光照射位置を算出し、光照射位置のデータである照射位置データを異物算出部５３に出力するものである。
異物算出部５３は、検査光を照射したときの光強度信号及びその照射位置データを受け付け、基板表面Ｗ１の異物情報を算出するものである。異物情報としては、基板表面Ｗ１上の異物の有無、当該異物の大きさ、位置の他、表面Ｗ１全体及び／又は各領域における異物数、異物密度（異物数／面積（各領域の面積又は単位面積）、個数×大きさ／面積（各領域の面積又は単位面積））等である。そして、当該算出結果である異物情報を示す異物情報データを画面表示部５６に出力するとともに、比較部５４に出力するものである。
条件データ格納部Ｄ１は、基板表面Ｗ１の各領域における異物除去を行うための条件を示す条件データを格納している。本実施形態の条件データ格納部Ｄ１は、異物除去を行うための閾値を示す閾値データを格納している。ここで異物除去を行うための閾値とは、図５に示すように、レチクルに形成された回路パターン又はその緻密度（サイズ）によって区画される少なくとも２つ以上の領域毎に設定されており、本実施形態では、当該領域において付着が許容される異物の大きさである。この異物の大きさは、例えば異物の面積、最大長さ等とすることができる。例えば、回路パターンの細かい領域（図５中（ａ）（ｄ））では、許容される異物の大きさ（閾値）は小さく設定され、回路パターンの粗い領域（図５中（ｂ）（ｃ）（ｅ））では、異物の大きさ（閾値）は大きく設定される。なお、前記領域は、回路パターン等によって装置側で自動的に設定するようにしても良いし、ユーザが任意に設定するようにして良い。また、基板表面Ｗ１の各領域及び当該領域毎の閾値は、予めユーザにより設定されて、それらのデータが閾値データ格納部に記憶される。
比較部５４は、各領域毎に異物情報と閾値とを比較するものであり、異物算出部５３から異物情報データを受け付けるとともに、閾値データ格納部Ｄ１から閾値データを取得して、異物情報が示す各領域毎の異物の大きさと、当該領域毎に設定された閾値とを比較する。そして、比較部５４は、その比較結果を示す比較結果データを異物除去制御部５５に出力する。また、画面表示部５６が比較結果を表示する場合には、比較結果データを画面表示部５６に出力する。
異物除去制御部５５は、前記比較部５４から受信した比較結果に基づいて、送風機４１、移動機構７及び移動ステージ６を制御するものである。具体的に異物除去制御部５５は、比較結果により、所定領域に付着した異物が、当該所定領域に設定された閾値を超えている場合（閾値よりも大きい場合）には、当該所定領域に付着した異物を除去するために、移動ステージ６を制御して、ノズル４２を所定領域に移動させる。
また、異物除去制御部５５は、移動機構７を制御して、予め入力された基板Ｗの種類に応じて、基板表面Ｗ１とノズル４２の吹出口との距離を、異物除去性能を発揮する所定の距離にする。そして、送風機４１により空気をノズル４２の吹出口から所定領域に吹き付けることによって付着した異物を除去し、吸引機４３によりノズル４２の吸引口から除去された異物を吸引する。このとき、異物除去制御部５５は、ノズル４２を走査させながら空気を基板表面Ｗ１に連続的に吹き付ける。また、異物除去制御部５５は、送風機４１及び吸引機４３を制御して、ノズル４２の吹出口から吹き出される空気の流量を調整するとともに、ノズル４２の吸引口から吸引される空気の流量を調整する。これによって、種々の基板Ｗに対して、最適な吹出及び吸引を行うことができる。
画面表示部５６は、異物算出部５３からの算出結果データを受信し、算出結果を画面上に表示するものである。また、画面表示部５６は、比較部５４からの比較結果データを受信し、比較の結果、閾値を超えた異物のみを画面上に表示することもできる。
次に本実施形態の異物検査除去装置１００の動作について説明する。
まず露光に使用するペリクル付きレチクル（基板Ｗ）を異物検査除去装置１００の架台２内に収容された移動ステージ６上に載置する。
その後、異物検査制御部５１により移動ステージ６及び光照射部３１を制御することにより、検査光を走査させる。このとき得られた反射散乱光により、異物算出部５３が基板表面Ｗ１の異物情報を算出する。これによって得られた異物情報データ及び閾値データを比較部５４が取得して、異物情報に含まれる異物の大きさと閾値とを各領域毎に比較する。そして、異物除去制御部５５が、異物を除去する必要があるか否かを各領域毎に判断する。
異物除去制御部５５は、比較結果により、異物サイズが閾値よりも大きい場合に、送風機４１、移動ステージ６及び移動機構７を制御することによって、閾値を超えた異物が付着した領域に空気を吹き付けることによって、当該異物を除去する。
その後、異物除去が確実にできたか否かを判断するために、異物検査制御部５１が移動ステージ６及び光照射部３１を制御することによって、再度異物検査を行う。
なお、異物除去の信頼性を高めるために上記工程を複数回繰り返すことが望ましい。また、繰り返す回数としては、基板Ｗの種類によって設定可能である。このとき、繰り返す回数を基板Ｗの種類毎に予め決めておき、その繰り返しデータをメモリに格納しておき、自動的に判断して繰り返すようにしても良い。
上記の異物検査除去工程は、ペリクル付きレチクル（基板Ｗ）を用いた露光工程終了後、当該基板Ｗを収納する基板収納ケースに収納する前に行うことが好ましい。これならば、基板表面Ｗ１に付着した異物は時間の経過とともに除去しにくくなるところ、露光工程終了直後に異物除去することにより、異物除去を容易に行うことができる。
＜本実施形態の効果＞
このように構成した本実施形態に係る異物検査除去装置１００によれば、基板表面Ｗ１の各領域毎に閾値を設けて、当該閾値を超えた場合にのみ異物除去を行うというように、基板表面Ｗ１の各領域毎に異物除去を行うか否かを判断するので、不必要な異物除去作業を省略することができる。したがって、異物除去作業を含む基板Ｗの洗浄回数を減らすことができ、作業時間の長期化を防ぎ、ランニングコストを削減することができる。また、ユーザに異物の大きさを判断させることなく自動的に行うので、ユーザ毎の判断誤差を排除することができる。また、ユーザによる除去作業ではなく、機械により除去作業を行うので、ユーザの負担を軽減するとともに、基板Ｗの破損などの危険性を低減することができ、除去スキルを不要とすることができる。
＜その他の変形実施形態＞
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
例えば、表面情報取得部としては、光散乱方式の異物検査装置のほかに、顕微鏡を用いて表面画像を取得するものであってもよい。
また、前記実施形態の基板は、ペリクルが装着されたレチクルであったが、レチクル単体であっても良いし、その他、半導体基板、ガラス基板など各種基板の異物検査除去を行うものであっても良い。
さらに、前記実施形態では、異物情報取得部及び異物除去部を１つの情報処理装置により制御しているが、異物情報取得部及び異物除去部それぞれに専用の情報処理装置を設け、それら情報処理装置間で信号の送受信を行うようにして良い。
その上、前記実施形態の異物除去部の基板に対するＸＹＺ方向の相対移動は、移動ステージ及び移動機構により行っているが、移動機構のみにより行っても良い。この場合、移動機構は、ノズルをＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向にそれぞれ移動させるＸ方向移動機構、Ｙ方向移動機構及びＺ方向移動機構を備えるものである。また、上記ノズルの相対移動は、移動ステージのみによって行うことができることは言うまでもない。このとき、ノズルの移動機構は不要とすることができる。
加えて、前記実施形態では異物の大きさを閾値としているが、その他、各領域に含まれる異物数、異物密度等の最大値を閾値としても良い。また、異物の大きさ、異物数又は異物密度等の少なくとも２つ以上を組み合わせて閾値としても良い。
異物除去を行うための条件として閾値を設定し、当該閾値よりも大きい場合に異物除去を行うようにしているが、その他、異物の形状を条件としても良いし、異物の大きさ等の範囲を条件としても良い。異物の形状を条件とする場合には、例えば異物のアスペクト比（長辺／短辺）における所定値を閾値として、当該閾値よりも大きい異物であれば異物除去を行うようにしても良い。このように、アスペクト比に閾値を設けることによって、例えば糸などの除去し易い異物を重点的に除去することができる。
さらに加えて、前記実施形態では、異物情報取得部及び異物除去部が基板の一方面（上面）側にのみ設けられ、基板の一方面（上面）のみの異物検査及び異物除去を行うものであったが、異物情報取得部及び異物除去部を基板の両面側双方に設けて、基板の一方面（上面）及び他方面（下面）の両方の異物検査及び異物除去を行うように構成しても良い。
また、異物情報取得部が異物情報を取得する領域を設定する取得領域設定部をさらに備え、異物情報取得部が、当該取得領域設定部により設定された領域のみの異物情報を取得し、比較部によって比較するようにしても良い。また、比較部が比較する領域を設定する比較領域設定部をさらに備え、比較部が、当該比較領域設定部により設定された領域のみを比較するようにしても良い。取得領域設定部又は比較領域設定部が設定する領域は、例えば異物が付着しやすい領域又は回路パターンの細かい領域等が考えられる。なお、設定にあたっては、装置側で自動的に設定するようにしても良いし、ユーザが任意に設定するようにしても良い。このように一部の異物検査を行う場合であっても、異物除去は基板表面全体の異物除去を行うようにする。これによって、異物検査の時間を短縮することができる。
前記実施形態の異物除去部は、基板表面にガスを吹き付けることによって異物除去を行うものであったが、例えば先端が先鋭化された針を用いて基板表面上に付着した異物を除去するものであっても良い。
また、前記実施形態の異物除去制御部は、基板の種類に関わらず、基板表面とノズルの吹出口との距離を一定にするものであったが、基板の種類に応じて、基板表面とノズルの吹出口との距離を可変にするものであっても良い。
さらに、前記実施形態では、異物検査除去装置として異物情報取得部及び異物除去部を一体に有するものであったが、異物情報取得部と異物除去部を別々に設け、搬送機構によって異物情報取得部及び異物除去部間で基板を搬送させる等して組み合わせることによって異物検査除去を行うようにしても良い。
前記実施形態では、異物除去が確実にできたか否かを判断するために、異物情報取得部によって再度異物検査を行うものであったが、再度異物検査を行わないものであっても良い。
その他、前述した実施形態や変形実施形態の一部又は全部を適宜組み合わせてよいし、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
１００・・・異物検査除去装置
Ｗ ・・・基板（ペリクル付きレチクル）
Ｗ１ ・・・基板表面
２ ・・・架台
３ ・・・異物情報取得部
４ ・・・異物除去部
５ ・・・情報処理装置
５４ ・・・比較部
５５ ・・・異物除去制御部

Claims (3)

  1. 基板表面に付着した異物の異物情報を取得する異物情報取得部と、
    前記付着した異物を除去する異物除去部と、
    前記基板表面の各領域毎に設定された異物除去を行うための条件と、前記異物情報取得部により得られた各領域毎の異物情報とを比較する比較部と、
    前記比較部の比較結果により前記異物情報が前記条件を満たす場合に、前記異物除去部により前記基板表面の異物を除去させる異物除去制御部と、を具備する異物検査除去装置。
  2. 前記基板が半導体ウエハ上に回路パターンを転写するためのレチクル又はペリクルが装着されたレチクルであり、前記各領域が当該レチクルに形成された異なる回路パターン毎に設定されている請求項１記載の異物検査除去装置。
  3. 基板表面に付着した異物の異物情報を取得する異物情報取得部と、前記付着した異物を除去する異物除去部と、を用いて基板表面上に付着した異物を検査して除去する異物検査除去プログラムであって、
    前記基板表面の各領域毎に設定された異物除去を行うための条件と、前記異物情報取得部により得られた各領域毎の異物情報とを比較する比較部と、
    前記比較部の比較結果により前記異物情報が前記条件を満たす場合に、前記異物除去部により前記基板表面の異物を除去させる異物除去制御部と、としての機能をコンピュータに発揮させる異物検査除去プログラム。
JP2009058765A 2009-03-11 2009-03-11 異物検査除去装置及び異物検査除去プログラム Pending JP2010210527A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009058765A JP2010210527A (ja) 2009-03-11 2009-03-11 異物検査除去装置及び異物検査除去プログラム
TW099105970A TW201034100A (en) 2009-03-11 2010-03-02 Filth inspection and removal device, and filth inspection and removal program
CN201010125541A CN101832949A (zh) 2009-03-11 2010-03-02 异物检查和去除装置及异物检查去除程序
DE102010010106A DE102010010106A1 (de) 2009-03-11 2010-03-04 Vorrichtung zur Prüfung und Entfernung von Partikeln und Programm zur Prüfung und Entfernung von Partikeln
KR1020100019967A KR20100102538A (ko) 2009-03-11 2010-03-05 이물 검사 제거 장치 및 이물 검사 제거 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
US12/721,865 US8279432B2 (en) 2009-03-11 2010-03-11 Particle inspection and removal apparatus and particle inspection and removal program

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009058765A JP2010210527A (ja) 2009-03-11 2009-03-11 異物検査除去装置及び異物検査除去プログラム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010210527A true JP2010210527A (ja) 2010-09-24

Family

ID=42717092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009058765A Pending JP2010210527A (ja) 2009-03-11 2009-03-11 異物検査除去装置及び異物検査除去プログラム

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8279432B2 (ja)
JP (1) JP2010210527A (ja)
KR (1) KR20100102538A (ja)
CN (1) CN101832949A (ja)
DE (1) DE102010010106A1 (ja)
TW (1) TW201034100A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013125289A1 (ja) * 2012-02-24 2013-08-29 富士フイルム株式会社 露光描画装置及び露光描画方法
WO2022064950A1 (ja) * 2020-09-24 2022-03-31 株式会社デンソー 異物除去装置及び異物除去方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5889537B2 (ja) 2011-03-23 2016-03-22 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ
JP2013084677A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Toshiba Corp 異物検査装置および半導体製造装置
JP5984424B2 (ja) * 2012-02-27 2016-09-06 国立大学法人京都大学 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理装置
KR20160031274A (ko) * 2014-09-12 2016-03-22 삼성전자주식회사 레티클 검사 장치 및 방법
US10581283B2 (en) * 2016-12-14 2020-03-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for controlling power transmitting device, method for detecting foreign object, and power transmitting device in wireless power transmission system
JP7170491B2 (ja) * 2018-10-12 2022-11-14 キヤノン株式会社 異物検出装置、露光装置及び物品の製造方法
CN109712912B (zh) * 2018-12-06 2023-07-18 通富微电子股份有限公司 一种芯片倒装设备及方法
CN112578637A (zh) * 2019-09-27 2021-03-30 长鑫存储技术有限公司 承载台污染的改善方法及光刻机
CN111158219A (zh) * 2020-01-16 2020-05-15 上海御微半导体技术有限公司 一种掩膜板缺陷检测和颗粒去除的装置及方法
JP2021173914A (ja) * 2020-04-28 2021-11-01 キヤノン株式会社 情報処理装置、及び情報処理方法
CN112985260B (zh) * 2021-02-04 2022-11-22 捷普电子(新加坡)公司 一种颗粒检测和移除的方法及设备
CN114433570B (zh) * 2022-04-06 2022-06-21 深圳市龙图光电有限公司 半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法及设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002169267A (ja) * 2000-11-29 2002-06-14 Sony Corp マスク検査装置およびこれを用いた露光方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4468120A (en) * 1981-02-04 1984-08-28 Nippon Kogaku K.K. Foreign substance inspecting apparatus
JPH03221848A (ja) * 1990-01-26 1991-09-30 Canon Inc 異物検査装置
TW285721B (ja) * 1994-12-27 1996-09-11 Siemens Ag
JP3140664B2 (ja) * 1995-06-30 2001-03-05 松下電器産業株式会社 異物検査方法及び装置
JP4080087B2 (ja) * 1999-02-01 2008-04-23 株式会社日立製作所 分析方法，分析システム及び分析装置
US7135344B2 (en) * 2003-07-11 2006-11-14 Applied Materials, Israel, Ltd. Design-based monitoring
JP2006010544A (ja) 2004-06-28 2006-01-12 Horiba Ltd 異物検査装置および異物検査方法
JP4334429B2 (ja) * 2004-07-16 2009-09-30 東レエンジニアリング株式会社 光学的測定方法及び光学的測定装置
JP2006300705A (ja) 2005-04-20 2006-11-02 Shimadzu Corp 異物検査装置
JP4909691B2 (ja) * 2006-09-20 2012-04-04 株式会社東芝 電子部品の実装状態検査方法、電子部品の実装状態検査装置及び電子機器の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002169267A (ja) * 2000-11-29 2002-06-14 Sony Corp マスク検査装置およびこれを用いた露光方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013125289A1 (ja) * 2012-02-24 2013-08-29 富士フイルム株式会社 露光描画装置及び露光描画方法
JP2013175599A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Fujifilm Corp 露光描画装置、プログラム及び露光描画方法
WO2022064950A1 (ja) * 2020-09-24 2022-03-31 株式会社デンソー 異物除去装置及び異物除去方法
JP7473664B2 (ja) 2020-09-24 2024-04-23 株式会社デンソー 異物除去装置及び異物除去方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101832949A (zh) 2010-09-15
KR20100102538A (ko) 2010-09-24
DE102010010106A1 (de) 2010-10-28
US20100229902A1 (en) 2010-09-16
US8279432B2 (en) 2012-10-02
TW201034100A (en) 2010-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010210527A (ja) 異物検査除去装置及び異物検査除去プログラム
US6327021B1 (en) Mask inspection system and method of manufacturing semiconductor device
JP5679866B2 (ja) 塗布装置および塗布方法
JP2011022308A (ja) ペリクル検査装置、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法
CN1739865A (zh) 基板处理装置
JP2000230910A (ja) 基板の付着異物検査装置および付着異物除去装置および付着異物除去方法
JP2007316551A (ja) 異物除去装置
US9759669B2 (en) Inspection device
JP3880728B2 (ja) 描画装置
KR101138041B1 (ko) 인라인 기판 검사 장치의 광학 시스템 교정 방법 및 인라인 기판 검사 장치
JP2007078356A (ja) 欠陥検査装置
KR20100035512A (ko) 마스크 리페어 장치 및 방법
JP2008039419A (ja) パターン欠陥検査装置
JPH1038815A (ja) 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP2008076071A (ja) 基板検査装置及び基板検査方法
JPWO2016199237A1 (ja) 検出方法
JP3307280B2 (ja) レーザ加工装置
KR101086306B1 (ko) 마스크 리페어 장치
KR20090044540A (ko) 레티클 세정 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP2010142839A (ja) レーザ加工状態検査方法及び装置並びにソーラパネル製造方法
WO2016135910A1 (ja) 検査装置、および検査方法
KR100416660B1 (ko) 노광시스템의 페리클 검사장치
JP2006272207A (ja) 塗布装置
JP2007288039A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法、液体処理装置
JP2009293953A (ja) 異物検査装置及び方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130402

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140225