JP7170491B2 - 異物検出装置、露光装置及び物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、異物検出装置、露光装置及び物品の製造方法に関する。

半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク（原版）に形成された微細なパターンを基板（ガラス基板など）に転写する露光工程を経て製造されている。かかる露光工程において、マスク上や基板上に埃、塵、傷などの異物が存在していると、基板に転写されるパターンに欠陥が発生してしまう。そこで、一般的には、露光工程を実施する前に、異物検出装置を用いて、マスク上や基板上の異物を検出している（異物の有無を検査している）。

異物検出装置は、主に、マスクや基板（検出対象物）に対して光を斜めから照射する照射部と、照射領域に存在する異物からの光（反射光や散乱光）を検出する受光部とを有する。ここで、受光部は、マスクや基板の上面からの正反射光やマスクや基板の下面で屈折又は反射された光を検出しないように配置されている。このような異物検出装置に関する技術は、従来から提案されている（特許文献１乃至３参照）。

特許文献１には、照射部と受光部との間に遮光板を設けることで、異物の誤検出を抑制する技術が開示されている。かかる遮光板は、照射部からの光を検出対象物側に通過させるとともに、検出対象物の上面からの反射光を受光部側に通過させ、且つ、検出対象物の下面からの反射光が受光部側に通過することを防止する。

特許文献２には、検出対象物をライン状の光で照射する照射部と、ラインセンサ（カメラ）を含む受光部とを有する異物検出装置において、照射部又は受光部の角度を変更することで、検出対象物の上面及び下面に存在する異物を検出する技術が開示されている。

特許文献３には、透明な板状の検出対象物の割断面を検査する技術として、照射部と受光部とを割断面に対して平行移動させながら割断面からの反射光を検出すること（反射光の検出の有無）によって、割断面の検査を行うことが開示されている。

特開２０１０－１０７４７１号公報 特許第４１５７０３７号公報 特開２００８－１１５０３１号公報

従来の異物検出装置では、マスクのパターンで発生した回折光が受光部で検出されることに起因する異物の誤検出を、例えば、遮光板を用いることで防止している。しかしながら、検出対象物が厚みのある透明な部材（以下、透明部材）で、且つ、透明部材の側面が荒摺り面である場合、透明部材を照明する光が内部に進入し、透明部材の側面（荒摺り面）で回折光が発生してしまう。透明部材の側面からの回折光は、透明部材に形成されたパターンを照明する光となり（即ち、透明部材の側面が２次光源として機能し）、受光部で検出されることになるため、かかる回折光によるノイズが異物として誤検出されてしまう。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、透明部材上の異物を検出するのに有利な異物検出装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての異物検出装置は、透明部材上の異物を検出する異物検出装置であって、前記透明部材に対して斜めに光を照射する照射部と、前記照射部によって前記光が照射された前記透明部材上の異物からの散乱光を検出する受光部と、前記異物を検出する処理を行う処理部と、を有し、前記処理は、前記照射部と前記受光部との相対位置を、前記照射部と前記受光部との間の距離が第１距離となる第１状態とし、前記第１状態において前記受光部で検出される前記散乱光の分布に基づいて前記異物を検出する第１モードと、前記照射部と前記受光部との相対位置を、前記照射部と前記受光部との間の距離が前記第１距離よりも長い第２距離となる第２状態とし、前記第２状態において前記受光部で検出される前記散乱光の分布に基づいて前記異物を検出する第２モードと、を含み、前記処理部は、前記透明部材の側面の特性を示す情報を取得し、前記情報に応じて、前記第１モード又は前記第２モードを選択することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、透明部材上の異物を検出するのに有利な異物検出装置を提供することができる。

本発明の第１実施形態における異物検出装置の構成を示す概略図である。 透明平板の側面の特性の違いに起因する受光部への影響を説明するための図である。 透明平板の側面の特性の違いに起因する受光部への影響を説明するための図である。 図１に示す異物検出装置の照射部と受光部との相対位置の一例を示す図である。 本実施形態における異物検出処理を説明するための図である。 本発明の第２実施形態における異物検出装置の構成を示す概略図である。 本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態における異物検出装置１００の構成を示す概略図である。異物検出装置１００は、異物検出対象物上の異物を検出する装置である。異物検出装置１００は、図１に示すように、ステージ６と、照射部１０と、受光部１１と、処理部１２と、生成部１３と、駆動部３０とを有する。

本実施形態では、異物検査対象物を、透明な部材（透明部材）、例えば、一定の厚さを有する、比較的厚さのある透明平板３とする。透明平板３は、透明平板３の上面（表面）の異物検査対象領域内の異物検出を実施するために、ステージ６に保持されている。異物検出装置１００は、本実施形態では、透明平板３を保持したステージ６をＹ方向に移動させながら、透明平板上の異物検出を実施するが、これに限定されるものではない。例えば、照射部１０及び受光部１１を保持するステージ（不図示）をＹ方向に移動させながら、透明平板上（透明部材上）の異物検出を実施してもよい。

照射部１０は、光を射出する光源１と、照射レンズ２とを含み、透明平板３に対して斜めに光を照射する。照射部１０からの光は、透明平板３の上面の異物検出対象領域内に、法線に対して角度を有して（斜めの方向から）入射する。また、照射部１０は、透明平板上の異物からの散乱光を受光部１１で検出するために、透明平板３に入射させる光の角度を調整する角度調整部を含んでいてもよい。

受光部１１は、受光レンズ４と、ディテクタ５とを含み、照射部１０によって光が照射された透明平板上の異物で散乱した光（散乱光）を受光する。透明平板上の異物からの散乱光は、受光レンズ４を介して、ディテクタ５に入射する。また、受光部１１は、透明平板３の上面からの正反射光がディテクタ５に入射しないように、透明平板３に対する受光部１１の角度を調整する角度調整部を含む。

処理部１２は、例えば、ＣＰＵやメモリなどを含むコンピュータで構成され、記憶部に記憶されたプログラムに従って異物検出装置１００の各部を統括的に制御して異物検出装置１００を動作させる。処理部１２は、本実施形態では、透明平板上の異物を検出する処理（異物検出処理）を行う。

駆動部３０は、透明平板３の表面に平行な方向（Ｙ方向）に沿って、照射部１０を移動させる。駆動部３０には、当業界で周知のいかなる技術をも適用可能であるため、その構成などの詳細な説明は省略する。

ここで、図２及び図３を参照して、透明平板３の側面３ａの面加工処理の違い、即ち、透明平板３の側面３ａの特性の違いに起因する受光部１１への影響について説明する。図２は、透明平板３の側面３ａが研磨面である場合を示し、図３は、透明平板３の側面３ａが荒摺り面である場合を示している。照射部１０から透明平板３に照射される光のうち、その殆どは、透明平板３の上面で正反射されるが、その一部は、透明平板３の内部に進入する。透明平板３の内部に進入した光は、透明平板３の側面３ａが研磨面である場合には、図２に示すように、透明平板３の側面３ａを透過するが、透明平板３の側面３ａが荒摺り面である場合には、図３に示すように、透明平板３の側面３ａで反射される。従って、透明平板３の側面３ａが荒摺り面である場合には、かかる荒摺り面が２次光源として機能するため、透明平板３の側面３ａで反射した光が透明平板３の上面とは反対側の下面に形成されたパターン８に照射される。パターン８に照射された光は、パターン８で反射され、透明平板上の異物からの散乱光とは異なる光として受光部１１に入射するため、異物として誤検出されてしまう。

本実施形態では、透明平板３の側面３ａが荒摺り面である場合には、駆動部３０によって、照射部１０をＹ方向に、具体的には、透明平板３の側面３ａから離れる方向に移動させる。これにより、透明平板３の側面３ａで反射される光を低減し、透明平板３の側面３ａで反射した光に起因する異物の誤検出を抑制することができる。

図４に示すように、照射部１０と受光部１１との相対位置が理想的な状態である場合を考える。ここで、照射部１０と受光部１１との相対位置が理想的な状態とは、照射部１０の光軸と透明平板３の上面との交点と、受光部１１の光軸と透明平板３の上面との交点とが一致する状態である。この場合、照射部１０から透明平板３に照射された光の強度分布ＬＤ１は、照射部１０の光軸上（入射光軸上）で最大となり、照射部１０の光軸から離れるにつれて小さくなる傾向を有する。これは、透明平板３の形状が異なることにより、透明平板上の受光部１１の光軸と、強度分布を有する照明領域との相対位置関係が異物検出領域内で変化し、結果として、同じ大きさの異物の検出結果にばらつきが発生することを意味する。

そこで、本実施形態では、異物検出処理として、第１モードと、第２モードとを含み、透明平板３の側面３ａの特性に応じて、第１モード又は第２モードを選択する。第１モードでは、照射部１０と受光部１１との相対位置を、照射部１０と受光部１１との間の透明平板３の上面に平行な方向（Ｙ方向）に沿った距離が第１距離となる第１状態とする。そして、かかる第１状態において受光部１１で検出される、透明平板上の異物からの散乱光の分布に基づいて異物を検出する。また、第２モードでは、照射部１０と受光部１１との相対位置を、照射部１０と受光部１１との間の透明平板３の上面に平行な方向（Ｙ方向）に沿った距離が第１距離よりも長い第２距離となる第２状態とする。そして、かかる第２状態において受光部１１で検出される、透明平板上の異物からの散乱光の分布に基づいて異物を検出する。なお、第１距離と第２距離との差は、微少であり、例えば、１０ｍｍ以上、且つ、２０ｍｍ以下の範囲である。

図５（ａ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）を参照して、本実施形態における異物検出処理、即ち、第１モード及び第２モードについて具体的に説明する。図５（ａ）は、透明平板３の側面３ａが研磨面であり、且つ、異物検出処理として第１モードが選択された場合を示している。ここでは、図５（ａ）に示すように、照射部１０と受光部１１との相対位置が理想的な状態を第１状態としている。また、照射部１０と受光部１１との間の透明平板３の上面に平行な方向（Ｙ方向）に沿った距離を、光源１が光を射出する位置とディテクタ５が光を検出する位置との間の距離としている。図５（ａ）に示すように、透明平板３の側面３ａが研磨面である場合、透明平板３の側面３ａは、２次光源として機能しないため、受光部１１の光軸付近の強度変化が小さい。従って、この場合、強度分布ＬＤ２は、図４に示す強度分布ＬＤ１と同様に、照射部１０から透明平板３に照射される光の強度変化の影響を受けにくい。

図５（ｂ）は、透明平板３の側面３ａが荒摺り面であり、且つ、異物検出処理として第１モードが選択された場合を示している。図５（ｂ）に示すように、透明平板３の側面３ａが荒摺り面である場合、透明平板３の側面３ａが２次光源として機能するため、受光部１１には、透明平板３の側面３ａ及びパターン８で反射した光も入射する。従って、この場合、強度分布ＬＤ３は、図５に示す強度分布ＬＤ２とは異なり、照射部１０から透明平板３に照射される光の強度変化の影響を受け、異物検出領域内の様々な箇所において異物と誤検出する可能性がある。

図５（ｃ）は、透明平板３の側面３ａが荒摺り面であり、且つ、異物検出処理として第２モードが選択された場合を示している。第２モードでは、照射部１０を透明平板３の側面３ａから離れる方向に移動させ、上述したように、照射部１０と受光部１１との間の透明平板３の上面に平行な方向（Ｙ方向）に沿った距離を第１距離よりも長い第２距離とする。図５（ｃ）に示すように、照射部１０を透明平板３の側面３ａから離れる方向に移動させることで、透明平板３の側面３ａまで進む光を減少させることができる。従って、この場合、強度分布ＬＤ４は、図５（ａ）に示す強度分布ＬＤ２と同様に、照射部１０から透明平板３に照射される光の強度変化の影響を受けにくくすることができる。

従って、本実施形態では、処理部１２は、透明平板３の側面３ａの特性を示す情報を取得し、かかる情報が透明平板３の側面３ａが研磨面であることを示す場合には、異物検出処理として第１モードを選択する（図５（ａ）参照）。一方、透明平板３の側面３ａの特性を示す情報が透明平板３の側面３ａが荒摺り面であることを示す場合には、異物検出処理として第２モードを選択する（図５（ｃ）参照）。これにより、異物検出対象物が透明平板３で、且つ、透明平板３の側面３ａが荒摺り面である場合であっても、透明平板３の側面３ａで反射される光を低減することができるため、かかる光による異物の誤検出を抑制することができる。なお、透明平板３の側面３ａで反射される光による異物の誤検出を更に抑制するために、第１モードでの異物検出対象領域と、第２モードでの異物検出対象領域とを異ならせてもよい。具体的には、第２モードでは、透明平板３の側面３ａで反射される光の影響を受ける領域を異物検出対象領域から外してもよい。

また、本実施形態では、照射部１０と受光部１１との距離に関して、透明平板３の表面に平行な方向の距離を変えることで第１モード及び第２モードを設定する場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、照射部１０を上下方向（Ｚ方向）に移動させる（即ち、照射部１０と透明平板３の表面との間の鉛直方向の距離を変える）ことで第１モード及び第２モードを設定することも可能である。

本実施形態では、透明平板３の側面３ａの特性を示す情報は、生成部１３で生成され、処理部１２は、生成部１３で生成された透明平板３の側面３ａの特性を示す情報を取得する。生成部１３は、駆動部３０によって照射部１０を移動させる前後において、照射部１０から透明平板３に照射される光によって透明平板上に形成される強度分布に基づいて、透明平板３の側面３ａの特性を示す情報を生成する。例えば、生成部１３は、照射部１０と受光部１１との相対位置が上述した第１状態である場合に透明平板上に形成される強度分布と、照射部１０と受光部１１との相対位置が上述した第２状態である場合に透明平板上に形成される強度分布とを比較する。そして、生成部１３は、その差が閾値以下である場合には、透明平板３の側面３ａが研磨面であることを示す情報を生成し、その差が閾値よりも大きい場合には、透明平板３の側面３ａが荒摺り面であることを示す情報を生成する。

また、生成部１３は、図４に示す強度分布ＬＤ１と、照射部１０と受光部１１との相対位置が上述した第１状態である場合に透明平板上に形成される強度分布とを比較することで、透明平板３の側面３ａの特性を示す情報を生成してもよい。この場合、図４に示す強度分布ＬＤ１は、予め取得しておく必要がある。

また、異物検出装置１００においては、透明平板３の側面３ａの特性に応じて、透明平板３に対する照射部１０及び受光部１１の角度を任意に変更し、透明平板３を照射する光の強度変化の影響を調整してもよい。

また、処理部１２は、透明平板３を保持したステージ６をＹ方向に往復させながら受光部１１で検出される散乱光の分布に基づいて、透明平板上の異物と、透明平板３の側面３ａで反射した光によるノイズとを識別する機能を有していてもよい。

本実施形態では、照射部１０と受光部１１との相対位置を、照射部１０と受光部１１との間の透明平板３の上面に平行な方向（Ｙ方向）に沿った距離で規定する場合について説明した。但し、照射部１０と受光部１１との相対位置を、照射部１０の光軸と、受光部１１の光軸と、透明平板３の上面との関係で規定することも可能である。この場合、照射部１０と受光部１１との相対位置として、照射部１０の光軸と透明平板３の上面との交点と、受光部１１の光軸と透明平板３の上面との交点との間の透明平板３の上面に平行な方向に沿った距離が第１距離となる状態を第１状態とする。また、照射部１０と受光部１１との相対位置として、照射部１０の光軸と透明平板３の上面との交点と、受光部１１の光軸と透明平板３の上面との交点との間の透明平板３の上面に平行な方向に沿った距離が第１距離よりも長い第２距離となる状態を第２状態とする。なお、上述した距離は、照射部１０の光軸と受光部１１の光軸とを含む面における距離としても表現することができる。

＜第２実施形態＞
図６は、本発明の第２実施形態における異物検出装置１００の構成を示す概略図である。第２実施形態における異物検出装置１００は、照射部１０を制御する照射制御部１４を更に有する。また、照射部１０は、光源１から射出された光の広がりを規定する開口を含む絞り１５を含む。

本実施形態では、照射部１０が絞り１５を含んでいるため、光源１から射出される光の広がりを抑え、透明平板３の側面３ａ（荒摺り面）に入射する光の領域を限定し、パターン８で反射される光を抑制することができる。但し、絞り１５を設けることで、透明平板３に照射される光の光量が減少する。そこで、照射制御部１４は、絞り１５の開口の大きさに基づいて、光源１から射出する光の光量を制御する。なお、絞り１５の開口の大きさは、透明平板３の厚さに基づいて、照射制御部１４によって決定される。これにより、透明平板３の側面３ａ（荒摺り面）からの光の影響を最小限に抑え、受光部１１に入射する光を異物からの散乱光のみにすることができる。従って、透明平板３の側面３ａで反射される光による異物の誤検出を抑制することができる。

＜第３実施形態＞
図７を参照して、本発明の一側面としての露光装置５００について説明する。露光装置５００は、半導体デバイスや液晶表示デバイスの製造工程であるリソグラフィ工程に採用され、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置である。露光装置５００は、マスク（原版）を介して基板を露光して、マスクのパターンを基板に転写する。

露光装置５００は、図７に示すように、照明光学系５１０と、投影光学系５２０と、マスク５３０を保持して移動するマスクステージ５４０と、基板５５０を保持して移動する基板ステージ５６０と、異物検出装置１００とを有する。更に、露光装置５００は、ＣＰＵやメモリなどを含むコンピュータで構成され、記憶部に記憶されたプログラムに従って露光装置５００の各部を統括的に制御して露光装置５００を動作させる制御部５７０を有する。

照明光学系５１０は、光源からの光でマスク５３０を照明する光学系である。マスク５３０は、透明平板で構成され、その上面とは反対側の下面には、基板５５０に形成すべきパターンに対応するパターンが形成されている。マスク５３０は、マスクステージ５４０に保持されている。マスク５３０の上面に存在する異物を検出する異物検出装置として、上述した異物検出装置１００を適用する。異物検出装置１００は、異物の誤検出を抑制し、マスク上の異物を高精度に検出することができる。

基板５５０は、基板ステージ５６０に保持されている。マスク５３０と基板５５０とは、投影光学系５２０を介して、光学的にほぼ共役な位置（投影光学系５２０の物体面及び像面の位置）に配置されている。基板上に存在する異物の検出に、上述した異物検出装置１００を適用することも可能である。投影光学系５２０は、物体を像面に投影する光学系である。投影光学系５２０には、反射系、屈折系、反射屈折系を適用することができる。投影光学系５２０は、本実施形態では、所定の投影倍率を有し、マスク５３０に形成されたパターンを基板５５０に投影する。そして、マスクステージ５４０及び基板ステージ５６０を、投影光学系５２０の物体面と平行な方向（例えば、Ｘ方向）に、投影光学系５２０の投影倍率に応じた速度比で走査する。これにより、マスク５３０に形成されたパターンを基板５５０に転写することができる。

＜第４実施形態＞
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示デバイスなど）、カラーフィルタ、光学部品、ＭＥＭＳなどの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置５００を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する工程と、露光された感光剤を現像する工程とを含む。また、現像された感光剤のパターンをマスクとして基板に対してエッチング工程やイオン注入工程などを行い、基板上に回路パターンが形成される。これらの露光、現像、エッチングなどの工程を繰り返して、基板上に複数の層からなる回路パターンを形成する。後工程で、回路パターンが形成された基板に対してダイシング（加工）を行い、チップのマウンティング、ボンディング、検査工程を行う。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、レジスト剥離など）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１００：異物検出装置 ３：透明平板 １０：照射部 １１：受光部 １２：処理部

Claims (11)

1. 透明部材上の異物を検出する異物検出装置であって、
   前記透明部材に対して斜めに光を照射する照射部と、
   前記照射部によって前記光が照射された前記透明部材上の異物からの散乱光を検出する受光部と、
   前記異物を検出する処理を行う処理部と、を有し、
   前記処理は、
   前記照射部と前記受光部との相対位置を、前記照射部と前記受光部との間の距離が第１距離となる第１状態とし、前記第１状態において前記受光部で検出される前記散乱光の分布に基づいて前記異物を検出する第１モードと、
   前記照射部と前記受光部との相対位置を、前記照射部と前記受光部との間の距離が前記第１距離よりも長い第２距離となる第２状態とし、前記第２状態において前記受光部で検出される前記散乱光の分布に基づいて前記異物を検出する第２モードと、
   を含み、
   前記処理部は、前記透明部材の側面の特性を示す情報を取得し、前記情報に応じて、前記第１モード又は前記第２モードを選択することを特徴とする異物検出装置。
2. 前記処理部は、前記情報が前記透明部材の側面が研磨面であることを示す場合には、前記第１モードを選択し、前記情報が前記透明部材の側面が荒摺り面であることを示す場合には、前記第２モードを選択することを特徴とする請求項１に記載の異物検出装置。
3. 前記第１距離と前記第２距離との差は、１０ｍｍ以上、且つ、２０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の異物検出装置。
4. 前記第１状態は、前記照射部の光軸と前記透明部材の表面との交点と、前記受光部の光軸と前記透明部材の表面との交点とが一致する状態であり、
   前記第２状態は、前記照射部の光軸と前記透明部材の表面との交点と、前記受光部の光軸と前記透明部材の表面との交点とが一致しない状態であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の異物検出装置。
5. 前記第１状態において前記照射部から前記透明部材に照射される光によって前記透明部材上に形成される強度分布と、前記第２状態において前記照射部から前記透明部材に照射される光によって前記透明部材上に形成される強度分布とに基づいて、前記情報を生成する生成部を更に有し、
   前記処理部は、前記生成部から前記情報を取得することを特徴とする請求項１に記載の異物検出装置。
6. 前記生成部は、
   前記第１状態において前記照射部から前記透明部材に照射される光によって前記透明部材上に形成される強度分布と、前記第２状態において前記照射部から前記透明部材に照射される光によって前記透明部材上に形成される強度分布との差が閾値以下である場合には、前記透明部材の側面が研磨面であることを示す前記情報を生成し、
   前記第１状態において前記照射部から前記透明部材に照射される光によって前記透明部材上に形成される強度分布と、前記第２状態において前記照射部から前記透明部材に照射される光によって前記透明部材上に形成される強度分布との差が前記閾値よりも大きい場合には、前記透明部材の側面が荒摺り面であることを示す前記情報を生成することを特徴とする請求項５に記載の異物検出装置。
7. 前記照射部は、
   前記光を射出する光源と、
   前記光源から射出された前記光の広がりを規定する開口を含む絞りと、
   を含み、
   前記絞りの前記開口の大きさに基づいて、前記光源から射出する前記光の光量を制御する照射制御部を更に有することを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の異物検出装置。
8. 前記照射制御部は、前記透明部材の厚さに基づいて、前記絞りの前記開口の大きさを決定することを特徴とする請求項７に記載の異物検出装置。
9. 透明部材上の異物を検出する異物検出装置であって、
   前記透明部材に対して斜めに光を照射する照射部と、
   前記照射部によって前記光が照射された前記透明部材上の異物からの散乱光を検出する受光部と、
   前記異物を検出する処理を行う処理部と、を有し、
   前記処理は、
   前記照射部と前記受光部との相対位置を、前記照射部の光軸と前記透明部材の表面との交点と、前記受光部の光軸と前記透明部材の表面との交点との間の距離が第１距離となる第１状態とし、前記第１状態において前記受光部で検出される前記散乱光の分布に基づいて前記異物を検出する第１モードと、
   前記照射部と前記受光部との相対位置を、前記照射部の光軸と前記透明部材の表面との交点と、前記受光部の光軸と前記透明部材の表面との交点との間の距離が前記第１距離よりも長い第２距離となる第２状態とし、前記第２状態において前記受光部で検出される前記散乱光の分布に基づいて前記異物を検出する第２モードと、
   を含み、
   前記処理部は、前記透明部材の側面の特性を示す情報を取得し、前記情報に応じて、前記第１モード又は前記第２モードを選択することを特徴とする異物検出装置。
10. 基板を露光する露光装置であって、
    前記基板にマスクのパターンを投影する投影光学系と、
    前記マスク上の異物を検出する異物検出装置と、
    を有し、
    前記マスクは、前記パターンが形成された透明部材で構成され、
    前記異物検出装置は、請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の異物検出装置を含むことを特徴とする露光装置。
11. 請求項１０に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    露光した前記基板を現像する工程と、
    現像された前記基板から物品を製造する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。

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